KR20020017368A - Led mounted on surface and method for manufacturing the same - Google Patents

Led mounted on surface and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20020017368A
KR20020017368A KR1020000050654A KR20000050654A KR20020017368A KR 20020017368 A KR20020017368 A KR 20020017368A KR 1020000050654 A KR1020000050654 A KR 1020000050654A KR 20000050654 A KR20000050654 A KR 20000050654A KR 20020017368 A KR20020017368 A KR 20020017368A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
resin body
glass epoxy
substrate
Prior art date
Application number
KR1020000050654A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100406856B1 (en
Inventor
고이케아키라
무라노요시오
후카사와고이치
Original Assignee
나카스기 로쿠로
가부시키가이샤 시티즌 덴시
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나카스기 로쿠로, 가부시키가이샤 시티즌 덴시 filed Critical 나카스기 로쿠로
Priority to KR10-2000-0050654A priority Critical patent/KR100406856B1/en
Publication of KR20020017368A publication Critical patent/KR20020017368A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100406856B1 publication Critical patent/KR100406856B1/en

Links

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: A surface-mounting light emitting diode(LED) is provided to remarkably reduce fabricating cost, by simultaneously forming a plurality of surface-mounting LED's on a glass epoxy substrate so that a light collecting lens unit is formed as one body with encapsulation resin and is automatically mounted on a mother board. CONSTITUTION: An LED(15) is disposed on the glass epoxy substrate(12). After an electrode of the LED is connected to a pair of electrodes formed on the glass epoxy substrate, the upper portion of the glass epoxy substrate is encapsulated by a resin material. A reflection frame(21) is disposed near the LED. The first resin material(25) mixed with a material for modifying a wavelength is filled in the reflection frame. Simultaneously, the second resin material(27) and the third resin material(28) as an outermost layer are stacked on the glass epoxy substrate including the reflection frame, wherein an ultraviolet absorbing material is mixed in at least the third resin material.

Description

표면 실장형 발광 다이오드 및 그의 제조방법{LED MOUNTED ON SURFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Surface Mount Light-Emitting Diode and Manufacturing Method Thereof {LED MOUNTED ON SURFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 모더보드에 표면실장할 수 있는 표면 실장형 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관하고, 특히 발광 다이오드 소자의 파장을 변환하는 것으로 발광색을 바꾸는 타이프의 표면실장형 발광 다이오드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface mount type light emitting diode that can be surface mounted on a motherboard and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a type of surface mount type light emitting diode that changes its emission color by converting a wavelength of a light emitting diode element.

(종래의 기술)(Conventional technology)

종래, 이 종류의 파장변환형의 발광 다이오드로서는 예를 들면 도 1에 도시한 것이 알려져 있다(일본 특개평 7-99345호). 이는 리드프레임형의 발광 다이오드(1)로서, 리드프레임의 한쪽측의 메탈포스트(2)에 오목부(3)내를 설치하고 이 오목부(3)에 발광 다이오드 소자(4)를 실어서 고착함과 동시에, 이 발광 다이오드 소자(4)와 리드프레임의 다른쪽측의 메탈 스템(5)와를 본딩와이어에 의하여 접속하는 한편, 상기 오목부(3)내에 파장변환용의 형광물질 등이 혼입되어 있는 수지재(76)를 충전하고, 더욱더 전체를 포탄형의 투명 에폭시 수지(8)에 의하여 봉지한 구조의 것이다. 이와 같은 구조로 이루어지는 발광 다이오드(1)에 있어서는, 발광 다이오드 소자(4)에서의 발광 파장이 오목부(3)내에 충전된 수지재(7)에 의하여 파장변환되기 때문에, 발광 다이오드 소자(4)의 원래의 발광색과는 다른 발광을 조사시킬 수가 있다.Conventionally, as shown in Fig. 1, for example, this kind of wavelength conversion type light emitting diode is known (Japanese Patent Laid-Open No. 7-99345). This is a lead frame type light emitting diode (1), in which a recess (3) is provided in a metal post (2) on one side of the lead frame, and a light emitting diode element (4) is mounted on the recess (3). At the same time, the light emitting diode element 4 and the metal stem 5 on the other side of the lead frame are connected by bonding wires, and a fluorescent material for converting wavelengths and the like are mixed in the concave portion 3. The resin material 76 was filled, and the whole was further sealed by the shell type transparent epoxy resin 8. In the light emitting diode 1 having such a structure, since the light emission wavelength in the light emitting diode element 4 is wavelength-converted by the resin material 7 filled in the recess 3, the light emitting diode element 4 It is possible to irradiate luminescence different from the original luminescence color of.

그러나, 상기 수지재(7)에 혼입되어 있는 파장변환용의 형광물질 등은, 외부로부터의 자외선 등에 의하여 노화하기 쉽다라는 성질을 갖고 있기 때문에, 상술한 바와 같은 전체를 투명 에폭시 수지(8)에 의하여 봉지한 것뿐인 발광 다이오드(1)로서는, 상기 형광물질이 외부로부터의 자외선에 의한 영향을 받기 수비다라는 문제가 있었다.However, since the fluorescent material for wavelength conversion and the like mixed in the resin material 7 have a property of being easily aged by ultraviolet rays from the outside, the entirety as described above is transferred to the transparent epoxy resin 8. As the light emitting diode 1 which is only sealed by this, there is a problem that the above-mentioned fluorescent substance is deflected under the influence of ultraviolet rays from the outside.

(발명의 요약)(Summary of invention)

본 발명의 제1의 목적은, 발광 다이오드의 구조를 표면 실장형으로 하고, 동시에 상기 형광물질 등의 파장 변환용 재료가 외부로부터의 자외선 등에 의한 영향을 받기 어렵도록 하는 것으로, 파장 변환용 재료의 노화를 억제하는 것에 있다.The first object of the present invention is to make the structure of the light emitting diode surface mount, and at the same time to make the wavelength conversion material such as the fluorescent material hardly influenced by ultraviolet rays from the outside. It is to suppress aging.

또, 본 발명의 제2의 목적은, 자외선의 영향을 받기 어렵게 한 구조로 한 것이 원인으로 발광 다이오드의 휘도의 저하를 동반하지 않도록 하는 것이다.Moreover, the 2nd object of this invention is to prevent the fall of the brightness | luminance of a light emitting diode for the reason which made it the structure which became hard to be influenced by an ultraviolet-ray.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 관한 표면실장형 발광 다이오드는, 글라스에폭시 기판의 상면에 발광 다이오드 소자를 배치하고, 이 발광 다이도으 소자의 전극과 글라스에폭시 기판에 형성판 1쌍의 전극과를 각각 접촉한 후, 글라스에폭시 기판의 상부를 수지체로 봉지되어 이루는 표면 실장형 발광 다이오드에 있어서, 상기 발광 다이오드 소자의 주위에 반사틀을 배치하고, 이 반사틀내에 파장 변환용 재료가 혼입된 제1의 수지체를 충전하여 발광 다이오드 소자를 봉지함과 동시에 반사틀을 포함하는 글라스에폭시 기판에 상부에 제2의 수지체 및 표층으로서의 제3의 수지체를 층상으로 포개어 전체를 봉지하고, 적어도 제3의 수지체중에는 자외선 흡수제가 혼입되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the surface mount light emitting diode according to the present invention includes a light emitting diode element disposed on an upper surface of a glass epoxy substrate, and a pair of electrodes formed on the electrode of the light emitting diode element and a glass epoxy substrate. A surface-mounted light emitting diode comprising a resin epoxy encapsulated in an upper portion of a glass epoxy substrate after contact with each other, wherein a reflecting frame is disposed around the light emitting diode element, and a wavelength conversion material is incorporated in the reflecting frame. While filling the resin body of 1 and encapsulating the light emitting diode element, a second resin body and a third resin body as a surface layer are stacked on the glass epoxy substrate including the reflecting frame in a layer to encapsulate the whole, and at least In the resin body of 3, the ultraviolet absorber is mixed. It is characterized by the above-mentioned.

또, 본 발명의 별도의 태양에 관한 표면 실장형 발광 다이오드는 상기 충전된 제1의 수지체의 상면이 반사틀의 상당 가장자리보다 낮은 위치에 있는 것을 특징으로 한다.Moreover, the surface mount type light emitting diode which concerns on another aspect of this invention is characterized in that the upper surface of the said filled 1st resin body is in the position lower than the considerable edge of a reflection frame.

또, 본 발명의 별도의 태양에 관한 표면실장형 발광 다이오드는, 상기 제1의 수지체에 혼입되는 파장변환용 재료가 형광염료 또는 형광안료로 이루어지는 형광물질인 것을 특징으로 한다.The surface mount light emitting diode according to another aspect of the present invention is characterized in that the wavelength conversion material incorporated into the first resin body is a fluorescent substance made of a fluorescent dye or a fluorescent pigment.

또, 본 발명의 별도의 태양에 관한 표면실장형 발광 다이오드는, 상기 제2의 수지체중에는 파장변환된 광을 확산하는 확산제가 혼입되어 있는 것을 특징으로 한다.Moreover, the surface mount type light emitting diode which concerns on another aspect of this invention is characterized in that the said 2nd resin body contains the diffusing agent which diffuses the wavelength converted light.

또, 본 발명의 별도의 태양에 관한 표면실장형 발광 다이오드는 상기 제3의 수지체가 상기 제2의 수지체의 전체를 피복하고, 동시에 외주부가 글라스 에폭시 기판의 상면에 접착 고정된 캡 형상인 것을 특징으로 한다.Moreover, the surface mount type light emitting diode which concerns on another aspect of this invention is a cap shape in which the said 3rd resin body coat | covers the whole said 2nd resin body, and the outer peripheral part is adhesively fixed to the upper surface of a glass epoxy board | substrate. It is characterized by.

또, 본 발명의 별도의 태양에 관한 표면실장형 발광 다이오드는 상기 제3의수지체의 상면에는 집광렌즈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.Moreover, the surface mount light emitting diode which concerns on another aspect of this invention is characterized by the condensing lens part formed in the upper surface of the said 3rd resin body.

또, 본 발명의 별도의 태양에 관한 표면실장형 발광 다이오드는, 상기 발광 다이오드 소자가 질화갈륨계 화합물 반도체 혹은 실리콘 카바이드계 화합물 반도체로 이루어지는 청색발과의 소자인 것을 특징으로 한다.Moreover, the surface mount light emitting diode which concerns on another aspect of this invention is characterized in that the said light emitting diode element is a blue light emitting element which consists of a gallium nitride compound semiconductor or a silicon carbide compound semiconductor.

더욱더, 본 발명에 관한 표면 실장형 발광 다이오드의 제조방법은, 한쌍의 전극이 형성되어 있는 글라스에폭시 집합 기판의 상면에 반사틀 집합체를 접착고정하는 공정과, 각각의 반사틀의 내부에 발광 다이오드 소자를 배치하고, 이 발광 다이오드 소자의 전극과 글라스 에폭시 기판에 형성한 1쌍의 전극과를 각각 접속하는 공정과, 상기 반사틀내에 파장변환용 재료가 혼입된 제1의 수지체를 충전하여 발광 다이오드 소자를 봉지하는 공정과 반사틀을 포함하는 글라스에폭시 집합기판의 상부를 확산재가 혼입된 제2의 수지체로 봉지하는 공정과, 상기 제2의 수지체의 상면을 자외선 흡수제가 혼입된 제3의 수지체로 봉지하는 공정과 글라스에폭시 집합기판에 상정된 절단라인에 따라서 각각의 발광 다이오드를 구성하는 기판의 크기마다 절단하고, 하나하나 발광 다이오드로 분할하는 공정과를 구비한 것을 특징으로 한다.Moreover, the manufacturing method of the surface mount type light emitting diode which concerns on this invention is a process of bonding and fixing a reflector frame assembly on the upper surface of the glass epoxy assembly board | substrate in which a pair of electrode is formed, and a light emitting diode element inside each reflecting frame. Arranging and connecting the electrodes of the light emitting diode element and the pair of electrodes formed on the glass epoxy substrate, respectively, and filling the first resin body into which the wavelength conversion material is mixed in the reflecting frame. Sealing the device, sealing the upper portion of the glass epoxy assembly substrate including the reflecting frame with a second resin body in which the diffusion material is mixed, and a third surface containing the ultraviolet absorber in the upper surface of the second resin body. According to the process of encapsulating with the resin body and the cutting line assumed on the glass epoxy assembly substrate, the substrate is cut for each size of the substrate constituting each LED. One is characterized in that it includes the step and for dividing the light emitting diode.

이와 같은 구성에 의하면, 수지봉지체의 표층부분에 자외선 흡수제를 혼입하였으므로, 발광 다이오드 소자 근처에 있는 파장 변환용 재료가 외부로부터의 자외선 등에 의한 영향을 받기 어렵게 되어 파장변환용 재료의 노화를 억제할 수가 있다.According to such a structure, since the ultraviolet absorber is mixed in the surface layer part of the resin encapsulation material, the wavelength conversion material near the light emitting diode element is less likely to be affected by ultraviolet rays from the outside, thereby suppressing the aging of the wavelength conversion material. There is a number.

또, 자외선 흡수제를 수지봉지체의 표층부분에만 혼입하였으므로, 이것이 원인으로 발광 다이오드의 희도가 현저히 저하해 버린다라는 일은 없다.In addition, since the ultraviolet absorber is mixed only in the surface layer portion of the resin encapsulation member, the whiteness of the light emitting diode is not significantly reduced because of this.

또 반사틀내에 충전되는 제1의 수지체의 상면이 그 반사틀의 상단 가장자리보다 낮은 위치에 있으므로, 복수의 표면 실장형 발광 다이오드를 근접 배치하였을 때에도, 한쪽의 발광 다이오드로부터의 발광을 다른쪽의 발광 다이오드의 반사틀의 상단 가장자리에서 차단할 수가 있고, 양쪽의 발광 다이오드의 발광색이 섞여지는 일은 없다.In addition, since the upper surface of the first resin body filled in the reflecting frame is located at a lower position than the upper edge of the reflecting frame, even when a plurality of surface mount light emitting diodes are arranged in close proximity, the light emitted from one light emitting diode may It can block at the upper edge of the reflecting frame of a light emitting diode, and the light emission color of both light emitting diodes is not mixed.

또 제2의 수지체중에 확산제를 혼입한 것으로, 파장 변환된 광이 확산되어 균일성이 있는 발광색이 얻어진다.Moreover, by incorporating a diffusing agent into the second resin body, the wavelength-converted light is diffused to obtain a uniform color of emitted light.

또 캡형상을 한 제3의 수지체로 제2의 수지체의 전체를 피복하였으므로 내부에 위치하는 파장 변환용 재료가 외부로부터의 자외선 등에 의한 영향을 보다 한층 받기 어렵게 된다.In addition, since the entire second resin body is covered with a cap-shaped third resin body, the wavelength conversion material located therein becomes less susceptible to the influence of ultraviolet rays from the outside.

또, 제3의 수지체의 상면에 집광 렌즈부를 형성하였으므로, 발광 다이오드 소자로부터의 광이 집광렌즈부에 의하여 집광되어 고휘도 발광이 얻어진다.In addition, since the condensing lens portion is formed on the upper surface of the third resin body, light from the light emitting diode element is condensed by the condensing lens portion to obtain high luminance light emission.

또, 본 발명의 제조방법에 의하면, 글라스에폭시 집합기판에 다수의 표면 실장형 발광 다이오드를 동시에 만들수 있으므로, 대폭의 코스트다운이 가능하고 경제적 효과가 크다. 더욱더 집광렌즈부가 봉지수지와 일체로 성형되어 있는 외에, 마더보드에의 자동 마운트도 가능하는 등, 공정수삭감이나 이익율의 향상, 더욱더 신뢰성의 향상 등도 도모할 수 있다.In addition, according to the manufacturing method of the present invention, since a large number of surface mount light emitting diodes can be simultaneously formed on a glass epoxy assembly substrate, a significant cost reduction is possible and the economic effect is large. In addition, the condenser lens unit is integrally molded with the encapsulation resin, and the mounting on the motherboard can be performed automatically, thereby reducing the number of processes, improving the profit margin, and further improving the reliability.

상술과 같은 본 발명의 특징 및 이점을 첨부도면을 참조하여 이하 다시 상세히 설명된다.The features and advantages of the present invention as described above are described in detail below with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 파장변환형의 발광 다이오드의 일예를 도시하는 단면도,1 is a cross-sectional view showing an example of a conventional wavelength conversion light emitting diode;

도 2는 본 발명에 관한 표면 실장형 발광 다이오드의 제1실시예를 도시하는 사시도,2 is a perspective view showing a first embodiment of a surface mount light emitting diode according to the present invention;

도 3은 상기 표면 실장형 발광 다이오드를 마더보드에 실장하였을 때의 상기 도 2에 있어서 A-A선에 따른 단면도,3 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 2 when the surface mounted light emitting diode is mounted on a motherboard;

도 4는 상기 표면 실장형 발광 다이오드를 집합기판으로 제조할 때의 전극패턴 형성공정을 도시하는 사시도,4 is a perspective view showing an electrode pattern forming process when manufacturing the surface mount light-emitting diode as an integrated substrate;

도 5는 상기 집합기판상에 반사틀 집합체를 얹어놓는 공정을 도시하는 사시도,5 is a perspective view showing a process of placing a reflection frame assembly on the assembly board;

도 6은 상기 집합 기판상에 발광 다이오드 소자를 탑재하고, 와이어 본딩하는 공정을 도시하는 단면도,6 is a cross-sectional view showing a step of mounting a light emitting diode element on the assembly substrate and wire bonding the same;

도 7은 상기 집합기판상의 발광 다이오드 소자를 제1수지체로 봉지하는 공정을 도시하는 단면도,7 is a cross-sectional view showing a step of encapsulating the light emitting diode element on the assembly substrate with a first resin member;

도 8은 상기 집합기판의 상부를 제2의 수지체로 봉지하는 공정을 도시하는 단면도,8 is a cross-sectional view showing a step of encapsulating an upper portion of the assembly substrate with a second resin body;

도 9는 상기 제2의 수지체의 상부를 제3의 수지체로 봉지하는 공정을 도시하는 단면도,9 is a cross-sectional view showing a step of sealing an upper portion of the second resin body with a third resin body;

도 10은 상기 집합기판을 X, Y 방향의 절단라인에 따라서 분할하는 경우의 단면 설명도,10 is a cross-sectional explanatory view in the case of dividing the assembly board along cutting lines in the X and Y directions;

도 11은 본 발명에 관한 표면 실장형 발광 다이오드의 제2실시예를 도시하는 사시도,11 is a perspective view showing a second embodiment of a surface mount light emitting diode according to the present invention;

도 12는 상기 표면 실장형 발광 다이오드를 머드보드에 실장하였을 때의 상기 도 11에 있어서 B-B선에 따른 단면도,12 is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG. 11 when the surface mounted light emitting diode is mounted on a mother board;

도 13은 상기 표면 실장형 발광 다이오드를 집합기판으로 제조하였을 경우의 전극패턴 형성공정 및 반사틀 집합체를 얹어놓는 공정을 도시하는 사시도,FIG. 13 is a perspective view showing an electrode pattern forming step and a step of placing a reflecting frame assembly when the surface mounted light emitting diode is manufactured by using an assembly substrate; FIG.

도 14는 상기 집합기판의 상부를 제2의 수지체로 봉지하는 공정을 도시하는 단면도,14 is a cross-sectional view showing a step of encapsulating an upper portion of the assembly substrate with a second resin body;

도 15는 상기 제2의 수지체의 상부를 제3의 수지체로 봉지하는 공정을 도시하는 단면도,15 is a cross-sectional view showing a step of sealing an upper portion of the second resin body with a third resin body;

도 16은 제2실시예에 관한 집합기판을 X방향의 절단라인에 따라서 분할하는 경우의 단면 설명도,16 is a cross-sectional explanatory diagram in the case of dividing the assembly substrate according to the second embodiment along a cutting line in the X direction;

도 17은 본 발명에 관한 표면 실장형 발광 다이오드의 제3실시예를 도시하는 사시도,17 is a perspective view showing a third embodiment of the surface mount type light emitting diode according to the present invention;

도 18은 상기 표면 실장형 발광 다이오드를 마더보드에 실장하였을 때의 도 17에 있어서 C-C선에 따른 단면도,18 is a cross-sectional view taken along the line C-C in FIG. 17 when the surface mounted light emitting diode is mounted on a motherboard;

도 19는 상기 도 17에 있어서 D-D선에 다른 단면도,19 is a cross-sectional view taken along the line D-D in FIG. 17,

도 20은 별도 공정에서 만든 제3의 수지봉지체를 제2의 수지봉지체 위에 덮었을 때의 단면도,20 is a cross-sectional view when the third resin encapsulation body produced in a separate step is covered on the second resin encapsulation body;

도 21은 집합기판으로 제조하는 경우의 상기 제2의 수지봉지체의 상부를 제3의 수지봉지체로 봉지하는 공정을 도시하는 사시도,FIG. 21 is a perspective view showing a step of encapsulating an upper portion of the second resin encapsulation member with a third resin encapsulation body in the case of manufacturing the assembly substrate;

도 22는 상기 도 21에 있어서 E-E선에 따른 단면도,FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. 21;

도 23은 제3실시예에 관한 집합기판을 X, Y방향의 절단 라인에 따라 분할하는 경우의 단면 설명도.Fig. 23 is a cross-sectional explanatory diagram in the case of dividing the assembly substrate according to the third embodiment along the cutting lines in the X and Y directions.

(실시예의 설명)(Description of Example)

이하 첨부도면에 의거하여 본 발명에 관한 표면실장형 발광 다이오드 및 제조방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 도 2 및 도 3은 본 발명에 관한 표면실장형 발광 다이오드(11)의 제1실시예를 도시한 것이다. 이 실시예에 관한 표면 실장형 발광 다이오드(11)는 직사각형의 글라스에폭시기판(12)의 상면에 한쌍의 전극(예를 들면 캐소드전극(13)과 애노드전극(14))을 패턴형성하고, 한쪽의 캐소드전극(13)상에 발광 다이오스 소자(15)을 실장한 후, 상부를 수지체로 봉지한 구조이다. 이들의 전극(13,14)은 글라스에폭시 기판(12)의 양단부에 설치된 관통구멍 전극(16a,16b)을 통하여 이면측에 돌아서 들어가 도 3에 도시한 바와 같이, 이면전극(17a,17b)이 마더보드(18)에 설치된 프린트배선(19a,19b)과 도통하고 있다. 더욱이 관통구멍 전극(16a,16b)의 상면에는 마스킹테이프(34)가 붙여있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, based on an accompanying drawing, embodiment of the surface mount type light emitting diode and manufacturing method which concern on this invention is described in detail. 2 and 3 show a first embodiment of the surface mounted light emitting diode 11 according to the present invention. In the surface mount type light emitting diode 11 according to this embodiment, a pair of electrodes (for example, the cathode electrode 13 and the anode electrode 14) is patterned on the upper surface of the rectangular glass epoxy substrate 12, and one side is formed. After mounting the light emitting diode element 15 on the cathode electrode 13, the upper part was sealed with the resin body. These electrodes 13 and 14 turn to the back side through the through-hole electrodes 16a and 16b provided at both ends of the glass epoxy substrate 12, and as shown in Fig. 3, the back electrodes 17a and 17b It is connected to the printed wirings 19a and 19b provided on the motherboard 18. Furthermore, a masking tape 34 is attached to the upper surfaces of the through hole electrodes 16a and 16b.

캐소드전극(13)은, 도 2 및 도 3에는 도시되는 바와 같이, 글라스에폭시 기판(12)의 상면 중앙부까지 뻗어 있고, 그 중앙전극부분(20)에 발광 다이오드 소자(15)가 접착고정된다. 또, 이 발광 다이오드 소자(15)를 둘러쌓도록 해서 중앙전극부분(20)에는 원통상의 반사틀(21)이 배치되어 있다. 이 반사틀(21)의 내주면은 절구형상으로 경사지어 있고, 발광 다이오드 소자(15)의 발광을 내주면에 반사시켜서 상방향으로 집광하는 작용을 갖는다. 내주면은, 발광 다이오드 소자(15)로부터의 광의 반사율을 높이기 위하여 거울면 마무리로 되어 있다.As shown in Figs. 2 and 3, the cathode electrode 13 extends to the center of the upper surface of the glass epoxy substrate 12, and the light emitting diode element 15 is fixed to the center electrode portion 20 by adhesion. Moreover, the cylindrical reflecting frame 21 is arrange | positioned at the center electrode part 20 so that this light emitting diode element 15 may be enclosed. The inner circumferential surface of the reflecting frame 21 is inclined in the shape of a mortar, and has a function of reflecting light emission of the light emitting diode element 15 to the inner circumferential surface and condensing upward. The inner circumferential surface has a mirror surface finish in order to increase the reflectance of the light from the light emitting diode element 15.

상기 반사틀(21)내에 배치되는 발광 다이오드 소자(15)는 대략 입방체 형상의 미소칩이고, 하면과 상면에 각각 전극을 갖는다. 그리고, 하면 전극이 반사틀(21)내의 캐소드 전극(13)에 도전성 접착제(22)로 접착 고정되고, 한편 상면 전극이 본딩 와이어(23)에 의하여 애노드 전극(14)에 접속되어 있다. 이 실시예에 있어서 발광 다이오드 소자(15)에는 실리콘 카바이드계 화합물 반도체로 이루어지는 청색발광소자이지만, 질화갈륨계화합물 반도체의 청색발광소자를 사용할 수도 있다. 이 경우에는 발광소자의 하면에 전극이 없으므로, P전극 및 N전극의 양쪽을 본딩와이어(23)에 의하여 캐소드 전극(13)과 애노드전극(14)의 각각에 접속할 필요가 있다.The light emitting diode element 15 disposed in the reflecting frame 21 is a microchip having a substantially cuboid shape, and has electrodes on the lower surface and the upper surface, respectively. The lower surface electrode is adhesively fixed to the cathode electrode 13 in the reflecting frame 21 with the conductive adhesive 22, while the upper surface electrode is connected to the anode electrode 14 by the bonding wire 23. In this embodiment, the light emitting diode element 15 is a blue light emitting element made of a silicon carbide compound semiconductor, but a blue light emitting element of a gallium nitride compound semiconductor may be used. In this case, since there is no electrode on the lower surface of the light emitting element, it is necessary to connect both the P electrode and the N electrode to each of the cathode electrode 13 and the anode electrode 14 by the bonding wires 23.

이 실시예에서는 상기 발광 다이오드 소자(15)를 봉지하기 위한 제1의 수지체(25)가 상기 반사틀(21)내에 충전되어 있다. 제1의 수지체(25)중에는 청색발광에 의하여 여기되어 긴파장의 가시광을 발하는 파장변환용 재료가 혼입되어 있고, 예를 들면 청색발광을 백색으로 변환하여 발광할 수가 있다. 이 파장 변환용 재료에는 형광염료나 형광 안료 등으로 이루어지는 형광물질이 사용되고, 형광염료로서, 예를 들면, 플루오레신나 로다민 등의 유기 형광체를, 또 형광안료로서 텅스텐산칼슘 등의 무기형광체를 사용할 수가 있다. 더욱이, 이들 형광물질의 혼입량을 변경하므로 변환하는 파장영역을 조정할 수가 있다. 또, 이 실시예에서는 제1의 수지체(25)의 충전량을 도 2 및 도 3에도 도시한 바와 같이, 그 상면이 반사틀(21)의 상단 가장자리(26)보다 낮은 위치로 되도록 하는 것이 바람직하다. 이렇게 하므로서, 복수의 표면 실장형 발광 다이오드(11)를 근접 배치하였을때에도, 한쪽의 발광 다이오드로부터의 발광을 다른쪽의 발광 다이오드의 반사틀(21)의 상단 가장자리(26)로 차단할 수 있으므로, 양쪽의 발광 다이오드의 발광색이 서로 섞이는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 이들의 형광물질을 혼입하는 수지재에는 일반으로 에폭시계의 투명수지가 사용된다.In this embodiment, the first resin body 25 for encapsulating the light emitting diode element 15 is filled in the reflecting frame 21. In the first resin body 25, a wavelength conversion material that is excited by blue light emission and emits long wavelength visible light is mixed. For example, blue light emission can be converted to white to emit light. Fluorescent materials made of fluorescent dyes, fluorescent pigments, and the like are used for the wavelength conversion material, and organic fluorescent materials such as fluorescein and rhodamine are used as fluorescent dyes, and inorganic fluorescent materials such as calcium tungstate are used as fluorescent pigments. Can be used. Furthermore, since the mixing amount of these fluorescent substances is changed, the wavelength range for conversion can be adjusted. In this embodiment, as shown in Figs. 2 and 3, the filling amount of the first resin body 25 is preferably such that its upper surface is lower than the upper edge 26 of the reflecting frame 21. Do. In this way, even when a plurality of surface mount light emitting diodes 11 are arranged in close proximity, the light emitted from one light emitting diode can be blocked by the upper edge 26 of the reflecting frame 21 of the other light emitting diode. It is possible to prevent the light emitting colors of the LEDs from mixing with each other. Moreover, epoxy resins are generally used for resin materials incorporating these fluorescent substances.

상기 반사틀(21)을 포함하는 글라스에폭시 기판(12)의 상부는, 제2의 수지체(27)에 의하여 봉지된다. 이 제2의 수지체(27)도 에폭시계의 투명수지를 주성분으로 한 것이고, 어느 정도의 두께를 갖고 글라스에폭시 기판(12)과 같은 평면형상으로 구성된다. 이 제2의 수지체(27)는, 상기 제1의 수지체(25)에 의하여 파장 변화된 발광색을 그대로 투과시키는 것이고, 에폭시계의 투명수지를 단독으로 사용할 수도 있지만, 이속에 산화알루미늄이나 이산화규소 등의 확산제를 혼입시키므로서 보다 균일성이 있는 발광색이 얻어진다.The upper portion of the glass epoxy substrate 12 including the reflection frame 21 is sealed by the second resin body 27. This second resin body 27 also has an epoxy transparent resin as a main component, and has a certain thickness and is formed in the same planar shape as the glass epoxy substrate 12. The second resin body 27 transmits the emission color changed by the first resin body 25 as it is, and epoxy transparent resin may be used alone, but aluminum oxide or silicon dioxide is used in this manner. By incorporating diffusing agents such as these, a more uniform luminous color is obtained.

더욱더, 이 실시예에서는, 상기 제2의 수지체(27)의 상부에 제3의 수지체(28)가 층상으로 여러겹으로 쌓아져 있다. 이 제3의 수지체(28)내에는 살리실산유도체나 2-히드록시벤조페논 유도체 등의 자외선 흡수제가 혼입되어 있고, 외광으로부터의 자외선을 여기서 차단하고, 제1의 수지체(25)에 대한 자외선의 영향을 적게하여 혼입되어 있는 형광물질의 노화를 억제하고 있다. 제3의 수지제(28)는, 상기 제2의 수지제(27)와 동일한 평면형상을 하고 있지만, 그 두께가 제2의 수지제(27)에 비하여 얇은 것이다. 이는, 제3의 수지체(28)의 목적이 상기 자외선에 의한 형광물질의 노화방지에 있으므로, 자외선을 유효하게 차단할 수 있으면 얇더라도 충분한 것외, 지나치게 두꺼우면 발광휘도가 저하해 버리기 때문이다. 이 실시예에 있어서, 상기 제3의 수지체(28)의 상면 중앙부에는 반구상의 집광렌즈부(29)가 일체로 돌출형성되어 있다. 이 집광렌즈부(29)는 반사틀(21)의 상방에 위치되어 있고, 반사틀(21)의 내주면에서 상방향을 향하여 반사된 발광 다이오드 소자(15)로부터의 광을 집광하기 위한 볼록렌즈로서의 작용을 갖는다. 즉, 발광 다이오드 소자(15)로부터 발한 광은, 그대로 상방으로 직진하는 것과, 반사틀(21)의 내주면에서 반사한 다음, 상방으로 향하는 것으로 나누이지만, 어느 광도 제1의 수지체(25)에 의하여 파장변환되어, 다시 제2의 수지체(27)에서 발광색을 균일하게 하여 집광렌즈부(29)에서 집광되기 때문에, 고휘도의 백색발광이 얻어지게 되는 것이다. 이 집광렌즈부(29)의 곡율반경이나 형상, 굴절율은, 집광이 얻어지는 범위에서는 특히 한정되는 것은 아니다. 더욱이, 제3의 수지체(28)에 집광렌즈부(29)를 설치하지 않는 경우도 있다.Furthermore, in this Example, the 3rd resin body 28 is laminated | stacked several layers in the upper part of the said 2nd resin body 27. As shown in FIG. Ultraviolet light absorbers, such as salicylic acid derivatives and 2-hydroxybenzophenone derivatives, are mixed in the third resin body 28, and the ultraviolet rays from external light are blocked here, and the ultraviolet rays to the first resin body 25 are mixed. The effect of suppressing the aging of the mixed fluorescent material is reduced. The third resin 28 has the same planar shape as the second resin 27, but the thickness thereof is thinner than that of the second resin 27. This is because the purpose of the third resin body 28 is to prevent the aging of the fluorescent material caused by the ultraviolet rays. Therefore, if the ultraviolet rays can be effectively blocked, the light emission luminance is lowered if the thickness is too thin and sufficient. In this embodiment, a hemispherical condensing lens portion 29 is integrally formed on the central portion of the upper surface of the third resin body 28. This condensing lens portion 29 is located above the reflecting frame 21 and serves as a convex lens for condensing light from the light emitting diode element 15 reflected upward from the inner circumferential surface of the reflecting frame 21. Has action. That is, the light emitted from the light emitting diode element 15 is divided into one which proceeds upward as it is, and which is reflected from the inner circumferential surface of the reflecting frame 21 and then directed upward, but any light is directed to the first resin body 25. As a result of wavelength conversion, the second resin body 27 makes the light emission color uniform and is condensed by the condensing lens unit 29. Thus, high luminance white light emission is obtained. The curvature radius, shape, and refractive index of the condensing lens unit 29 are not particularly limited in the range in which condensing is obtained. Furthermore, the condensing lens portion 29 may not be provided in the third resin body 28.

도 3에 도시한 바와 같이, 상기 구성으로 이루어지는 표면실장형 발광 다이오드(11)는, 마더보드(18)의 상면에 직접 실장할 수가 있다. 즉 마더보드(18)의 상면에 형성되어 있는 프린트 배선(19a,19b)상에 표면 실장형 발광 다이오드(11)를 위로 향하여 얹어놓고, 글라스에폭시 기판(12)의 좌우양측의 이면전극(17a,17b)을 납땜접합하므로서 높이 치수를 억제한 발광 다이오드의 실장이 완료된다. 이와 같이 하여 모더보드(28)에 실장된 표면 실장형 발광 다이오드(11)로부터는 청색발광에서 백색발광으로 변화된 광이 변색하는 일없이 상방향으로의 지향성을 갖으면서 발하게 된다.As shown in FIG. 3, the surface mounted light emitting diode 11 having the above configuration can be directly mounted on the upper surface of the motherboard 18. That is, the surface mounted light emitting diode 11 is placed on the printed wirings 19a and 19b formed on the upper surface of the motherboard 18 upwards, and the back electrodes 17a and the left and right sides of the glass epoxy substrate 12 are placed. The soldering of 17b) completes the mounting of the light emitting diode with the reduced height dimension. In this way, the surface-mounted light emitting diode 11 mounted on the motherboard 28 emits light having directivity in the upward direction without discoloring the light changed from blue light emission to white light emission.

도 4 내지 도 10은 상기 구성으로 이루어지는 표면 실장형 발광 다이오드(11)의 제조방법을 도시한 것이다. 이 제조방법은 집합기판을 사용하여 다수의 발광 다이오드를 동시에 제조하는 경우의 방법이다. 도 4는 글라스에폭시 집합기판(31)에 상술한 개개의 글라스에폭시기판(12)마다 캐소드전극 및 애노드전극을 구성하는 전극패턴(32)과 관통구멍 전극을 구성하는 등조구멍 관통구멍부(33)를 형성하고, 더욱더 둥근구멍 관통구멍부(33)를 마스킹 테이프(34)로 폐쇄하기까지의 공정을 도시한 것이다.4 to 10 show a method of manufacturing the surface mounted light emitting diode 11 having the above configuration. This manufacturing method is a method of manufacturing a plurality of light emitting diodes at the same time by using an assembly substrate. 4 shows an electrode pattern 32 constituting a cathode electrode and an anode electrode and a light hole through hole 33 constituting a through hole electrode for each glass epoxy substrate 12 described above on the glass epoxy assembly substrate 31. And the steps up to closing the round hole through-hole portion 33 with the masking tape 34 are shown.

도 5는 글라스에폭시 집합기판(31)의 상면에 반사율 집합체(35)를 위치결정하고 전극패턴(32)의 소정위치에 반사틀(21)을 얹어놓고 접착고정하는 공정을 도시한 것이다.FIG. 5 illustrates a process of positioning the reflectance assembly 35 on the upper surface of the glass epoxy assembly substrate 31, placing the reflection frame 21 at a predetermined position of the electrode pattern 32, and fixing the adhesive.

다음의 공정에서는,도 6에 도시하는 바와 같이, 상기 글라스에폭시 집합기판(31)의 각 반사틀(21)내에 발광 다이오드 소자(15)을 얹어 놓고, 그 하면을 중앙전극부분(20)에 도전성 접착제(22)로 고착한다. 경화로에 넣어 발광 다이오드 소자(15)를 고정한 후, 발광 다이오드 소자(15)의 상면 전극과 글라스에폭시 기판(12)의 애노드전극(14)와를 본딩와이어(23)에 의하여 접속한다.In the next step, as shown in Fig. 6, a light emitting diode element 15 is placed in each reflecting frame 21 of the glass epoxy assembly substrate 31, and the bottom surface thereof is conductive to the central electrode portion 20. The adhesive 22 adheres. After fixing the light emitting diode element 15 in a curing furnace, the top electrode of the light emitting diode element 15 and the anode electrode 14 of the glass epoxy substrate 12 are connected by a bonding wire 23.

도 7은, 제1의 수지체(25)의 봉지공정을 도시한 것이다. 이 봉지공정에서는 형광물질이 혼입된 제1의 수지제(25)를 각 반사틀(21)내에 각각 흘러 넣고, 발광 다이오드 소자(15)의 상면이 숨겨지는 위치까지 충전한다. 더욱이 충전의 경우에는 제1의 수지제(25)의 상면이 반사틀(21)의 상단 가장자리(26)까지 도달하지 않도록 주의한다. 충전후 경화로에 넣어 제1의 수지체(25)를 열경화시킨다.7 shows a sealing step of the first resin body 25. In this encapsulation step, the first resin 25 containing the fluorescent material is poured into each of the reflecting frames 21 and filled to a position where the upper surface of the light emitting diode element 15 is hidden. Furthermore, in the case of filling, care is taken so that the upper surface of the first resin 25 does not reach the upper edge 26 of the reflecting frame 21. After filling, it is placed in a curing furnace to thermoset the first resin body 25.

도 8은 제2의 수지체(27)의 봉지공정을 도시한 것이다. 이 봉지공정에서는 글라스에폭시 집합기판(31)의 상면 주위에 금형(36)을 설치하고, 이 금형(36)내에제2의 수지제(27)를 흘러 넣어 글라스에폭시 집합기판(31)의 상면 전체를 동시에 봉지한다.8 shows a sealing step of the second resin body 27. In this encapsulation step, the mold 36 is provided around the upper surface of the glass epoxy gathering substrate 31, and the second resin 27 is poured into the mold 36 to form the entire upper surface of the glass epoxy gathering substrate 31. To seal at the same time.

둥근 구멍 관통구멍부(33)는 상면이 마스킹 테이프(34)에 의하여 막혀있으므로, 그 속에 제2의 수지제(27)가 흘러들어가는 일은 없다. 이 상태에서 글라스에폭시 집합기판(31)을 경화로에 넣어 제2의 수지체(27)를 열경화시킨다.Since the upper surface of the round hole through-hole part 33 is blocked by the masking tape 34, the 2nd resin material 27 does not flow in it. In this state, the glass epoxy assembly substrate 31 is placed in a curing furnace to thermally cure the second resin body 27.

도 9는 제3의 수지체(28)의 봉지공정을 도시한 것이다. 이 봉지공정에서는, 집광렌즈부(29)를 일체 성형하기 위한 반구상의 오목부(38)가 형성된 별도의 금형(37)를 준비하고, 이속에 제3의 수지체(28)를 충전한다. 그리고, 그 위로부터 글라스에폭시 집합기판(31)을 뒤집어서 레이스다운하고, 제3의 수지체(28)와 제2의 수지체(27)와를 접촉시킨 상태에서 글라스에폭시 집합기판(31)을 경화로에 넣어 제3의 수지체(28)를 열경화시킨다.9 shows a sealing step of the third resin body 28. In this sealing process, the other metal mold | die 37 in which the hemispherical recessed part 38 for integrally molding the condensing lens part 29 was formed is prepared, and the 3rd resin body 28 is filled in this time. Then, the glass epoxy assembly substrate 31 is inverted and laced down therefrom, and the glass epoxy assembly substrate 31 is cured in a state in which the third resin body 28 and the second resin body 27 are in contact with each other. Into the third resin body 28 to be thermally cured.

도 10은 경화로로부터 꺼낸후의 공정을 도시되어 있고, 제2의 수지체(27) 및 제3의 수지체(28)로 봉지된 글라스에폭시 집합기판(31)을, X, Y방향의 절단라인(39,40)에 따라 바둑판 모양으로 다이싱 또는 슬라이싱 한다. 도 4 및 도 10에 도시되는 바와 같이 X방향의 절단라인(39)은 전극패턴(32)의 길이방향에 따른 라인이고, Y방향의 절단라인(40)은 둥근구멍 관통구멍부(33)상에 형성돤 라인이다. 이와 같이 분할된 하나하나의 표면실장형 발광 다이오드(11)는 자동마운트기(도시하지 않음)에 의하여 진공흡착된 마더보드(18)상으로 이송된다.Fig. 10 shows the process after taking out from the curing furnace, and cutting the glass epoxy assembly substrate 31 sealed with the second resin body 27 and the third resin body 28 in the X and Y directions. Dicing or slicing checkerboard according to (39,40). As shown in FIGS. 4 and 10, the cutting line 39 in the X direction is a line along the length direction of the electrode pattern 32, and the cutting line 40 in the Y direction is on the round hole through hole 33. 돤 formed on the line. The surface-mounted light emitting diodes 11 divided in this way are transferred onto the vacuum-adsorbed motherboard 18 by an automatic mounter (not shown).

도 11 및 도 12는, 본 발명에 관한 표면 실장형 발광 다이오드(11)의 제2의 실시예를 도시한 것이다. 이 실시예에 관한 표면 실장형 발광 다이오드(11)는, 앞의 실시예와는 달리, 글라스에폭시 기판(12)의 측면에 캐소드 전극(13) 및 애노드 전극(14)을 구성하는 측면전극(41a,41b)이 측면 폭 전체에 설치되고, 그 상태에서 이면전극(42a,42b)까지 연장하고 있다. 또, 이에 동반하여, 제2의 수지체(27) 및 제3의 수지체(28)가, 글라스에폭시기판(12)의 상면 양측을 일부 노출시킨 상태에서 설치되어 있다. 더욱이, 기타의 점은 앞의 실시예에 관한 표면 실장형 발광 다이오드와 동일한 구성으로 이루어지고, 또 동일한 작용효과를 갖이므로, 동일한 부호를 붙이므로서 상세한 설명은 생략한다.11 and 12 show a second embodiment of the surface mount light emitting diode 11 according to the present invention. Unlike the previous embodiment, the surface mounted light emitting diode 11 according to this embodiment has a side electrode 41a constituting the cathode electrode 13 and the anode electrode 14 on the side of the glass epoxy substrate 12. And 41b are provided over the entire side width and extend to the back electrodes 42a and 42b in this state. In addition, the 2nd resin body 27 and the 3rd resin body 28 are provided in the state which exposed both sides of the upper surface of the glass epoxy substrate 12 partially. Further, since other points are made of the same configuration as the surface mount light emitting diodes according to the previous embodiment and have the same working effects, detailed descriptions will be omitted with the same reference numerals.

도 13 내지 도 16은 제2의 실시예에 있어서 표면 실장형 발광 다이오드(11)의 제조방법을 도시한 것이다. 이 경우의 제조방법도 기본적으로는 앞의 실시예의 경우와 동일하고, 도 13에 도시한 바와 같이 글라스에폭시 집합기판(31)에는 동일한 전극패턴(32)이 형성되지만, 앞의 실시예와 달리 긴구멍 관통구멍부(43)가 형성된다. 이 경우는 마스킹테이프가 불필요로 된다. 또, 글라스에폭시 집합기판(31)의 상면에 반사틀 집합체(35)를 위치결정한 뒤 각 반사틀(21)을 전극패턴(32)상에 접착 고정한다.13 to 16 show a method of manufacturing the surface mounted light emitting diode 11 in the second embodiment. The manufacturing method in this case is also basically the same as in the previous embodiment, and the same electrode pattern 32 is formed on the glass epoxy assembly substrate 31 as shown in FIG. The through hole 43 is formed. In this case, the masking tape becomes unnecessary. In addition, after positioning the reflective frame assembly 35 on the upper surface of the glass epoxy assembly substrate 31, each reflective frame 21 is adhesively fixed on the electrode pattern 32.

반사틀(21)내에 발광 다이오드 소자(15)를 탑재하고 와이어본딩하는 공정 및 제1의 수지체(25)를 봉지하는 공정은, 도 6 및 도 7에 도시하는 제1의 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.Since the process of mounting and wire-bonding the light emitting diode element 15 in the reflecting frame 21 and the sealing of the first resin body 25 are the same as those of the first embodiment shown in Figs. Omit the description.

도 14는, 글라스에폭시 집합기판(31)의 상면에 금형(44)을 설치하고, 그 내부에 제2의 수지체(27)를 충전하는 공정을 도시한 것이지만, 이 금형(44)의 형상이 앞의 실시예의 것과 다르다. 즉, 이 금형(44)은, 글라스에폭시 집합기판(31)의 외주를 둘러쌓을 뿐 아니라 각각의 긴구멍 관통구멍부(43)에 대응한 우치에 금형 마스크부(45)를 갖고 있고, 이 금형 마스크부(45)로 긴구멍 관통구멍부(43)의 상면을 막고 있다. 금형 마스크부(45)의 가로폭은, 긴구멍 관통구멍부(43)의 그것보다 크고, 이때문에, 제2의 수지체(27)을 충전하였을 때에, 긴구멍 관통구멍부(43)속에는 제2의 수지체(27)가 흘러들어가지 않음과 동시에, 제2의 수지체(27)가 긴구멍 관통구멍부(43)의 가장자리로부터 약간 떨어진 위치에서 형성되게 된다.FIG. 14 shows a step of installing a mold 44 on the upper surface of the glass epoxy assembly substrate 31 and filling the second resin body 27 therein, but the shape of the mold 44 It is different from that of the previous embodiment. In other words, the mold 44 not only surrounds the outer periphery of the glass epoxy assembly substrate 31 but also has a mold mask portion 45 in a tooth formed corresponding to each of the long hole through-hole portions 43. An upper surface of the long hole through hole portion 43 is blocked by the mask portion 45. The width of the mold mask portion 45 is larger than that of the long hole through hole portion 43. Therefore, when the second resin body 27 is filled, the mold mask portion 45 is filled in the long hole through hole portion 43. While the second resin body 27 does not flow, the second resin body 27 is formed at a position slightly away from the edge of the long hole through hole portion 43.

도 15는 제3의 수지체(28)의 봉지공정을 도시한 것이고, 앞의 실시예와 동일하게, 집광렌즈부(29)를 일체 성형하기 위한 오목부(38)가 형성된 금형(46)을 사용하고 있지만, 앞의 금형(44)과 동일하게, 이 금형(46)에도 긴구멍 관통구멍부(43)를 막기 위한 금형 마스크부(47)가 형성되고, 긴구멍 관통구멍부(43)에의 제3의 수지체(28)의 흘러들어감을 막고 있는 점이 다르다.FIG. 15 shows the sealing process of the third resin body 28. Similarly to the previous embodiment, the mold 46 in which the concave portion 38 for integrally molding the condensing lens portion 29 is formed. Although used, the mold mask part 47 for blocking the long hole through-hole part 43 is also formed in this mold 46 similarly to the former metal mold 44, and is provided to the long hole through-hole part 43. The point which prevents the flow of the 3rd resin body 28 is different.

도 16은 글라스에폭시 집합기판(31)의 절단공정을 도시한 것이지만, 앞의 실시예와는 달리, X방향의 절단라인(39)에 따라 다이싱 또는 슬라이싱하는 것 뿐으로 하나하나의 표면 실장형 발광 다이오드(11)로 분할할 수가 있다. 즉, Y방향은 긴구멍 관통구멍부(43)로 되어 있어서 최초로부터 분할되어 있으므로 절단할 필요가 없다.FIG. 16 illustrates a cutting process of the glass epoxy assembly substrate 31, but unlike the previous embodiment, only one surface-mounted light is emitted by dicing or slicing according to the cutting line 39 in the X direction. The diode 11 can be divided. That is, since the Y-direction is the long-hole through-hole part 43 and is divided from the beginning, it is not necessary to cut | disconnect.

도 17 내지 도 19는 본 발명에 관한 표면 실장형 발광 다이오드(11)의 제3의 실시예를 도시한 것이다. 이 실시예에 관한 표면 실장형 발광 다이오드(11)는, 상기 제2의 실시예에 있어서 제2의 수지체(27)의 전체를 제3의 수지체(28)로 피복한 구조로 되어 있다. 즉, 제2의 수지체(27)는, 글라스에폭시 기판(12)의 상면외주부(12a)를 노출시킨 상태로 형성된다. 한편, 제3의 수지봉지체(28)는, 도 20에 도시하는 바와 같이 별도 공정에서 성형되어 있고, 상기 제2의 수지체(27)의 상면(27a) 및 주측면(27b)에 씌울 오목한곳(30)이 형성된 캡 형상을 하고 있다. 이 오목한곳(30)은 상벽면(30a) 및 측벽면(30b)으로 제2의 수지체(27)의 형상에 대응한 공간을 형성하고 있고, 제2의 수지체(27)에 씌웠을 때에 그 외주면에 밀착한다. 또, 제3의 수지체(28)의 하벽면(30c)에는 전주에 걸쳐서 접착제(24)가 도포되어 있고, 제2의 수지 봉지체(27)위에 씌웠을 때에 글라스에폭시 기판(12)의 상면 외주부(12a)에 접착 고정된다. 더욱이 그 밖의 점은 앞의 실시예에 관한 표면 실장형 발광 다이오드와 동일한 구성으로 이루어지고, 또, 동일한 작용 효과를 갖이므로, 동일한 부호를 붙이는 것으로 상세한 설명을 생략한다.17 to 19 show a third embodiment of the surface mount light emitting diode 11 according to the present invention. The surface mounted light emitting diode 11 according to this embodiment has a structure in which the entire second resin body 27 is covered with the third resin body 28 in the second embodiment. That is, the 2nd resin body 27 is formed in the state which exposed the upper outer peripheral part 12a of the glass epoxy substrate 12. As shown in FIG. In addition, the 3rd resin sealing body 28 is shape | molded by a separate process as shown in FIG. 20, and is recessed to cover the upper surface 27a and the main side surface 27b of the said 2nd resin body 27. As shown in FIG. It has the cap shape in which the place 30 was formed. This recessed part 30 forms the space corresponding to the shape of the 2nd resin body 27 by the upper wall surface 30a and the side wall surface 30b, and when it covers the 2nd resin body 27, It adheres to the outer peripheral surface. Moreover, the adhesive agent 24 is apply | coated to the lower wall surface 30c of the 3rd resin body 28 over the whole circumference, and when it is covered on the 2nd resin sealing body 27, the upper surface of the glass epoxy substrate 12 is carried out. It is adhesively fixed to the outer peripheral part 12a. In addition, since the other points consist of the same structure and the same effect as the surface mount type light emitting diode which concerns on the previous embodiment, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.

도 21 내지 도 23은 상기 제3의 실시예에 있어서 표면 실장형 발광 다이오드(11)의 제조방법을 도시한 것이다. 더욱이, 이 제조방법은 제2의 수지체(27)의 봉지공정까지가 상기 제2의 실시예와 동일하므로 상세한 설명은 생략하고, 제3의 수지체(28)의 봉지공정으로부터 설명한다.21 to 23 show a method of manufacturing the surface mounted light emitting diode 11 in the third embodiment. Moreover, in this manufacturing method, since the sealing process of the 2nd resin body 27 is the same as that of the said 2nd Example, detailed description is abbreviate | omitted and it demonstrates from the sealing process of the 3rd resin body 28. FIG.

도 21 및 도 22는 제2의 수지체(27)를 형성하기 위한 금형(44)(도 14 참조)를 떼낸후의 상태를 도시한 것이고, 글라스에폭시 집합기판(31)에는 서로 이웃하는 제2의 수지체(27) 사이에 공극(39)이 형성된다. 이때문에, 각 글라스에폭시 기판(12)의 상면 외주부(12a)가 노출된다. 한편, 제3의 수지체(28)는 별도공정에서 집합체(40)로서 형성되어 두고, 이것을 상기 글라스에폭시 집합기판(31)의 위로부터 씌운다. 집합체(40)의 각 오목한 곳(30)을 제2의 수지 봉지체(27)에 끼워 넣어미리 집합체(40)의 하벽면(30c)에 도포하여 둔 접착제(24)를 통하여 상면 외주부(12a)에 접착한다. 그후, 이것을 경화로에 넣어 접착제(24)를 고화한다.21 and 22 show a state after removing the mold 44 (see FIG. 14) for forming the second resin body 27, and the glass epoxy assembly substrate 31 is adjacent to each other. The voids 39 are formed between the resin bodies 27. For this reason, the upper peripheral part 12a of each glass epoxy substrate 12 is exposed. On the other hand, the third resin body 28 is formed as the aggregate 40 in a separate step and is covered from above the glass epoxy aggregate substrate 31. Each recess 30 of the assembly 40 is inserted into the second resin encapsulation 27 and the upper surface outer periphery 12a is applied to the lower wall surface 30c of the assembly 40 in advance. To adhere to. Then, this is put into a hardening furnace and the adhesive agent 24 is solidified.

도 23은 글라스에폭시 집합기판(31)에 탑재된 발광 다이오드 소자(15)가 제1의 수지 봉지체(25), 제2의 수지 봉지체(27) 및 제3의 수지 봉지체(28)의 3층 구조로 봉지된 상태를 도시한 것이다.FIG. 23 shows that the light emitting diode element 15 mounted on the glass epoxy assembly substrate 31 is formed of the first resin encapsulation member 25, the second resin encapsulation member 27, and the third resin encapsulation member 28. It shows the state encapsulated in a three-layer structure.

이와 같은 글라스에폭시 집합기판(31)을, 도 21 및 도 23에 도시한 바와 같이, 미리 기판상에 상정된 X, Y방향의 절단라인(41,42)에 따라 바둑판 모양으로 다이싱 또는 슬라이싱하고, 도 17에 도시한 바와 같은 1개씩의 표면 실장측 발광 다이오드(11)로 분할한다. 분할된 하나하나의 표면 실장형 발광 다이오드(11)는 자동 마운트기(도시하지 않음)에 의하여 진공흡착되어 마더보드(18)상으로 이송된다.As shown in Figs. 21 and 23, the glass epoxy assembly substrate 31 is diced or sliced in a checkerboard shape according to the cutting lines 41 and 42 in the X and Y directions previously assumed on the substrate. 17 is divided into one surface-mounting side light emitting diode 11 as shown in FIG. Each of the divided surface mount light emitting diodes 11 is vacuum-absorbed by an automatic mounter (not shown) and transferred onto the motherboard 18.

더욱이, 상기 어느 실시예도 본딩 와이어(23)를 사용한 접속방법에 대하여 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 땜납범프를 사용한 플립칩 실장 등의 접착방법도 포함되는 것이다.Moreover, although all the above embodiments have described the connection method using the bonding wire 23, the present invention is not limited to this, and includes, for example, a bonding method such as flip chip mounting using solder bumps.

또, 본 발명의 제조방법에 의하면, 글라스에폭시 집합기판에 다수의 표면 실장형 발광 다이오드를 동시에 만들수 있으므로, 대폭의 코스트다운이 가능하고 경제적 효과가 크다. 더욱더 집광렌즈부가 봉지수지와 일체로 성형되어 있는 외에, 마더보드에의 자동 마운트도 가능하는 등, 공정수삭감이나 이익율의 향상, 더욱더 신뢰성의 향상 등도 도모할 수 있다.In addition, according to the manufacturing method of the present invention, since a large number of surface mount light emitting diodes can be simultaneously formed on a glass epoxy assembly substrate, a significant cost reduction is possible and the economic effect is large. In addition, the condenser lens unit is integrally molded with the encapsulation resin, and the mounting on the motherboard can be performed automatically, thereby reducing the number of processes, improving the profit margin, and further improving the reliability.

Claims (8)

글라스에폭시 기판의 상면에 발광 다이오드 소자를 배치하고, 이 발광 다이오드 소자의 전극과 글라스에폭시 기판에 형성된 1쌍의 전극을 각각 접속한 후, 글라스에폭시 기판의 상부를 수지체로 봉지되어 이루어지는 표면 실장형 발광 다이오드에 있어서,A surface mount type in which a light emitting diode element is disposed on an upper surface of a glass epoxy substrate, the electrodes of the light emitting diode element and a pair of electrodes formed on the glass epoxy substrate are connected to each other, and the top of the glass epoxy substrate is encapsulated with a resin body. In the light emitting diode, 상기 발광 다이오드 소자의 주위에 반사틀을 배치하고, 이 반사틀내에 파장 변환용 재료가 혼입된 제1의 수지체를 충전하여 발광 다이오드 소자를 봉지함과 동시에, 반사틀을 포함하는 글라스에폭시 기판의 상부에 제2의 수지체 및 표층으로서의 제3의 수지체를 층상으로 포개어 전체를 봉지하고, 적어도 제3의 수지체중에는 자외선 흡수제가 혼입되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드.A reflecting frame is arranged around the light emitting diode element, the first resin body containing the wavelength conversion material is filled in the reflecting frame to encapsulate the light emitting diode element, and at the same time, the glass epoxy substrate including the reflecting frame. A surface-mounted light emitting diode comprising a second resin body and a third resin body as a surface layer stacked on top of each other to encapsulate the whole, and an ultraviolet absorber mixed in at least the third resin body. 제 1 항에 있어서, 상기 충전된 제1의 수지체의 상면은 반사틀의 상단 가장자리보다 낮은 위치에 있는 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드.The surface mounted light emitting diode of claim 1, wherein an upper surface of the filled first resin body is lower than an upper edge of the reflecting frame. 제 1 항에 있어서, 상기 제1의 수지체에 혼입되는 파장 변환용 재료는 형광 염료 또는 형광 안료로 이루어지는 형광 물질인 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드.The surface-mount light emitting diode according to claim 1, wherein the wavelength conversion material incorporated into the first resin body is a fluorescent material made of a fluorescent dye or a fluorescent pigment. 제 1 항에 있어서, 상기 제2의 수지체중에는 파장 변환된 광을 확산하는 확산제가 혼입되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드.The surface mounted light emitting diode according to claim 1, wherein a diffusion agent for diffusing the wavelength-converted light is mixed in the second resin body. 제 1 항에 있어서, 상기 제3의 수지체는 상기 제2의 수지체 전체를 피복하고, 동시에 외주부가 글라스에폭시 기판의 상면에 접착 고정된 캡형상인 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광 다이오드.2. The surface mounted light emitting diode according to claim 1, wherein the third resin body covers the whole of the second resin body, and at the same time the outer circumferential portion is cap-shaped fixed to the upper surface of the glass epoxy substrate. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제3의 수지체의 상면에는 집광렌즈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드.The surface mounted light emitting diode according to claim 1 or 5, wherein a condensing lens portion is formed on an upper surface of said third resin body. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드 소자가 질화갈륨계 화합물 반도체 혹은 실리콘카바이드계 화합물 반도체도 이루어지는 청색발광의 소자인 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드.2. The surface mounted light emitting diode according to claim 1, wherein the light emitting diode element is a blue light emitting element comprising a gallium nitride compound semiconductor or a silicon carbide compound semiconductor. 한쌍의 전극이 형성되어 있는 글라스에폭시 집합기판의 상면에 반사틀 집합체를 접착 고정하는 공정과, 각각의 반사틀의 내부에 발광 다이오드 소자를 배치하고, 이 발광 다이오드 소자의 전극과 글라스에폭시 기판에 형성된 1쌍의 전극을 각각 접속하는 공정과, 상기 반사틀내에 파장 변환용 재료가 혼입된 제1의 수지체를 충전하여 발광 다이오드 소자를 봉지하는 공정과, 반사틀을 포함하는 글라스에폭시 집합기판의 상부를 확산재가 혼입된 제2의 수지체로 봉지하는 공정과, 상기 제2의 수지체의 상면을 자외선 흡수제가 혼입된 제3의 수지체로 봉지하는 공정과 글라스에폭시 집합기판에 상정된 절단라인에 따라서 각각의 발광 다이오드를 구성하는 기판의 크기마다 절단하고, 하나하나 발광 다이오드로 분할하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 표면 실장형 발광 다이오드의 제조방법.Bonding and fixing the reflective frame assembly on the upper surface of the glass epoxy assembly substrate on which the pair of electrodes are formed; and arranging the light emitting diode elements inside the respective reflective frames, and forming the electrodes and the glass epoxy substrate of the light emitting diode element. A step of connecting each pair of electrodes, a step of sealing a light emitting diode element by filling a first resin body in which a wavelength conversion material is mixed in the reflecting frame, and an upper portion of a glass epoxy assembly substrate including a reflecting frame; Is encapsulated in a second resin body in which a diffusion material is incorporated, a process of encapsulating the upper surface of the second resin body in a third resin body in which an ultraviolet absorber is incorporated, and a cutting line assumed on a glass epoxy assembly substrate. Therefore, each step of cutting the size of the substrate constituting the light emitting diode, characterized in that the step of dividing into one by one light emitting diode Method of manufacturing a surface mounted light emitting diode.
KR10-2000-0050654A 2000-08-30 2000-08-30 Led mounted on surface and method for manufacturing the same KR100406856B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0050654A KR100406856B1 (en) 2000-08-30 2000-08-30 Led mounted on surface and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0050654A KR100406856B1 (en) 2000-08-30 2000-08-30 Led mounted on surface and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020017368A true KR20020017368A (en) 2002-03-07
KR100406856B1 KR100406856B1 (en) 2003-11-21

Family

ID=37478656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0050654A KR100406856B1 (en) 2000-08-30 2000-08-30 Led mounted on surface and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100406856B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100693463B1 (en) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 Light diffusion type light emitting diode
KR100798195B1 (en) * 2003-12-04 2008-01-24 닛토덴코 가부시키가이샤 Process for producing optical semiconductor device
KR100990337B1 (en) * 2004-02-19 2010-10-29 홍-유안 테크놀러지 씨오., 엘티디. A fabrication equipment of a light emitting device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3065263B2 (en) * 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and LED display using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100798195B1 (en) * 2003-12-04 2008-01-24 닛토덴코 가부시키가이샤 Process for producing optical semiconductor device
KR100990337B1 (en) * 2004-02-19 2010-10-29 홍-유안 테크놀러지 씨오., 엘티디. A fabrication equipment of a light emitting device
KR100693463B1 (en) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 Light diffusion type light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
KR100406856B1 (en) 2003-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3349109B2 (en) Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same
EP1187226B1 (en) Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US6345903B1 (en) Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP3349111B2 (en) Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same
US6759803B2 (en) LED light source with lens and corresponding production method
EP1743358B1 (en) Package comprising light emitting diodes
JP3447604B2 (en) Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same
KR100425566B1 (en) Light emitting diode
KR100463653B1 (en) Light-emitting diode
US7960819B2 (en) Leadframe-based packages for solid state emitting devices
EP1900040B1 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
JP4254276B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2000156528A (en) Luminous element
JP2002319711A (en) Surface mounting type light-emitting diode and method for manufacturing the same
JP2000223749A (en) Light emitting diode lamp and its manufacture chip type light emitting diode element, and dot matrix type light emitting diode unit
JP2002324917A (en) Surface mount light emitting diode and method of manufacturing the same
CN1177377C (en) Surface assembled luminescent diode and its manufacture method
JP3798588B2 (en) Light emitting diode
KR100406856B1 (en) Led mounted on surface and method for manufacturing the same
KR200383148Y1 (en) Light Emitting Diode and its Method of Making With Rrflecting
KR200296162Y1 (en) White light emitted diode
US10720559B2 (en) Light-emitting diode device and manufacturing method thereof
KR20100042066A (en) Light emitting diode package
KR20120086566A (en) Package of light emitting device and method of manufacturing the same
KR20060064714A (en) Light emitting diode and its method of making with rrflecting

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090925

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121105

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee