KR20020015522A - 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법 - Google Patents
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Abstract
이 발명은 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 반도체패키지 자재를 픽업하여 도금 공정을 수행하는 벨트의 수명을 연장하고, 벨트 자체에 형성된 도금층을 녹여 재활용할 수 있으며, 환경 오염 문제를 개선할 수 있도록, 일정 거리 이격된 채 설치되어 소정의 회전력을 제공하는 회전수단과; 상기 회전수단에 결합된 동시에 반도체패키지 자재를 픽업하여 일정 방향으로 이동하는 벨트와; 상기 벨트 및 반도체패키지 자재가 침지되어 도금을 수행하도록 소정 화학 용액이 녹아 있는 플레이팅 셀을 포함하여 이루어진 반도체패키지용 도금 장치에 있어서, 상기 회전수단 사이에는, 상기 벨트에서 반도체패키지 자재가 언로딩된 후, 상기 벨트 자체에 형성된 도금층을 고온으로 녹여 제거할 수 있도록 열풍 제공부가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 도금 장치.
Description
본 발명은 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 반도체패키지 자재를 픽업하여 플레이팅 셀을 통과하는 벨트의 수명을 연장하고, 벨트의 도금층을 녹여 재활용할 수 있으며, 환경 오염 문제를 개선할 수 있는 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체패키지의 제조 공정중에서 몰딩(Molding) 공정(반도체칩을 리드프레임 등에 탑재하고 봉지재로 감싸는 공정) 후에는 반도체패키지 자재(예를 들면, 리드프레임 등)가 공기 중에서 산화나 부식되는 것을 방지하고 또한 변색을 방지하며, 전기적인 특성이나 납땜이 잘되도록 하기 위하여 도금 공정이 수행된다.
상기 도금 공정은 통상 무전해 도금 또는 전해 도금 방법이 있으나, 전해(이온) 도금 방법이 비교적 두껍고 균일한 도금층을 얻을 수 있기 때문에 상기 반도체패키지 자재의 도금에는 상기 전해 도금 방법을 주로 사용한다.
이러한 도금 공정은 몰딩 영역 외측으로 돌출된 표면(예를 들면 리드프레임의 리드)에 소정 금속 예를 들면 Sn, Sn-Pb, Sn-Cu 등의 금속을 입히는 것이며, 이러한 도금은 통상 도금될 부분(리드)에 전원부로부터 소정의 전원을 인가하면서, 상기 금속이 녹아있는 화학 용액에 그 반도체패키지 자재를 일정 시간 침지(浸漬)하여 수행한다.
이러한 도금 공정을 수행하기 위한 종래 도금 장치(100')의 개략적인 구조를 도1a에 도시하였다.
도시된 바와 같이 벨트(4)가 양측의 회전수단(2)에 의해 일측 방향으로 연속 회전되며, 상기 벨트(4)의 하부는 반도체패키지 자재(8)를 고정시킬 수 있도록 다수의 집게 모양으로 되어 있다. 또한 상기 벨트(4) 하부에는 소정의 화학 용액이녹아 있는 플레이팅 셀(6), 상기 벨트(4) 및 반도체패키지 자재(8)에 묻은 화학용액을 중화시키는 중화조(14) 및 상기 벨트(4) 자체에 도금된 도금층을 제거하기 위한 스트립(Strip)부(18) 등이 설치되어 있다. 또한 도시되지는 않았지만 상기 플레이팅 셀(6)에 연결되어 소정 전원을 인가할 수 있도록 전원부가 설치되어 있다.
도면중 부호 10은 반도체패키지 자재(8)를 상기 벨트(4)에 공급하는 로딩부이고, 16은 도금이 완료된 반도체패키지 자재(8)를 벨트(4)에서 배출하는 언로딩부이다.
이러한 도금 장치(100')를 이용하여 도금하는 방법이 도1b에 도시되어 있다.
1. 로딩 단계로서, 상기 도금 장치의 로딩부(10)에서 낱개의 반도체패키지 자재를 픽업하여 벨트(4)에 하나씩 로딩한다.(S1)
2. 도금 단계로서, 상기 벨트(4)가 일측으로 이동하여, 각종 금속이 녹아 있는 플레이팅 셀(6)을 통과함으로써 상기 반도체패키지 자재에 일정 두께의 도금을 수행한다. 상기 금속은 전술한 Sn, Sn-Pb, Sn-Cu 등이 될 수 있으며, 또한 상기 벨트(4) 자체에도 일정 두께의 도금층이 형성된다.(S2)
3. 중화 단계로서, 상기 반도체패키지 자재에 묻어 있는 화학 용액 등을 제거하기 위해 벨트(4)를 상수 또는 디아이워터(DI Water)가 담겨져 있는 중화조(14)에 침지시킨 채 통과시킨다.(S3)
4. 언로딩 단계로서, 상기 벨트(4)로부터 도금된 반도체패키지 자재를 언로딩한다.(S4)
5. 도금층 제거 단계로서, 상기 S2 단계에서 상기 벨트(4)에 도금된 소정의도금층을 일정한 화학 용액을 이용하여 제거한다. 이때, 상기 도금 물질은 상기한 바와 같이 다양하게 존재하므로 그것과 반응할 수 있는 다양한 화학 용액을 구비하여 도금층을 제거한다.(S5)
그러나, 상기와 같이 벨트의 표면에 도금된 도금층을 반복적으로 제거하는 단계에 의해 상기 벨트의 수명이 단축되는 문제가 있다. 즉, 벨트에 일정두께의 도금층을 형성하고 이어서 화학적으로 상기 도금층을 제거하는 작업이 계속 반복됨에 따라 상기 벨트 표면의 거칠기가 증가함은 물론 벨트의 부피가 점차 작아짐으로써 결국 벨트를 주기적으로 교체해 주어야 하는 문제점이 있다.
또한, 상기 도금 단계에서 사용되는 금속은 다양하게 존재함으로 이를 제거하기 위한 화학용액도 다양하게 구비하여야 하는 불편한 문제가 있다.
더불어, 상기 도금층 제거 단계에서 사용된 화학 용액에는 Pb와 같은 중금속이 다량 포함되고, 이를 처리하기 위한 비용이 고가로 되며, 또한 환경 오염도 유발하는 문제가 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 반도체패키지 자재를 픽업하여 도금을 수행하는 벨트의 수명을 연장하고, 벨트에 형성된 도금층을 녹여 재활용할 수 있으며, 환경 오염 문제를 개선할 수 있는 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법을 제공하는데 있다.
도1a는 종래 반도체패키지용 도금 장치를 도시한 개략도이고, 도1b는 종래 반도체패키지의 도금 방법을 도시한 순차 설명도이다.
도2a는 본 발명에 의한 반도체패키지의 도금 장치를 도시한 개략도이고, 도2b는 본 발명에 의한 반도체패키지의 도금 방법을 도시한 순차 설명도이다.
도3은 Sn-Pb 합금의 녹는점을 도시한 그래프이다.
- 도면중 주요 부호에 대한 설명 -
100; 본 발명에 의한 반도체패키지용 도금 장치
2; 회전수단 4; 벨트
6; 플레이팅 셀 10; 로딩부
14; 중화조 16; 언로딩부
18; 스트립조 20; 열풍 제공부
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지용 도금 장치는일정 거리 이격된 채 설치되어 소정의 회전력을 제공하는 회전수단과; 상기 회전수단에 결합된 동시에 반도체패키지 자재를 픽업하여 일정 방향으로 이동하는 벨트와; 상기 벨트 및 반도체패키지 자재가 침지되어 도금을 수행하도록 소정 화학 용액이 녹아 있는 플레이팅 셀을 포함하여 이루어진 반도체패키지용 도금 장치에 있어서, 상기 회전수단 사이에는, 상기 벨트에서 반도체패키지 자재가 언로딩된 후, 상기 벨트 자체에 형성된 도금층을 고온으로 녹여 제거할 수 있도록 열풍 제공부가 형성된 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지의 도금 방법은 반도체패키지 자재를 벨트에 로딩하는 로딩 단계와; 상기 벨트가 플레이팅셀을 통과하도록 하여 상기 반도체패키지 자재에 일정두께의 도금층이 형성되도록 하는 도금 단계와; 상기 반도체패키지 자재에 묻어 있는 화학 용액을 제거하는 단계와; 상기 도금이 완료된 반도체패키지 자재를 언로딩하는 단계와; 상기 벨트 자체에 형성된 도금층을 제거하는 단계로 이루어진 반도체패키지의 도금 방법에 있어서, 상기 도금층 제거 단계는 상기 벨트에 일정한 온도의 열풍을 제공하여, 상기 벨트에 형성된 도금층이 녹아서 제거되도록 하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 도금층 제거 단계는 200∼300℃의 열풍이 제공됨이 바람직하다.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지용 도금 장치 및 도금 방법에 의하면, 일정두께로 도금층이 형성된 벨트에 소정 온도의 열풍을 제공하여, 상기 도금층을 녹여 제거함으로써, 상기 벨트에 어떤 손상도 발생하지 않게 되고 따라서그 수명이 길어지는 장점이 있다.
또한, 도금 단계에서 다양한 금속이 사용되더라도 상기 금속의 대부분은 녹는점이 200∼230℃ 사이에 위치하기 때문에 상기 열풍 제공부에서 모두 제거할 수 있게 된다.
또한, 상기 열풍 제공부에서 제거된 도금물질은 다시 재활용이 가능하므로, 종래와 같은 중금속 오염 내지 환경 오염 문제를 최소화할 수 있게 된다.
이하 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도2a는 본 발명에 의한 반도체패키지의 도금 장치(100)를 도시한 개략도이고, 도2b는 본 발명에 의한 반도체패키지의 도금 방법을 도시한 순차 설명도이다.
여기서, 본 발명의 요지를 흐리지 않토록 종래와 중복되는 내용은 그 설명을 생략하기로 하며, 본 발명에 의한 장치 및 방법을 동시에 설명하기로 한다.
도시된 바와 같이 벨트(4)가 결합된 2개의 회전수단(2) 사이에는 종래 화학용액이 담겨져 있는 스트립부 대신 열풍 제공부(20)가 설치되어 있다. 즉, 벨트(4)로부터 반도체패키지 자재가 언로딩부(16)로 언로딩된 후 공(空) 벨트(4)가 상기 열풍 제공부(20)를 통과하게 되며, 이에 따라 상기 공 벨트(4) 자체에 형성된 도금층은 상기 열풍에 의해 녹으면서 상기 공 벨트(4)로부터 제거된다. 물론, 상기 열풍 제공부(20)에서 도금층이 제거된 벨트(4)는 계속 전진하여 또다른 반도체패키지 자재를 픽업하여 도금 공정을 수행한다.
여기서, 상기 열풍 제공부(20)는 바람직하기로 대략 200∼300℃의 온도를 갖는 열풍이 제공된다. 따라서, 종래 다양하게 사용되는 도금 물질(Sn, Sn-Pb, Sn-Cu, Sn-Bi 등)을 모두 녹일 수 있게 되고, 이에 따라 종래와 같이 사용된 도금 물질에 따라, 그 도금 물질을 제거하기 위한 다양한 화학용액이 담긴 스트립조를 구비할 필요가 없게 된다.
참고로 도3은 X축이 주석(Sn)의 중량비 및 원자비이고, Y축은 온도인 Sn-Pb 합금의 녹는점을 도시한 그래프이다.
도시된 바와 같이 Sn-Pb 합금(약 10~20%의 Pb 함유)은 대략 203~217℃ 범위에서 녹기 시작하며, 이에 따라 상기 열풍 제공부(20)에서는 이와 유사한 온도의 열풍이 제공된다.
또한, 전술한 다른 도금 물질들도 대략 200∼250℃에서 녹기 시작하므로, 상기와 같이 200∼300℃범위의 온도를 갖는 열풍 제공부(20)를 구비함으로써 본 발명의 목적을 달성할 수 있게 된다.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 의한 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법에 의하면 일정두께로 도금층이 형성된 벨트에 소정 온도의 열풍을 제공하여, 상기 도금층을 녹여 제거함으로써, 상기 벨트에 어떠한 손상도 발생하지 않게 되고 따라서 그 수명이 길어지는 효과가 있다.
또한, 도금 단계에서 다양한 금속이 사용되더라도 상기 금속의 대부분은 녹는점이 200∼230℃ 사이에 위치하기 때문에 상기 열풍 제공부에서 모두 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 열풍 제공부에서 제거된 도금물질은 다시 재활용이 가능하므로, 종래와 같은 중금속 오염 내지 환경 오염 문제를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
Claims (3)
- 일정 거리 이격된 채 설치되어 소정의 회전력을 제공하는 회전수단과; 상기 회전수단에 결합된 동시에 반도체패키지 자재를 픽업하여 일정 방향으로 이동하는 벨트와; 상기 벨트 및 반도체패키지 자재가 침지되어 도금을 수행하도록 소정 화학 용액이 녹아 있는 플레이팅 셀을 포함하여 이루어진 반도체패키지용 도금 장치에 있어서,상기 회전수단 사이에는, 상기 벨트에서 반도체패키지 자재가 언로딩된 후, 상기 벨트 자체에 형성된 도금층을 고온으로 녹여 제거할 수 있도록 열풍 제공부가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 도금 장치.
- 반도체패키지 자재를 벨트에 로딩하는 로딩 단계와; 상기 벨트가 플레이팅셀을 통과하도록 하여 상기 반도체패키지 자재에 일정두께의 도금층이 형성되도록 하는 도금 단계와; 상기 반도체패키지 자재에 묻어 있는 화학 용액을 제거하는 단계와; 상기 도금이 완료된 반도체패키지 자재를 언로딩하는 단계와; 상기 벨트 자체에 형성된 도금층을 제거하는 단계로 이루어진 반도체패키지의 도금 방법에 있어서,상기 도금층 제거 단계는 상기 벨트에 일정한 온도의 열풍을 제공하여, 상기 벨트에 형성된 도금층이 녹아서 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 도금 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도금층 제거 단계는 200∼300℃의 열풍이 제공됨을 특징으로 하는 반도체패키지의 도금 방법.
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| JPH0791678B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1995-10-04 | 兼松株式会社 | 短冊状部材のメッキ装置 |
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| KR19990011157A (ko) * | 1997-07-22 | 1999-02-18 | 윤종용 | 패키지리드 도금용 벨트의 전해형 박리방법 |
| KR20000033493A (ko) * | 1998-11-24 | 2000-06-15 | 윤종용 | 불완전 성형된 리드 프레임의 도금 알림 장치 및 그를 이용한도금 방법 |
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2000
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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