KR20020012753A - 액정 표시소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
액정 표시소자 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020012753A KR20020012753A KR1020000045943A KR20000045943A KR20020012753A KR 20020012753 A KR20020012753 A KR 20020012753A KR 1020000045943 A KR1020000045943 A KR 1020000045943A KR 20000045943 A KR20000045943 A KR 20000045943A KR 20020012753 A KR20020012753 A KR 20020012753A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- contact hole
- data
- insulating film
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 MoW Chemical compound 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241001239379 Calophysus macropterus Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016024 MoTa Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 공기중에 노출되는 비정질실리콘으로 구성된 활성층의 침식을 방지할 수 있는 액정 표시소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 구동회로부의 패드부와 접속되기 위한 패드부 및 상기 패드부와 전극라인을 접속하기 위한 링크부를 구비하는 액정 표시소자에 있어서, 상기 패드부 및 링크부는 임의의 기판 상에 형성된 제1 전극과; 상기 제1 전극 상에 형성된 절연막과; 상기 제1 전극이 외부에 노출되도록 하기 위한 접촉홀과; 상기 패드부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 접속되기 위한 제2 전극과; 상기 링크부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 다른층에 형성된 상기 전극라인을 접속시키기 위한 제3 전극을 구비한다.
본 발명은 금속전극 및 절연막으로만 데이터패드부 및 데이터링크부를 구성하여 제조함으로써, 데이터패드부 및 데이터링크부가 외부에 노출될 시 발생하는 전극의 부식을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 액정 표시소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 공기중에 노출되는 비정질실리콘으로 구성된 활성층의 침식을 방지할 수 있는 액정 표시소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
통상, 액정표시(Liquid Crystal Display; LCD) 소자는 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들이 비디오신호에 따라 광투과율을 조절함으로써 액정패널에 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정표시소자는 액정셀들이 액티브 매트릭스(Active Matrix) 형태로 배열된 액정패널과, 액정셀들을 구동하기 위한 구동 집적회로(Integrated Circuit; 이하, IC라 한다)들을 구비한다. 구동 IC들은 통상 칩(Chip) 형태로 제작되며 탭(TAB; Tape Autoamted Bonding) 방식인 경우 TCP(Tape Carrier Package)에 실장되거나 COG(Chips On Glass) 방식인 경우 액정패널의 표면에 실장되게 된다. TAB 방식인 경우 구동 IC들은 TCP에 의해 액정패널에 마련된 패드부와 전기적으로 접속되어 있다.
도 1을 참조하면, 통상의 액정패널을 나타내는 평면도가 도시되어 있다.
도 1의 액정패널(2)은 하판(4)과 상판(6)이 대향하여 접착된 구조로 매트릭스 액정셀들이 위치하는 화상표시부(8)와, 구동 IC들과 화상표시부(8) 사이에 접속되는 게이트 패드부(12) 및 데이터 패드부(14)를 포함하게 된다. 화상표시부(8)에 있어서, 하판(4)에는 비디오신호가 인가되는 데이터라인들과 주사신호가 인가되는게이트라인들이 서로 교차하여 배치되고, 그 교차부에 액정셀들을 스위칭하기 위한 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터에 접속되어 액정셀을 구동하는 화소전극이 형성되어 있다. 상판(6)에는 블랙 매트릭스에 의해 셀영역별로 분리되어 도포된 칼러필터들과, 칼러필터들의 표면에 공통 투명전극이 도포되어 있다. 이러한, 상하판(4, 6)은 스페이서에 의해 이격되어 셀갭이 마련되고, 그 셀갭에는 액정물질로 채워져 있다. 상판(6)과 하판(4)은 화상표시부(8) 외곽의 실링부(10)에 도포된 실링재에 의해 접착된다. 상판(6)과 중첩되지 않는 하판(4)의 가장자리 영역에는 게이트 패드부(12)와, 데이터 패드부(14)가 마련된다. 이 게이트 패드부(12)는 게이트 구동 IC로부터 공급되는 게이트신호를 화상표시부(8)의 게이트라인들에 공급한다. 데이터 패드부(14)는 데이터 구동IC로 부터 공급되는 비디오신호를 화상표시부(8)의 데이터라인들에 공급한다.
도 2는 도 1에서 데이터패드 및 데이터링크부의 일부분을 확대하여 도시한다.
도 2를 참조하면, 먼저 데이터링크(16)는 데이터패드(14)와 화상표시부의 도시되지 않은 데이터라인과 함께 형성된다. 데이터링크(16)의 하부에는 반도체층(21)이 데이터 패드(14)까지 연장되어 형성된다. 데이터패드(14)는 유기보호막에 형성된 컨택홀(25)을 통해 투명전극(24)과 접촉된다. 이 투명전극(24)은 TAB 과정에서 요구되는 TCP의 접착과정 반복시 데이터패드(14)인 금속전극을 보호함과 아울러 금속전극의 산화를 방지하는 역할을 한다.
도 3은 도 2에 도시된 데이터패드부 및 데이터링크부를 선 A-A'로 절단한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 먼저 데이터패드부(14)는 투명기판(1) 상에 형성된 절연막(20)과, 절연막(20) 상에 형성된 활성층(21)과, 활성층(22) 상에 형성된 금속전극(22)과, 금속전극(22)을 덮도록 형성된 패시베이션층(23)과, 패시베이션층(23) 상에 형성된 투명전극(24)을 구비한다. 데이터링크부(16)는 투명기판(1) 상에 형성된 절연막(20a)과, 절연막(20a) 상에 형성된 활성층(21a)과, 활성층(21a) 상에 형성된 금속전극(22a)과, 금속전극(22a)을 덮도록 형성된 패시베이션층(23a)을 구비한다. 절연막(20,20a)은 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 형성된다. 활성층(21,21a)은 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘 또는 다결정실리콘으로 형성된다. 금속전극(22,22a)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄 또는 탄탈륨 등의 금속이나, MoW, MoTa 또는 MoNb 등의 몰리브덴 합금(Mo alloy)으로 형성되는 것으로, 금속전극(22,22a)은 도시되지 않은 데이터라인과 연결된다. 패시베이션층(23,23a)은 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 무기 절연물질이나, 또는 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(β-stagged-divinyl-siloxane benzocyclobutene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유기절연물로 형성된다. 데이터패드부(14)에 포함된 패시베이션층(23)에는 금속전극(22)을 노출시키는 접촉홀(25)이 형성되며, 이 패시베이션층(23) 상의 접촉홀(25)을 통해 금속전극(22)과 접촉되는 투명전극(24)이 형성된다. 투명전극(24)은 투명한 전도성물질인 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO)으로 형성된다.
이와 같이 제조된, 종래 기술에 따른 액정 표시소자의 데이터패드부 및 데이터링크부는 공기중에 일부가 노출된다. 공기중에 노출된 데이터패드부 및 데이터링크부는 공기속에 포함된 오염성분이 흡착되어 침식된다. 이는 도 3의 "a,b"부분과 같이 데이터패드부 및 데이터링크부에 포함된 활성층에 오염성분이 흡착되기 때문이다. 활성층은 비정질실리콘으로 구성되어 있기 때문에 오염성분에 의해 쉽게 침식된다. 이로인해 투명기판 상에 형성된 전극이 침식된다.
따라서, 본 발명의 목적은 공기중에 노출되는 비정질실리콘으로 구성된 활성층의 침식을 방지할 수 있는 액정 표시소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 통상의 액정패널을 나타낸 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 데이터패드부 및 데이터링크부의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도.
도 3은 도 2에 도시된 데이터패드부 및 데이터링크부를 선 A-A'로 절단한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 데이터패드부 및 데이터링크부를 나타낸 평면도.
도 5는 도 4에 도시된 데이터패드부 및 데이터링크부를 선 B-B'로 절단한 단면도.
도 6은 도 4에 도시된 데이터패드부 및 데이터링크부를 선 C-C'로 절단한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시소자는 구동회로부의 패드부와 접속되기 위한 패드부 및 상기 패드부와 전극라인을 접속하기 위한 링크부를 구비하는 액정 표시소자에 있어서, 상기 패드부 및 링크부는 임의의 기판 상에 형성된 제1 전극과; 상기 제1 전극 상에 형성된 절연막과; 상기 제1 전극이 외부에 노출되도록 하기 위한 접촉홀과; 상기 패드부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 접속되기 위한 제2 전극과; 상기 링크부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 다른층에 형성된 상기 전극라인을 접속시키기 위한 제3 전극을 구비한다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시소자의 제조방법은 구동회로부의 패드부와 접속되기 위한 패드부 및 상기 패드부와 전극라인을 접속하기 위한 링크부를 구비하는 액정 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 패드부 및 링크부는 임의의 기판 상에 제1 전극이 형성되는 단계와; 상기 제1 전극 상에 절연막이 형성되는 단계와; 상기 제1 전극이 외부에 노출되도록 접촉홀이 형성되는 단계와; 상기 패드부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 접속되기 위한 제2 전극이 형성되는 단계와; 상기 링크부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 다른층에 형성된 상기 전극라인을 접속시키기 위한 제3 전극이 형성되는 단계를 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 데이터패드부 및 데이터링크부의 일부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 먼저 데이터패드부(40) 및 데이터링크부(41)는 화상표시부의 데이터라인(42)과 함께 형성된다. 데이터패드부(40)는 유기보호막에 형성된 접촉홀(34)을 통해 투명전극(33)과 접촉된다. 이 투명전극(33)은 TAB 과정에서 요구되는 TCP의 접착과정 반복시 데이터패드부(40)인 금속전극을 보호함과 아울러 금속전극의 산화를 방지하는 역할을 한다. 데이터링크(41)의 하부에는 제1 전극(31,31a)이 데이터 패드부(40)까지 연장되어 형성된다.
도 5는 도 4에 도시된 선 B-B'로 절단한 단면도이고, 도 6은 도 4에 도시된선 C-C'로 절단한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 먼저 데이터패드부(40) 및 데이터링크부(41)는 투명기판(30) 상에 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등의 금속으로 제1 금속전극(31,31a)이 형성된다. 그리고, 투명기판(30) 상에 제1 금속전극(31,31a)을 덮도록 제1 절연막(32,32a)이 형성된다. 또한, 제1 절연막(32,32a)은 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 형성된다. 그런다음, 데이터패드부(40)에 포함된 제1 절연막(32) 상에 투명전극(33)을 형성한다. 또한, 제1 절연막(32)에는 전극(31)을 노출시키는 제1 접촉홀(34)이 형성되며, 이 제1 절연막(32) 상의 제1 접촉홀(34)을 통해 제1 금속전극(31)과 접촉되는 투명전극(33)이 형성된다. 투명전극(33)은 투명한 전도성물질인 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO)으로 형성된다.
도 6을 참조하면, 먼저 데이터링크부(41)는 투명기판(30) 상에 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등의 금속으로 제1 금속전극(31a)이 형성된다. 그리고, 투명기판(30) 상에 전극(31a)을 덮도록 제1 절연막(32a)이 형성된다. 그런다음, 제1 절연막(32a) 상에 투명전극(35)을 형성한다. 또한, 제1 절연막(32a)에는 제1 금속전극(31a)을 노출시키는 제2 접촉홀(43)이 형성되며, 이 제1 절연막(32a) 상의 제2 접촉홀(43)을 통해 제1 금속전극(31a)과 접촉되는 투명전극(35)이 형성된다. 이와 같이 제조된 데이터링크부(41)와 다른층에 제조되는 데이터라인부(42)는 먼저, 투명기판(30) 상에 제2 절연막(36)이 형성된다. 그 다음, 제2 절연막(36) 상에 활성층(37) 및 제2 금속전극(38)이 형성된다. 제2 금속전극(38)을 덮도록 패시베이션층(39) 및 투명전극(35)이 형성된다. 또한, 패시베이션층(39)에는 제2 금속전극(38)을 노출시키는 제3 접촉홀(44)이 형성되며, 이 패시베이션층(39) 상의 제3 접촉홀(44)을 통해 접촉되는 투명전극(35)이 데이터링크부(31a)의 제2 접촉홀(43)을 통해 제2 금속전극(38)과 연결된다.
본 발명은 금속전극 및 절연막으로만 데이터패드부 및 데이터링크부를 구성하여 제조한다. 이는 종래 제조방법에서 형성된 활성층이 포함되지 않음과 아울러, 금속전극이 투명전극 상과 접촉되도록 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시소자는 금속전극 및 절연막으로만 데이터패드부 및 데이터링크부를 구성하여 제조함으로써, 데이터패드부 및 데이터링크부가 외부에 노출될 시 발생하는 전극의 부식을 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
Claims (2)
- 구동회로부의 패드부와 접속되기 위한 패드부 및 상기 패드부와 전극라인을 접속하기 위한 링크부를 구비하는 액정 표시소자에 있어서,상기 패드부 및 링크부는임의의 기판 상에 형성된 제1 전극과;상기 제1 전극 상에 형성된 절연막과;상기 제1 전극이 외부에 노출되도록 하기 위한 접촉홀과;상기 패드부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 접속되기 위한 제2 전극과;상기 링크부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 다른층에 형성된 상기 전극라인을 접속시키기 위한 제3 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.
- 구동회로부의 패드부와 접속되기 위한 패드부 및 상기 패드부와 전극라인을 접속하기 위한 링크부를 구비하는 액정 표시소자의 제조방법에 있어서,상기 패드부 및 링크부는임의의 기판 상에 제1 전극이 형성되는 단계와;상기 제1 전극 상에 절연막이 형성되는 단계와;상기 제1 전극이 외부에 노출되도록 접촉홀이 형성되는 단계와;상기 패드부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 접속되기 위한 제2 전극이 형성되는 단계와;상기 링크부에 형성된 접촉홀을 통해 상기 제1 전극과 다른층에 형성된 상기 전극라인을 접속시키기 위한 제3 전극이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000045943A KR100724744B1 (ko) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 액정 표시소자 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000045943A KR100724744B1 (ko) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 액정 표시소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020012753A true KR20020012753A (ko) | 2002-02-20 |
KR100724744B1 KR100724744B1 (ko) | 2007-06-04 |
Family
ID=19682307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000045943A KR100724744B1 (ko) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 액정 표시소자 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100724744B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100264162B1 (ko) * | 1997-08-28 | 2000-08-16 | 구본준 | 액정표시장치의 기판에 형성되는 패드의 구조 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-08-08 KR KR1020000045943A patent/KR100724744B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100724744B1 (ko) | 2007-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100493869B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100443831B1 (ko) | 액정표시소자의 제조 방법 | |
US6731369B2 (en) | Liquid crystal display device having improved adhesion of a seal pattern | |
CN1992291B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
KR100470208B1 (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20010106862A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20040001695A (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 | |
KR20020085206A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법과 이를 이용한 화소리페어방법 | |
KR20040086925A (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US20070085939A1 (en) | Thin film transistor substrate with improved inter-layer adhesion | |
US20030112382A1 (en) | Liquid crystal display device | |
US6825497B2 (en) | Active matrix substrate for a liquid crystal display and method of forming the same | |
KR100684577B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101085137B1 (ko) | 액정 표시 패널 및 그 제조방법 | |
KR20040050237A (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
KR100755645B1 (ko) | 액정표시소자 및 그의 제조방법 | |
KR101236511B1 (ko) | 수평 전계형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20050113850A (ko) | 씨오티 구조 액정표시장치 및 제조방법 | |
US7167218B1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacture | |
KR20040086927A (ko) | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그제조 방법 | |
KR20080073573A (ko) | 액정패널과 이의 제조방법 | |
KR100724744B1 (ko) | 액정 표시소자 및 그의 제조방법 | |
KR100918279B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
KR100993458B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100242109B1 (ko) | 액정 표시 장치 제조 방법 및 구조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |