KR20020010304A - Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 종형 확산로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 확산로 내부에 공정가스를 공급하기 위해 설치되는 노즐이 안정된 상태를 유지할 수 있도록 하는 반도체장치 제조용 종형 확산로에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device for maintaining a stable state of a nozzle installed to supply a process gas into the diffusion furnace.
일반적으로 웨이퍼는 사진, 식각, 확산, 이온주입, 금속증착 및 화학기상증착 등의 제조공정을 반복 수행하게 됨으로써 요구되는 반도체장치로 제작되고, 이들 제조공정 중 빈번히 수행되는 공정의 하나는 이온주입공정과 더불어 웨이퍼 상에 P형이나 N형의 불순물을 침투시키거나 특정막 형성 및 특정막 성장시키는 확산공정이 있다.In general, a wafer is manufactured as a semiconductor device required by repeatedly performing a manufacturing process such as photography, etching, diffusion, ion implantation, metal deposition, and chemical vapor deposition, and one of the processes frequently performed is an ion implantation process. In addition, there is a diffusion process of infiltrating P-type or N-type impurities on the wafer, forming a specific film, and growing a specific film.
이러한 확산공정은 기체 상태의 화합물을 열 분해하여 분해된 기체 화합물의 이온들이 반도체기판과 화학반응 하도록 함으로써 반도체기판 상에서 산화막 또는 에피층을 형성하는데 이용되고 있으며, 이러한 확산공정은 주로 우수한 균일성과 반복성 및 낮은 결함율 등의 장점을 갖는 종형 확산로에서 그 진행이 이루어진다.This diffusion process is used to form an oxide film or an epi layer on a semiconductor substrate by thermally decomposing a gaseous compound and causing the ions of the decomposed gaseous compound to chemically react with the semiconductor substrate. The progress is made in vertical diffusion furnaces with the advantage of low defect rates.
종래의 반도체장치 제조용 종형 확산로(10)의 구성을 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 종형의 외측튜브(12)가 있고, 이 외측튜브(12)의 외측으로는 내부의 온도 상태를 형성하기 위해 선택적으로 가열하는 히터(14)가 설치되며, 외측튜브(12)의 내부에는 상부가 개방된 원통형의 내측튜브(16)가 외측튜브(12)와함께 플랜지(18)에 지지되는 구성으로 이루어진다.Looking at the configuration of a conventional vertical diffusion path 10 for manufacturing a semiconductor device, as shown in Figure 1, there is a vertical outer tube 12, the outer temperature of the outer tube 12 to form an internal temperature state In order to selectively heat the heater 14 to be installed, the inner tube 16 of the inner side of the outer tube 12 is opened in a configuration that is supported by the flange 18 together with the outer tube 12. Is done.
또한, 상술한 플랜지(18)의 하측으로부터 복수개의 웨이퍼(W)가 적재되도록 형성된 보트(20)가 로더부(22)에 의해 승·하강 및 회전 가능하게 설치되고, 이 보트(20)의 승·하강 이동에 의해 상술한 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩이 이루어진다.Moreover, the boat 20 formed so that the some wafer W may be loaded from the lower side of the above-mentioned flange 18 is installed by the loader part 22 so that lifting, lowering, and rotation is possible, The loading and unloading of the wafer W described above is performed by the downward movement.
그리고, 내측튜브(16)의 내측에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정가스를 공급하기 위한 노즐(24)이 내측튜브(16)의 하측 부위로부터 그 중심 방향으로 소정 길이 연장되어 다시 내측튜브(16)의 내벽에 근접하도록 상측 방향으로 수직하게 절곡된 형상으로 설치되어 있다.Then, inside the inner tube 16, as shown in Figure 1, the nozzle 24 for supplying the process gas extends a predetermined length from the lower portion of the inner tube 16 in the center direction, and again the inner tube It is provided in the shape bent vertically upward to approach the inner wall of (16).
한편, 상술한 내측튜브(16)와 외측튜브(12)가 지지되는 플랜지(18)의 소정 위치에는 확산로 내부를 소정의 진공압 상태로 형성하도록 진공펌프(미도시)와 연통 연결되는 배출구(26)가 형성된 구성을 이룬다.Meanwhile, at a predetermined position of the flange 18 on which the inner tube 16 and the outer tube 12 are supported, an outlet port communicating with a vacuum pump (not shown) to form the inside of the diffusion path in a predetermined vacuum pressure state ( 26) is formed.
이러한 구성에 의하면, 복수개의 웨이퍼(W)가 적재된 보트(20)를 내측튜브(16) 내에 있도록 로딩 위치시키고, 상술한 배출구(26)를 통한 소정의 진공압 상태와 히터(14)에 의한 온도 상태를 형성한 후 노즐(24)을 통해 공정가스를 공급하는 일련의 과정으로 공정을 수행하게 된다.According to this structure, the boat 20 in which the plurality of wafers W are loaded is placed in the inner tube 16 so as to be loaded, and the predetermined vacuum pressure state and the heater 14 are discharged through the outlet 26 described above. After forming the temperature state, the process is performed by a series of processes for supplying the process gas through the nozzle 24.
그러나, 상술한 구성 중 공정가스를 공급하기 위한 노즐의 설치 구성은, 내측튜브의 하측 부위에서 중심 방향으로 소정 길이 연장되고 이어 내측튜브의 측벽에 근접하도록 수직하게 절곡된 형상을 이루고 있으나, 노즐이 지지되는 부위는 내측튜브 하측에 한정되어 있어 그 무게 중심의 작용과 내측튜브 내부와의 압력 차이에 의해 노즐의 상측 부위는 내측튜브의 내측 중앙으로 기울어지게 되어 승·하강위치되는 보트와의 충돌시 손상 및 파손이 발생되는 문제가 있었다.However, in the above-described configuration, the installation configuration of the nozzle for supplying the process gas has a shape extending vertically from the lower portion of the inner tube to the center direction and then bent vertically to approach the side wall of the inner tube. The part to be supported is limited to the lower side of the inner tube, and the upper part of the nozzle is inclined toward the inner center of the inner tube due to the action of the center of gravity and the pressure difference between the inside of the inner tube. There was a problem that damage and breakage occurred.
또한, 이러한 노즐의 손상 및 파손은 공정 수행에 따른 환경을 조성하는 내측튜브 내부에 미세한 조각 등의 불순물의 발생을 초래하게 되고, 이 불순물은 공정불량 및 그에 따른 수율을 저하시키는 문제가 있었다.In addition, damage and breakage of the nozzles result in the generation of impurities such as fine fragments inside the inner tube that creates an environment according to the process, and these impurities have a problem of lowering process defects and yields.
그리고, 상술한 노즐의 설치 관계에 있어서, 작업자는 내측튜브의 하측에 연결 지지토록 함과 동시에 노즐이 내측튜브의 내벽에 대응하여 일정한 간격으로 수직하게 설치하기 위한 고도의 숙련도와 노동력이 요구되며, 작업의 어려움과 많은 작업시간이 요구되는 문제가 있었다.In addition, in the above-described installation relationship of the nozzle, the operator is required to connect and support the lower side of the inner tube and at the same time requires a high level of skill and labor to install the nozzle vertically at regular intervals corresponding to the inner wall of the inner tube, There was a problem that requires a lot of work time and difficulty of work.
본 발명의 목적은, 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공급가스를 공급하기 위한 노즐을 내측튜브의 하측 부위와 상측 소정 위치에서 지지되도록 하여 무게 중심의 작용과 내측튜브 내부와의 압력 차이에 관계없이 안정적으로 수직 상태를 유지하도록 하고, 이를 통해 승·하강 위치되는 보트와의 충돌을 방지하여 노즐 및 보트의 손상 및 파손을 방지하도록 하는 반도체장치 제조용 종형 확산로를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and is related to the action of the center of gravity and the pressure difference between the inner tube so that the nozzle for supplying the supply gas is supported at the lower portion of the inner tube and at a predetermined upper position. The present invention provides a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device to stably maintain a vertical state, and thereby prevent collision with a boat positioned up and down, thereby preventing damage and damage to a nozzle and a boat.
또한, 노즐의 손상 및 파손 방지를 통해 내측튜브 내부에 미세한 조각 등의 불순물의 발생을 방지함과 동시에, 그에 따른 수율을 향상시키도록 하는 반도체장치 제조용 종형 확산로를 제공함에 있다.In addition, the present invention provides a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device that prevents damage and breakage of a nozzle to prevent generation of impurities such as fine pieces inside the inner tube and to improve the yield thereof.
그리고, 상술한 노즐을 내측튜브에 대하여 그 설치가 용이하도록 하여 작업자의 노동력 감소와 작업시간의 단축시키도록 하는 반도체장치 제조용 종형 확산로를 제공함에 있다.In addition, to provide a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device to facilitate the installation of the above-described nozzle to the inner tube to reduce the labor of the worker and shorten the working time.
도 1은 종래의 반도체장치 제조용 종형 확산로의 구성과 그 설치 관계를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device and its installation relationship.
도 2는 도 1에 도시된 노즐의 지지구조를 나타낸 부분확대 단면도이다.FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a support structure of the nozzle illustrated in FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조용 종형 확산로의 구성과 그 설치 관계를 개략적으로 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device and an installation relationship thereof according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 고정수단의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도이다.4 is a partially cutaway perspective view schematically showing an embodiment of the fixing means shown in FIG.
도 5는 도 3에 도시된 고정수단의 다른 실시예를 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도이다.5 is a partially cutaway perspective view schematically showing another embodiment of the fixing means shown in FIG.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10, 30: 종형 확산로 12: 외측튜브10, 30: vertical diffusion furnace 12: outer tube
14: 히터 16, 32: 내측튜브14: heater 16, 32: inner tube
18: 플랜지 20: 보트18: flange 20: boat
22: 로더부 24, 36: 노즐22: loader part 24, 36: nozzle
26: 배출구 34: 끼움턱26: outlet 34: fitting jaw
38: 고정부재38: fixing member
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 종형 확산로의 구성은, 플랜지에 지지되는 내·외측튜브와; 복수개의 웨이퍼가 적재되며 로더부에 의해 상기 내측튜브 내측 중심 부위에 대응하여 승·하강 가능하게 설치되는 보트와; 상기 내측튜브 하측의 플랜지 부위로부터 그 중앙 부위로 연통 연장된 소정 부위가 상측으로 절곡되어 상기 내측튜브의 내벽에 근접하도록 설치되며, 상기 내·외측튜브의 내부에 공정가스를 공급하도록 형성된 노즐을 포함하여 구성된 반도체장치 제조용 종형 확산로에 있어서, 상기 내측튜브의 소정 위치에 형성되어 상기 노즐의 위치를 고정하도록 하는 고정수단이 구비된 것이다.A vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object comprises: an inner and an outer tube supported by a flange; A boat on which a plurality of wafers are loaded and installed by the loader to move up and down corresponding to the inner center portion of the inner tube; A predetermined portion extending from the flange portion of the lower side of the inner tube to the center portion thereof is bent upward and installed to approach the inner wall of the inner tube, and includes a nozzle configured to supply process gas into the inner and outer tubes. In the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device, the fixing means is provided at a predetermined position of the inner tube to fix the position of the nozzle.
또한, 상기 고정수단은, 상기 노즐의 단부가 상기 내측튜브의 상측 높이 이상의 위치에 있도록 연장 형성되고, 상기 내측튜브의 내벽 소정 위치에 내측으로 연장되어 상기 노즐의 단부가 관통 가능한 구멍을 갖는 끼움턱이 적어도 하나 이상 형성하여 구성할 수 있는 것이다.In addition, the fixing means is formed so that the end of the nozzle is extended to a position above the upper height of the inner tube, the inner jaw of the inner tube extending inward to a predetermined position through which the end of the nozzle has a through hole At least one can be formed and configured.
그리고, 상기 고정수단은 상기 내측튜브의 상측 단부에 걸쳐 지지되고, 내측튜브의 내측으로 연장된 부위에 상기 노즐의 단부가 관통 가능한 구멍을 갖는 고정부재로 구성함이 바람직하다.In addition, the fixing means is preferably configured to be supported over the upper end of the inner tube, the fixing member having a hole through which the end of the nozzle can penetrate into the inner side of the inner tube.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조용 종형 확산로의 구성과 그 설치 관계를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 고정수단의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도이며, 도 5는 도 3에 도시된 고정수단의 다른 실시예를 개략적으로 나타낸 부분 절취 사시도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device and its installation relationship according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a partial cutaway view schematically showing an embodiment of the fixing means shown in FIG. 5 is a perspective view schematically showing a part of another embodiment of the fixing means shown in Figure 3, the same reference numerals are given to the same parts as in the prior art, detailed description thereof will be omitted.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 종형 확산로(30)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 외측부에 가열용 히터(14)가 설치된 돔형의 외측튜브(12) 내측에 상부가 개방된 원통형의 내측튜브(32)가 설치된 구성을 이룬다.In the vertical diffusion path 30 for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as shown in FIG. 3, a cylindrical inner tube whose upper part is opened inside the domed outer tube 12 provided with a heating heater 14 at an outer part thereof. (32) is installed configuration.
또한, 상기 내측튜브(32) 내측에는 복수의 웨이퍼(W)를 적재하여 로더부(22)의 구동에 의해서 내측튜브(32)의 내측 및 외측으로 이동할 수 있는 보트(20)가 설치된다.In addition, a boat 20 is installed inside the inner tube 32 to move a plurality of wafers W and move inside and outside the inner tube 32 by driving the loader unit 22.
그리고, 본 발명에 따른 내측튜브(32)의 소정 위치의 내면에는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 내측튜브(32)에 형성되어 그 내측으로 돌출된 부위를 통해 노즐(36)을 고정하도록 하는 고정수단이 구비된다.And, the inner surface of the predetermined position of the inner tube 32 according to the present invention, as shown in Figures 3 to 5, the nozzle 36 through the portion formed in the inner tube 32 and protruded inwardly Fixing means for fixing is provided.
이러한 고정수단은, 내측튜브(32)의 상단 내측벽 소정 부위가 연장 돌출된 형상으로 하측으로부터 승강 위치되는 노즐(36)의 단부가 관통 삽입이 가능한 구멍을 갖는 끼움턱(34)으로 구성될 수 있다.The fixing means may include a fitting jaw 34 having a hole through which an end portion of the nozzle 36 which is lifted and positioned from the lower side in a shape in which a predetermined portion of the upper inner wall of the inner tube 32 extends and protrudes. have.
이때 상술한 노즐(36)은, 그 단부 위치가 상술한 내측튜브(32)의 상단 상측에 위치되도록 연장된 구성으로 형성된다.At this time, the nozzle 36 is formed in an extended configuration so that its end position is located above the upper end of the inner tube 32 described above.
여기서, 상술한 끼움턱(34)의 구성은, 도 4에 도시된 바와 같이, 내측튜브(32)의 상단부 한곳에 끼움턱(34)을 형성하는 것으로 한정하였으나 내측튜브(32) 내측벽에 대하여 원주 방향으로 복수개 형성될 수도 있다.Here, the configuration of the fitting jaw 34 described above is limited to forming the fitting jaw 34 at one upper end of the inner tube 32 as shown in FIG. 4, but the circumference of the inner tube 32 inner wall It may be formed in plural.
그리고, 내측튜브(32) 내측에 복수의 가스배출구(미도시)가 형성된 노즐(36)이 구비되며, 이 노즐(36)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 내측튜브(32)의 하부의 플랜지(18) 부위를 통하여 상부로 절곡 연장된 형상으로 끼움턱(34)에 의해서 고정되어 있다.In addition, a nozzle 36 having a plurality of gas discharge ports (not shown) is provided inside the inner tube 32, and the nozzle 36 is located at the lower portion of the inner tube 32 as illustrated in FIG. 3. It is fixed by the fitting jaw 34 in the shape extended to the upper part through the flange 18 part.
또한, 내측튜브(32)의 하부 소정 부위에는 내측압력을 조절할 수 있도록 진공펌프(미도시)와 연결되는 배출구(26)가 형성되어 있다.In addition, a lower outlet portion 26 connected to a vacuum pump (not shown) is formed at a lower predetermined portion of the inner tube 32 to adjust the inner pressure.
따라서, 배출구(26)를 통해서 내측튜브(32)의 내측기체가 외측으로 펌핑됨에 따라 내측튜브(32)의 내측압력이 조절되고, 히터(14)에 의해서 내측튜브(32)의 내측온도가 조절됨으로써 확산공정 환경이 설정된다.Accordingly, the inner pressure of the inner tube 32 is adjusted as the inner gas of the inner tube 32 is pumped out through the outlet 26, and the inner temperature of the inner tube 32 is controlled by the heater 14. As a result, the diffusion process environment is set.
다음으로, 끼움턱(34)에 의해서 안정적으로 고정된 노즐(36)의 가스배출구를 통해서 반응가스가 내측튜브(32) 내측으로 공급됨으로써 보트(20)에 적재된 웨이퍼(W)는 반응가스와 화학반응하여 웨이퍼(W) 상에는 특정막이 증착된다. 통상, 전술한 증착공정이 진행되는 동안 보트(20)는 구동축(미도시)에 의해서 소정속도로 회전하게 되며, 상기 보트(20)의 회전에 의해서 웨이퍼(W) 상에는 균일한 증착막이 형성된다.Next, the reaction gas is supplied into the inner tube 32 through the gas discharge port of the nozzle 36 stably fixed by the fitting jaw 34, so that the wafer W loaded on the boat 20 may react with the reaction gas. By chemical reaction, a specific film is deposited on the wafer (W). In general, during the above-described deposition process, the boat 20 is rotated at a predetermined speed by a drive shaft (not shown), and a uniform deposition film is formed on the wafer W by the rotation of the boat 20.
그리고, 상기 증착공정이 완료되면, 상기 보트(20)는 구동축에 의해서 하부로 이동함으로써 내측튜브(32)의 외측으로 이동하게 된다.Then, when the deposition process is completed, the boat 20 is moved to the outside of the inner tube 32 by moving to the lower by the drive shaft.
이후, 상기 보트(20) 상에 적재된 복수개의 웨이퍼(W)는 로더부(22)의 구동에 의해 소정 위치로 이동하게 되고, 상기 보트(20)에는 새로운 웨이퍼(W)가 적재되며, 상기 새로운 웨이퍼(W)가 적재된 보트(20)는 다시 구동축의 구동에 의해서 상부로 이동함으로써 내측튜브(32)의 내측으로 이동하게 된다.Thereafter, the plurality of wafers W loaded on the boat 20 are moved to a predetermined position by driving the loader unit 22, and a new wafer W is loaded on the boat 20. The boat 20 on which the new wafer W is loaded is moved upward by the driving shaft again to move inside the inner tube 32.
한편, 상술한 끼움턱(34)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 내측튜브(32)의 내측벽에 일체로 형성된 구성으로 한정하였으나 이것은, 도 5에 도시된 바와 같이, 내측튜브(32)의 상측 단부에 걸쳐지는 형상으로 내측으로 연장 절곡된 부위에 하측으로부터 승강 위치되는 노즐(36) 단부가 관통 가능한 구멍이 형성된 고정부재(38)를 구비하는 구성으로 형성할 수 있다.On the other hand, the fitting jaw 34 described above, as shown in Figure 4, limited to the configuration integrally formed on the inner wall of the inner tube 32, this, as shown in Figure 5, the inner tube 32 It can be formed in a configuration having a fixing member 38 formed with a hole through which the end of the nozzle 36, which is raised and lowered from the lower side, is formed in a portion extending inwardly in a shape extending over the upper end of the nozzle.
또한, 내측튜브(32)의 측벽 소정 위치에 체결홀을 형성하고, 이에 대응하는 체결돌기를 갖는 고정부재(미도시)를 결합하는 구성으로 형성될 수도 있는 것으로서, 이러한 구성은 그 설명만으로도 그 구성의 결합관계를 이해할 수 있음에 따라 도면은 생략하기로 한다.In addition, the fastening hole may be formed at a predetermined position on the side wall of the inner tube 32, and may be formed in a configuration in which a fixing member (not shown) having a fastening protrusion corresponding to the inner tube 32 is formed. As the coupling relationship of the can be understood, the drawings will be omitted.
따라서, 본 발명에 의하면, 노즐의 상측 단부가 내측튜브에 지지되는 고정수단에 의해 노즐이 내측튜브의 하측 부위와 상측 부위에서 지지됨으로써 무게 중심의 작용과 내측튜브 내부와의 압력 차이에 관계없이 안정적으로 수직 상태를 유지하게 되고, 이를 통해 승·하강 위치되는 보트와의 충돌이 방지되어 노즐 및 보트의 손상 및 파손이 방지되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the nozzle is supported at the lower portion and the upper portion of the inner tube by the fixing means in which the upper end of the nozzle is supported by the inner tube, so that it is stable regardless of the action of the center of gravity and the pressure difference between the inner tube. This is to maintain the vertical state, through which the collision with the boat is raised and lowered is prevented there is an effect that the damage and damage of the nozzle and the boat is prevented.
또한, 노즐의 손상 및 파손이 방지되어 내측튜브 내부에 미세한 조각 등의불순물의 발생이 억제되고, 그에 따른 수율이 향상되는 이점이 있다.In addition, the damage and damage of the nozzle is prevented to prevent the occurrence of impurities such as fine pieces inside the inner tube, there is an advantage that the yield is improved accordingly.
그리고, 상술한 내측튜브에 대하여 노즐의 설치가 용이하게 이루어짐에 의해 작업자의 노동력과 작업시간의 단축시키게 되는 이점이 있다.In addition, since the nozzle is easily installed with respect to the inner tube described above, there is an advantage of shortening the labor force and working time of the worker.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (4)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720995B1 (en) * | 2006-02-27 | 2007-05-23 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | Substrate processing apparatus |
| CN103134635A (en) * | 2012-09-07 | 2013-06-05 | 上饶光电高科技有限公司 | Alarm system of pressure criteria exceeding of small nitrogen for Holland tempress diffusion furnace |
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2000
- 2000-07-29 KR KR1020000043953A patent/KR20020010304A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN103134635B (en) * | 2012-09-07 | 2015-06-17 | 上饶光电高科技有限公司 | Alarm system of pressure criteria exceeding of small nitrogen for Holland tempress diffusion furnace |
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