KR20060055018A - Diffusion furnace in semiconductor wafer fabrication - Google Patents

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KR20060055018A
KR20060055018A KR1020040094315A KR20040094315A KR20060055018A KR 20060055018 A KR20060055018 A KR 20060055018A KR 1020040094315 A KR1020040094315 A KR 1020040094315A KR 20040094315 A KR20040094315 A KR 20040094315A KR 20060055018 A KR20060055018 A KR 20060055018A
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Abstract

확산로 내부의 내측튜브에 분사링과 가스분배관을 설치하여 노즐의 설치에 따른 불편함을 제거하고 보트의 회전을 불필요하도록 한 반도체 제조용 확산로에 관한 것으로, 외측튜브와 상기 외측튜브의 내측에 설치되는 내측튜브를 구비하는 반도체 제조용 확산로에 있어서, 상기 내측튜브에 고정된 분사링과 상기 분사링에 상기 내측튜브의 내측 방향으로 반응가스를 분사하기 위해 형성된 분사구 및 상기 분사링에 연결되어 상기 분사링에 반응가스를 분배하는 가스분배관을 구비한다.The present invention relates to a diffusion path for manufacturing a semiconductor, in which an injection ring and a gas distribution pipe are installed in an inner tube of a diffusion path to remove inconveniences due to the installation of a nozzle and rotation of a boat is unnecessary. In the diffusion path for manufacturing a semiconductor having an inner tube is provided, the injection ring fixed to the inner tube and the injection ring connected to the injection ring formed to inject the reaction gas in the inward direction of the inner tube to the injection ring and the A gas distribution pipe for distributing the reaction gas to the injection ring is provided.

반도체, 확산로, 분사링Semiconductor, Diffusion Furnace, Injection Ring

Description

반도체 제조용 확산로{Diffusion Furnace in Semiconductor Wafer Fabrication} Diffusion Furnace in Semiconductor Wafer Fabrication

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조용 확산로를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 확산로를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 3은 도 2의 분사링과 가스분배관을 나타낸 사시도이다. 3 is a perspective view illustrating the injection ring and the gas distribution pipe of FIG. 2.

< 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 ><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

10 : 외측튜브, 20, 200 : 내측튜브,10: outer tube, 20, 200: inner tube,

210 : 외측실린더, 220 : 내측실린더, 210: outer cylinder, 220: inner cylinder,

30 : 매니폴드, 80, 400 : 구동수단30: manifold, 80, 400: drive means

310 : 분사링, 320 : 가스분배관,310: injection ring, 320: gas distribution pipe,

330 : 분사구330: nozzle

본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 확산로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 확산로 내부의 노즐의 설치에 따른 불편함을 제거하고 보트의 회전을 불필요하도록 한 반도체 제조용 확산로에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diffusion furnace used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to a diffusion furnace for manufacturing a semiconductor, which eliminates inconvenience caused by installation of a nozzle inside the diffusion furnace and eliminates rotation of the boat.                         

반도체 소자는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착 등의 공정을 반복 수행함으로써 만들어진다. 이중 확산공정은 고온에서 웨이퍼 상에 원하는 불순물을 확산시키는 공정이다.Semiconductor devices are made by repeatedly performing processes such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, and the like on a wafer. The double diffusion process is a process for diffusing desired impurities on a wafer at high temperature.

확산공정은 주로 확산로(diffusion furnace) 내부에서 이루어진다. 확산로는 약 900oC 이상의 온도에서 웨이퍼 상에 열산화막을 형성하는 공정, SiO2 막을 형성하는 공정, 폴리실리콘 박막을 형성하는 공정 및 어닐링과 베이킹 공정 등을 수행하기 위해 이용되고 있다.The diffusion process is usually carried out inside a diffusion furnace. The diffusion furnace is used to perform a process of forming a thermal oxide film on a wafer at a temperature of about 900 ° C. or more, a process of forming a SiO 2 film, a process of forming a polysilicon thin film, and an annealing and baking process.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 종래의 확산로의 예를 살펴보고 그 문제점에 대해 알아보기로 한다.Hereinafter, an example of a diffusion path according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조용 확산로를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the prior art.

도 1을 참조하면, 반도체 제조용 확산로에는 종형의 외측튜브(10)가 있고, 외측튜브(10)의 내부에는 내측튜브가 있다. 외측튜브(10)는 상부는 닫히고 하부는 열린 구조이나, 내측튜브(20)는 상부와 하부가 개방된 원통형태이다. 외측튜브(10)와 내측튜브(20)는 모두 쿼츠(quartz) 재질로 만들어진다.Referring to FIG. 1, there is a vertical outer tube 10 in a diffusion path for manufacturing a semiconductor, and an inner tube inside the outer tube 10. The outer tube 10 has a closed upper portion and an open portion, but the inner tube 20 has a cylindrical shape with the upper and lower portions open. Both the outer tube 10 and the inner tube 20 are made of quartz material.

외측튜브(10)의 외부에는 외측튜브(10) 내부를 반응온도로 가열하기 위한 히터(50)가 설치된다.A heater 50 is installed outside the outer tube 10 to heat the inner tube 10 to a reaction temperature.

외측튜브(10)와 내측튜브(20)의 하부에는 스테인리스 스틸 재질의 매니폴드(manifold, 30)가 있다. 매니폴드(30)는 베이스(40)에 의해 고정된다.Below the outer tube 10 and the inner tube 20 is a manifold 30 made of stainless steel. Manifold 30 is fixed by base 40.

회전축(60)은 매니폴드(30)의 하단을 지난다. 회전축(60)의 하측에는 상하 이동과 회전이 가능한 구동수단(80)이 연결된다. 매니폴드(30)와 구동수단(80)사이에는 마그네틱 씰(magnetic seal) 유니트(미도시)가 삽입되어 외측튜브(10)의 내부가 완전히 밀폐되도록 한다. 회전축(70)의 상측에는 쿼츠 재질의 슬리브(sleeve, 70)가 고정된다. 슬리브(70)의 상단에는 웨이퍼(W)가 장착되는 보트(90)가 설치된다. The rotating shaft 60 passes through the lower end of the manifold 30. The lower side of the rotating shaft 60 is connected to the drive means 80 that can be moved up and down and rotated. A magnetic seal unit (not shown) is inserted between the manifold 30 and the driving means 80 to completely seal the inside of the outer tube 10. The sleeve 70 of quartz material is fixed to the upper side of the rotation shaft 70. The boat 90 on which the wafer W is mounted is installed at the upper end of the sleeve 70.

슬리브(70)와 보트(90)는 구동수단(80)에 의해 내측튜브(20) 내부로 수직으로 상하 이동하여 로딩/언로딩되고, 회전이 가능하도록 설치된다,The sleeve 70 and the boat 90 are vertically moved up and down by the driving means 80 into the inner tube 20 to be loaded / unloaded and installed to be rotatable.

웨이퍼(W)에 반응가스를 분사하기 위해 내측튜브(20)의 내부에 쿼츠 재질로 제작된 노즐(100)이 설치된다. 노즐(100)은 매니폴드(30)의 측벽을 관통하여 내측튜브(20)의 내벽을 따라 상측 방향으로 수직하게 절곡된 형상으로 설치된다. 노즐(100)에는 내측튜브(10)의 내측으로 반응가스를 분사하기 위한 홀(105)이 소정 간격으로 복수개 형성된다.A nozzle 100 made of a quartz material is installed inside the inner tube 20 to inject the reaction gas onto the wafer W. The nozzle 100 penetrates the side wall of the manifold 30 and is installed in a shape bent vertically upward along the inner wall of the inner tube 20. The nozzle 100 is provided with a plurality of holes 105 for injecting the reaction gas into the inner tube 10 at predetermined intervals.

이와 같이 구성된 종래의 확산로는 공정을 진행할 웨이퍼(W)를 수납한 보트(90)를 구동수단(80)에 의해 수직으로 이동시켜 내측튜브(20)내에 로딩시킨다. In the conventional diffusion path configured as described above, the boat 90 containing the wafer W to be processed is vertically moved by the driving means 80 and loaded into the inner tube 20.

외측튜브(10) 및 내측튜브(20)의 내부를 진공압을 형성한다. 이 상태에서 히터(50)에 의해 적당한 반응온도로 외측튜브(10)를 가열시킨 후, 노즐(100)을 통해 내측튜브(20)의 내부에 반응가스를 공급함으로써 공정이 진행된다.  The inside of the outer tube 10 and the inner tube 20 forms a vacuum pressure. In this state, after the outer tube 10 is heated to a suitable reaction temperature by the heater 50, the process proceeds by supplying a reaction gas into the inner tube 20 through the nozzle 100.

노즐(100)은 웨이퍼(W)의 한쪽 방향에 고정되어 있다. 따라서 반응가스가 노즐(100)을 통해 분사되면 이에 대한 웨이퍼(W)의 한쪽은 반응가스의 밀도가 높지만 다른 쪽은 상대적으로 밀도가 낮다. 웨이퍼(W)의 표면에 반응가스가 균일하게 분포 되지 않으면 웨이퍼(W)에 형성되는 박막의 두께가 일정하지 않게 된다. 박막의 두께가 일정하지 않으면 이후의 에칭 공정이 진행되면서 제품의 불량률이 높아지게 된다. The nozzle 100 is fixed to one direction of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, when the reaction gas is injected through the nozzle 100, one side of the wafer W has a high density of the reaction gas, but the other side has a relatively low density. If the reaction gas is not uniformly distributed on the surface of the wafer W, the thickness of the thin film formed on the wafer W is not constant. If the thickness of the thin film is not constant, the defect rate of the product increases as the subsequent etching process proceeds.

종래의 확산로에 의하면 웨이퍼(W)의 전 방향에 대해 반응가스를 균일하게 분포시키기 위해 공정이 진행되면 보트(90)를 일정 속도로 회전시킨다. 따라서 보트(90)를 회전시키기 위한 구동모터와 이에 따른 제어수단이 구동수단(80)에 요구된다. 이러한 구동수단(80)의 추가적인 요소는 확산로의 구조를 복잡하게 하고 비용 상승의 원인이 되는 문제점이 있다.According to the conventional diffusion path, the boat 90 is rotated at a constant speed when the process proceeds to uniformly distribute the reaction gas in all directions of the wafer (W). Accordingly, a driving motor and a control means for rotating the boat 90 are required for the driving means 80. This additional element of the drive means 80 has the problem of complicating the structure of the diffusion path and causing a cost increase.

한편, 노즐(100)은 도 1에 도시된 바와 같이 내측튜브(20)와 별도로 설치되고 노즐(100)이 지지되는 부위는 매니폴드(30)에 한정되어 있다. 따라서 노즐(100) 자체의 무게나 내부의 반응가스의 흐름에 의해 노즐(100)의 상단이 내측튜브(20)의 중심부 쪽으로 기울어지는 현상이 발생함으로써 보트(90)와의 충돌 위험이 있다. 또한 노즐은 서로 다른 종류의 반응가스를 공급하기 위해 두개 이상이 사용될 수 있는 데, 노즐이 기울어지거나 흔들림으로 인하여 노즐 상호간의 충돌 위험도 있다.  Meanwhile, as shown in FIG. 1, the nozzle 100 is installed separately from the inner tube 20, and a portion at which the nozzle 100 is supported is limited to the manifold 30. Therefore, a phenomenon in which the top of the nozzle 100 is inclined toward the center of the inner tube 20 due to the weight of the nozzle 100 itself or the flow of the reaction gas therein may cause a collision with the boat 90. In addition, two or more nozzles may be used to supply different kinds of reaction gases. There is also a risk of collision between the nozzles due to tilting or shaking of the nozzles.

또한 확산로의 주기적인 점검시 노즐의 교체 및 설치가 빈번하게 요구된다. 작업자가 노즐을 설치하기 위해서는 노즐을 내측튜브의 내벽에 일정한 간격으로 수직으로 설치해야 하는데, 이에 따른 고도의 숙련도가 요구된다. 따라서 많은 작업시간이 소요되고 공정 지연의 문제가 발생한다.In addition, it is frequently required to replace and install the nozzle during periodic inspection of the diffusion furnace. In order to install the nozzle, the operator must install the nozzle vertically at regular intervals on the inner wall of the inner tube, which requires a high level of skill. Therefore, it takes a lot of work time and a problem of process delay occurs.

본 발명의 목적은 웨이퍼가 적재된 보트가 회전하지 않아도 웨이퍼에 균일한 박막을 증착시킬 수 있는 반도체 제조용 확산로를 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide a diffusion path for manufacturing a semiconductor that can deposit a uniform thin film on the wafer even if the boat on which the wafer is loaded does not rotate.

또한 반응가스를 공급하기 위해 별도로 노즐을 설치하지 않도록 하여 노즐의 교체 및 점검에 따른 시간을 절약할 수 있는 반도체 제조용 확산로를 제공하기 위한 것이다.In addition, it is to provide a diffusion path for manufacturing a semiconductor that can save time due to replacement and inspection of the nozzle by not installing a nozzle separately to supply the reaction gas.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 외측튜브와 상기 외측튜브의 내측에 설치되는 내측튜브를 구비하는 반도체 제조용 확산로에 있어서, 상기 내측튜브에 고정된 분사링과 상기 분사링에 상기 내측튜브의 내측 방향으로 반응가스를 분사하기 위해 형성된 분사구 및 상기 분사링에 연결되어 상기 분사링에 반응가스를 분배하는 가스분배관을 포함한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a diffusion ring for manufacturing a semiconductor having an outer tube and an inner tube installed inside the outer tube, wherein the injection tube fixed to the inner tube and the injection ring of the inner tube. And an injection hole formed to inject a reaction gas in an inward direction, and a gas distribution pipe connected to the injection ring to distribute the reaction gas to the injection ring.

또한 상기 내측튜브는 외측실린더와 상기 외측실린더의 내측 방향으로 소정 간격 이격된 내측실린더로 구성되고, 상기 분사링은 상기 외측실린더와 상기 내측실린더 사이에 고정되는 것이 바람직하다.In addition, the inner tube is composed of the outer cylinder and the inner cylinder spaced apart a predetermined interval in the inner direction of the outer cylinder, the injection ring is preferably fixed between the outer cylinder and the inner cylinder.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예가 이하에서 개시되는 실시예에 한정할 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소 를 의미한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only this embodiment is intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Shapes of the elements in the drawings may be exaggerated parts to emphasize a more clear description, elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same element.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 확산로를 도시한 단면도이다. 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 번호를 부여하고, 그에 따른 설명은 생략하기로 한다. 2 is a cross-sectional view illustrating a diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention. The same reference numerals are given to the same parts as in the related art, and description thereof will be omitted.

도 2를 참조하면, 본 발명은 종래 기술에 의한 반도체 제조용 확산로와 달리 가스를 공급하기 위해 따로 설치해야 하는 노즐이 없고, 내측튜브(200)가 외측실린더(210)와 내측실린더(220)로 구성된다.2, the present invention, unlike the diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the prior art, there is no nozzle to be installed separately to supply gas, the inner tube 200 to the outer cylinder 210 and the inner cylinder 220 It is composed.

외측튜브(10)의 내측에 설치되는 내측튜브(200)는 외측실린더(210)와 그 내측으로 소정 간격으로 이격된 내측실린더(220)로 구성된다. 외측실린더(210)는 그 하부가 매니폴드(30)에 고정된다. 매니폴드(30)는 베이스(40)에 고정되어 있다. 내측실린더(220)는 외측실린더(210)의 상부가 연결되어 설치되어 내측실린더(220)와 외측실린더(210) 사이의 상부는 닫혀있다. 내측실린더(220)와 외측실린더(210) 사이의 하부 공간은 개방되어 있다.The inner tube 200 installed inside the outer tube 10 includes an outer cylinder 210 and an inner cylinder 220 spaced at a predetermined interval therein. The outer cylinder 210 has a lower portion thereof fixed to the manifold 30. The manifold 30 is fixed to the base 40. The inner cylinder 220 is installed with the upper portion of the outer cylinder 210 is connected to the upper portion between the inner cylinder 220 and the outer cylinder 210 is closed. The lower space between the inner cylinder 220 and the outer cylinder 210 is open.

종래의 반도체 제조용 확산로와 달리 본 발명에서는 반응가스를 공급하기 위해 분사링(310)과 가스분배관(320)을 이용한다. Unlike the conventional diffusion furnace for manufacturing a semiconductor, the present invention uses the injection ring 310 and the gas distribution pipe 320 to supply the reaction gas.

도 3은 도 2의 분사링과 가스분배관을 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating the injection ring and the gas distribution pipe of FIG. 2.

분사링(310)을 명확하게 나타나기 위해 외측실린더(210)와 내측실린더(220)는 이점쇄선으로 나타내었다.In order to clearly show the injection ring 310, the outer cylinder 210 and the inner cylinder 220 are shown by a dashed line.

분사링(310)은 외측실린더(210)와 내측실린더(220) 사이에 고정되어 설치된다. 분사링(310)은 반응가스의 공급 위치에 따라 내측튜브(200)의 상단부 혹은 하 단부 어디든지 설치가 가능하다.The injection ring 310 is fixedly installed between the outer cylinder 210 and the inner cylinder 220. The injection ring 310 may be installed at the upper end or the lower end of the inner tube 200 according to the supply position of the reaction gas.

본 실시예에서 분사링(310)의 개수는 다섯개로 나타내었으나 필요에 따라 적절한 수로 분사링(310)의 개수를 정할 수 있다.Although the number of injection rings 310 is shown as five in this embodiment, the number of injection rings 310 may be determined by an appropriate number as necessary.

분사링(310)에 반응가스를 공급하기 위해 분사링(310)에는 가스분배관(320)이 연결된다. 가스분배관(320)도 분사링(310)과 마찬가지로 외측실린더(210)와 내측실린더(220) 사이에 설치된다. 가스분배관(320)은 각 분사링(310)을 모두 연결시키고, 외측실린더(210)와 내측실린더(220) 사이의 하부의 개방된 공간을 지나 가스라인(미도시)과 연결된다. The gas distribution pipe 320 is connected to the injection ring 310 to supply the reaction gas to the injection ring 310. The gas distribution pipe 320 is also installed between the outer cylinder 210 and the inner cylinder 220 like the injection ring 310. The gas distribution pipe 320 connects all the injection rings 310 and is connected to a gas line (not shown) through an open space in the lower portion between the outer cylinder 210 and the inner cylinder 220.

분사링(310)에는 가스분배관(320)에 의해 공급된 반응가스를 웨이퍼(90)에 분사하기 위한 다수의 분사구(330)가 형성된다. 분사구(330)는 내측튜브(200)의 내측방향으로 향하게 하며, 또한 이에 대응하여 내측실린더(220)에도 홀(미도시)이 형성되어야 한다. The injection ring 310 is provided with a plurality of injection holes 330 for injecting the reaction gas supplied by the gas distribution pipe 320 to the wafer 90. The injection hole 330 is directed toward the inner side of the inner tube 200, and correspondingly, a hole (not shown) must also be formed in the inner cylinder 220.

수직으로 상하이동이 가능하고 회전이 가능한 종래의 반도체 제조용 확산로의 구동수단과 달리 본 발명에서는 구동수단(400)에 회전을 위한 구동부가 필요없다. 분사링(310)은 내측튜브(200)의 원주를 따라 돌아가는 링형 타입이고, 분사링(310)에 형성된 분사구(330)에서 반응가스를 공급한다. 따라서 웨이퍼(W)의 전 방향에 대해 반응가스가 균일하게 분포되도록 분사구(330)를 배치할 수 있다. 따라서 보트(90)를 회전시킬 필요가 없으므로 구동수단(400)에는 보트(90)의 회전을 위한 구동부가 필요 없게 된다.Unlike the driving means of the diffusion path for manufacturing a semiconductor, which can be vertically moved and rotated vertically, in the present invention, the driving unit 400 does not need a driving unit for rotation. The injection ring 310 is a ring type that runs along the circumference of the inner tube 200, and supplies a reaction gas from the injection hole 330 formed in the injection ring 310. Therefore, the injection hole 330 may be disposed so that the reaction gas is uniformly distributed in all directions of the wafer (W). Therefore, it is not necessary to rotate the boat 90, the drive means 400 is no need for a drive for the rotation of the boat (90).

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조용 확산로의 동작에 대해 도 2 를 참조하여 이하에서 설명한다.The operation of the diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention configured as described above will be described below with reference to FIG. 2.

먼저 다수의 웨이퍼(W)가 적재된 보트(90)를 구동수단(400)에 의해 수직으로 상승하여 내측튜브(200)의 내부로 로딩한다. 보트(90)가 내측튜브(200)의 내부로 로딩되면 내측튜브(200)와 외측튜브(10)는 외부로부터 차단된다.First, the boat 90 having a plurality of wafers W loaded thereon is vertically lifted by the driving means 400 and loaded into the inner tube 200. When the boat 90 is loaded into the inner tube 200, the inner tube 200 and the outer tube 10 are blocked from the outside.

이 상태에서 외측튜브(10)와 내측튜브(200)는 진공상태를 형성하고 히터(50)는 외측튜브(10) 내부가 적절한 반응 온도가 되도록 외측튜브(10)를 가열한다.In this state, the outer tube 10 and the inner tube 200 form a vacuum state, and the heater 50 heats the outer tube 10 so that the inside of the outer tube 10 has an appropriate reaction temperature.

원하는 반응온도에 도달하면 가스라인(미도시)을 통해 가스분배관(320)에 반응가스가 공급된다. 가스분배관(320)에 공급된 반응가스는 분사링(310)에 유입되고 분사구(330)를 통해 웨이퍼(W)에 분사된다.When the desired reaction temperature is reached, the reaction gas is supplied to the gas distribution pipe 320 through a gas line (not shown). The reaction gas supplied to the gas distribution pipe 320 flows into the injection ring 310 and is injected into the wafer W through the injection hole 330.

분사링(310)의 분사구(330)를 통해 분사된 반응가스는 보트(W)의 전체 방향에 대해 동일한 분포를 가진다. 따라서 보트(90)를 회전시키지 않아도 웨이퍼(W)에는 균일한 두께의 박막을 증착시킬 수 있게 된다.The reaction gas injected through the injection hole 330 of the injection ring 310 has the same distribution with respect to the entire direction of the boat (W). Therefore, even if the boat 90 is not rotated, a thin film having a uniform thickness can be deposited on the wafer W.

공급을 마친 반응가스는 내측튜브(200)와 외측튜브(10) 사이의 공간을 지나 외부로 배기된다.The supplied reaction gas is exhausted to the outside through the space between the inner tube 200 and the outer tube 10.

반응이 종료되면 외측튜브(10)의 내부는 대기압을 형성하고, 보트(90)가 언로딩된다.When the reaction is completed, the inside of the outer tube 10 forms an atmospheric pressure, the boat 90 is unloaded.

상기에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 제조용 확산로에 의하면 반응가스가 보트의 전 방향으로 분사되어 보트에 적재된 웨이퍼에 균일한 박막을 증착하도록 함으로써 보트를 회전시키기 위한 별도의 구동수단 및 제어수단이 필요 없어 장치를 단순화시킬 수 있다.As described above, according to the diffusion path for manufacturing a semiconductor according to the present invention, the reaction gas is injected in all directions of the boat so that a uniform thin film is deposited on the wafer loaded on the boat so that the driving means and the control for rotating the boat are controlled. No means is needed, which simplifies the device.

또한 반응가스를 공급하기 위해 노즐을 별도로 설치할 필요없이 내측튜브에 분사링을 설치함으로써 노즐의 교체 및 점검에 따른 시간을 절약할 수 있고 이에 따라 생산성의 향상을 도모할 수 있다. In addition, by installing the injection ring on the inner tube without installing the nozzle to supply the reaction gas, it is possible to save time due to the replacement and inspection of the nozzle, thereby improving productivity.

Claims (2)

외측튜브와 상기 외측튜브의 내측에 설치되는 내측튜브를 구비하는 반도체 제조용 확산로에 있어서,A diffusion path for manufacturing a semiconductor comprising an outer tube and an inner tube provided inside the outer tube, 상기 내측튜브에 고정된 분사링;A spray ring fixed to the inner tube; 상기 분사링에 상기 내측튜브의 내측 방향으로 반응가스를 분사하기 위해 형성된 분사구; 및An injection hole formed to inject a reaction gas into the injection ring in an inner direction of the inner tube; And 상기 분사링에 연결되어 상기 분사링에 반응가스를 분배하는 가스분배관을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 확산로A diffusion path for manufacturing a semiconductor, comprising a gas distribution pipe connected to the injection ring to distribute the reaction gas to the injection ring. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내측튜브는 외측실린더와 The inner tube and the outer cylinder 상기 외측실린더의 내측 방향으로 소정 간격 이격된 내측실린더로 구성되고,It consists of the inner cylinder spaced at a predetermined interval in the inner direction of the outer cylinder, 상기 분사링은 상기 외측실린더와 상기 내측실린더 사이에 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 확산로The injection ring is a diffusion path for manufacturing a semiconductor, characterized in that fixed between the outer cylinder and the inner cylinder
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