KR20020009363A - 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

고주파 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은 소비전력을 줄이고 방전효율을 높이도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 데이터가 공급되는 어드레스전극과, 어드레스전극과 교차하는 지점이 이웃한 셀들 간에 상대적으로 상측과 아래측에 각각 위치하도록 패터닝된 스캔전극과, 고주파신호가 공급되어 스캔전극과 함께 고주파 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극을 구비한다.

Description

고주파 플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel Drived With Radio Frequency}
본 발명은 평판 표시장치에 관한 것으로, 특히 소비전력을 줄이고 방전효율을 높이도록 한 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 He+Xe 또는 Ne+Xe 가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다. 이러한 PDP는 크게 직류형과 교류형으로 대별된다. 직류형 PDP는 전면기판과 배면기판 각각에 형성된 양극과 음극 사이의 대향방전을 일으킴으로써 화상을 표시한다. 이에 비하여, 교류형 PDP는 유전층을 사이에 두고 배치된 전극들 간에 교류 전압신호를 인가하여 그 신호의 반주기마다 방전이 일어나게 함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 교류형 PDP는 방전시 표면에 벽전하가 축적되는 유전층을 사용하기 때문에 메모리 효과가 나타나게 된다.
도 1을 참조하면, 교류형 PDP는 유지전극쌍(10)이 형성된 전면기판(1)과, 어드레스전극(4)이 형성된 배면기판(2)을 구비한다. 전면기판(1)과 배면기판(2)은 격벽(3)을 사이에 두고 평행하게 이격된다. 전면기판(1), 배면기판(2) 및 격벽(3)에 의해 마련되어진 방전공간에는 Ne-Xe 또는 He-Xe 등의 혼합가스가 주입된다. 유지전극쌍(10) 중 어느 하나는 어드레스기간에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 어드레스전극(4)과 함께 대향방전을 일으키고 서스테인기간에 공급되는 서스테인펄스에 응답하여 인접한 유지전극(10)과 면방전을 일으키는 주사/서스테인전극으로 이용된다. 또한, 유지전극쌍 중 나머지 하나는 서스테인펄스가 공통으로 공급되는공통서스테인전극으로 이용된다. 유지전극쌍(10)이 형성된 전면기판(1) 상에는 유전층(8)과 보호층(9)이 적층된다. 유전층(8)은 플라즈마 방전전류를 제한함과 아울러 방전시 벽전하를 축적하는 역할을 한다. 보호막(9)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 유전층(8)의 손상을 방지하고 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 이 보호막(9)은 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진다. 배면기판(2)에는 방전공간을 분할하기 위한 격벽들(3)이 수직으로 신장된다. 배면기판(2)과 격벽들(3)의 표면에는 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 형광체(5)가 형성된다.
이와 같은 교류형 PDP는 한 프레임이 다수의 서브필드로 구성되어 서브필드의 조합에 의해 계조가 실현된다. 예를 들어, 256 계조를 실현하고자 하는 경우에 한 프레임 기간은 8개의 서브필드들로 시분할된다. 아울러, 8개의 서브 필드들 각각은 리셋기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다. 리셋기간에는 전화면이 초기화된다. 어드레스 기간에는 데이터가 표시될 셀들이 어드레스 방전에 의해 선택되어진다. 선택된 셀들은 서스테인 기간에 방전이 유지된다. 서스테인 기간은 서브필드들 각각의 휘도 상대비에 따라 2n에 해당하는 기간씩 길어지게 된다. 다시 말하여, 제1 내지 제8 서브필드들 각각에 포함되어진 서스테인 기간은 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27의 비율로 길어지게 된다. 이를 위하여, 서스테인 기간에 발생되는 서스테인 펄스의 수도 서브필드들의 휘도 상대비에 따라 상위 서스필드들로 갈수록 증가된다. 이들 서브필드들의 조합에 따라 표시영상의휘도 및 색도가 결정되게 된다.
이러한 교류형 PDP에 있어서, 유지전극쌍(10)에는 듀티비(Duty ratio)가 1이고 200∼300kHz의 주파수와 10∼20㎲정도의 펄스 폭을 가지는 서스테인 펄스가 교번적으로 공급된다. 이 서스테인 펄스에 응답하여 유지전극쌍(10) 간에 일어나는 유지방전은 유지펄스당 극히 짧은 순간에 1번만 발생하게 된다. 유지방전에 의해 발생된 하전입자들은 유지전극쌍(10)의 극성에 따라 유지전극쌍(10) 사이의 방전경로를 이동하여 상부 유전층(8)에 축적됨으로써 벽전하로 남게 된다. 이러한 벽전하는 다음 유지방전시 구동전압을 낮추게 되지만 해당 유지방전시 방전공간의 전계를 감소시키게 된다. 이에 따라, 유지방전시 벽전하가 형성되면 방전이 멈추어지게 된다. 이와 같이, 유지방전은 유지펄스의 폭에 비하여 극히 짧은 순간에 1번만 발생하고 그 외 대부분 시간은 벽전하 형성 및 다음 유지방전을 위한 준비단계로 소비되게 된다. 이로 인하여, 종래의 교류형 PDP에서는 전체 방전기간에 비하여 실제 방전기간이 매우 짧아지게 되므로 휘도 및 방전효율이 낮을 수밖에 없었다.
교류형 PDP의 낮은 휘도 및 방전효율 문제를 해결하기 위하여, 수십 내지 수백 MHz의 고주파 신호를 이용하여 유지방전을 일으키는 고주파 PDP(Radio Frequency PDP : 이하 "RFPDP"라 함)가 제안된 바 있다. RFPDP는 고주파 방전에 의해 셀 내에서 전자가 진동운동을 하게 된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 종래의 RFPDP는 적·녹·청색 각각을 표시하며 직사각형 형태로 형성되는 3 개의 서브 화소셀들(34R,34G,34B)을 포함하는 화소셀(32)이 매트릭스 형태로 배열된다. 각 서브 화소셀들(34R,34G,34B)은 어드레스전극(14)과 스캔전극(18)이 직교되게끔 형성된 배면기판(12)과, 스캔전극(18)과 나란하게 고주파전극(28)이 형성된 전면기판(30)을 구비한다. 어드레스전극(14)과 스캔전극(18) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 유전층(16)이 형성된다. 스캔전극(18) 위에는 유전층(20)과 보호막(22)이 적층되고, 그 위에 서브 화소셀 단위로 횡단면이 직사각형인 격벽(24)이 형성된다. 직사각형 격벽(24)과 하부 유전층(26)의 표면에는 형광체(26)가 도포된다.
RFPDP는 리셋기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간을 포함하는 다수의 서브필드들의 조합으로 화상을 표시한다. 먼저, 리셋기간에는 전화면이 초기화된다. 이어서, 어드레스 기간에는 어드레스전극(14)과 스캔전극(18) 사이의 방전에 의해 셀들이 선택된다. 선택된 셀들은 서스테인 기간에 전자의 진동운동에 의해 화상을 표시하게 된다. 이 때, 고주파전극(28)에는 수 내지 수십 ㎒의 고주파신호가 인가되며 스캔전극(18)에는 소정레벨의 직류바이어스 전압이 인가된다. 이 고주파신호에 의해 셀 내의 전자들은 고주파신호의 극성에 따라 방전공간 내에서 진동운동하게 된다. 전자들의 진동운동에 의해 방전가스가 연속적으로 이온화된다. 이러한 방전에 의해 발생되는 진공자외선은 형광체(26)를 여기시키게 되고 형광체(26)가 천이되면서 가시광이 발생된다. 이렇게 RFPDP는 고주파신호를 이용하여 서스테인 기간동안 연속적으로 방전을 일으킴으로써 교류형 PDP에 비하여 휘도와 방전효율이 높아지게 된다.
그러나 RFPDP는 셀의 구조에 의해 전자가 격벽(24)에 충돌되어 손실되는 문제점이 있다. 다시 말하여, 화소셀(32)에 포함된 적·녹·청색의 서브화소셀들(34R,34G,34B) 각각은 장축방향(또는, 세로방향)에 비하여 단축방향(또는, 가로방향)이 짧은 직사각형 형태를 가지게 된다. 이러한 서브 화소셀에 대응하여 서브 화소셀을 둘러싸는 격벽(24)은 단축방향의 간격이 'd'라면 장축방향의 간격이 '3d' 정도로 설정된다. 이러한 서브화소셀들(34R,34G,34B)의 좁은 단축방향 방전공간(d)에서 방전이 확산되면서 일부 전자들이 단축방향(또는, 가로방향) 격벽들(24a)에 충돌된다. 이렇게 격벽(24a)에 충돌된 전자들은 중화되어 소멸된다. 이렇게 방전가스를 이온화시키는 전자들의 양이 줄어들게 되므로 종래의 RFPDP는 방전효율과 휘도가 낮아지게 된다. 이에 따라, 종래의 RFPDP는 만족한 휘도를 얻기 위하여 높은 고주파 신호의 전력이 인가되기 때문에 소비전력이 그 만큼 커지게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 소비전력을 줄이고 방전효율을 높이도록 한 RFPDP를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 3전극 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.
도 2는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.
도 5는 도 4에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.
도 7은 도 6에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.
도 9는 도 8에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 절개 사시도.
도 11은 도 10에 도시된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 셀구조와 전극구조를 나타내는 평면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1,30,50,80,110,140 : 전면기판 2,12,32,62,92,122 : 배면기판
3,24,74,104,134 : 격벽 4,14,34,64,94,124 : 어드레스전극
5,26 : 형광체 9,22,42,72,102,132 : 보호막
10 : 유지전극쌍 32,52,82,112,142 : 화소셀
68a,78a,128a,138a : 돌출부
8,16,20,36,40,66,70,96,100,126,130 : 유전층
34R,34G,34B,54R,54G,54B,84R,84G,84B,114R,114G,114B,144R,144G,144B : 서브화소셀
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 RFPDP는 데이터가 공급되는 어드레스전극과, 어드레스전극과 교차하는 지점이 이웃한 셀들 간에 상대적으로 상측과 아래측에 각각 위치하도록 패터닝된 스캔전극과, 고주파신호가 공급되어 스캔전극과 함께 고주파 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극을 구비한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도 4 내지 도 11을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 RFPDP는 적·녹·청색 각각을 표시하며 삼각형 형태로 형성되는 서브 화소셀들(54R,54G,54B)을 포함하는 화소셀(52)이 매트릭스 형태로 배열된다. 각 서브 화소셀들(54R,54G,54B)은 어드레스전극(34)과 스캔전극(38)이 교차되게끔 형성되는 배면기판(32)과, 스캔전극(38)과 나란하게 고주파전극(48)이 형성된 전면기판(30)을 구비한다. 어드레스 전극(34)은 스트라이프(stripe) 형태로 패터닝되어 비디오 데이터가 공급된다. 스캔전극(34)은 물결 구조로 패터닝되어 산과 골 부분이 어드레스전극(34)을 교차하게 된다. 이 스캔전극(38)은 어드레스기간에 비디오 데이터에 동기되어 스캔펄스가 공급되어 어드레스전극(34)과 함께 어드레스 방전을 일으킴과 아울러 서스테인기간에 고주파전극(48)과 함께 고주파 유지방전을 일으키게 된다. 고주파전극(48)은 스캔전극(34)과 마찬가지로, 물결 구조로 패터닝되어 산과 골 부분이 어드레스전극(34)을 교차하게 된다. 이 고주파전극(48)에는 서스테인기간에 고주파신호가 인가된다. 어드레스전극(34)과 스캔전극(38) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 유전층(36)이 형성된다. 스캔전극(38) 위에는 유전층(40)과 보호막(42)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 삼각형인 격벽(44)이 형성된다. 격벽(44)의 표면에는 형광체가 도포된다.
본 발명에 따른 RFPDP는 도 5에서 알 수 있는 바, 물결구조의 고주파전극(48)과 스캔전극(38)이 삼각형 격벽(44)의 빗변과 빗변에서 고주파 유지방전이 단축방향으로 가장 길게 일어나는 방전공간 부분을 횡단하게 된다. 이렇게 고주파 유지방전이 단축방향으로 가장 길게 일어나는 방전공간을 횡단하게 되므로 고주파전극(48)과 스캔전극(38)은 인접한 서브 화소셀들(54R,54G,54B)을 교번적으로 위 아래로 횡단하게 된다. 삼각형 서브 화소셀(54R,54G,54B)의 밑변의 길이는 도 3에 도시된 직사각형 서브 화소셀의 단축방향 길이를 'd'라 할 때, '2d'가 되며, 높이는 '3d'로 설정된다. 따라서, 단위 화소셀(52)의 면적은 도 1에 도시된 단위 화소셀(32)과 동일하게 9d2가 되지만 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향의 방전공간 길이는 도 1에 도시된 단위 화소셀(32)에서의 고주파 유지방전이 일어나는 그것보다 길어지게 된다. 이렇게 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향 방전공간의 길이가 길어지게 되므로 즉, 고주파 유지방전이 일어나는 방전공간 상에 대면하는 삼각형 격벽(44)의 빗변과 빗변 사이의 간격이 커지게 되므로 고주파 유지방전시 격벽(44)에 충돌되어 소멸되는 전자 및 전하를 최소화할 수 있게 된다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 RFPDP를 나타낸다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 RFPDP는 단위 화소셀(82)에 포함된 삼각형 서브 화소셀들(84R,84G,84B)의 빗변을 단축방향으로 횡단하며 어드레스전극(64) 방향으로 돌출되는 돌기부(68a,78a)가 형성되는 스캔전극(68) 및 고주파전극(78)을 구비한다. 스트라이프 형태의 어드레스전극(64)과 돌출부(68a)가 형성된 스캔전극(68)은 배면기판(62) 상에 상호 교차되게끔 형성된다. 돌출부(78a)가형성된 고주파전극(78)은 스캔전극(68)과 나란하게 전면기판(80) 상에 형성된다. 어드레스전극(64)과 스캔전극(68) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 유전층(66)이 형성된다. 스캔전극(68) 위에는 유전층(70)과 보호막(72)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 삼각형인 격벽(74)이 형성된다. 격벽(44)의 표면에는 형광체가 도포된다.
스캔전극(68)과 고주파전극(78)의 돌출부(68a,78a)는 삼각형 서브 화소셀들(84R,84G,84B) 상에서 방전공간이 넓은 장축방향 쪽으로 돌출된다. 이렇게 고주파 유지방전이 단축방향으로 가장 길게 일어나는 방전공간 쪽으로 돌출되므로 스캔전극(68)과 고주파전극(78)의 돌출부(68a,78a)는 인접한 서브 화소셀들(54R,54G,54B) 간에 교번적으로 고주파전극(68)과 스캔전극(78)의 위쪽 변과 아래쪽 변으로부터 돌출된다. 삼각형 서브 화소셀(84R,84G,84B)과 화소셀(82)의 형태와 면적은 도 5에 도시된 그것과 동일하다. 따라서, 단위 화소셀(82)의 면적은 도 1에 도시된 단위 화소셀(32)과 동일하지만 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향의 방전공간 길이는 종래보다 더 길게 되어 고주파 유지방전시 격벽(74)에 충돌되어 소멸되는 전자 및 전하를 최소화할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 RFPDP를 나타낸다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 RFPDP는 단위 화소셀(112)에 포함된 철(凸)자 형태의 서브 화소셀들(114R,114G,114B)과, 철자 형태의 서브 화소셀들(114R,114G,114B)의 광폭부분을 단축방향으로 횡단하는 요철(凹凸) 형태의 스캔전극(98) 및 고주파전극(108)과, 스캔전극(98) 및 고주파전극(108)과 교차되는어드레스전극(94)을 구비한다. 스트라이프 형태의 어드레스전극(94)과 요철 형태의 스캔전극(98)은 배면기판(92) 상에 상호 교차되게끔 형성된다. 요철 형태의 고주파전극(108)은 스캔전극(98)과 나란하게 전면기판(110) 상에 형성된다. 어드레스전극(94)과 스캔전극(98) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 유전층(96)이 형성된다. 스캔전극(98) 위에는 유전층(100)과 보호막(102)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 철자 형태의 격벽(104)이 형성된다. 격벽(104)의 표면에는 형광체가 도포된다.
요철 형태의 스캔전극(98)과 고주파전극(108)은 인접한 서브 화소셀들(114R,114G,114B) 상에서 단축방향으로 횡단하게 된다. 이렇게 고주파전극(108)이 단축방향으로 방전공간이 넓은 쪽을 횡단하게 되므로 스캔전극(98)과 고주파전극(108)은 인접한 서브 화소셀들(114R,114G,114B)의 광폭부분을 횡단하게 된다. 다시 말하여, 스캔전극(98)과 고주파전극(108)은 인접한 서브 화소셀들(114R,114G,114B)을 교번적으로 위 아래 즉, 지그재그로 횡단하게 된다. 철자 형태의 서브 화소셀(114R,114G,114B)의 광폭부분 밑변 길이는 1.5d이고 협폭부분 윗변의 길이는 0.75d로 설정된다. 여기서, 윗변과 밑변의 길이는 설계자에 의해 임의로 선택될 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 RFPDP를 나타낸다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 RFPDP는 단위 화소셀(142)에 포함된 철자 형태의 서브 화소셀들(144R,144G,144B)과, 철자 형태의 서브 화소셀들(144R,144G,144B)의 광폭부분에서 고주파 유지방전이 일어나는 장축방향쪽으로 돌출되는 돌출부(128a,138a)가 형성된 스캔전극(128) 및 고주파전극(138)과, 스캔전극(128) 및 고주파전극(138)과 교차되는 어드레스전극(124)을 구비한다. 스트라이프 형태의 어드레스전극(124)과 돌출부(128a)가 형성된 스캔전극(128)은 배면기판(122) 상에 상호 교차되게끔 형성된다. 돌출부(138a)가 형성된 고주파전극(138)은 스캔전극(128)과 나란하게 전면기판(140) 상에 형성된다. 어드레스전극(124)과 스캔전극(128) 사이에는 이들 전극 사이의 절연을 위한 유전층(126)이 형성된다. 스캔전극(128) 위에는 유전층(130)과 보호막(132)이 적층되고, 그 위에 횡단면이 서브 화소셀 단위로 철자 형태의 격벽(134)이 형성된다. 격벽(134)의 표면에는 형광체가 도포된다.
형성된 스캔전극(128)과 고주파전극(138)의 돌출부(128a,138a)는 인접한 서브 화소셀들(144R,144G,144B) 상에서 장축방향 쪽으로 돌출된다. 이렇게 고주파 전극(138)이 방전공간이 넓은 장축방향 쪽으로 돌출되므로 스캔전극(128)과 고주파전극(138)의 돌출부(128a,138a)는 인접한 서브 화소셀들(144R,144G,144B) 간에 교번적으로 고주파전극(128)과 스캔전극(138)의 위쪽 변과 아래쪽 변으로부터 돌출된다. 철자 형태의 서브 화소셀(144R,144G,144B) 및 화소셀(142)의 형상과 면적은 도 9에 도시된 그 것과 동일하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 RFPDP는 위 아래 비대칭적인 형태로 셀을 형성하고 인접한 고주파 유지방전을 일으키는 고주파전극과 스캔전극이 셀에서 단축방향으로 방전공간이 넓은 쪽을 횡단하도록 인접한 셀을 지그재그로 횡단하는 형상으로 패터닝된다. 따라서, 본 발명에 따른 RFPDP는 고주파 유지방전이 일어나는 단축방향에서 격벽간 거리가 길어지게 되어 격벽에 충돌되는 전자를 최소화시키므로 소비전력을 줄이고 방전효율을 높일 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 스캔전극과 고주파전극을 물결구조 또는 요철 구조로 형성하며 인접한 셀 간에 비대칭적으로 돌출부를 형성할 수도 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (10)

  1. 데이터가 공급되는 어드레스전극과,
    상기 어드레스전극과 교차하는 지점이 이웃한 셀들 간에 상대적으로 상측과 아래측에 각각 위치하도록 패터닝된 스캔전극과,
    고주파신호가 공급되어 상기 스캔전극과 함께 고주파 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀은 횡단면이 삼각형 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀은 횡단면이 철자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔전극은 상기 이웃한 셀 간에 교번적으로 산과 골이 위치하도록 물결 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스캔전극은 상기 이웃한 셀 간에 교번적으로 상측과 하측에서 직선부가 횡단하도록 요철 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔전극은 상기 이웃한 셀 간에 상측변과 하측변에서 교번적으로 돌출되는 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 고주파전극은 상기 스캔전극과 동일 형상으로 패터닝된 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 고주파전극은 상기 이웃한 셀 간에 교번적으로 산과 골이 위치하도록 물결 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 고주파전극은 상기 이웃한 셀 간에 교번적으로 상측과 하측에서 직선부가 횡단하도록 요철 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 고주파전극은 상기 이웃한 셀 간에 상측변과 하측변에서 교번적으로 돌출되는 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
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