KR20020007872A - Transluscent and conductive film for electric field shielding and fabrication method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A transmission conductive film for electromagnetic shielding and a manufacturing method thereof are provided to effectively remove a harmful wave, manufacture a transmission conductive film at a reasonable price, achieve a superior film, a stable composite solution, and prevent coloration. CONSTITUTION: A composite for an upper thin film is coated on a lower thin film, dried and thermally processed in a nitrogen atmosphere or in the air, so as to form an amorphous oxide thin film. A lower thin film(32) is formed on a substrate(31). The upper thin film(33) is formed on the lower thin film(32). A stabilizer(36) contained in the upper thin film is adsorbed to a conductive particle of nano size of the lower thin film in the vicinity of an interface between the lower thin film(32) and the upper thin film(33). A surface treating agent(35) is formed on a surface of the conductive particle. When a composite for the lower thin film is manufactured, the surface treating agent is added in order to prevent cohesion of conductive powder when powder and solution are mixed.

Description

전자파차폐용 투광성 도전막 및 그 제조방법{TRANSLUSCENT AND CONDUCTIVE FILM FOR ELECTRIC FIELD SHIELDING AND FABRICATION METHOD THEREOF}Transmissive conductive film for electromagnetic wave shield and manufacturing method therefor {TRANSLUSCENT AND CONDUCTIVE FILM FOR ELECTRIC FIELD SHIELDING AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 전자파차폐용 투광성 도전막 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent conductive film for shielding electromagnetic waves and a method of manufacturing the same.

브라운관 TV 혹은 모니터, 플라즈마 디스플레이(PDP), 발광 소자(EL 혹은 FED) 등 각종 표시장치에서 전기장에 의해 발생하는 저주파 누출 전자파는 인체에 유해한 직업병을 일으키는 것으로 보고되어, 각국에서 유해파에 대한 규제를 위해 규격을 마련하고 있다. 전자파를 제거하기 위하여 종래에는 탄소필름, 구리막 등의 도전체를 케이스 외장에 포장하거나 도전체를 혼합한 외장 케이스 등이 사용하고 있다. 그러나, 표시 장치의 화상을 직접 눈으로 보는 전면의 영상표시부는 가시광선이 투과되기 때문에 종래방법으로는 전자파를 제거할 수 없다. 따라서, 표시장치의 전면부에는 투광성이 있으면서 도전손실에 의한 저주파의 인체 유해파를 제거할 수 있는 투광성 도전막을 형성하는 방법이 제안되었다.Low frequency leakage electromagnetic waves generated by electric fields in various display devices such as CRT TVs, monitors, plasma displays (PDP) and light emitting devices (EL or FED) are reported to cause occupational diseases that are harmful to the human body. We have a standard. Conventionally, in order to remove electromagnetic waves, a conductor such as a carbon film or a copper film is packaged in a case exterior, or an exterior case in which conductors are mixed. However, since the visible light is transmitted through the image display unit on the front face of which the image of the display device is directly visible, electromagnetic waves cannot be removed by the conventional method. Accordingly, a method of forming a transmissive conductive film on the front surface of the display device capable of eliminating harmful human waves caused by conductive loss while transmitting light has been proposed.

화상표시부는 인체유해파를 발생할 뿐만 아니라 외광반사에 의한 눈부심등으로 눈피로를 가중시키기 때문에 투광성 도전막은 광 간섭효과에 의한 광반사 방지를 위해 굴절율이 높은 물질로 구성되어져야 한다. 예를 들면, 유기 혹은 무기염료, 전도성 고분자, 도전성 산화물, 금속도체 등이 투광성 도전막으로 사용될 수 있다. 그러나 염료는 도전성이 낮고, 전도성 고분자는 막형성이 어렵고 막강도와 굴절율이 낮다는 단점이 있다. 금속도체는 도전성은 우수하나 고가이며 투과율이 낮고 산화가 일어나기 쉬운 문제점이 있다.Since the image display unit not only generates harmful waves to the human body but also increases eye fatigue due to glare caused by external light reflection, the transparent conductive film should be made of a material having a high refractive index to prevent light reflection due to the light interference effect. For example, organic or inorganic dyes, conductive polymers, conductive oxides, metal conductors, and the like may be used as the transparent conductive film. However, dyes have a disadvantage of low conductivity, conductive polymers are difficult to form a film, low film strength and refractive index. Metal conductors have excellent conductivity but are expensive, have low transmittance, and are prone to oxidation.

투광성 도전막은 통상적인 스퍼터링법, 이온빔법 또는 진공증착법으로 제조하면 높은 전기전도성을 가진 막을 제조할 수 있으나, 설비투자액이 커지며 대형화 및 대량생산이 어렵다는 단점이 있다. 따라서, 저가격화와 대형화에 적합한 스핀 코팅법에 의해, 기판위에 산화주석, 산화인듐 등의 도전성 미분말을 함유한 알콜계 혹은 수계 분산액을 도포하여 설계파장의 1/4 두께로 도전막을 형성한 다음, 그 위에 저반사율 재료를 코팅하는 방법이 실시되고 있다. 한국특허 공개공보 제1999-064113호에는 산화주석에 중공형 탄화미세 섬유를 첨가하여 투광성 도전막용 조성물이 개시되어 있고, 한국특허 공개공보 제2000-009405호에는 산화주석 혹은 산화인듐에 산화네오디뮴을 첨가한 투명한 도전성 광선택 흡수피막 형성용 도포용액이 개시되어 있으며, 한국특허 공개공보 제1997-706585호에는 안티몬이 도핑된 산화 주석을 주성분으로 하는 도전성 분말 및 코팅제가 개시되어 있다. 도 1은 종래의 전자파차폐용 도전막을 모식적으로 도시한 것으로, 기판(11) 위에 하층박막(12) 및 상층박막(13)이 형성되어 있고, 하층박막(12)에는 도전성입자(14)가 모식적으로 나타나 있다.The light-transmissive conductive film can be produced by a conventional sputtering method, an ion beam method, or a vacuum deposition method, but can produce a film having high electrical conductivity, but has a disadvantage in that a large amount of equipment investment is required and large size and mass production are difficult. Therefore, by a spin coating method suitable for low cost and large size, an alcohol-based or aqueous dispersion containing conductive fine powder such as tin oxide or indium oxide is coated on the substrate to form a conductive film having a thickness of 1/4 of the designed wavelength. The method of coating a low reflectivity material on it is implemented. Korean Patent Laid-Open Publication No. 1999-064113 discloses a composition for a transparent conductive film by adding hollow microfibers to tin oxide, and Korean Patent Laid-Open Publication No. 2000-009405 adds neodymium oxide to tin oxide or indium oxide. A coating solution for forming a transparent conductive photoselective absorption coating film is disclosed, and Korean Patent Laid-Open Publication No. 1997-706585 discloses a conductive powder and a coating agent mainly composed of tin oxide doped with antimony. 1 schematically shows a conventional electromagnetic shielding film for electromagnetic shielding, in which a lower thin film 12 and an upper thin film 13 are formed on a substrate 11, and conductive particles 14 are formed in the lower thin film 12. It is shown schematically.

종래 기술에서 도전성 금속산화물인 안티몬 도핑한 산화주석 혹은 주석 도핑한 산화인듐 등의 미분말로 제조되는 투광성 도전막은 습기 등 주위환경의 변화에 의해 시간에 따라 표면저항이 증가하는 경시변화가 일어나 도전성을 잃게 되고 전자파 차폐 기능이 크게 감소하는 문제가 있다. 평면 모니터 등의 화상표시장치의 수명은 보통 10년 이상이므로 상기 경시변화를 방지하는 투광성 도전막의 필요성이 강하게 제기되고 있다.In the prior art, a light-transmissive conductive film made of fine powder such as antimony-doped tin oxide or tin-doped indium oxide, which is a conductive metal oxide, loses conductivity due to changes in surface resistance over time due to changes in the surrounding environment such as moisture. And the electromagnetic shielding function is greatly reduced. Since the lifespan of an image display device such as a flat panel monitor is usually 10 years or more, there is a strong need for a light-transmissive conductive film to prevent the change over time.

본 발명은 상기 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 상온에서 장시간 지난 후에도 투광성 도전막의 도전성이 감소하지 않아 누출 인체유해파를 효과적으로 제거할 수 있으며 경제적으로 제조가능한 투광성 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 또 다른 목적은 용액조성물이 매우 안정하면서 막 형성이 우수하고 가시광에 대한 투과율이 높아 청색조나 적색조의 착색이 되지 않으며 투명하고 결함없는 전자파차폐용 투광성 도전막을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and the object of the present invention is to provide a light-transmissive conductive film that can effectively remove leakage human harmful waves since the conductivity of the light-transmissive conductive film does not decrease even after a long time at room temperature. It is still another object of the present invention to provide a transparent conductive film-transparent conductive film that is transparent and free from defects in coloration of a blue or red color due to a very stable solution composition and excellent film formation and high transmittance to visible light.

도 1은 종래의 전자파차폐용 도전막을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional electromagnetic shielding film for electromagnetic shielding.

도 2는 본 발명에서 사용한 투광성 도전막을 제조장치의 개략도이다.2 is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing a translucent conductive film used in the present invention.

도 3은 본 발명에 의하여 제조한 투광성 도전막의 단면미세구조를 보여주는 모식도이다.3 is a schematic view showing a cross-sectional fine structure of the transparent conductive film prepared according to the present invention.

도 4는 실시예 6, 7, 8 및 비교예 2의 방법에 따라 제조한 도전막의 경시변화에 따른 표면저항의 변화를 보여주는 도면이다.4 is a view showing a change in the surface resistance of the conductive film prepared according to the method of Examples 6, 7, 8 and Comparative Example 2 with time.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

31:기판 32:하층박막31: Substrate 32: lower layer thin film

33:상층박막 34:도전성입자33: upper thin film 34: conductive particles

35:표면처리제 36:안정화제35: surface treatment agent 36: stabilizer

37:계면37: Interface

본 발명은 화상표시용 기판 위에 형성되어 있고, 150 nm 이하의 도전성 입자와 유기용매로 구성되는 하층박막과; 상기 하층박막 위에 형성되어 있고, 규산질 졸 형성 전구체와, 유기용매 및 안정화제로 구성되는 상층박막;을 포함하여 이루어지며, 상기 상층박막과 상기 하층박막의 계면 근처의 하층박막 표면에는 상기 상층박막의 안정화제가 상기 하층박막의 도전성 입자와 결합되어 있는 계면안정층이 존재하는 전자파차폐용 투광성 도전막 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention provides a thin film comprising: an underlayer thin film formed on an image display substrate and composed of conductive particles of 150 nm or less and an organic solvent; It is formed on the lower layer, the upper layer consisting of a siliceous sol-forming precursor, an organic solvent and a stabilizer; comprising, and the lower layer near the interface between the upper layer and the lower layer of the lower layer of the stabilization of the upper layer The present invention provides a light-transmitting conductive film for shielding electromagnetic waves, in which an interfacial stabilizer layer is bonded to conductive particles of the lower layer thin film, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 투광성 도전막의 하층박막인 도전성 산화박막이 상온에서 장기간 보관 후 박막특성 변화로 표면 저항이 증가하여 전자파 차단효과가 감소한다는 점을 주목하여, 상층박막을 구성하는 졸 형성 전구체에 안정화제를 첨가함으로써 하층박막의 표면에 안정층을 형성하는 것에 주된 특징이 있다.The present invention focuses on the fact that the conductive oxide thin film, which is the lower layer thin film of the light-transmissive conductive film, has a surface resistance increased due to the change in thin film characteristics after long-term storage at room temperature, thereby reducing the electromagnetic wave blocking effect, thereby providing a stabilizer to the sol-forming precursor constituting the upper thin film. It is a main feature to form a stable layer on the surface of an underlayer thin film by adding.

또한, 본 발명은 나노크기의 도전성입자를 사용하여 하층박막을 형성하므로 하층박막의 투광성이 매우 향상되는 특징이 있다.In addition, the present invention has a feature that the light transmittance of the lower layer thin film is greatly improved since the lower layer thin film is formed by using nano-sized conductive particles.

고굴절율 도전성 나노크기의 입자를 포함하고 있는 하층박막과 저굴절율 규산질 졸화합물로 이루어진 상층박막의 이중층으로 구성되는 본 발명은 전자파 차폐 및 반사방지막으로 사용될 수 있으며 브라운관 및 각종 디스플레이소자의 전면판 등에서 발생하는 인체유해파 제거, 광택에 의한 눈피로 및 정전기 방지 등과 같은 효과를 가져온다.The present invention consists of a double layer of a lower layer thin film containing high refractive index conductive nano-sized particles and an upper layer thin film made of a low refractive index siliceous sol compound. The present invention can be used as an electromagnetic shielding and anti-reflection film, and is generated in a cathode ray tube and a front panel of various display devices. The effect is such as to remove the harm to the human body, eye fatigue by the gloss and antistatic.

하층박막은 도전성을 가진 나노크기의 입자가 서로 접촉하고 있는 다공성의 3차원 충전구조로 되어 있고, 도전성 입자의 표면은 입자간 응집을 방지하는 표면처리제와 고굴절율이면서 분말간 결합력을 부여하는 수십나노미터의 유기 및 무기 흡착층이 존재한다.The underlayer thin film has a porous three-dimensional filling structure in which conductive nano-sized particles are in contact with each other, and the surface of the conductive particles has a surface treatment agent that prevents aggregation between particles, and a tens of nanometers that provide high refractive index and bonding strength between powders. There are meters of organic and inorganic adsorption layers.

상층박막은 알콕시실란을 가수분해하여 얻은 규산질 전구체와 안정화제를 혼합한 용액을 상기 하층박막 위에 도포하여 저온소성한 막으로 대부분 저굴절율의 규산질 산화층으로 되어 있다.The upper thin film is a low-temperature fired siliceous oxide layer which is a low-temperature fired film obtained by applying a solution of a siliceous precursor obtained by hydrolyzing an alkoxysilane and a stabilizer onto the lower thin film.

한편, 하층박막과 상층박막의 계면에는 나노크기의 도전성입자와 화학적 친화성을 가지며, 규산질 전구체 용액에 존재하는 해리된 안정화제가 상기 계면으로 이동하기 때문에 고굴절율층이 형성된다. 계면에 형성된 고굴절율층은 다공성의 하층 표면부를 메우고 산소공공의 결함원으로 작용하는 나노분말 표면부의 결함(defect)과 결합함으로써 도전성을 향상시키기 때문에 시간에 따른 표면저항 변화가 없이 장기적으로 안정한 도전막을 가능케 한다. 또한 안정화제에 의해 하층박막과 상층박막의 계면에 얇은 고굴절율층이 형성됨으로써 반사방지 효과를 높임과 동시에 막의 경도를 높게 하여 긁힘이나 마모에 의한 손상을 방지하여 내구성을 높게 한다.On the other hand, a high refractive index layer is formed at the interface between the lower thin film and the upper thin film because it has chemical affinity with the nano-sized conductive particles and the dissociated stabilizer present in the siliceous precursor solution moves to the interface. The high-refractive index layer formed at the interface improves conductivity by filling the lower surface of the porous layer and combining with the defects of the surface of the nanopowder acting as a defect source of the oxygen vacancy, thereby providing a stable conductive film in the long term without changing the surface resistance over time. Make it possible. In addition, a thin high refractive index layer is formed at the interface between the lower thin film and the upper thin film by the stabilizer to enhance the antireflection effect and to increase the hardness of the film to prevent damage due to scratches and abrasion, thereby increasing durability.

상층박막을 구성하는 주 구성물인 규산질 전구체(실리콘계 알콕사이드 또는 아세테이트염)에는 추가적인 졸 형성 전구체로 M(OR)4(여기서, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기)의 금속 알콕사이드 및 (CH3CO2)yM(여기서, y는 1 내지 4)으로 이루어진 금속 아세테이트염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 첨가할 수 있다. 상기 전구체로 사용되는 알콕사이드 및 아세테이트염의 이온 M은 실리콘, 인듐, 주석, 베릴륨, 스트론튬, 란타늄, 니오븀, 탄탈륨, 크롬, 니켈, 은, 금, 코발트, 철, 구리, 아연, 안티몬, 이리듐, 세륨, 유로피움, 알루미늄, 및 지르코늄으로 이루어진 군에서 선택된다. 전구체의 주 구성물인 실리콘계 알콕사이드 및 아세테이트염에 상기한 전구체에서 선택된 하나 이상의 화합물을 0.1에서 50 중량% 첨가하여 졸의 막형성을 향상시키거나 형성된 막의 내구성을 향상시킬 수 있다.The siliceous precursor (silicone-based alkoxide or acetate salt), which is the main constituent of the upper layer, has an additional sol-forming precursor as a metal alkoxide of M (OR) 4 (where R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and (CH 3 CO 2 ). One or more compounds selected from the group consisting of metal acetate salts consisting of y M (where y is 1 to 4) can be added. Ions M of the alkoxide and acetate salts used as the precursors are silicon, indium, tin, beryllium, strontium, lanthanum, niobium, tantalum, chromium, nickel, silver, gold, cobalt, iron, copper, zinc, antimony, iridium, cerium, Europium, aluminum, and zirconium. 0.1 to 50% by weight of one or more compounds selected from the above-described precursors may be added to the silicon-based alkoxide and acetate salts, which are the main constituents of the precursor, to improve the film formation of the sol or to improve the durability of the formed film.

상층박막 조성물의 안정화제로 사용할 수 있는 물질은 이온화가 쉬운 황화물, 질산염, 염화물 및 아세테이트화합물로서, 인듐, 주석, 베릴륨, 스트론튬, 란타늄, 니오븀, 탄탈륨, 크롬, 니켈, 은, 금, 코발트, 철, 구리, 아연, 안티몬, 이리듐, 세륨, 유로피움으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 이온화합물이다. 상기의 안정화제를 단독 혹은 복합으로 혼합하여 상층박막 조성물을 구성하는 규산질 전구체 용액에 용해시킨다.Substances which can be used as stabilizers of the upper thin film composition are sulfides, nitrates, chlorides and acetate compounds which are easily ionized. Indium, tin, beryllium, strontium, lanthanum, niobium, tantalum, chromium, nickel, silver, gold, cobalt, iron It is an ionic compound containing any one or more selected from the group consisting of copper, zinc, antimony, iridium, cerium, and europium. The stabilizer is mixed alone or in combination to dissolve in the siliceous precursor solution constituting the upper thin film composition.

안정화제가 상층박막을 구성하는 조성물에 첨가되어 용해되면 부분 또는 전부가 이온화하게 되는데, 과량으로 첨가되면 금속이 석출되거나 상층박막 조성물의 겔화를 촉진하게 되어 상층박막 조성물의 졸 안정성이 나빠지게 된다. 따라서, 안정화제는상층박막 조성물에 1 × 10-5에서 1 × 101몰랄농도로 첨가하는 것이 바람직하며, 특히 1 × 10-2에서 1 × 10-1몰랄농도가 적당하다. 안정화제의 해리된 이온들이 열처리과정에서 금속으로 환원되면 투광성을 감소시키고 상층박막의 굴절율을 높이나 하층박막의 표면층에 흡착되어 얇은 도전성 산화박막층을 형성하면 하층박막을 구성하는 도전성 분말의 시간에 따른 표면저항변화를 안정하게 한다.When the stabilizer is added to the composition constituting the upper thin film and dissolved, part or all of the ion is ionized, and when added in excess, metal precipitates or promotes gelation of the upper thin film composition, resulting in poor sol stability of the upper thin film composition. Therefore, the stabilizer is preferably added at 1 × 10 −5 to 1 × 10 1 molar concentration to the upper thin film composition, and particularly preferably at 1 × 10 −2 to 1 × 10 −1 molar concentration. When the dissociated ions of the stabilizer are reduced to the metal during the heat treatment process, the light transmittance is reduced and the refractive index of the upper thin film is increased, but when the thin film is adsorbed to the surface layer of the lower thin film to form a thin conductive oxide thin film, the surface of the conductive powder constituting the lower thin film is formed over time. Make the resistance change stable.

본 발명에 따른 상기 박막 형성용 조성물을 사용하여 전자파 차폐 및 반사방지 박막을 제조하는 방법을 이하에 상세히 설명하기로 한다.The method of manufacturing the electromagnetic shielding and antireflection thin film using the composition for forming a thin film according to the present invention will be described in detail below.

먼저, 150 nm 이하의 입경을 갖는 투광성 도전입자를 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올, 초산, 부탄올 중에서 선택되는 용매에 혼합 및 교반하여 하층박막 조성물을 제조한다. 그 다음 제조된 조성물을 스핀코팅법으로 유리기판 위에 도포하여 도전층을 형성한다. 도 2는 본 발명에서 사용한 스핀코팅장치(20)를 도시한다. 노즐(21)을 통하여 분사되는 용액(26)은 모터(24)와 연결되어 회전하는 기판(22)에 도포된다. 장치의 한 쪽에는 진공챔버(23)가 연결되어 있고, 그 밑에는 배출구(25)가 있는 것을 볼 수 있다.First, translucent conductive particles having a particle diameter of 150 nm or less are mixed with a solvent selected from alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid, isopropanol, acetic acid and butanol. And stirring to prepare a lower layer film composition. The prepared composition is then coated on a glass substrate by spin coating to form a conductive layer. 2 shows the spin coating apparatus 20 used in the present invention. The solution 26 sprayed through the nozzle 21 is applied to the rotating substrate 22 in connection with the motor 24. It can be seen that one side of the device is connected with a vacuum chamber 23, below which there is an outlet 25.

상층박막 조성물의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 규산질 전구체에 금속알콕사이드 또는 금속아세테이트염을 첨가하고 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올 등의 용매에 용해시켜 규산질 졸 용액을 제조하고, 촉매로 질산 혹은 염산을 가하여 상기 출발물질을 가수분해시킨다. 필요에 따라 졸 용액의 보관상의 안정성을 부여하기 위하여 β-카르보닐 계열의 아세틸아세톤(acetylacetone), 알카놀아민 계열의 모노에탄올아민(mono-ethanolamine), 디메틸아민 등을 착화제로 첨가할 수 있다. 안정화제는 상기 가수분해 단계 이전 또는 이후에 졸 용액에 용해시킨다.The manufacturing method of the upper thin film composition is as follows. First, a metal alkoxide or metal acetate salt is added to the siliceous precursor, and dissolved in a solvent such as alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid and isopropanol, and a siliceous sol solution. Was prepared, and nitric acid or hydrochloric acid was added to the catalyst to hydrolyze the starting material. If necessary, β-carbonyl-based acetylacetone, alkanolamine-based monoethanolamine, dimethylamine, etc. may be added as a complexing agent in order to impart storage stability of the sol solution. Stabilizers are dissolved in the sol solution either before or after the hydrolysis step.

이렇게 하여 제조된 상층박막 조성물을 하층박막 위에 도포하여 건조시킨 후 대기중 또는 질소 분위기 하에서 열처리하면 아몰퍼스 산화박막이 형성된다. 도 3은 본 발명에 의하여 제조된 다층구조의 투광성 도전막을 모식적으로 도시하고 있다. 기판(31) 위에는 하층박막(32)이 형성되어 있고, 하층박막(32) 위에는 상층박막(33)이 형성되어 있다. 하층박막(32)과 상층박막(33)의 계면(37) 근처에는 상층박막에 포함된 안정화제(36)가 하층박막의 나노크기의 도전성입자(34)에 흡착되어 있는 것을 볼 수 있다. 참조번호 35는 상기 도전성입자의 표면에 형성된 표면처리제를 나타낸다. 상기 표면처리제는 하층박막용 조성물을 제조할 때 도전성 분말의 응집을 방지하기 위하여 첨가되며, 분말과 용액을 혼합할 때 첨가한 후 교반한다.The amorphous oxide thin film is formed by applying the prepared upper thin film composition on the lower thin film and drying the same, followed by heat treatment in air or in a nitrogen atmosphere. Fig. 3 schematically shows a light-transmissive conductive film having a multilayer structure produced by the present invention. The lower thin film 32 is formed on the substrate 31, and the upper thin film 33 is formed on the lower thin film 32. Near the interface 37 between the lower thin film 32 and the upper thin film 33, it can be seen that the stabilizer 36 contained in the upper thin film is adsorbed to the nano-sized conductive particles 34 of the lower thin film. Reference numeral 35 represents a surface treating agent formed on the surface of the conductive particles. The surface treatment agent is added to prevent aggregation of the conductive powder when preparing the composition for the lower layer film, and is added after mixing the powder and the solution, followed by stirring.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 본 발명의 구체적인 실시예를 기술하지만, 본 발명의 범위는 다음의 실시예에 한정되지 않으며 후술하는 특허청구범위 내에서 다양한 변형과 응용이 가능하다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in order to help understanding of the present invention, but the scope of the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications and applications are possible within the scope of the following claims.

실시예 1Example 1

상층박막 조성물 제조Upper Thin Film Composition Preparation

테트라에틸 오소실리케이트(TEOS) 3000g과 에탄올 1000g을 혼합한 뒤 비이커에 담아 40℃로 가열된 반응조에서 2시간 동안 숙성하여 규산질 졸 용액을 제조하였다.숙성된 규산질 용액에 촉매를 첨가하여 가수분해시키고, 가수분해된 규산질 졸 용액 77g과 1.3중량% 염화니켈을 함유한 에탄올 혼합용액 400g을 20시간 교반하여 혼합하였다. 이와 같이 얻은 용액에 이소프로필알콜(IPA) 300g, 부탄올(buthanol) 200g, 증류수 50g 및 0.1N 염산 1g을 섞어준 뒤 다시 10시간 교반 및 숙성하여 상층코팅용 조성물을 제조하였다. 제조된 용액은 보관 안정성을 위하여 냉장보관하였다.A mixture of 3000 g of tetraethyl orthosilicate (TEOS) and 1000 g of ethanol was mixed in a beaker and aged for 2 hours in a reactor heated to 40 ° C. to prepare a siliceous sol solution. Hydrolysis was performed by adding a catalyst to the aged siliceous solution, 77 g of the hydrolyzed siliceous sol solution and 400 g of an ethanol mixed solution containing 1.3 wt% nickel chloride were stirred and mixed for 20 hours. 300 g of isopropyl alcohol (IPA), 200 g of butanol (buthanol), 50 g of distilled water, and 1 g of 0.1 N hydrochloric acid were mixed, followed by stirring and aging for 10 hours to prepare a top coating composition. The prepared solution was refrigerated for storage stability.

하층박막 조성물 제조Underlayer Thin Film Composition Preparation

평균입경이 약 75 nm이고, 6%주석 도핑된 산화인듐 분말 750g을 에탄올 14183g에 분산시켜 산화인듐 5중량% 용액을 약 40시간 볼밀로 분쇄한다. 볼밀에서 충분히 나노입자가 단분산된 5중량% 농축용액을 에탄올에 360g 대 640g의 비율로 희석시켜 1.8중량%의 하층박막 조성물을 제조한 후, 상온에서 30시간 숙성시켜 냉장 보관한다.The average particle diameter is about 75 nm, and 750 g of 6% tin doped indium oxide powder is dispersed in 14183 g of ethanol to grind the indium oxide 5 wt% solution in a ball mill for about 40 hours. In a ball mill, 5 wt% concentrated solution monodispersed in nanoparticles was diluted in a ratio of 360 g to 640 g in ethanol to prepare a 1.8 wt% lower layer composition, and then aged at room temperature for 30 hours and refrigerated.

투광성 도전막 제조Translucent conductive film production

스핀코팅을 위해 먼저 소다석회 유리기판을 준비하였다. 코팅 전 유리기판을 다음의 순서로 세척하였다. 먼저 일반 세척액을 이용하여 유리기판 표면의 먼지를 제거한 뒤, 세리아산화물 세척액으로 표면을 연마하고, 다시 거즈를 이용하여 에탄올로 표면을 닦아낸 뒤, 건조기에서 50℃로 건조시켰다. 30분 이상 가열된 유리기판을 스핀코터에 위치시키고 150 rpm으로 회전시키면서 하층박막 조성물 용액 20cc를 유리기판 위에 부어 하층박막을 형성시킨 다음, 상층박막 조성물 용액 20cc를 하층박막 위에 부어 이중층을 형성하였다. 코팅된 유리기판을 건조기에서 180℃에서 30분간 열처리하였다.First, soda-lime glass substrates were prepared for spin coating. The glass substrate was washed in the following order before coating. First, the surface of the glass substrate was removed using a general cleaning solution, the surface was polished with a ceria oxide cleaning solution, and the surface was again wiped with ethanol using gauze, and then dried at 50 ° C. in a dryer. The glass substrate heated for 30 minutes or more was placed on a spin coater and spun at 20 rpm by pouring 20 cc of the lower layer composition composition on the glass substrate while forming a lower layer. Then, 20 cc of the upper layer composition was poured on the lower layer to form a double layer. The coated glass substrate was heat treated at 180 ° C. for 30 minutes in a dryer.

실시예 2Example 2

실시예1의 방법에 의해 상층박막 조성물을 제조하되 에탄올에 질산은을 30g 용해시켰다. 하층박막 조성물의 제조방법과 코팅 및 열처리방법은 실시예1과 동일하였다.An upper thin film composition was prepared by the method of Example 1, but 30 g of silver nitrate was dissolved in ethanol. The manufacturing method, coating and heat treatment method of the lower layer thin film composition was the same as in Example 1.

실시예 3Example 3

실시예 1의 방법에 의해 상층박막 조성물을 제조하되 에탄올에 염화아연을 30g 용해시켰다. 하층박막 조성물의 제조방법과 코팅 및 열처리 방법은 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.An upper thin film composition was prepared by the method of Example 1, but 30 g of zinc chloride was dissolved in ethanol. The manufacturing method, coating and heat treatment method of the lower layer thin film composition was carried out in the same manner as in Example 1.

실시예 4Example 4

실시예 1의 방법에 의해 상층박막 조성물을 제조하되 에탄올에 염화주석 60g 용해시켰다. 하층박막 조성물의 제조방법과 코팅 및 열처리 방법은 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.An upper thin film composition was prepared by the method of Example 1, but 60 g of tin chloride was dissolved in ethanol. The manufacturing method, coating and heat treatment method of the lower layer thin film composition was carried out in the same manner as in Example 1.

실시예 5Example 5

실시예 1의 방법에 의해 상층박막 조성물을 제조하되 에탄올에 염화인듐 50g 용해 시켰다. 하층박막 조성물의 제조방법과 코팅, 열처리 방법은 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.An upper thin film composition was prepared by the method of Example 1, but 50 g of indium chloride was dissolved in ethanol. The manufacturing method, coating, and heat treatment method of the lower layer thin film composition were carried out in the same manner as in Example 1.

실시예 6Example 6

실시예3의 방법에 의해 제조된 이중코팅 박막을 200℃에서 열처리하여 제조하였다.The double coated thin film prepared by the method of Example 3 was prepared by heat treatment at 200 ℃.

실시예 7Example 7

실시예3의 방법에 의해 제조된 이중코팅 박막을 300℃에서 열처리하여 제조하였다.The double coated thin film prepared by the method of Example 3 was prepared by heat treatment at 300 ℃.

실시예 8Example 8

실시예3의 방법에 의해 제조된 이중코팅 박막을 400℃에서 열처리하여 제조하였다.The double coated thin film prepared by the method of Example 3 was prepared by heat treatment at 400 ℃.

실시예 9Example 9

실시예3의 방법에 의해 제조된 이중코팅 박막을 500℃에서 열처리하여 제조하였다.The double coated thin film prepared by the method of Example 3 was prepared by heat treatment at 500 ℃.

실시예 10Example 10

실시예 3의 방법에 의해 제조된 이중코팅 박막을 180℃에서 12시간 동안 열처리하여 제조하였다.The double coated thin film prepared by the method of Example 3 was prepared by heat treatment at 180 ° C. for 12 hours.

실시예 11Example 11

실시예 1의 방법에 의해 상층박막 조성물을 제조하되 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS)와 에탄올을 각각 500g, 100g을 혼합하였다. 이중코팅박막을 180℃에서 12시간 동안 열처리하여 제조하였다.An upper thin film composition was prepared by the method of Example 1, but 500 g and 100 g of tetraethyl orthosilicate (TEOS) and ethanol were mixed. The double coated thin film was prepared by heat treatment at 180 ° C. for 12 hours.

실시예 12Example 12

실시예 1의 방법에 의해 상층박막 조성물을 제조하되 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS)와 에탄올을 각각 700g, 100g을 혼합하였다. 이중코팅박막을 180℃에서 12시간 동안 열처리하여 제조하였다.An upper thin film composition was prepared by the method of Example 1, but 700 g and 100 g of tetraethyl orthosilicate (TEOS) and ethanol were respectively mixed. The double coated thin film was prepared by heat treatment at 180 ° C. for 12 hours.

실시예 13Example 13

실시예 7과 동일한 방법으로 코팅된 이중박막을 200℃에서 30분간 열처리하여 제조하였다.A double thin film coated in the same manner as in Example 7 was prepared by heat treatment at 200 ° C for 30 minutes.

실시예 14Example 14

실시예 8과 동일한 방법으로 코팅된 이중박막을 200℃에서 30분간 열처리하여 제조하였다.A double thin film coated in the same manner as in Example 8 was prepared by heat treatment at 200 ° C. for 30 minutes.

실시예 15Example 15

실시예 9와 동일한 방법으로 코팅된 2층박막을 200℃에서 30분간 열처리하여 제조하였다.A two-layer thin film coated in the same manner as in Example 9 was prepared by heat treatment at 200 ° C for 30 minutes.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1와 동일한 방법에 의해 상층박막 조성물과 하층박막 조성물을 제조하되 상층박막 조성물에 안정화제를 첨가하지 않았다.An upper thin film composition and a lower thin film composition were prepared in the same manner as in Example 1, but no stabilizer was added to the upper thin film composition.

비교예 2Comparative Example 2

기존의 모니터 제조업체에서 사용하고 있는 하층박막 조성물 및 상층박막 조성물을 사용하여 상기 실시예1에서와 같은 온도로 열처리하여 제조하였다. 하층박막 조성물을 50nm크기의 주석도핑된 산화인듐 분말을 에탄올597g, 아세톤2g, 4-하이드록시 4-메틸 2-팬타논(4-hydroxy 4-methyl 2-pentanone)29.6g, 메탄올 84.7g 및 2,4-팬타네디온(2,4-pentanedione)181g의 혼합 유기용매에 분산시켜 제조하였고, 상층박막 조성물은 테트라에톡시실란, 에탄올 및 물의 혼합용액에 메탄올181g, 에탄올 330g, 2-프로판올 587g, 2,4-펜타네디오 143g, 4-하이드록시 4-메틸 2-펜타논 38.1g 및 3-펜텐 2-온 4-메틸(3-Penten-2one-4methyl) 2.2g을 혼합하여 제조하였다.It was prepared by heat treatment at the same temperature as in Example 1 using the lower layer composition and the upper layer composition used in the existing monitor manufacturers. 50 nm-sized tin-doped indium oxide powder was used for the underlayer thin film composition, 597 g of ethanol, 2 g of acetone, 29.6 g of 4-hydroxy 4-methyl 2-pentanone, 84.7 g of methanol, and 2 It was prepared by dispersing in a mixed organic solvent of 181 g of 4-4-pentanedione (2,4-pentanedione), and the upper thin film composition was prepared by mixing 181 g of methanol, 330 g of ethanol, 587 g of 2-propanol in a mixed solution of tetraethoxysilane, ethanol and water 143 g of 2,4-pentanedio, 38.1 g of 4-hydroxy 4-methyl 2-pentanone, and 2.2 g of 3-penten 2-one 4-methyl were prepared by mixing.

상기의 실시예 및 비교예에 따른 상층박막 및 하층박막 조성물로 제조한 투광성 도전막의 특성을 도 4, 표1 및 2에 나타내었다.4, Tables 1 and 2 show the characteristics of the transparent conductive film prepared from the upper thin film and the lower thin film composition according to the above Examples and Comparative Examples.

도 4는 상기 실시예 6 내지 8 및 비교예 2에 따라 형성된 투광성 도전막의 시간에따른 표면저항의 변화를 보였다. 도 4에 보는 바와 같이, 실시예 6 내지 8에 따라 형성된 투광성 도전막은 시간이 지남에 따라 표면저항이 감소하다가 일정하게 유지되어 장기안정성을 가지는 반면, 비교예 2에 의하여 형성된 도전막은 표면저항이 계속 증가함을 보였다.4 shows the change of surface resistance with time of the transparent conductive film formed according to Examples 6 to 8 and Comparative Example 2. As shown in FIG. 4, the light-transmissive conductive film formed according to Examples 6 to 8 has a long-term stability because the surface resistance decreases over time and remains constant, whereas the conductive film formed by Comparative Example 2 continues to have surface resistance. Increased.

표 1은 상기 실시예 1 내지 9 및 비교예 1과 2에 따라 형성된 투광성 도전막의 표면저항, 투과율 및 경도를 보인 것이다. 실시예 1 내지 9에 의하여 형성한 투광성 도전막은 비교예 1과 2에 비하여 전반적으로 표면저항이 낮으면서 투과율이 높고 막경도가 높아 우수한 특성을 가진 것을 알 수 있다.Table 1 shows the surface resistance, transmittance and hardness of the transparent conductive film formed according to Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2. It can be seen that the light-transmissive conductive films formed in Examples 1 to 9 had excellent surface properties, high transmittance and high film hardness, compared to Comparative Examples 1 and 2, respectively.

투광성 도전막의 특성비교Comparison of Characteristics of Translucent Conductive Film 구분division 열처리 온도(℃)Heat treatment temperature (℃) 표면저항(Ω/□)Surface resistance (Ω / □) 투과율(%)Transmittance (%) 경도(N)Longitude (N) 실시예 1Example 1 180180 1.77E+061.77E + 06 -- -- 실시예 2Example 2 180180 5.67E+075.67E + 07 -- -- 실시예 3Example 3 180180 5.91E+045.91E + 04 91.091.0 1.171.17 실시예 4Example 4 180180 2.61E+052.61E + 05 -- -- 실시예 5Example 5 180180 8.37E+058.37E + 05 -- -- 실시예 6Example 6 200200 7.00E+047.00E + 04 91.591.5 1.171.17 실시예 7Example 7 300300 5.81E+045.81E + 04 90.290.2 1.071.07 실시예 8Example 8 400400 3.03E+043.03E + 04 8888 0.980.98 실시예 9Example 9 500500 3.81E+043.81E + 04 87.787.7 0.290.29 비교예 1Comparative Example 1 180180 1.00E+081.00E + 08 -- -- 비교예 2Comparative Example 2 180180 6.50E+046.50E + 04 9191 1.071.07

표 2는 상기 실시예 10 내지 15 및 비교예 2에 따라 형성된 투광성 도전막에 대하여 열처리 및 냉각한 직후 측정한 표면저항과 5개월후 측정한 표면저항치를 보였다. 실시예 10 내지 15에 따라 형성된 투광성 도전막은 비교예 2에 따라 형성한 투광성 도전막보다 표면저항 변화가 적어 장기안정성을 가짐을 보였다.Table 2 shows the surface resistance measured immediately after the heat treatment and cooling of the translucent conductive films formed according to Examples 10 to 15 and Comparative Example 2 and the surface resistance measured after 5 months. The light-transmissive conductive film formed according to Examples 10 to 15 showed less change in surface resistance than the light-transmissive conductive film formed according to Comparative Example 2 and showed long-term stability.

투광성 도전막의 특성비교Comparison of Characteristics of Translucent Conductive Film 구분division 열처리 온도(℃)Heat treatment temperature (℃) 표면저항(Ω/□)Surface resistance (Ω / □) 코팅직후Immediately after coating 5개월 후5 months later 실시예 10Example 10 180180 3.45E+43.45E + 4 9.51E+49.51E + 4 실시예 11Example 11 180180 3.97E+43.97E + 4 9.30E+49.30E + 4 실시예 12Example 12 180180 4.39E+44.39E + 4 1.97E+51.97E + 5 실시예 13Example 13 200200 5.16E+45.16E + 4 8.62E+48.62E + 4 실시예 14Example 14 200200 5.07E+45.07E + 4 6.46E+46.46E + 4 실시예 15Example 15 200200 5.81E+45.81E + 4 9.68E+49.68E + 4 비교예 2Comparative Example 2 180180 6.5E+46.5E + 4 1.70E+51.70E + 5

이상의 설명에서 본 바와같이, 본 발명의 투광성 도전막은 높은 투과율을 가짐과 동시에 표면저항치가 낮을 뿐만 아니라, 장기간 보관후에도 표면저항이 증가하지 않고 낮게 유지되어 장기안정성을 가지고 있어 TV 브라운관이나 컴퓨터 CRT 등의 음극선관에서 누출되는 전자파를 지속적으로 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 도전막은 유리기판보다 높은 투과율을 가지므로 고화질의 화상을 제공할 수 있으며, 막의 경도가 높기 때문에 내구성이 우수한 화상표시용 스크린을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 액상코팅법으로 도전막을 제조하기 때문에 공정이 간단하며 고가의 진공장비를 사용하지 않아 생산성이 우수하고 경제성이 높다. 따라서, 본 발명에 의하여 전기장에 의하여 누출되는 인체유해파를 장기간 안정하게 차단함과 동시에 고품위의 화상을 제공하며 내구성이 높고 경제성이 우수한 화상표시용 스크린을 제공할 수 있다.As can be seen from the above description, the light-transmissive conductive film of the present invention not only has a high transmittance and a low surface resistance but also maintains a low surface resistance without increasing after long-term storage. The electromagnetic wave leaking out of the cathode ray tube can be prevented continuously. In addition, since the conductive film of the present invention has a higher transmittance than the glass substrate, it is possible to provide a high quality image, and because of the high hardness of the film, an image display screen having excellent durability can be provided. In addition, the present invention is easy to manufacture the conductive film by the liquid coating method, the process is simple and does not use expensive vacuum equipment is excellent in productivity and economical. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an image display screen having high durability and excellent economic efficiency while simultaneously stably blocking human harmful waves leaked by an electric field for a long time.

Claims (15)

화상표시용 기판 위에 형성되어 있고, 150 nm이하의 도전성 입자와 유기용매로 구성되는 하층박막과;An underlayer thin film formed on an image display substrate and composed of conductive particles of 150 nm or less and an organic solvent; 상기 하층박막 위에 형성되어 있고, 규산질 졸 형성 전구체와, 유기용매 및 안정화제로 구성되는 상층박막;을 포함하여 이루어지며,It is formed on the lower layer thin film, consisting of a siliceous sol forming precursor, an upper layer consisting of an organic solvent and a stabilizer; 상기 상층박막과 상기 하층박막의 계면 근처의 하층박막 표면에는 상기 상층박막의 안정화제가 상기 하층박막의 도전성 입자와 결합되어 있는 계면안정층이 존재하는 전자파차폐용 투광성 도전막.A transparent conductive film for electromagnetic shielding, wherein an interfacial stabilizer layer in which the stabilizer of the upper thin film is bonded to the conductive particles of the lower thin film is present on the lower thin film surface near the interface between the upper thin film and the lower thin film. 제1항에 있어서, 상기 도전성입자는 산화인듐, 산화주석 또는 주석 코팅된 산화인듐 중의 어느 하나인 전자파차폐용 투광성 도전막.The transparent conductive film of claim 1, wherein the conductive particles are any one of indium oxide, tin oxide, or tin coated indium oxide. 제1항에 있어서, 상기 하층박막의 유기용매는 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올, 초산, 부탄올 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.The method of claim 1, wherein the organic solvent of the lower layer is selected from alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid, isopropanol, acetic acid, butanol A transparent conductive film for shielding electromagnetic waves. 제1항에 있어서, 상기 상층박막의 규산질 졸 형성 전구체는 M(OR)4(여기서, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기, M은 금속 이온)의 금속알콕사이드 또는 (CH3CO2)yM(여기서, y는 1 내지 4, M은 금속 이온)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.According to claim 1, wherein the siliceous sol-forming precursor of the upper thin film is a metal alkoxide of M (OR) 4 (wherein R is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, M is a metal ion) or (CH 3 CO 2 ) y M ( Here, y is 1 to 4, M is a metal ion) The transparent conductive film for electromagnetic shielding, characterized in that it further comprises. 제4항에 있어서, 상기 졸 형성 전구체의 금속 이온 M은 실리콘, 인듐, 주석, 베릴륨, 스트론튬, 란티늄, 니오븀, 탄탈륨, 크롬, 니켈, 은, 금, 코발트, 철, 구리, 아연, 안티몬, 이리듐, 세륨, 유로피움, 알루미늄, 및 지르코늄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.The method of claim 4, wherein the metal ion M of the sol-forming precursor is silicon, indium, tin, beryllium, strontium, lanthanum, niobium, tantalum, chromium, nickel, silver, gold, cobalt, iron, copper, zinc, antimony, Transmissive conductive film for electromagnetic shielding, characterized in that any one or two or more selected from the group consisting of iridium, cerium, europium, aluminum, and zirconium. 제1항에 있어서, 상기 상층박막의 유기용매는 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올 중의 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.The method of claim 1, wherein the organic solvent of the upper thin film is any one or two or more of alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid, isopropanol. Transmissive conductive film for electromagnetic shielding. 제1항에 있어서, 상기 상층박막은 β-카르보닐 계열의 아세틸아세톤, 알카놀아민 계열의 모노 에탄올 아민, 디에틸아민에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.The transparent conductive film for electromagnetic shielding according to claim 1, wherein the upper thin film contains at least one material selected from β-carbonyl series acetylacetone, alkanolamine series monoethanolamine, and diethylamine. membrane. 제1항에 있어서, 상기 상층박막의 안정화제는 인듐, 주석, 베릴륨, 스트론튬, 란타늄, 니오븀, 타탈륨, 크롬, 니켈, 은, 금, 코발트, 철, 구리, 아연, 안티몬, 이리듐, 세륨, 유로피움 중의 어느 하나 이상을 함유하는 황화물, 질산염, 염화물 및 아세테이트화합물로 이루어지는 이온화합물군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.The method of claim 1, wherein the stabilizer of the upper thin film is indium, tin, beryllium, strontium, lanthanum, niobium, tartalum, chromium, nickel, silver, gold, cobalt, iron, copper, zinc, antimony, iridium, cerium, A transparent conductive film for electromagnetic shielding, characterized in that it is one or two or more substances selected from the group of ionic compounds consisting of sulfides, nitrates, chlorides and acetate compounds containing at least one of europium. 제8항에 있어서, 상기 안정화제의 첨가량은 1 × 10-5에서 1 × 101몰랄농도인 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막.The transmissive conductive film for electromagnetic shielding according to claim 8, wherein the amount of the stabilizer added is 1 × 10 −5 to 1 × 10 1 molar concentration. 150 nm 이하의 입경을 갖는 도전성입자를 준비하고,Preparing conductive particles having a particle diameter of 150 nm or less; 상기 도전성입자를 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올, 초산, 부탄올 중에서 선택되는 용매에 혼합 및 교반하여 하층박막용 용액을 제조하고,The conductive particles were mixed and stirred with a solvent selected from alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid, isopropanol, acetic acid and butanol to prepare a solution for a lower layer film. and, 상기 용액을 스핀코팅장치에서 일정 속도로 회전하는 화상표시용 기판 위에 도포하여 하층박막을 형성하고,The solution is applied onto an image display substrate rotating at a constant speed in a spin coating apparatus to form a lower layer thin film, 규산질 전구체에 금속알콕사이드 또는 금속아세테이트염을 첨가하고 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올 중에서 선택되는 용매에 용해시켜 상층박막용 규산질 졸 용액을 제조하고,The metal alkoxide or metal acetate salt is added to the siliceous precursor and dissolved in a solvent selected from alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid and isopropanol Preparing a sol solution, 상기 규산질 졸 용액에 촉매를 가하여 가수분해시키고,Hydrolysis by adding a catalyst to the siliceous sol solution, 가수분해된 졸 용액에 안정화제를 용해시키고,Dissolve the stabilizer in the hydrolyzed sol solution, 안정화제가 용해된 졸 용액을 스핀코팅장치에서 상기 하층박막 위에 도포하고,A sol solution in which a stabilizer is dissolved is applied onto the lower layer film in a spin coating apparatus. 기판 위에 형성된 상기 하층박막 및 상층박막을 건조시킨 후, 대기중 또는 질소 분위기 하에서 열처리하는 단계로 이루어지는 전자파차폐용 투광성 도전막 제조방법.Method of manufacturing a transparent conductive film for electromagnetic shielding comprising the step of drying the lower layer and the upper layer formed on the substrate, the heat treatment in the atmosphere or nitrogen atmosphere. 150 nm 이하의 입경을 갖는 도전성입자를 준비하고,Preparing conductive particles having a particle diameter of 150 nm or less; 상기 도전성입자를 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올, 초산, 부탄올 중에서 선택되는 용매에 혼합 및 교반하여 하층박막용 용액을 제조하고,The conductive particles were mixed and stirred with a solvent selected from alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid, isopropanol, acetic acid and butanol to prepare a solution for a lower layer film. and, 상기 용액을 스핀코팅장치에서 일정 속도로 회전하는 화상표시용 기판 위에 도포하여 하층박막을 형성하고,The solution is applied onto an image display substrate rotating at a constant speed in a spin coating apparatus to form a lower layer thin film, 규산질 전구체에 금속알콕사이드 또는 금속아세테이트염을 첨가하고 알콜, 프로필 알콜, 아세톤, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올, 포름아미드, 에톡시에탄올, 증류수, 아세트산, 이소프로판올 중에서 선택되는 용매에 용해시켜 상층박막용 규산질 졸 용액을 제조하고,The metal alkoxide or metal acetate salt is added to the siliceous precursor and dissolved in a solvent selected from alcohol, propyl alcohol, acetone, toluene, methyl ethyl ketone, methanol, formamide, ethoxyethanol, distilled water, acetic acid and isopropanol Preparing a sol solution, 상기 규산질 졸 용액에 안정화제를 용해시키고,Dissolve a stabilizer in the siliceous sol solution, 상기 규산질 졸 용액에 촉매를 가하여 가수분해시키고,Hydrolysis by adding a catalyst to the siliceous sol solution, 가수분해된 졸 용액을 스핀코팅장치에서 상기 하층박막 위에 도포하고,Hydrolyzed sol solution was applied on the lower layer film in a spin coating apparatus, 기판 위에 형성된 상기 하층박막 및 상층박막을 건조시킨 후, 대기중 또는 질소 분위기 하에서 열처리하는 단계로 이루어지는 전자파차폐용 투광성 도전막 제조방법.Method of manufacturing a transparent conductive film for electromagnetic shielding comprising the step of drying the lower layer and the upper layer formed on the substrate, the heat treatment in the atmosphere or nitrogen atmosphere. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 촉매는 질산 또는 염산인 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막 제조방법.The method of manufacturing a transparent conductive film for electromagnetic wave shielding according to claim 10 or 11, wherein the catalyst is nitric acid or hydrochloric acid. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 규산질 졸 용액에 β-카르보닐 계열의 아세틸아세톤, 알카놀아민 계열의 모노에탄올아민 또는 디메틸아민을 착화제로 첨가한 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막 제조방법.The transparent conductive film for electromagnetic shielding according to claim 10 or 11, wherein β-carbonyl-based acetylacetone, alkanolamine-based monoethanolamine or dimethylamine are added to the siliceous sol solution as a complexing agent. Manufacturing method. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 열처리 단계는 150℃ 내지 500℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막 제조방법.The method of claim 10 or 11, wherein the heat treatment step is a transparent conductive film manufacturing method for electromagnetic shielding, characterized in that carried out at 150 ℃ to 500 ℃. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 안정화제는 인듐, 주석, 베릴륨, 스트론튬, 란타늄, 니오븀, 타탈륨, 크롬, 니켈, 은, 금, 코발트, 철, 구리, 아연, 안티몬, 이리듐, 세륨, 유로피움 중의 어느 하나 이상을 함유하는 황화물, 질산염, 염화물 및 아세테이트화합물로 이루어지는 이온화합물군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 전자파차폐용 투광성 도전막 제조방법.The method of claim 10 or 11, wherein the stabilizer is indium, tin, beryllium, strontium, lanthanum, niobium, tartalum, chromium, nickel, silver, gold, cobalt, iron, copper, zinc, antimony, iridium, cerium And one or two or more materials selected from the group consisting of ionic compounds consisting of sulfides, nitrates, chlorides, and acetate compounds containing at least one of europium.
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