KR20020006275A - exhausting appararus for use in manufacturing of semiconductor device - Google Patents

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KR20020006275A
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오종운
유동준
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윤종용
삼성전자 주식회사
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    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Abstract

PURPOSE: An exhausting apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent a disconnection of a robot signal and a corrosion problem, by installing a ventilation part in a predetermined region inside a process chamber so that gas remaining inside the chamber is easily exhausted to an exhaust duct. CONSTITUTION: The exhaust duct(102) through which unnecessary gas generated in manufacturing the semiconductor device is exhausted to the exterior of the process chamber(100) is installed in the exhausting apparatus. The ventilation part which transfers the necessary gas exhausted form a gas exhaust port to the exhaust duct is installed in the predetermined region inside the process chamber.

Description

반도체 디바이스 제조용 배기장치{exhausting appararus for use in manufacturing of semiconductor device}Exhausting appararus for use in manufacturing of semiconductor device

본 발명은 반도체 디바이스 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 디바이스 제조용 배기장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly to an exhaust device for manufacturing a semiconductor device.

반도체 디바이스를 제조하기 위한 공정은 단결정 제조공정, 마스크 제조공정, 웨이퍼 프로세스 공정, 기판공정, 배선공정, 조립공정, 신뢰성 검사공정등으로 구분할 수 있다. 여기서, 상기 웨이퍼 프로세스 공정은 반도체 디바이스 제조에 있어서 전(前)공정이라 불리우는 공정으로서, 반도체 디바이스의 특성과 수율을 결정짓는 매우 기본적이고도 중요한 공정이다. 이러한 웨이퍼 프로세스 공정에는 통상세정공정, 열처리공정, 불순물 주입공정, 박막 형성 공정, 리소그래피 공정, 평탄화 공정등이 포함되며, 이러한 각각의 공정을 수행하기 위해서는 각각의 공정에 적합한 장비가 사용된다.The process for manufacturing a semiconductor device can be classified into a single crystal manufacturing process, a mask manufacturing process, a wafer process process, a substrate process, a wiring process, an assembly process, a reliability inspection process, and the like. Here, the wafer process process is called a preprocess in semiconductor device manufacturing, and is a very basic and important process for determining the characteristics and yield of the semiconductor device. The wafer process process includes a normal cleaning process, a heat treatment process, an impurity implantation process, a thin film formation process, a lithography process, a planarization process, and the like, and to perform each of these processes, equipment suitable for each process is used.

한편, 상기한 웨이퍼 프로세스 공정중 박막을 형성하기 위한 CVD(Chimical Vapor Deposition:화학적 기상 증착)공정, 물질막의 평탄화 공정 또는 리소그래피 공정시 물질막을 패터닝하기 위한 습식식각공정등은 여러 가지 약액이 사용되는 습식공정이다. 이러한 습식공정에 사용되는 약액을 가열하게 되면 인체에 유해한 화학가스가 발생하게 되므로, 습식공정을 진행함에 있어서 이러한 화학가스를 배출하는 과정은 필수적이라 할 수 있다.On the other hand, the chemical vapor deposition (CVD) process for forming a thin film during the wafer process process, the planarization of the material film, or the wet etching process for patterning the material film during the lithography process is performed by using various chemical liquids. It is a process. When the chemical liquid used in the wet process is heated, chemical gases harmful to the human body are generated. Therefore, the process of discharging the chemical gas in the wet process may be essential.

도 1은 종래 방법에 따른 배기장치의 구성도를 나타낸다.1 shows a configuration diagram of an exhaust device according to a conventional method.

도면을 참조하면, 상기 배기장치는 습식공정이 진행되는 공정챔버(1)와 습식공정중 발생되는 화학가스를 배출시키기 위한 배기덕트(2), 상기 공정챔버(1)와 배기덕트(2)를 연결시키는 배기관(3)으로 구성되어 있다. 그리고, 상기 공정챔버(1) 내부에는 습식공정시 발생되는 화학가스가 분출되는 제1가스분출구(4) 및 제2가스분출구(5)가 형성되어 있다.Referring to the drawings, the exhaust device comprises a process chamber 1 through which a wet process proceeds, an exhaust duct 2 for discharging chemical gas generated during the wet process, and the process chamber 1 and an exhaust duct 2. It consists of an exhaust pipe 3 for connecting. In the process chamber 1, a first gas outlet 4 and a second gas outlet 5 through which chemical gases generated during a wet process are ejected are formed.

상기 제1가스분출구(4) 및 제2가스분출구(5)를 통해 분출되는 화학가스는 상기 배기관(3)으로 연결되어 있는 배기덕트(2)를 통하여 외부로 배출된다. 이때, 상기 배기덕트(2)를 통하여 배출되는 가스가 배기덕트(2) 내부에 있는 찬 공기와 닿아 액화될 경우에는 드레인 라인을 통해 외부로 배출된다.The chemical gas ejected through the first gas outlet 4 and the second gas outlet 5 is discharged to the outside through an exhaust duct 2 connected to the exhaust pipe 3. At this time, when the gas discharged through the exhaust duct 2 is liquefied in contact with the cold air in the exhaust duct 2 is discharged to the outside through the drain line.

그러나, 상기한 종래의 배기장치에 따르면 상기 제1가스분출구(4)를 통해 분출되는 가스는 배기덕트(2)로의 배출이 용이하지만, 상기 제2가스분출구(5)를 통해 분출되는 가스는 배기덕트(2)로의 배출이 용이하지 않음을 알 수 있다. 즉, 상기 제1가스분출구(4)에서의 가스분출 방향(참조부호 "A")은 배기관(3)쪽을 향하고 있어 배기덕트(2)로 배출되는 것이 용이하다. 그러나, 제2가스분출구(4)에서의 가스분출 방향(참조부호 "B")은 상기 배기관(3)쪽을 향하고 있지 않아 배기덕트(2)로의 배출이 원활히 이루어지지 못하고 있다.However, according to the conventional exhaust apparatus, the gas ejected through the first gas outlet 4 is easily discharged to the exhaust duct 2, but the gas ejected through the second gas outlet 5 is exhausted. It can be seen that the discharge into the duct 2 is not easy. That is, the gas ejection direction (reference numeral “A”) at the first gas ejection opening 4 is directed toward the exhaust pipe 3, and thus it is easy to be discharged to the exhaust duct 2. However, the gas ejection direction (reference numeral “B”) at the second gas ejection opening 4 does not face the exhaust pipe 3, and the exhaust duct 2 is not discharged smoothly.

이처럼, 제2가스분출구(4)로부터 분출된 가스가 바로 배기덕트(2)로 배출되지 못하고 공정챔버(1) 내부에 잔류할 경우, 피고 가스로 인해 로봇 시그널이 단선되거나 설비가 부식이 유발되고 문제점이 있다.As such, when the gas ejected from the second gas outlet 4 is not immediately discharged to the exhaust duct 2 and remains inside the process chamber 1, the robot gas is disconnected due to the defendant gas or corrosion of the equipment is caused. There is a problem.

따라서 본 발명의 목적은, 상기한 종래의 문제점을 해소할 수 있는 반도체 디바이스 제조용 배기장치를 제공하는데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide an exhaust device for manufacturing a semiconductor device which can solve the above-mentioned conventional problems.

본 발명의 다른 목적은, 습식공정중 발생되는 화학가스를 보다 효과적인 방법으로 외부로 배출시킬 수 있는 반도체 디바이스 제조용 배기장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide an exhaust device for manufacturing a semiconductor device which can discharge the chemical gas generated during the wet process to the outside in a more effective manner.

본 발명의 다른 목적은, 습식공정중 발생되는 화학가스가 공정챔버 내부에 잔류하는 문제점을 해소할 수 있는 반도체 디바이스 제조용 배기장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide an exhaust device for manufacturing a semiconductor device which can solve the problem that chemical gas generated during the wet process remains in the process chamber.

본 발명의 또 다른 목적은, 습식공정중 발생되는 화학가스로 인한 로봇 시그널의 단선 또는 설비 부식을 방지할 수 있는 반도체 디바이스 제조용 배기장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide an exhaust device for manufacturing a semiconductor device which can prevent disconnection of a robot signal or corrosion of equipment due to a chemical gas generated during a wet process.

상기한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 반도체 디바이스 제조시 발생되는 불필요한 가스를 공정챔버 외부로 배출시키기 위한 배기덕트가 형성되어 있는 배기장치에 있어서; 상기 공정챔버 내부의 소정영역에, 가스분출구로부터 분출된 불필요한 가스를 배기덕트 쪽으로 이용시키는 송풍부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 배기장치를 제공한다.In order to achieve the above objects, the present invention provides an exhaust apparatus comprising: an exhaust duct for exhausting an undesired gas generated during fabrication of a semiconductor device out of a process chamber; An exhaust device for manufacturing a semiconductor device is provided in a predetermined region inside the process chamber, and has a blower for using an unnecessary gas ejected from the gas ejection port toward the exhaust duct.

바람직하게는, 상기 송풍부는 배기덕트 쪽으로 가스가 분출되지 않는 가스분출구의 주변 영역에 형성한다.Preferably, the blower is formed in a region around the gas ejection opening through which no gas is ejected toward the exhaust duct.

도 1은 종래 방법에 따른 배기장치의 구성도를 나타낸다.1 shows a configuration diagram of an exhaust device according to a conventional method.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 송풍부를 구비한 배기장치의 구성도를 나타낸다.2 is a block diagram of an exhaust apparatus having a blower according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 배기장치의 구성도이다.2 is a block diagram of an exhaust apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 상기 배기장치는 다양한 약액이 사용되는 습식공정이 진행되는 공정챔버(100), 습식공정중 발생되는 화학가스를 배출시키기 위한 배기덕트(102), 그리고 상기 공정챔버(100)와 배기덕트(102)를 서로 연결시키는 배기관(104)으로 구성되어 있다. 그리고, 상기 공정챔버(100) 내부에 습식공정시 발생되는 화학가스가 분출되는 제1가스분출구(106) 및 제2가스분출구(108)가 형성되어 있다.Referring to the drawings, the exhaust device comprises a process chamber 100 in which a wet process using various chemical liquids is performed, an exhaust duct 102 for discharging a chemical gas generated during a wet process, and the process chamber 100 and It is comprised by the exhaust pipe 104 which connects the exhaust duct 102 with each other. In addition, a first gas outlet 106 and a second gas outlet 108 are formed in the process chamber 100 through which the chemical gas generated during the wet process is ejected.

상기한 공정챔버(100), 배기덕트(102), 배기관(104), 제1가스분출구(106) 및제2가스분출구(108)는 상기 도1에 도시되어 있는 종래의 배기장치 구조와 유사하다. 그러나, 본 발명에서는 상기 제2가스분출구(108)의 근처 소정영역에 바람을 일으키는 송풍(팬)장치(110)를 형성함을 특징으로 한다. 상기 송풍장치(110)는 제2분출구(108)로부터 분출되는 가스가 배기관(104)으로 쉽게 이동될 수 있도록 형성하는 것으로서, 상기 제2가스분출구(108)의 주변 영역에 형성한다. 예컨대, 상기 제2가스분출구(108)의 앞면, 옆면, 하면 또는 상면에 형성할 수 있다.The process chamber 100, the exhaust duct 102, the exhaust pipe 104, the first gas outlet 106 and the second gas outlet 108 are similar to the conventional exhaust apparatus structure shown in FIG. However, the present invention is characterized in that the blower (fan) device 110 for generating wind in a predetermined region near the second gas outlet 108 is formed. The blower 110 is formed so that the gas ejected from the second outlet 108 can be easily moved to the exhaust pipe 104, and is formed in the peripheral region of the second gas outlet 108. For example, the second gas outlet 108 may be formed on the front surface, the side surface, the bottom surface, or the top surface.

종래에는 제2가스분출구(도 1참조)로부터 분출된 화학가스가 외부로 완전히 배출되지 못하고 공정챔버 내부에 잔류함으로 인하여 여러 가지 문제점이 유발되었으나, 본 발명에서는 상기 송풍장치(110)를 형성함으로써 이러한 종래의 문제점을 해소할 수 있다. 즉, 제1가스분출구(106)로부터 분출되는 가스(참조부호 "C")는 배기덕트(102)를 통해 용이하게 배출되므로 공정챔버(100) 내에 잔류하지 않는다. 그리고, 제2가스분출구(108)를 통해 배기덕트(102)의 반대쪽으로 분출되는 가스(참조부호 "D") 또한 상기 송풍장치(110)에 의해 배기덕트(102)쪽으로 이동하게 되므로 공정챔버(100) 내부에 잔류하지 않는다. 이처럼 상기 송풍장치(110)에 의하여 공정챔버(100) 내부에 발생된 화학가스들이 모두 배기덕트(102)를 통해 외부로 배출되므로 잔류 가스로 인한 로봇 시그널의 단선 또는 설비 부식등의 문제점을 해소할 수 있게 된다.In the related art, various problems are caused by the chemical gas ejected from the second gas outlet (see FIG. 1) not being completely discharged to the outside and remaining in the process chamber. However, in the present invention, the blower 110 forms such a blower. The conventional problem can be solved. That is, the gas ejected from the first gas outlet 106 (reference numeral “C”) is easily discharged through the exhaust duct 102 and thus does not remain in the process chamber 100. In addition, the gas (reference numeral "D") ejected to the opposite side of the exhaust duct 102 through the second gas outlet 108 is also moved to the exhaust duct 102 by the blower 110 so that the process chamber ( 100) Does not remain inside. As such, all of the chemical gases generated inside the process chamber 100 by the blower 110 are discharged to the outside through the exhaust duct 102, thereby eliminating problems such as disconnection of the robot signal or corrosion of equipment due to residual gas. It becomes possible.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

상술한 바와 같이 본 발명에서는, 반도체 디바이스 제조시 발생되는 불필요한 가스를 배출시키기 위한 배기장치에 있어서, 공정챔버 내부의 소정 영역에 송풍부를 형성한다. 이러한 송풍부로 인하여 배기덕트를 통해 배출되지 못하고 공정챔버 내부에 잔류하는 가스가 배기덕트 쪽으로 보다 원활히 배출되어 로봇 시그널이 단선되거나 설비가 부식되는 문제점을 해소하게 된다.As described above, in the present invention, in the exhaust device for discharging unnecessary gas generated during the manufacture of the semiconductor device, a blower is formed in a predetermined region inside the process chamber. Due to the blower, gas remaining in the process chamber, which is not discharged through the exhaust duct, is more smoothly discharged toward the exhaust duct, thereby eliminating the problem that the robot signal is disconnected or the equipment is corroded.

Claims (3)

반도체 디바이스 제조시 발생되는 불필요한 가스를 공정챔버 외부로 배출시키기 위한 배기덕트가 형성되어 있는 배기장치에 있어서:In an exhaust device in which an exhaust duct for exhausting unnecessary gas generated during semiconductor device manufacture to a process chamber is provided: 상기 공정챔버 내부의 소정영역에, 가스분출구로부터 분출된 불필요한 가스를 배기덕트 쪽으로 이용시키는 송풍부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 배기장치.And a blower for using an unnecessary gas ejected from the gas ejection opening toward the exhaust duct in a predetermined region inside the process chamber. 제 1항에 있어서, 상기 송풍부는 배기덕트 쪽으로 가스가 분출되지 않는 가스분출구의 주변 영역에 형성함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 배기장치.The exhaust device for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the blower is formed in a region around a gas ejection opening through which gas is not ejected toward the exhaust duct. 제 2항에 있어서, 상기 송풍구는 배기덕트 쪽으로 가스가 분출되지 않는 가스분출구의 앞면, 옆면, 하면 또는 상면에 형성함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 배기장치.The exhaust device for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the air vent is formed on a front surface, a side surface, a bottom surface, or an upper surface of the gas ejection opening through which no gas is ejected toward the exhaust duct.
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KR102288692B1 (en) 2020-04-14 2021-08-10 이승현 Drain Trap Apparatus for Duct Condensate

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