JP2000286332A - Dry-etching electrostatic chuck device and receptacle stand - Google Patents
Dry-etching electrostatic chuck device and receptacle standInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置のエッチング室の内部においてウエハ等の被処理物
を吸着保持するための静電チャック装置及びこの装置を
備えた載置台に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an electrostatic chuck device for holding an object to be processed such as a wafer by suction in an etching chamber of a dry etching device, and a mounting table provided with the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体の製造工程において使用さ
れるドライエッチング装置としては、シリコンウエハ等
の半導体基板（被処理物）上に各種の膜を堆積した後に
おいて、酸素ガス、ＣＦ4ガス等のガスプラズマを利用
して生成した中性活性なラジカル（活性種）を半導体基
板上に導き、このラジカルによって前記膜に等方性エッ
チングを行うダウンフロー型エッチング装置が知られて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a dry etching apparatus used in a semiconductor manufacturing process, after depositing various films on a semiconductor substrate (object to be processed) such as a silicon wafer, an oxygen gas, a CF 4 gas, etc. There is known a down-flow type etching apparatus in which neutral active radicals (active species) generated by using the above-mentioned gas plasma are introduced onto a semiconductor substrate, and the radicals are isotropically etched into the film.
【０００３】また、他のドライエッチング装置として
は、シリコンウエハ等の半導体基板上に各種の膜を堆積
した後において、塩素等のハロゲン系元素を含むガスを
半導体基板の上方で高周波によってプラズマ化し、主と
してイオンによって前記膜に異方性エッチングを行うリ
アクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置が知られて
いる。As another dry etching apparatus, after depositing various films on a semiconductor substrate such as a silicon wafer, a gas containing a halogen element such as chlorine is converted into plasma by a high frequency above the semiconductor substrate. There is known a reactive ion etching (RIE) apparatus for performing anisotropic etching on the film mainly by ions.
【０００４】さらに、一台の装置において、ラジカル又
はイオンのいずれかを、主たるエッチング種として適宜
選択できるドライエッチング装置もある。[0004] Furthermore, there is a dry etching apparatus in which one of radicals and ions can be appropriately selected as a main etching type in one apparatus.
【０００５】上述した従来のドライエッチング装置にお
いては、通常、真空雰囲気下にあるエッチング室内の載
置台に被処理物が載置され、載置台からの熱伝達によっ
て被処理物の温度が制御される。載置台の上面には被処
理物を固定するための静電チャック装置が設けられてお
り、この静電チャック装置に直流電圧を印加することに
よって被処理物が静電吸着され、さらに、被処理物の裏
面にガスを導入することで熱伝達の効率を向上させるこ
とでき、被処理物の温度制御手段として有効である。In the above-described conventional dry etching apparatus, an object to be processed is usually mounted on a mounting table in an etching chamber under a vacuum atmosphere, and the temperature of the processing object is controlled by heat transfer from the mounting table. . An electrostatic chuck device for fixing an object to be processed is provided on the upper surface of the mounting table. The object to be processed is electrostatically attracted by applying a DC voltage to the electrostatic chuck device. By introducing gas to the back surface of the object, the efficiency of heat transfer can be improved, which is effective as a temperature control means for the object.
【０００６】また、従来のドライエッチング装置におい
ては、静電チャック装置の腐食を防止するために、静電
チャック装置の最も表面側（被処理物を載置する側）を
フッ素系樹脂より成る保護膜で被覆するようにしてい
る。Further, in the conventional dry etching apparatus, in order to prevent corrosion of the electrostatic chuck apparatus, the outermost surface side (the side on which an object is placed) of the electrostatic chuck apparatus is made of a fluorine resin. It is covered with a film.
【０００７】さらに、被処理物の全面にわたって良好な
温度制御を行うために、静電チャック装置の載置面の外
径を被処理物の外径よりも大きくして、被処理物の周縁
部における温度制御を行いやすくしている。Further, in order to perform good temperature control over the entire surface of the object to be processed, the outer diameter of the mounting surface of the electrostatic chuck device is made larger than the outer diameter of the object to be processed. Temperature control is easily performed.
【０００８】ここで、ダウンフロー型エッチング装置に
おいてはラジカルがエッチング種であるため、静電チャ
ック装置に対して物理的なエッチングは起こらない。し
たがって、前記の如く静電チャック装置の載置面を被処
理物の外径よりも大きくして、載置面の一部が被処理物
の外側にはみ出している場合であっても、物理的なエッ
チングによってこのはみ出し部分が腐食することはな
い。Here, in the down-flow type etching apparatus, physical etching does not occur in the electrostatic chuck apparatus because radicals are an etching species. Therefore, even when the mounting surface of the electrostatic chuck device is made larger than the outer diameter of the object to be processed as described above and a part of the mounting surface protrudes outside the object to be processed, The protruding portion does not corrode due to the excessive etching.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところが、リアクティ
ブイオンエッチング装置の場合には、主たるエッチング
種はイオンであるため、静電チャック装置の載置面の一
部が被処理物の外側にはみ出していると、このはみ出し
部分がエッチングによって腐食されてしまう。このた
め、上述した従来の静電チャック装置をリアクティブイ
オンエッチング装置で使用すると、エッチングによって
フッ素系樹脂製の保護膜が腐食され、寿命が短縮されて
静電チャック装置の早期の交換を余儀なくされるという
問題があった。However, in the case of a reactive ion etching apparatus, since the main etching species is ions, a part of the mounting surface of the electrostatic chuck apparatus protrudes outside the workpiece. If so, this protruding portion is corroded by etching. For this reason, when the conventional electrostatic chuck device described above is used in a reactive ion etching device, the fluorine-based resin protective film is corroded by etching, the life is shortened, and the electrostatic chuck device must be replaced early. Problem.
【００１０】そこで、本発明の目的は、ダウンフロー型
のエッチング及びリアクティブイオンエッチングの両方
に共用できる静電チャック装置及びこの装置を備えた載
置台を提供することにある。It is an object of the present invention to provide an electrostatic chuck device which can be used for both down-flow type etching and reactive ion etching, and a mounting table provided with this device.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、ドライエッチ
ング処理される被処理物を静電気力によって吸着保持す
るために、エッチング室の内部の載置台に設けられる静
電チャック装置において、前記被処理物を吸着する際に
電圧が印加される導電性膜と、この導電性膜を両面から
挟み込む一対の絶縁性膜と、を有するチャック本体を備
え、前記チャック本体は前記載置台に接着剤によって貼
着されており、前記チャック本体の表面はフッ素系樹脂
より成る保護膜によって被覆されており、前記保護膜の
周縁部は前記載置台の側周面側に湾曲して前記チャック
本体と前記載置台との間の前記接着剤の露出部を被覆し
ており、前記保護膜の周縁端部は前記載置台に接着剤に
よって貼着されており、前記保護膜と前記載置台との間
の前記接着剤の露出部は保護リングによって被覆されて
おり、前記保護膜の表面の平坦部は前記被処理物を載置
する載置面を形成し、前記載置面の外径は前記被処理物
の外径よりも小さな値に設定されていることを特徴とす
る。According to the present invention, there is provided an electrostatic chuck apparatus provided on a mounting table inside an etching chamber for sucking and holding an object to be dry-etched by electrostatic force. A chuck body having a conductive film to which a voltage is applied when adsorbing an object, and a pair of insulating films sandwiching the conductive film from both sides; the chuck body is attached to the mounting table by an adhesive; The surface of the chuck body is covered with a protective film made of a fluorine-based resin, and a peripheral portion of the protective film curves toward the side peripheral surface of the mounting table and the chuck body and the mounting table are described. And an exposed portion of the adhesive between the protective film and the peripheral edge of the protective film is adhered to the mounting table by an adhesive, and the bonding between the protective film and the mounting table is performed. Agent dew The portion is covered by a protective ring, the flat portion of the surface of the protective film forms a mounting surface on which the object is mounted, and the outer diameter of the mounting surface is larger than the outer diameter of the object. Is also set to a small value.
【００１２】なお、本明細書中において「エッチング」
という用語は、酸化膜、シリコン、アルミ等の薄膜のエ
ッチングを含むと共に、レジストを除去するためのアッ
シングをも含むものとして用いている。In the present specification, "etching"
The term is used to include etching of a thin film such as an oxide film, silicon, and aluminum, and also includes ashing for removing a resist.
【００１３】また、前記フッ素系樹脂は、四フッ化樹脂
又は三フッ化樹脂であることが望ましい。Further, it is desirable that the fluororesin is a tetrafluoride resin or a trifluoride resin.
【００１４】本発明による載置台は、上述したドライエ
ッチング用静電チャック装置を備え、前記チャック本体
が前記接着剤によって表面に貼着されていることを特徴
とする。A mounting table according to the present invention includes the above-mentioned electrostatic chuck device for dry etching, wherein the chuck body is adhered to the surface by the adhesive.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
静電チャック装置及び載置台について図１及び図２を参
照して説明する。なお、以下では、本実施形態による静
電チャック装置をダウンフロー型のケミカルドライエッ
チング装置（ＣＤＥ装置）に組み込んだ場合について説
明するが、本実施形態による静電チャック装置は、以下
の説明で明らかになるように、リアクティブイオンエッ
チング装置にも支障なく適用することができるものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electrostatic chuck device and a mounting table according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Hereinafter, a case will be described in which the electrostatic chuck device according to the present embodiment is incorporated into a downflow-type chemical dry etching device (CDE device). However, the electrostatic chuck device according to the present embodiment will be apparent from the following description. Thus, the present invention can be applied to a reactive ion etching apparatus without any trouble.
【００１６】図１において符号１はＣＤＥ装置の真空容
器を示し、この真空容器１の内部にエッチング室２が形
成されており、真空容器１の底部には、シリコンウエハ
である被処理物Ｗの温度を制御するための水冷ジャケッ
ト３が気密に固定されている。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a vacuum vessel of a CDE apparatus. An etching chamber 2 is formed inside the vacuum vessel 1, and a silicon wafer, that is, an object W to be processed is provided at the bottom of the vacuum vessel 1. A water cooling jacket 3 for controlling the temperature is airtightly fixed.
【００１７】水冷ジャケット３の上部には、被処理物Ｗ
を載置するためのアルミニウム金属製の載置台４が設け
られており、この載置台４には静電チャック装置５が組
み込まれている。水冷ジャケット３の内部には温度制御
機構の一部を構成する媒体通路６が形成されており、温
度調整された冷却水等の媒体Ｍが媒体配管７、８を通し
て媒体通路６の内部に導入され、排出されている。On the upper part of the water-cooled jacket 3, the workpiece W
Is provided with a mounting table 4 made of aluminum metal, on which an electrostatic chuck device 5 is incorporated. A medium passage 6 constituting a part of a temperature control mechanism is formed inside the water cooling jacket 3, and a medium M such as cooling water whose temperature has been adjusted is introduced into the medium passage 6 through the medium pipes 7 and 8. Has been discharged.
【００１８】載置台４の外周部には複数の取付孔５１が
形成されており、取付孔５１に挿入された取付ボルト５
０によって載置台４が水冷ジャケット３の上面に固設さ
れている。A plurality of mounting holes 51 are formed in an outer peripheral portion of the mounting table 4, and mounting bolts 5 inserted into the mounting holes 51 are provided.
The mounting table 4 is fixed to the upper surface of the water-cooled jacket 3 by 0.
【００１９】真空容器１の天板９を貫通するようにして
プロセスガス導入管１０が取り付けられており、このプ
ロセスガス導入管１０の先端部は、エッチング室２内に
設けられたガス分散板１１に接続されている。このガス
分散板１１はシャワー状のノズルを形成しており、この
シャワー状のノズルによって、プロセスガス導入管１０
を介してエッチング室２の内部に導入されたプロセスガ
スＧが被処理物Ｗの表面全体にわたって均一に供給され
る。A process gas introduction pipe 10 is attached so as to penetrate the top plate 9 of the vacuum vessel 1, and a distal end of the process gas introduction pipe 10 is connected to a gas dispersion plate 11 provided in the etching chamber 2. It is connected to the. The gas dispersion plate 11 forms a shower-shaped nozzle, and the process-gas introduction pipe 10 is formed by the shower-shaped nozzle.
, The process gas G introduced into the etching chamber 2 through the substrate is uniformly supplied over the entire surface of the workpiece W.
【００２０】プロセスガス導入管１０の途中には石英管
１２が設けられており、この石英管１２を取り囲むよう
にしてプラズマ発生装置１３が設けられている。そし
て、石英管１２の内部に供給されたプロセスガスＧに対
してプラズマ発生装置１３からマイクロ波が印加され
る。すると、石英管１２の内部でグロー放電が生じてプ
ラズマが生成され、プロセスガスＧが活性化される。こ
こで、プロセスガスＧとしては例えば、ＣＦ4及びＯ2を
含む混合ガスを使用することができる。A quartz tube 12 is provided in the process gas introduction tube 10, and a plasma generator 13 is provided so as to surround the quartz tube 12. Then, the microwave is applied from the plasma generator 13 to the process gas G supplied into the quartz tube 12. Then, a glow discharge is generated inside the quartz tube 12 to generate plasma, and the process gas G is activated. Here, as the process gas G, for example, a mixed gas containing CF 4 and O 2 can be used.
【００２１】活性化されたプロセスガスはプロセスガス
導入管１０を通してエッチング室２内に導入され、ガス
分散板１１を介して被処理物Ｗの表面の全体に均一に供
給される。すると、プロセスガス中の中性ラジカル（中
性活性種）によって被処理物Ｗの表面の薄膜がエッチン
グ処理される。ここで、エッチング室２は排気管１４を
介して真空ポンプ（図示せず）によって真空排気されて
おり、エッチング室２の内部の圧力は圧力計１５によっ
て計測されている。The activated process gas is introduced into the etching chamber 2 through the process gas introduction pipe 10, and is uniformly supplied to the entire surface of the workpiece W through the gas dispersion plate 11. Then, the thin film on the surface of the workpiece W is etched by neutral radicals (neutral active species) in the process gas. Here, the etching chamber 2 is evacuated by a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe 14, and the pressure inside the etching chamber 2 is measured by a pressure gauge 15.
【００２２】また、図１に示したようにこのＣＤＥ装置
は、被処理物Ｗの裏面側に冷却ガスを供給するための冷
却ガス供給機構１９を備えており、この冷却ガス供給機
構１９は、載置台４及び静電チャック装置５を貫通して
被処理物Ｗの下方に開口している冷却ガス導入管２０を
有している。この冷却ガス導入管２０の途中には圧力計
２１及びガス流量コントロールバルブ２２が設けられて
いる。Further, as shown in FIG. 1, the CDE apparatus has a cooling gas supply mechanism 19 for supplying a cooling gas to the back side of the workpiece W. The cooling gas introduction pipe 20 penetrates the mounting table 4 and the electrostatic chuck device 5 and opens below the workpiece W. A pressure gauge 21 and a gas flow control valve 22 are provided in the middle of the cooling gas introduction pipe 20.
【００２３】また、ガス流量コントロールバルブ２２よ
りも下流側の冷却ガス導入管２０の途中から排出配管２
３が分岐しており、この排出配管２３の途中には可変バ
ルブ２４が設けられている。そして、通常、圧力計２１
の計測値をフィードバックしてガス流量コントロールバ
ルブ２２の開度が自動的に調整され、１０００Ｐａ前後
の圧力に維持される。Further, the discharge pipe 2 extends from the middle of the cooling gas introduction pipe 20 downstream of the gas flow control valve 22.
3 is branched, and a variable valve 24 is provided in the middle of the discharge pipe 23. And usually, the pressure gauge 21
The measured value is fed back to automatically adjust the opening of the gas flow control valve 22, and the pressure is maintained at about 1000 Pa.
【００２４】図２は、載置台４に設けられた静電チャッ
ク装置５を拡大して示した縦断面図である。静電チャッ
ク装置５は、金属薄膜製の導電性膜２５と、この導電性
膜２５をその全面にわたって両面から挟み込む一対の絶
縁性膜２７と、を有するチャック本体１６を備えてい
る。絶縁性膜２７は、ポリイミド樹脂フィルム等の高分
子有機材料で構成されている。チャック本体１６は、接
着剤によって載置台４の表面４ａに接着されている。FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing the electrostatic chuck device 5 provided on the mounting table 4. The electrostatic chuck device 5 includes a chuck body 16 having a conductive film 25 made of a metal thin film and a pair of insulating films 27 sandwiching the conductive film 25 from both sides over the entire surface. The insulating film 27 is made of a polymer organic material such as a polyimide resin film. The chuck body 16 is adhered to the surface 4a of the mounting table 4 with an adhesive.
【００２５】また、チャック本体１６の表面には接着剤
によってフッ素系樹脂より成る保護膜２８が貼着されて
おり、チャック本体１６の全面が保護膜２８で被覆され
ている。保護膜２８の周縁部２８ａは載置台４の側周面
４ｂの側に湾曲して、載置台４の周縁位置において露出
している接着剤の露出部２６を被覆している。保護膜２
８を形成するフッ素系樹脂としては、四フッ化樹脂又は
三フッ化樹脂が好ましく、例えば、ポリ四フッ化エチレ
ン（ＰＴＦＥ）フィルムによって保護膜２８を形成する
ことができる。A protective film 28 made of a fluorine-based resin is adhered to the surface of the chuck body 16 with an adhesive, and the entire surface of the chuck body 16 is covered with the protective film 28. The peripheral portion 28 a of the protective film 28 is curved toward the side peripheral surface 4 b of the mounting table 4, and covers the exposed portion 26 of the adhesive exposed at the peripheral position of the mounting table 4. Protective film 2
The fluororesin forming 8 is preferably a tetrafluoride resin or a trifluoride resin. For example, the protective film 28 can be formed by a polytetrafluoroethylene (PTFE) film.
【００２６】保護膜２８の周縁端部２８ｃは、環状部材
より成る保護リング２９によって載置台４との間に挟み
込まれ、保護膜２８を載置台４に固定するための接着剤
の露出部３０は保護リング２９によって覆われている。
これによって、保護膜２８と載置台４との間の接着剤が
その外周端部においてエッチングされることを防止して
いる。The peripheral edge 28 c of the protective film 28 is sandwiched between the mounting table 4 by a protective ring 29 made of an annular member, and an exposed portion 30 of an adhesive for fixing the protective film 28 to the mounting table 4 is formed. It is covered by a protection ring 29.
This prevents the adhesive between the protective film 28 and the mounting table 4 from being etched at the outer peripheral end.
【００２７】また、保護リング２９は、保護膜２８で覆
われていない部分の載置台４の表面の全体を覆ってお
り、これによって、載置台４自体に高周波が印加される
ＲＩＥにおいても、載置台４の表面がエッチングされる
ことを防止できる。なお、保護リング２９は、載置台４
の上に単に載置されているだけであり、特に固定はされ
ていない。The protection ring 29 covers the entire surface of the mounting table 4 in a portion not covered with the protective film 28, so that the mounting table 4 can be mounted even in RIE in which a high frequency is applied. The surface of the table 4 can be prevented from being etched. The protection ring 29 is attached to the mounting table 4.
It is merely placed on the, and is not particularly fixed.
【００２８】そして、本実施形態による静電チャック装
置においては、保護膜２８の表面の平坦部２８ｂは被処
理物Ｗを載置する載置面を形成しており、この載置面２
８ｂの外径は被処理物Ｗの外径よりも小さな値に設定さ
れている。つまり、被処理物Ｗの周縁部は載置面２８ｂ
の外縁を超えて外側にはみ出している。In the electrostatic chuck device according to the present embodiment, the flat portion 28b on the surface of the protective film 28 forms a mounting surface on which the workpiece W is mounted.
The outer diameter of 8b is set to a value smaller than the outer diameter of the workpiece W. That is, the peripheral portion of the workpiece W is placed on the mounting surface 28b.
It protrudes beyond the outer edge of.
【００２９】導電性膜２５には図１に示した直流電源４
３が接続されており、この直流電源４３によって導電性
膜２５に電圧を印加するようになっている。そして、導
電性膜２５に電圧が印加されると、静電気力によって載
置台４に被処理物Ｗが吸着固定される。また、導電性膜
２５と直流電源４３との間に電流計４４を設けることに
よって、導電性膜２５に流れる電流を観測することが可
能であり、これによって被処理物Ｗの有無を検知するこ
とができる。The DC power supply 4 shown in FIG.
3 is connected, and a voltage is applied to the conductive film 25 by the DC power supply 43. When a voltage is applied to the conductive film 25, the workpiece W is fixed to the mounting table 4 by suction due to electrostatic force. Further, by providing an ammeter 44 between the conductive film 25 and the DC power supply 43, it is possible to observe the current flowing through the conductive film 25, and thereby to detect the presence or absence of the workpiece W. Can be.
【００３０】以上述べたように本実施形態による静電チ
ャック装置５及びこの装置を備えた載置台４によれば、
チャック本体１６はフッ素系樹脂より成る保護膜２８で
被覆されているので、被処理物Ｗに対してダウンフロー
型のエッチングによる処理を行なった場合でも、チャッ
ク本体１６の絶縁性膜２７がエッチングにより腐食する
ことがなく、また、静電チャック装置５の載置面２８ｂ
の外径は被処理物Ｗの外径よりも小さな値に設定されて
いるので、被処理物Ｗに対してリアクティブイオンエッ
チングによる処理を行なった場合でも、保護膜２８がエ
ッチングにより腐食することがない。As described above, according to the electrostatic chuck device 5 according to the present embodiment and the mounting table 4 provided with the device,
Since the chuck body 16 is covered with the protective film 28 made of a fluorine-based resin, even when the processing target W is subjected to the downflow type etching, the insulating film 27 of the chuck body 16 is etched. There is no corrosion, and the mounting surface 28b of the electrostatic chuck device 5
Is set to a value smaller than the outer diameter of the workpiece W, even if the workpiece W is processed by reactive ion etching, the protective film 28 may be corroded by etching. There is no.
【００３１】このように本実施形態による静電チャック
装置５及びこの装置を備えた載置台４は、ダウンフロー
型のエッチング及びリアクティブイオンエッチングのい
ずれにおいてもエッチングによる腐食を受けることがな
く、静電チャック装置５の短寿命化を招くことなく両方
のエッチングに共用することができる。As described above, the electrostatic chuck device 5 according to the present embodiment and the mounting table 4 provided with the device do not suffer from corrosion due to etching in both of the downflow type etching and the reactive ion etching. The electric chuck device 5 can be used for both etchings without shortening the service life.
【００３２】また、本実施形態による静電チャック装置
５及びこの装置を備えた載置台４によれば、チャック本
体１６を載置台４に接着するための接着剤の露出部２６
は保護膜２８の周縁部２８ａで覆われており、さらに、
保護膜２８を載置台４に接着するための接着剤の露出部
３０は保護リング２９で覆われているので、接着剤のエ
ッチングによるチャック本体１６又は保護膜２８の剥が
れや、パーティクルの発生を防止することができる。Further, according to the electrostatic chuck device 5 of the present embodiment and the mounting table 4 provided with the device, the exposed portion 26 of the adhesive for bonding the chuck body 16 to the mounting table 4 is used.
Is covered with a peripheral portion 28a of the protective film 28.
Since the exposed portion 30 of the adhesive for bonding the protective film 28 to the mounting table 4 is covered with the protective ring 29, peeling of the chuck body 16 or the protective film 28 due to the etching of the adhesive and generation of particles are prevented. can do.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上述べたように本発明による静電チャ
ック装置及びこの装置を備えた載置台によれば、チャッ
ク本体の表面をフッ素系樹脂より成る保護膜で被覆し、
この保護膜の周縁部によってチャック本体と載置台の表
面との間の接着剤の露出部を被覆し、保護膜の周縁端部
と載置台との間の接着剤の露出部を保護リングで被覆す
ると共に、被処理物を載置する載置面の外径を被処理物
の外径よりも小さな値に設定したので、ダウンフロー型
のエッチング及びリアクティブイオンエッチングのいず
れにおいてもエッチングによる腐食を受けることがな
く、静電チャック装置の短寿命化を招くことなく両方の
エッチングに共用することができる。As described above, according to the electrostatic chuck device and the mounting table provided with the device according to the present invention, the surface of the chuck body is covered with the protective film made of fluorine resin,
The peripheral portion of the protective film covers the exposed portion of the adhesive between the chuck body and the surface of the mounting table, and the exposed portion of the adhesive between the peripheral edge of the protective film and the mounting table is covered with a protective ring. In addition, since the outer diameter of the mounting surface on which the object is placed is set to a value smaller than the outer diameter of the object, corrosion due to etching is caused in both the downflow type etching and the reactive ion etching. It can be used for both types of etching without suffering from any problem and without shortening the life of the electrostatic chuck device.
【図１】本発明の実施形態による静電チャック装置が組
み込まれたＣＤＥ装置の概略構成を示した縦断面図。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a CDE device in which an electrostatic chuck device according to an embodiment of the present invention is incorporated.
【図２】本発明の実施形態による静電チャック装置を載
置台に設置した状態を拡大して示した縦断面図。FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing a state where the electrostatic chuck device according to the embodiment of the present invention is installed on a mounting table.
１ 真空容器 ２ エッチング室 ４ 載置台 ４ａ 載置台の表面 ４ｂ 載置台の側周面 ５ 静電チャック装置 １６ チャック本体 ２５ 導電性膜 ２６、３０ 露出部 ２７ 絶縁性膜 ２８ 保護膜 ２８ａ 保護膜の周縁部 ２８ｂ 保護膜の表面の平坦部（載置面） ２８ｃ 保護膜の周縁端部 ２９ 保護リング Ｗ 被処理物 Reference Signs List 1 vacuum vessel 2 etching chamber 4 mounting table 4a surface of mounting table 4b peripheral surface of mounting table 5 electrostatic chuck device 16 chuck body 25 conductive film 26, 30 exposed portion 27 insulating film 28 protective film 28a peripheral edge of protective film Part 28b Flat part of surface of protective film (mounting surface) 28c Peripheral edge of protective film 29 Protective ring W Workpiece
Claims (3)
電気力によって吸着保持するために、エッチング室の内
部の載置台に設けられる静電チャック装置において、 前記被処理物を吸着する際に電圧が印加される導電性膜
と、この導電性膜を両面から挟み込む一対の絶縁性膜
と、を有するチャック本体を備え、 前記チャック本体は前記載置台に接着剤によって貼着さ
れており、前記チャック本体の表面はフッ素系樹脂より
成る保護膜によって被覆されており、前記保護膜の周縁
部は前記載置台の側周面側に湾曲して前記チャック本体
と前記載置台との間の前記接着剤の露出部を被覆してお
り、前記保護膜の周縁端部は前記載置台に接着剤によっ
て貼着されており、前記保護膜と前記載置台との間の前
記接着剤の露出部は保護リングによって被覆されてお
り、前記保護膜の表面の平坦部は前記被処理物を載置す
る載置面を形成し、前記載置面の外径は前記被処理物の
外径よりも小さな値に設定されていることを特徴とする
ドライエッチング用静電チャック装置。In an electrostatic chuck device provided on a mounting table inside an etching chamber to attract and hold an object to be dry-etched by electrostatic force, a voltage is applied when the object to be processed is sucked. A chuck body having a conductive film to be applied and a pair of insulating films sandwiching the conductive film from both sides, wherein the chuck body is attached to the mounting table by an adhesive, and the chuck body The surface of the protective film is coated with a protective film made of a fluorine-based resin, the peripheral edge of the protective film is curved to the side peripheral surface side of the mounting table and the adhesive between the chuck body and the mounting table. The exposed portion is covered, the peripheral edge of the protective film is attached to the mounting table by an adhesive, and the exposed portion of the adhesive between the protective film and the mounting table is protected by a protective ring. The flat portion of the surface of the protective film forms a mounting surface on which the processing object is mounted, and the outer diameter of the mounting surface is set to a value smaller than the outer diameter of the processing object. An electrostatic chuck device for dry etching, characterized in that:
フッ化樹脂であることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング用静電チャック装置。2. The electrostatic chuck device for dry etching according to claim 1, wherein said fluororesin is a tetrafluoride resin or a trifluoride resin.
チング用静電チャック装置を備え、前記チャック本体が
前記接着剤によって表面に貼着されている、被処理物を
載置するための載置台。3. An apparatus for mounting an object to be processed, comprising the electrostatic chuck apparatus for dry etching according to claim 1 or 2, wherein the chuck body is attached to a surface of the chuck body by the adhesive. Mounting table.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9291199A JP2000286332A (en) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Dry-etching electrostatic chuck device and receptacle stand |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP9291199A JP2000286332A (en) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Dry-etching electrostatic chuck device and receptacle stand |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=14067677
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