KR20020000808A - π-공액 중합체의 제조 방법 - Google Patents

π-공액 중합체의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (1) 단량체 화합물을 시클로덱스트린과 착화시키는 단계, 및 (2) 착화된 화합물을 화학적 산화제에 의해 중합시키는 단계를 포함하는, π-공액 중합체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 간단하고 빠른 중합이 용이해지며 악취에 의한 불쾌감이 감소한다. 중간체 화합물로서 얻어진 시클로덱스트린 착물은 관통 접속된 회로 기판 및 다층 기판 구조물 제조에 특히 유용하다.

Description

π-공액 중합체의 제조 방법 {Method of Producing π-Conjugated Polymers}
π-공액 중합체류 화합물은 최근 10년간 각종 출판물에서 주요한 문제로 다루어졌다. 이들은 전도성 중합체 또는 합성 금속으로도 공지되어 있다.
주쇄를 따라 상당히 비편재화된 π-전자 때문에 이들 중합체는 흥미로운 (비선형) 광학 특성을 나타내며, 산화 또는 환원 후에는 우수한 전자 전도체가 된다. 따라서 이들 화합물은 각종 실용분야, 예를 들면, 데이타 저장, 광학 신호 프로세싱, 전자기 방해(EMI) 억제 및 태양 에너지 전환에서, 및 재충전식 전지, 발광 다이오드, 전계 효과 트랜지스터, 회로 기판, 센서 및 대전 방지 물질에서 주요하고 활발한 역할을 할 것이다.
공지된 π-공액 중합체의 예로는 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌 및 폴리(p-페닐렌-비닐렌)이 있다. 이들은 여러가지 화학적 및 전기화학적 중합 방법으로 제조할 수 있다 [Stenger-Smith, J.D. Prog. Polym. Sci. 1998, 23, 57-79, Feast, W.J.; Tsibouklis, J.; Pouwer, K.L.; Groenendaal,L.; Meijer, E.W. Polymer 1996, 37, 5017-5047].
이들 π-공액 중합체의 공업용 제조 방법으로는 단량체 화합물의 화학적 중합 방법이 가장 유리하다. 이 방법에서는 다음과 같은 각종 문제가 발생한다:
1) 물에서 단량체 화합물의 용해도가 낮다는 것은 종종 환경 비친화적인 유기 용매, 예를 들면 클로로포름, 메틸렌 클로라이드 또는 아세토니트릴을 사용할 필요가 있다는 것을 의미한다.
2) 많은 단량체 화합물들이 불쾌하고 유해한 냄새를 발생시킨다.
3) 순수하거나 용해된 단량체 화합물은 종종 공기 및(또는) 빛 노출에 불안정하여 (일부) 분해를 일으킨다.
놀랍게도, 본 발명에 이르러 단량체 화합물을 시클로덱스트린(CD)과 착화시킴으로써 단량체 화합물의 화학적 중합에서의 상기 문제들을 피할 수 있다는 것을 알게 되었다.
단량체 화합물과 시클로덱스트린과의 착화 및 후속되는 CD 착물의 전기화학적 중합은 공지되어 있다. 디파이터(DeFeyter) 등 [Chem. Phys. Lett. 1997, 277, 44-50]은 수용액 내에서 들뜬 이합체 형광을 사용하여 α-터티오펜/γ-CD 착물을 연구하였다. 동(Dong) 등 [Chin. Chem. Lett. 1992, 3(2), 129-132]은 폴리아닐린을 전기화학적으로 생성할 때 형성되는 부산물에 관한 특정 이론을 배제하기 위해서 전기화학적 방법에 의해 아닐린/α-CD 착물을 중합시켰다. 라사체(Lasace) 등 [Chem. Commun. 1998, 489; J. Chim. Phys. 1998, 95, 1208-1212]은 물 중에서 2,2'-비티오펜/히드록시프로필-β-CD 착물의 전기화학적 중합에 대해 보고하였다.
또한, 최근에 동일한 연구단에서는 히드록시프로필-β-CD와 착물을 형성한 다수의 N,N-치환 디피롤 유도체들의 전기화학적 중합에 관해 보고하였다 [J. Chim. Phys. 1998, 95, 1196-1199].
하지만, 인용한 어떠한 출판물에서도 단량체/CD 착물의 화학적 중합 가능성은 보고되지 않았다. 마찬가지로, 단량체 화합물을 안정화시키기 위해 이들 착물을 사용하고 착물 형성으로 인해 냄새가 두드러지게 감소한다는 것에 관해 보고된 바도 없다.
본 발명은 착화된 단량체 화합물의 화학적 산화에 의한 전기 전도도가 높은 π-공액 중합체의 제조 및 관통 접속되는 회로 기판 및 다층 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은
1. 단량체 화합물을 시클로덱스트린과 착화시키는 단계, 및
2. 착화된 화합물을 화학적 산화제를 사용하여 중합시키는 단계
를 적어도 포함하는, π-공액 중합체의 제조 방법에 관한 것이다.
단량체 화합물의 예로는 비치환 또는 치환 피롤, 아닐린, 티오펜, 비닐 및 벤질 유도체, 또는 이들 화합물의 조합물이 있다. 피롤 및 티오펜을 사용하는 것이 바람직하다.
특히 피롤 및 3,4-에틸렌디옥시티오펜 (EDT)이 단량체로서 바람직하다.
탄소수 1 내지 30의 알킬 및 알콕시기가 치환체로서 적합하다.
단량체/시클로덱스트린 착물을 제조하는 데 적합한 시클로덱스트린은 비치환 및 치환 시클로덱스트린이다.
시클로덱스트린으로는 α-, β- 및 γ-시클로덱스트린 및 에스테르, 알킬 에테르, 히드록시알킬 에테르, 알콕시카르보닐알킬 에테르 및 이들의 카르복시알킬 에테르 유도체, 또는 이들의 염이 바람직하다.
메틸-α-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 메틸-γ-시클로덱스트린, 에틸-β-시클로덱스트린, 부틸-α-시클로덱스트린, 부틸-β-시클로덱스트린, 부틸-γ-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-α-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-γ-시클로덱스트린, 2,6-디에틸-β-시클로덱스트린, 2,6-디부틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리메틸-α-시클로덱스트린, 2,3,6-트리메틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리메틸-γ-시클로덱스트린, 2,3,6-트리옥틸-α-시클로덱스트린, 2,3,6-트리옥틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리아세틸-α-시클로덱스트린, 2,3,6-트리아세틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리아세틸-γ-시클로덱스트린, (2-히드록시)프로필-α-시클로덱스트린, (2-히드록시)프로필-β-시클로덱스트린, (2-히드록시)프로필-γ-시클로덱스트린, 부분 또는 완전 아세틸화된 및 숙시닐화된 α-, β- 또는 γ-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-3-아세틸-β-시클로덱스트린 및 2,6-디부틸-3-아세틸-β-시클로덱스트린이 특히 바람직하다.
모노-, 디- 또는 트리에테르, 모노-, 디- 또는 트리에스테르 또는 모노에스테르/디에스테르 치환 유도체는 일반적으로 알킬화제, 예를 들면 디메틸 황산염 또는 탄소수 1 내지 30의 알킬 할로겐화물, 예를 들면 염화, 브롬화 또는 요오드화메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸 또는 옥틸을 사용하여 α-, β- 및 γ-시클로덱스트린을 에테르화시키고(시키거나) 산 존재 하에서 아세트산 또는 숙신산을 사용하여 에스테르화시킴으로써 얻는다.
적합한 산화제의 예에는 Fe(III)염, 특히, FeCl3, H2O2, K2Cr2O7, K2S2O8, Na2S2O8, KMnO4, 알칼리 금속 과붕산염 및 알칼리 금속 또는 암모늄 과황산염이 있다. 더욱 적합한 산화제는 예를 들어, 문헌[Handbook of Conducting Polymers (Ed. Skotheim, T.A.), Marcel Dekker: New York, 1986, Vol. 1, 46-57]에 기재되어 있다.
단량체 화합물을 제조하는 방법은 일반적으로 잘 알려져 있으며 예를 들어, 문헌[Handbook of Conducting Polymers (Ed. Skotheim, T.A.), Marcel Dekker: New York, 1986, Vol. 1, 1-43; Feast, W.J.; Tsibouklis, J.; Pouwer, K.L.; Groenendaal, L.; Meijer, E.W., Polymer 1996, 37, 5017-5047, 및 G. Heywang; F. Jonas, Adv. Mater. 1992, 4, 116-118]에 상세하게 기재되어 있다.
시클로덱스트린을 제조하는 방법 또한 알려져 있으며 예를 들어, 문헌["Roempp Lexikon Chemie" (Roempp's Lexicon of Chemistry), 제10판, Stuttgart/New York, 1997, pp. 845 이하, 및 Chemical Reviews 98 (1998) 1743-1753 및 1919-1958]에 상세하게 기재되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시태양에서, 단량체 화합물의 착화는 단량체/시클로덱스트린의 몰비를 1:1-1.2로 하여 수행한다.
상기한 문제점들은 본 발명에 따른 방법에 의해 피할 수 있다. 시클로덱스트린의 유형에 따라서, 더 수용성이거나 덜 수용성인 착물을 제조할 수 있으며, 이는 하기의 이점을 갖는다.
1) 1몰 당량 이상의 시클로덱스트린을 사용하면 단량체의 수용성이 급격히 증가한다 (예를 들어, 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린을 사용함으로써 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 수용성이 30배 이상 증가할 수 있음). 이로써 단량체 농도가 훨씬 높아도 물 중에서 화학적 중합을 수행할 수 있다.
2) 시클로덱스트린을 1몰 당량 이상 사용하면 증기압이 급격히 감소하기 때문에 단량체 냄새가 사라진다.
3) 단량체의 시클로덱스트린-착화된 형태에서 단량체는 공기 및 빛의 노출에 변색되지 않는다. 이는 수용성 착물 및 순수한 고상 착물에 모두 해당된다.
유기 용매나 열을 사용함으로써 착물을 개별 화합물로 쉽게 분리할 수 있음이 주목할 만하다. 이로써 착물은 민감한 단량체의 저장 및(또는) 수송을 가능하게 하며, 이러한 사실은 매우 흥미로운 것이다. 게다가, 단량체/시클로덱스트린 착물은 예를 들어, UV 분광법, 형광 분광법, 적외선 분광법, NMR 분광법, 질량 분석법, 순환 전압전류법 및 일부 경우에서는 X-선 구조 분석법과 같은 방법에 의해 쉽게 특성화할 수 있다.
화학적 산화제를 사용하는 것 외에, 착물을 전기화학적으로 중합할 수도 있다.
전기화학적 중합은 통상의 전기화학적 장치를 사용하여, 예를 들면 전해질로서 LiClO4의 수용액 중에서 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 방법으로 제조된 π-공액 중합체의 특히 중요한 응용 범위는예를 들면 하기와 같다:
- 데이타 저장,
- 광학 신호 프로세싱,
- 전자기 방해 (EMI) 억제,
- 태양 에너지 전환,
- 재충전식 전지,
- 발광 다이오드,
- 전계 효과 트랜지스터,
- 센서,
- 대전 방지 물질, 및
- 회로 기판 및 다층 기판의 관통 접속.
시클로덱스트린 착물은 용해도가 특히 높기 때문에 민감한 단량체 화합물의 보호에 상당히 이롭다.
또다른 이점은 착화된 단량체를 중합한 후 시클로덱스트린을 재사용할 수 있다는 것이다.
시클로텍스트린 착물의 특히 중요한 가능한 용도는 회로 기판 및 다층 기판의 관통 접속에 이들을 사용하는 것이다.
이층 및 다층 회로 기판은 첫번째 전도체 트랙 레벨에서 두번째 레벨로 전류를 수용할 수 있고 통상의 전기 부품을 전도 방식으로 회로 기판에 접속할 수 있도록 하기 위해서 금속화되어야 하는 다수의 천공된 홀을 갖는다. 처음에는 천공된홀에 전류가 흐르지 않으므로 관통 접속을 위해 화학적 구리조 내에서 구리 박층 (2 내지 3 ㎛)을 제공한다.
최근에 화학적 구리조를 사용하지 않고 전기 도금에 의해 구리를 회로 기판 내의 천공된 홀벽에 바로 침착시키는 방법이 중요해 졌다. 이를 위해서는, 전기 도금에 의해 구리를 침착시키기 전에 전기 전도성 코팅을 갖는 천공된 홀벽을 제공할 필요가 있다. 이 코팅이 전기 도금에 의해 구리를 전표면에 결함없이 침착시키기 위한 기초로 기능하기 위해서는 고르게 도포되어야 하며 또한 충분한 전기 전도성을 가져야 한다 (관통 접속).
본 발명에 이르러 알게된 시클로덱스트린 착물은 회로 기판에서 바로 쉽게 그리고 빠르게 중합될 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한 단량체 화합물의 시클로덱스트린 착물 용액 또는 에멀젼으로 처리함으로써 천공된 홀벽에 π-공액 중합체의 전도성층을 형성하고, 전기 도금에 의해 금속을 이 층에 침착시키는 것을 특징으로 하는, 관통 접속된 회로 기판 및 다층 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
예를 들어 미국 특허 제5,194,313호의 문헌에 기재된 방법과 비교하면, 시클로덱스트린 착물을 사용하면, 특히 저비점의 단량체 화합물을 사용하는 경우 단량체 증발에 의한 오염이 방지된다.
비치환 또는 치환 피롤 또는 티오펜 유도체의 시클로덱스트린 착물을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 피롤 또는 3,4-에틸렌-디옥시티오펜의 시클로덱스트린 착물을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 하기 단계들을 포함한다:
1. 구리 적층판 (기재)에 천공 홀을 제조하는 단계
2. 천공된 홀을 산화에 의해 예비처리하는 단계
3. 물로 린스하는 단계
4. 단량체 화합물의 시클로덱스트린 착물 용액 또는 에멀젼으로 처리하는 단계
5. 산으로 처리하는 단계
6. 물로 린스하는 단계
7. 전기 도금에 의해 구리를 침착시키는 단계
제조 단계 4 및 5는 단일 단계로 합할 수 있다. 이 실시태양이 바람직하다. 단계 1, 2, 3, 6 및 7은 선행 기술에 상응하고 지금까지 알려진 방식으로 수행한다. 단계 2에서, 산화제로는 과망간산칼륨을 사용하는 것이 바람직하다.
시클로덱스트린 착물은 전체 용액 또는 에멀젼을 기준으로 1 내지 60 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%의 농도로 제조 단계 4에서 사용할 수 있다.
제법의 더욱 상세한 내용, 특히 사용하는 산, 용매 및 다른 보조제의 종류에 관한 정보는 공지되어 있으며 유럽 특허 출원 공개 제553 671호에 기재되어 있다.
하기 실시예에서는 글루코스 단위당 평균 메틸화도가 1.8인 메틸화된 β-시클로덱스트린을 사용하였다.
실시예 1
EDT/시클로덱스트린 착물의 제조:
2,6-디메틸-β-시클로덱스트린 (물 1 ℓ에 용해된 600 g (0.45 mol)) 수용액에 EDT 64 g (0.45 mol)을 첨가하였다. 몇 분후에, 맑은 용액을 얻었다. 초음파 또는 플라스크 진탕에 의해 착물 형성을 용이하게 할 수 있다.
EDT/시클로덱스트린 착물은 매우 안정하며 산화에 실질적으로 보호되었다. 공기 중에 계속 방치한 후에도 변색이 관찰되지 않았다.
피롤/시클로덱스트린 착물의 제조:
2,6-디메틸-β-시클로덱스트린 (물 1 ℓ에 용해된 600 g (0.45 mol)) 수용액에 피롤 30.22 g (0.45 mol)을 첨가하였다. 몇 분후에, 맑은 용액을 얻었다. 초음파 또는 플라스크 진탕에 의해 착물 형성을 용이하게 할 수 있다.
피롤/시클로덱스트린 착물은 매우 안정하며 산화에 실질적으로 보호되었다. 공기 중에서 계속 방치한 후에도 변색이 관찰되지 않았다.
하기 표는 피롤 및 EDT와 상응하는 시클로덱스트린 착물의 다른 특성을 나타낸다. 사용한 시클로덱스트린은 각 경우에서 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린이었다.
단량체 단량체/CD 착물 (몰비 1:1.05)
용해도 (20 ℃ 물에서) 피롤: 50 g/ℓEDT: 2.1 g/ℓ 피롤: 100 g/ℓ초과EDT: 80 g/ℓ초과
냄새 피롤: 매우 강하고 불쾌함EDT: 매우 강하고 불쾌함 수용액에서:피롤: 극미한 냄새EDT: 극미한 냄새고상으로:피롤: 극미한 냄새EDT: 극미한 냄새
안정성 피롤: 공기 중에서 단지 몇 시간 후에도 변색됨EDT: 공기 중에서 단지 몇 시간 후에도 변색됨 수용액에서:피롤: 변색되지 않음EDT: 변색되지 않음고상으로:피롤: 변색되지 않음EDT: 변색되지 않음
실시예 2
EDT/시클로덱스트린 착물의 제조 및 후속되는 화학적 산화 중합
a) 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린 10 g (7.5 mmol)을 H2O 30 ㎖에 용해시켰다. 이 용액에 3,4-에틸렌디옥시티오펜 (EDT) 1.065 g (7.5 mmol)을 첨가하였다. 이 용액을 격렬하게 교반하거나 (약 10분) 초음파 장치로 처리하여 (10초) 맑은 균질 용액을 얻었다. 착물 화합물이 형성되는 것은 NMR (D2O 에서1H-NMR이 0.2 ppm 이동) 또는 형광 분광법 (2,6-디메틸-β시클로덱스트린 첨가로 H2O 중 EDT의 형광 세기가 급격히 증가함)으로 설명할 수 있다.
b) FeCl3×6H2O 5.0685 g (18.75 mmol)을 a)에서 제조한 용액에 첨가하고, 이 혼합물을 70 ℃에서 교반하였다. 12 시간 후에, 생성된 폴리(에틸렌디옥시티오펜)을 막 필터 (5 ㎛)를 통해 흡인 여과하였다. 여과 잔류물을 50 ㎖의 뜨거운 물에서 2회 재현탁시키고 흡인 여과하고; 후속적으로 메탄올 50 ㎖에서 재현탁시키고, 흡인 여과하고 진공 건조 오븐 내에서 60 ℃에서 5 시간 동안 건조시켰다.
수율: 0.9 g
실시예 3
피롤/시클로덱스트린 착물의 제조 및 후속되는 화학적 산화 중합
a) 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린 10 g (7.5 mmol)을 H2O 30 ㎖에 용해시켰다. 피롤 0.5 g (7.5 mmol)을 이 용액에 첨가하였다. 이 용액을 격렬하게 교반하여 (약 1분) 맑은 균질 용액을 얻었다. 착물 화합물이 형성된 것은1H-NMR 또는 형광 분광법으로 설명할 수 있다.
b) K2S2O82.53 g (9.38 mmol)을 a)에서 제조한 용액에 첨가하고, 이 혼합물을 30 ℃에서 교반하였다. 6 시간 동안 반응시킨 후에, 생성된 폴리피롤을 막 필터 (5 ㎛)를 통해 흡인 여과하였다. 여과 잔류물을 50 ㎖의 뜨거운 물에서 2회 재현탁시키고 흡인 여과하고; 후속적으로 메탄올 50 ㎖에서 재현탁시키고, 진공 건조 오븐 내에서 60 ℃에서 5 시간 동안 건조시켰다.
수율: 0.45 g
실시예 4
관통 접속:
양면에 구리로 적층되고 각각 직경 0.4 ㎜인 천공된 홀이 20개 있는 4 ×4 ㎠ 크기의 에폭시 수지 기판을 85 ℃에서 과망간산칼륨 6.5 g, 붕산 1 g 및 물92.5 g의 용액에 4분 동안 담구었다. 후속적으로 흘러나오는 물이 무색이 될때까지 이 기판을 탈염수로 세척하였다.
피롤 3 g 및 물 97 g의 용액에 기판을 2분 동안 담구었다 (판 A, 용액 A).
피롤 3 g, 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린 65.5 g 및 물 97 g의 용액에 두번째 기판을 2분 동안 담구었다 (판 B, 용액 B).
그다음 두번째 기판을 2 중량% 농도의 폴리스티렌술폰산 수용액에 2분 동안 담구고 후속적으로 물로 세척하였다. 기판 A 및 B의 천공된 홀을 폴리피롤로 완전히 코팅하였다. 그다음 구리 도금에 있어서는 시판되는 산성 구리조 내에서 기판을 구리로 도금하였다.
2개 기판의 천공된 홀을 구리로 완전히 도금하였다.
용액 A에 비해 용액 B를 사용한 본 발명에 따른 이점을 하기 시험으로 설명한다:
각 경우에서 용액 A 및 B 100 ㎖를 2 ℓ측정 실린더에 도입하였다. 5 중량% 농도의 염화철(III) 수용액을 적신 여과지 조각을 상기 용액에 띄우고 측정 실린더를 고무 마개로 봉하였다. A 용액의 경우, 폴리피롤의 형성으로 인해 약 10초 후에 여과지 조각이 검은 색이 되었으나, 용액 B의 경우에는 2분 후에도 변색이 관찰되지 않았다.
본 실시예는 본 발명에 따른 방법에 의해 원치않는 증발 손실물을 실제로 피할 수 있음을 보여준다.

Claims (9)

1. 단량체 화합물을 시클로덱스트린과 착화시키는 단계, 및
2. 착화된 화합물을 화학적 산화제를 사용하여 중합시키는 단계
를 적어도 포함하는, π-공액 중합체의 제조 방법.
제1항에 있어서, 사용되는 단량체 화합물이 비치환 또는 치환 피롤, 아닐린, 티오펜, 비닐 또는 벤젠 유도체, 또는 이들 화합물의 조합인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, 사용되는 단량체 화합물이 피롤 또는 3,4-에틸렌디옥시티오펜인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, 사용되는 시클로덱스트린이 메틸-α-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 메틸-γ-시클로덱스트린, 에틸-β-시클로덱스트린, 부틸-α-시클로덱스트린, 부틸-β-시클로덱스트린, 부틸-γ-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-α-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-β-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-γ-시클로덱스트린, 2,6-디에틸-β-시클로덱스트린, 2,6-디부틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리메틸-α-시클로덱스트린, 2,3,6-트리메틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리메틸-γ-시클로덱스트린, 2,3,6-트리옥틸-α-시클로덱스트린,2,3,6-트리옥틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리아세틸-α-시클로덱스트린, 2,3,6-트리아세틸-β-시클로덱스트린, 2,3,6-트리아세틸-γ-시클로덱스트린, (2-히드록시)프로필-α-시클로덱스트린, (2-히드록시)프로필-β-시클로덱스트린, (2-히드록시)프로필-γ-시클로덱스트린, 부분 또는 완전 아세틸화된 및 숙시닐화된 α-, β- 또는 γ-시클로덱스트린, 2,6-디메틸-3-아세틸-β-시클로덱스트린 및 2,6-디부틸-3-아세틸-β-시클로덱스트린인 것을 특징으로 하는 방법.
단량체 화합물의 시클로덱스트린 착물 용액 또는 에멀젼으로 처리함으로써 천공된 홀벽에 π-공액 중합체의 전도성층을 형성하고, 후속적으로 또는 동시에 산으로 처리하고, 전기 도금에 의해 금속을 이 층에 침착시키는 것을 특징으로 하는, 관통 접속된 회로 기판 및 다층 기판의 제조 방법.
제5항에 있어서, 비치환 또는 치환 피롤 또는 티오펜 유도체의 시클로덱스트린 착물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
제5항에 있어서, 피롤 또는 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 시클로덱스트린 착물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
제5항에 있어서,
1. 구리 적층 기판 (기재)에 천공 홀을 제조하는 단계
2. 천공된 홀을 산화에 의해 예비처리하는 단계
3. 물로 린스하는 단계
4. 단량체 화합물의 시클로덱스트린 착물 용액 또는 에멀젼으로 처리하는 단계
5. 산으로 처리하는 단계
6. 물로 린스하는 단계
7. 전기 도금에 의해 구리를 침착시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제8항에 있어서, 제조 단계 4와 단계 5가 합쳐진 것을 특징으로 하는 방법.
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