KR200183027Y1 - 음극선관용 게터의 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 바륨이 마스크 방향으로 비산하는 것을 방지하며, 게터링의 형상에 구애받지 않고, 얼로이가 탈락되는 것을 방지토록 하는 디플렉터를 부여하여 된 음극선관용 게터의 구조에 관한 것이다.

종래 기술의 게터는 게터 프레싱시 게터 바륨이 직접비산하여 과다 바륨 증착에 의하여 마스크의 열팽창에 영향을 미쳐 도밍(Doming) 현상을 유발시키거나, 휘도를 저하시키는 문제를 일으키고, 이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로 게터에 디플렉터를 부착하여 사용하나, 게터링의 구조에 따라서 적용의 한계가 있으며, 게터 프레싱시 바륨이 비산하기 위한 가열과정에서 게터링과 얼로이의 열팽창량이 서로 달라, 얼로이의 탈락이 발생되는 문제점이 있었다.

본 고안은, 음극선관의 게터에 있어서, 게터 바륨이 마스크 방향으로 비산하는 것을 방지하기 위한 디플렉터(150)를 부여하되, 상기 디플렉터(150)는, 바륨 비산 각도를 조정하기 위한 경사각을 구비한 방사판(151a)을 대칭으로 형성하여 되는 방사부(151)와, 상기 방사부(151)를 게터링에 용접지지하기 위하여 상기 방사부(151)의 양측단 하방으로 용접지지부(153)를 일체로 형성하여 이루어짐을 특징으로 하고, 상기 디플렉터의 용접지지부(153)는, 상기 얼로이(110)의 탈락을 방지하기 위하여 하단에 절곡부(153a)를 일체로 형성함을 특징으로 하는 것임.

Description

음극선관용 게터의 구조{Structure of Getter for Cathode-tube}

본 고안은 음극선관용 게터에 관한 것으로서, 바륨이 마스크 방향으로 비산하는 것을 방지하며, 바륨 도포에 따른 휘도저하를 방지하고 게터링의 형상에 구애받지 않으며, 얼로이가 탈락되는 것을 방지토록 하는 디플렉터를 부여하여 된 음극선관용 게터의 구조에 관한 것이다.

도 1은 음극선관(1)의 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 도시된 바와 같이 게터는 전자총(3)에 부착되고 음극선관에 장착되어, 배기 후의 음극선관 내의 잔류 개스를 흡수 제거하기 위한 목적으로 사용되는 것으로서,

그 배기 공정은 음극선관의 진공도를 향상시키기 위하여 최대 400℃ 정도의 가열로를 통과시키면서 진공펌프를 이용하여 진공도를 향상시키는 과정으로 배기가 완료되면 약 5×10^-6Torr가 되나, 이 정도에서는 전자 방출을 하기 위한 충분한 분위기가 되지 않기 때문에 게터를 프레싱하여 음극선관의 내부에 바륨필름을 형성시켜서 잔류 개스를 흡수 제거하도록 하여 진공도를 향상, 유지하도록 한다.

게터 프레싱을 실시하면 일시적으로 진공도가 오히려 높아지나, 이 현상은 게터 자체에 함유되어 있는 개스에 의한 영향이며, 전자 방출이 가능하도록 하는 과정인 에이징 공정에서 이온화되어 진공도가 급격히 향상되는데, 이 때의 진공도는 약 5×10^-7Torr 이상이 된다.

음극선관(1)은 복잡한 공정을 거쳐서 조립되며, 게터의 조립방법은 게터 종류에 따라서 분류된다.

상기 게터는 봉지시 전자총에 부착되어 음극선관에 장착되는 안테나 게터와, 봉지를 실시하기 전의 과정인 인너쉴드 조립과 동시에 장착되는 프리터블 게터의 두 종류로 나뉘어지며, 상기 안테나 게터는 주로 TV용으로 사용되는 음극선관에 적용하고, 프리터블 게터는 고해상도를 요구하는 컴퓨터용 음극선관에 사용되고 있다.

일반적으로 게터(200)는 바륨, 알루미늄, 니켈분말을 압착하여 구성된 얼로이(210)와, 이 얼로이(210)를 담는 게터링(220), 그리고 게터링(220)을 고정하기 위한 수단인 서포터(230)로 구성되어 있으며, 음극선관(1) 내에 장착되어 고주파 가열에 의해 바륨 비산방향을 조절하여 마스크(3) 방향으로 비산하는 것을 방지하기 위한 디플렉터(250)를 장착하여 이루어진다.

도 2는 종래 기술에 따른, 두가지 스타일의 게터(200)를 도시한 것이다.

a도에 도시된 것은, 게터링(220)의 중심부에 홀(221)을 형성하고, 콘형 디플렉터(251)의 결합돌부(251a)를 통과시켜 서포터(230)에 용접조립한 것이고,

b도에 도시된 것은, 게터링(220)에 엠보싱(223)을 형성하고, 나비형 디플렉터(253)의 용접부(253a)를 용접조립한 것이다.

상기 종래 기술의 게터(200)는 게터 프레싱시 게터 바륨이 직접비산하여 과다 바륨 증착에 의하여 마스크의 열팽창에 영향을 미쳐 도밍(Doming) 현상을 유발시키거나, 휘도를 저하시키는 문제를 일으키고, 이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로 게터에 디플렉터(250)를 부착하여 사용하기는 하나, 게터링의 구조에 따라서 적용의 한계가 있었다.

즉, 디플렉터(250)의 장착 방법에 있어서, 상기 도 2의 a도에 도시된 것처럼 종래 기술의 콘형 디플렉터(251)는 게터링(220)의 중심에 홀(221)이 있어야만 조립이 가능하며, b도에 도시된 나비형 디플렉터(253)는 게터링(220)에 엠보싱(223)이 있어야만 장착이 가능한 문제점이 있었다.

또한 게터 프레싱시 바륨이 비산하기 위해서는 약 1150℃의 온도가 필요하며, 이 가열과정에서 게터링(220)과 얼로이(210)의 열팽창량이 서로 달라, 얼로이(210)가 탈락되는 경우가 종종 발생된다.

얼로이가 탈락되면, 바륨입자가 음극선관(1)의 내부에서 이동하여 전자총(2)에 방전을 유발하여 치명적인 손상을 일으키기도 한다.

본 고안은 상기한 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은, 게터 바륨이 마스크 방향으로 비산하는 것을 방지하기 위한 디플렉터의 측단에 게터링의 주벽에 용접지지하기 위한 다수의 용접지지부를 형성함으로써,

게터의 바륨비산이 직사하여 마스크에 과다 도포됨을 방지하여 마스크의 도밍(Doming) 현상을 제거하고, 바륨 도포에 따른 휘도 저하를 방지토록 하며, 특히 게터링의 형상에 구애받지 않고 적용이 자유로우며, 얼로이의 탈락이 방지되도록 하는 음극선관용 게터의 구조를 제공함에 있다.

도 1은 음극선관의 개략적인 구성도.

도 2는 종래 기술에 따른 게터를 도시한 것으로서,

a도는 콘형 디플렉터가 포함 구성된 예,

b도는 나비형 디플렉터를 포함 구성된 예.

도 3은 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 구성을 보이는 단면도.

도 4는 도 3의 평면도.

도 5는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 디플렉터의 구성도로서,

a도는 정면도,

b도는 측면도,

c도는 평면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1: 음극선관 2: 전자총

3: 마스크 100: 본 고안의 게터

110: 얼로이 120: 게터링

121: 게터링 내주벽 130; 서포터

150: 디플렉터 151: 방사부

151a: 방사판 151b: 평탄부

153: 용접지지부 153a: 절곡부

200: 종래 기술의 게터

상기한 목적을 달성하는 본 고안에 따른 음극선관용 게터의 구조는

바륨, 알루미늄, 니켈분말을 압축하여 형성된 얼로이와, 상기 얼로이를 담는 게터링과, 상기 얼로이를 담은 게터링을 지지하기 위한 서포터로 이루어지는 음극선관의 게터에 있어서,

게터 바륨이 마스크 방향으로 비산하는 것을 방지하기 위한 디플렉터를 부여하되,

상기 디플렉터는, 바륨 비산 각도를 조정하기 위한 경사각을 구비한 방사판을 대칭으로 형성하여 되는 방사부와,

상기 방사부를 게터링 주벽에 용접지지하기 위하여 상기 방사부의 양측단 하방으로 용접지지부를 일체로 형성하여 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.

상기 디플렉터의 양측에 형성되는 용접지지부는, 상기 얼로이의 탈락을 방지하기 위하여 하단에 절곡부를 일체로 형성함을 특징으로 한다.

이하 본 고안 음극선관용 게터의 구조에 대한 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.

도 3은 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 음극선관용 게터(100)의 구조를 보이는 단면도이며, 도 4는 도 3의 평면도이고, 도 5는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 디플렉터의 구성도로서, a도는 정면도, b도는 측면도, c도는 평면도이다.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 음극선관용 게터(100)의 구조는,

바륨, 알루미늄, 니켈분말을 압축하여 형성된 얼로이(110)와, 상기 얼로이(110)를 담는 게터링(120)과, 상기 얼로이(110)를 담은 게터링(120)을 지지하기 위한 서포터(130)로 이루어지는 음극선관의 게터에 있어서,

게터 바륨이 마스크(3) 방향으로 비산하는 것을 방지하기 위한 디플렉터(150)를 부여하되,

상기 디플렉터(150)는, 바륨 비산 각도를 조정하기 위한 경사각을 구비한 방사판(151a)을 대칭으로 형성하여 되는 방사부(151)와,

상기 방사부(151)를 게터링 주벽에 용접지지하기 위하여 상기 방사부(151)의 양측단 하방으로 소정폭의 용접지지부(153)를 일체로 형성하여 이루어진다.

상기 방사부(151)는 상기 용접지지부(153)의 형성을 용이하기 위하여 상기 대칭으로 형성되는 방사판(151a) 사이에 용접지지부(153)와 동일폭의 평탄부(151b)를 형성하여도 무방하다

상기 디플렉터의 용접지지부(153)는, 상기 얼로이(110)의 탈락을 방지하기 위하여 하단에 절곡부(153a)를 일체로 형성하도록 한다.

상기 디플렉터의 방사부(151)와 용접지지부(153)는 분리 형성되어, 용접 등으로 조립되어도 무방하다.

상기한 구성의 본 고안은 게터의 바륨비산이 직사하여 마스크(3)에 과다 도포되는 것을 방지하여 마스크의 도밍(Doming)현상을 제거하고, 바륨 도포에 따른 휘도 저하(약 1 fl)를 방지할 수 있으며,

특히 본 고안에 따른 게터(100)의 디플렉터(150)는,

양측에 소정폭의 용접지지부(153)를 형성하여, 이 용접지지부(153)가 게터링의 내주벽(121)에 용접,지지되도록 함으로써,

게터링(120)에는 디플렉터와(150)의 결합을 위한 구멍 또는 엠보싱 등의 어떤 구성도 필요치 않고, 다만 게터링(120)의 고유형상인 주벽만 구비되면 결합조건이 충족됨으로써, 게터링 중심에 구멍 또는 엠보싱 등의 형성을 필요로 하지 않아 어떤 형상의 게터링에도 적용이 자유롭다.

또한, 용접지지부(153) 하단에 절곡부(153a)를 형성하여 이 절곡부(153a)로 하여금 게터링에 담겨진 얼로이(110)의 이탈방지를 위한 스토퍼기능을 함으로써, 바륨비산을 위해 가열시 열팽창량이 서로 다르더라도 얼로이의 탈락을 방지하도록 한다.

이상에서 상세히 살펴본 바와 같이, 본 고안에 따른 음극선관용 게터의 구조는

게터의 바륨 비산이 직사하여 마스크에 도포되는 것을 방지하여 마스크의 도 밍현상을 제거함과 아울러 바륨 도포에 따른 휘도저하를 방지하며,

특히, 본 고안에 따른 게터링은 디플렉터와 결합하기 위한 구성을 고려할 필요가 없고, 디플렉터는 게터링의 형상에 구애받지 않고 어떤 게터링에나 적용이 자유로운 한편, 얼로이의 탈락을 방지하여 결국 음극선관의 전자총 손상을 방지하게 되는 등 여러 가지로 잇점을 가지는 기술이다.

Claims (3)

1. 바륨, 알루미늄, 니켈분말을 압축하여 형성된 얼로이와, 상기 얼로이를 담는 게터링과, 상기 얼로이를 담은 게터링을 지지하기 위한 서포터로 이루어지는 음극선관의 게터에 있어서,

   게터 바륨이 마스크 방향으로 비산하는 것을 방지하기 위한 디플렉터(150)를 부여하되,

   상기 디플렉터(150)는, 바륨 비산 각도를 조정하기 위한 경사각을 구비한 방사판(151a)을 대칭으로 형성하여 되는 방사부(151)와,

   상기 방사부(151)를 게터링 주벽에 용접지지하기 위하여 상기 방사부(151)의 양측단 하방으로 용접지지부(153)를 일체로 형성하여 이루어짐을 특징으로 하는 음극선관용 게터의 구조.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 디플렉터의 용접지지부(153)는, 상기 얼로이(110)의 탈락을 방지하기 위하여 하단에 절곡부(153a)를 일체로 형성함을 특징으로 하는 음극선관용 게터의 구조.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 디플렉터(150)는, 방사부(151)와 용접지지부(153)가 분리 형성되어, 조립됨을 특징으로 하는 음극선관용 게터의 구조.