KR200166226Y1 - 습식처리장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 습식처리장치에 관한 것으로, 내부에 제 1 세정액이 공급되어 튜브를 제 1 세정하는 제 1 세정조와, 내부에 제 2 세정액이 공급되어 제 1 세정이 완료된 튜브를 제 2 세정하는 제 2 세정조와, 제 2 세정조에 설치되어 상기 제 2 세정액의 흐름을 제어하는 흐름제어수단을 구비하여서, 흐름조절수단을 이용하여 제 2 세정액의 흐름을 원활하게 오염제거가 어려운 튜브 바닥면의 세정이 용이하도록 한다.
Description
본 고안은 습식처리장치에 관한 것으로, 특히 퍼니스(furnace) 내에서 사용된 튜브(tube)를 세정하기에 적당한 습식처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 과정에는 실리콘 웨이퍼의 표면에 여러 가지 물질을 도포하거나, 증착시키거나 또는 일정분위기 중에서 열처리하는 공정 등이 있다.
특히, 열처리 공정 진행 시, 웨이퍼 표면 뿐만 아니라 열처리 공정이 진행되는 퍼니스 내의 튜브 표면에는 각종 오염이 생기거나 잔재될 가능성이 많다.
이러한 오염은 세정 공정을 통해 제거하는 데, 세정기술은 이러한 여러가지 오염을 물리적, 화학적 방법을 제거한다.
도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 습식처리장치를 설명하기 위한 도면으로, 도 1a는 종래의 일반적인 습식처리장치의 사시도이고, 도 1b는 종래 습식처리장치인 제 2 세정조의 단면도이다.
종래의 습식처리장치(100)는 도 1a와 같이, 세정액이 하부로 부터 공급되면서 외부로 흘러넘치며, 내부에 제 1 세정 공정이 진행될 튜브가 디핑되어 제 1 세정되는 제 1 세정조(102)와, 제 1 세정 공정이 완료된 튜브가 제 2 세정되는 제 2 세정조(104)로 구성된다.
이와같이 구성된 종래의 습식처리장치(100) 내에서 튜브가 제 1 및 제 2 세정되는 과정을 살펴보면 다음과 같다.
제 1 세정조 하부로 부터 제 1 세정액을 공급시키어 일정수위에 이르도록 한 후, 로봇암을 이용하여 제 1 세정공정이 진행될 튜브를 디핑시킨다.
이 때, 불산 등의 성분이 함유된 제 1 세정액을 튜브 표면으로 흐르면서 화학반응을 진행시키어 튜브 표면의 오염물질을 제거시키며, 이러한 오염물질은 제 1 세정액과 함께 제 1 세정조 벽을 타면서 오버플로워링(over flowing)되어 외부로 배기된다.
일정시간 동안 제 1 세정 공정이 진행되면, 제 2 세정조(104)에는 도 1B를 참조하면, 하부로 부터 제 2 세정액을 공급시키어 일정수위에 이르도록 한 후, 로봇암(도시되지 않음)을 이용하여 제 1 세정조(102)로 부터 튜브를 꺼내어 제 2 세정조(104)로 디핑시킨다.
그리고 제 2 세정조(104) 내로 디핑된 튜브는 제 2 세정액에 의해 제 2 세정되며, 이 때 튜브로 부터 필링(feeling)된 오염물질은 제 2 세정액과 함께 제 2 세정조(104)의 벽을 타면서 오버플로워링되어 외부로 배기된다.
이 때, 제 2 세정액으로는 순수(Deionized water)를 사용한다.
다음에, 제 2 세정조(104) 내에 일정시간 디핑하여 제 2 세정공정을 마친 튜브는 다시 로봇암에 의해 제 2 세정조(104) 밖으로 이송됨으로써 튜브 세정과정이 완료된다.
그러나, 종래의 습식처리장치에서는 장시간동안 제 1 및 제 2 세정공정을 진행시키지만, 튜브 바닥 또는 틈새에 부착된 오염물질은 완전히 제거되지 않고 일부 잔재되어 있다.
따라서, 오염이 제거되지 않은 튜브는 이후의 열처리 등의 공정에서 디바이스를 오염시키는 오염원으로 작용하여 제품을 손상시키는 문제점이 발생된다.
본 고안은 이러한 문제점을 해결하고자, 튜브에 오염이 잔류하지 않도록 세정할 수 있는 습식처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하고자, 제 1 세정액이 하부로부터 공급되면서 측벽을 타고 오버플로워링되며, 내부에는 튜브가 디핑되어 제 1 세정 공정이 진행되는 제 1 세정조와, 제 2 세정액이 하부로부터 공급되면서 측벽을 타고 오버플로워링되며, 내부에는 제 1 세정 공정이 완료된 튜브가 디핑되어 제 2 세정 공정이 진행되는 제 2 세정조를 구비한 습식처리장치에 있어서, 본 고안은 제 2 세정조에 설치되어, 제 2 세정조 내로 공급되는 제 2 세정액의 수평 또는 수직 방향으로의 흐름을 제어하는 흐름제어 수단을 가지며, 흐름제어수단으로는 제 2 세정조 하단에 설치되며, 일정 압력으로 정화가스를 분사시키어 제 2 세정액의 수직방향으로의 흐름을 제어하는 분사노즐부와, 제 2 세정조 측면에 설치되며, 회전되면서 제 2 세정액의 수평방향으로의 흐름을 제어하는 프로펠러와, 프로펠러에 회전구동력을 주기위한 구동원을 구비한 것이 특징이다.
제1도는 종래기술에 따른 습식처리장치를 설명하기 위한 도면으로,
제1a도는 종래의 일반적인 습식처리장치의 사시도이고,
제1b도는 종래 습식처리장치인 제 2 세정조의 단면도이다.
제2도는 본 고안의 습식처리장치인 제 2 세정조의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 습식처리장치 102 : 제 1 세정조
104, 204 : 제 2 세정조 206 : 프로펠러
208 : 분사노즐부
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 설명하겠다.
도 2는 본 고안의 습식처리장치인 제 2 세정조의 단면도이다.
본 고안의 습식처리장치는 도 2와 같이, 제 1 세정액이 하부로 부터 공급되면서 측벽을 타고 흘러넘치며, 내부에 튜브가 디핑되어 제 1 세정공정이 진행되는 제 1 세정조(도면에 도시되지 않음)와, 제 2 세정액이 하부로부터 공급되면서 측벽을 타고 흘러넘치며, 제 1 세정 처리과정이 완료된 튜브가 디핑되어 제 2 세정공정이 진행되는 제 2 세정조(204)와, 제 2 세정조(204) 내의 제 2 세정액의 흐름을 제어하는 흐름제어수단으로 구성된다.
흐름제어수단으로는 제 2 세정조(204) 하단에 설치되고 수직방햐으로 일정압력의 정화가스를 분사시키어 제 2 세정액의 흐름을 제어하는 분사노즐부(208)와, 제 2 세정조(204) 측면에 설치되고 수평방향으로 회전력을 전달시킹 제 2 세정액의 흐름을 제어하는 프로펠러(propeller : 206)와, 프로펠러(206)에 회전구동력을 주기 위한 구동원을 갖는다.
이와같이 구성된 본 고안의 습식처리장치를 이용하여 열처리 공정 진행 시에 오염된 튜브가 제 1 및 제 2 세정처리되는 과정을 알아보면 다음과 같다.
제 1 세정조 하부로 부터 제 1 세정액을 공급시키어 일정수위에 이르게 되면, 로봇암 등의 이송수단을 이용하여 세정공정이 제 1 세정공정이 진행될 튜브를 제 1 세정조 내로 디핑시킨다.
이 때, 세 1 세정액은 불산 등의 성분이 함유되어 있으며, 제 1 세정조 내로 일정 수위가 유지되도록 지속적으로 공급되고, 튜브 표면을 따라 흐르면서 화학반응을 진행시키어 튜브 표면의 오염물질을 제거시키며, 이러한 오염물질은 제 1 세정액과 함께 제 1 세정조 벽을 타고 외부로 오버플로워링된다.
그리고 일정시간 동안 제 1 세정공정이 진행된 튜브를 로봇암을 이용하여 제 1 세정조로부터 꺼내어 제 2 세정액이 공급된 제 2 세정조(204)로 이송시키어 디핑시킨다.
이 때, 제 2 세정액으로는 순수(D.I. : DeIonaze Water)가 사용된다.
제 2 세정조(204) 내의 제 2 세정액은, 제 1 세정액 공급과 마찬가지로, 하부로 부터 공급되어 제 2 세정조 벽을 타고 흘러넘치며, 흐름제어수단인 제 2 세정액의 흐름을 제어하는 분사노즐(208)과 프로펠러(206)로 인해 일정한 압력의 흐름이 형성된다.
즉, 제 2 세정조(204) 하부에 설치된 분사노즐부(208)를 통하여 일정압력의 정 화가스가 수직방향으로 분사되면서 내부의 제 2 세정액의 흐름을 변화시키고, 또한 측면에 설치된 프로펠러(206)가 회전되면서 제 2 세정액을 수평방향으로 흐르게 하여 흐름을 원활하게 한다.
따라서, 제 2 세정액은 튜브 표면에 일정한 압력으로 접촉되면서 잔재된 오염물질이 제거된다.
이 때, 제 2 세정조(204) 내에는 제 2 세정액이 오염물질과 함께 오버플로워링되어 외부로 배기될 수 있도록 지속적으로 공급된다.
이어서, 제 2 세정조(204) 내에 일정시간 디핑하여 제 2 세정 공정을 마친 튜브는 다시 로봇암에 의해 제 2 세정조(204) 밖으로 이송되어 세정과정이 완료된다.
본 고안의 습식처리장치에서는 제 2 세정조 내에 분사노즐과 프로펠러를 설치함으로써, 제 2 세정액이 원활한 흐름을 유지하면서 일정압력으로 튜브표면에 부딪히게 됨에 따라, 오염제거가 어려운 튜브 바닥면 또는 틈새의 세정이 용이하다.
따라서, 튜브로부터 오염물질을 완전히 제거함으로써, 이후의 공정에서 재사용할 수 있다.
Claims (3)
- 제 1 세정액이 하부로부터 공급되면서 측벽을 타고 오버플로워링되며, 내부에는 튜브가 디핑되어 제 1 세정 공정이 진행되는 제 1 세정조와,제 2 세정액이 하부로부터 공급되면서 측벽을 타고 오버플로워링되며, 내부에는 상기 제 1 세정 공정이 완료된 튜브가 디핑되어 제 2 세정 공정이 진행되는 제 2 세정조를 구비한 습식처리장치에 있어서,상기 제 2 세정조에 설치되어, 상기 제 2 세정조 내로 공급되는 상기 제 2 세정액의 수평 또는 수직 방향으로의 흐름을 제어하는 흐름제어수단을 가지며,상기 흐름제어수단으로는상기 제 2 세정조 하단에 설치되며, 일정 압력으로 정화가스를 분사시키어 제 2 세정액의 수직방향으로의 흐름을 제어하는 분사노즐부와,상기 제 2 세정조 측면에 설치되며, 회전되면서 제 2 세정액의 수평방향으로의 흐름을 제어하는 프로펠러와,상기 프로펠러에 회전구동력을 주기위한 구동원을 구비한 것이 특징인 습식처리장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 세정액으로 순수(Deionized water)를 사용하는 습식처리장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 정화가스로는 질소가스를 사용하는 습식처리장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970011465U KR200166226Y1 (ko) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | 습식처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970011465U KR200166226Y1 (ko) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | 습식처리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980066965U KR19980066965U (ko) | 1998-12-05 |
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Family
ID=19501351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970011465U KR200166226Y1 (ko) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | 습식처리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR200166226Y1 (ko) |
-
1997
- 1997-05-21 KR KR2019970011465U patent/KR200166226Y1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980066965U (ko) | 1998-12-05 |
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