KR200155129Y1 - 마그네트론의 애노드 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 전자레인지의 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 마그네트론의 에노드에 베인을 접합시킬 때 브레이징(Braging)이 잘 이루어지도록 된 마그네트론의 에노드 구조에 관한 것이다.

본 고안은 특히, 은납제인 베인솔다를 올려 놓은 다음 브레이징을 실시하여 에노드에 베인을 부착되도록 한 것에 있어서, 상기 에노드 내면에 나선형의 유도홈을 수개 형성하여 은납제가 상기 유도홈을 타고 흘러 내리면서 브레이징이 이루어지도록 한 특징이 있다.

Description

마그네트론의 에노드 구조

본 고안은 전자레인지의 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 마그네트론의 에노드에 베인을 접합시킬 때 브레이징이 잘 이루어지도록 된 마그네트론의 에노드구조에 관한 것이다.

일반적으로 마그네트론의 동작은 캐소드 역활을 하는 필라멘트가 가열되면 열전자가 방출되는데 이 열전자는 전계와 자계의 작용에 의해 베인쪽으로 회전하면서 이끌려간다. 이때 베인선단부는 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며, 이에따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바뀌살처럼 모이게 되고 이 바뀌살의 회전각 주파수와 베인들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 공진주파수가 동기가 되면 발진은 안전하게 지속된다.

이와같이 발진되어 생성되는 마그네트론은 도 1에 도시된 바와 같이, 에노드(1)와, 상기 에노드(1) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(2)와, 공간부를 이루면서 방사상으로 형성된 복수매인 베인(3)과, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 안테나(4)와, 그리고, 상기 베인(3)의 공간부로서로 다른 방향으로 접합된 스트랩링(5)이 설치된 구성이다.

이와같은 구성은 스트랩링(5)간의 공간에 의한 콘덴서(C)와 스트랩링과 베인(3)간의 공간에 의한 콘덴서(C), 베인(3) 및 에노드(1) 그 자체에 의한 인덕터스(L)에 의해 공진회로가 구성되어() 마그네트론의 발진주파수인 2,450 MHZ가 생성된다. 따라서 C, L의 어느 하나의 미세한 변화요인은 정확한 발진주파수를 생성하는데 방해를 끼칠수 있는 것이다.

한편, 본 고안과 관련된 베인(3) 및 에노드(1)의 결합은 은납제인 베인솔다를 사용하여 수소로내에서 고온에 의해 은납제를 녹여 붙이는 브레이징법을 적용하는데, 이는 도 2에 도시된 바와 같이, 에노드(1)에 베인(3)을 부착하기 위해 링형상의 베인솔다(6)를 올려 놓고 브레이징을 실시하는 바, 여기서 베인솔다(6)가 베인(3)에 완전히 밀착이 안된 상태일때는 브레이징 불량이 발생할 우려가 있었다.

결국, 이와같은 브레이징 불량은 정확한 발진주파수를 생성하는데 주요장애가 될 수밖에 없는 것이다.

본 고안은 상기와 같은 사항을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 마그네트론의 에노드와 베인을 접합할때 베인솔다가 완전히 밀착이 안된 상태라도 브레이징이 효과적으로 이루어지도록 된 마그네트론의 에노드 구조를 제공함에 있다.

도 1은 일반적인 마그네트론의 단면도,

도 2는 종래 브레이징법을 설명하기 위한 의한 예시도,

도 3은 본 고안 마그네트론의 에노드 구조를 보인 사시도,

도 4는 도 3의 단면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

1 - 에노드,3 - 베인,

6 - 베인솔다, 1a - 유도홈.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안은 베인솔다를 올려 놓은 다음 브레이징을 실시하여 에노드에 베인을 부착되도록 한 것에 있어서, 상기 에노드 내면에 나선형의 유도홈을 수개 형성하여 은납제가 상기 유도홈을 타고 흘러 내리면서 브레이징이 이루어지도록 한 특징이 있다.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 고안의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안 마그네트론의 에노드 구조를 보인 사시도이고, 도 4는 도 3의 단면도이다.

본 고안은 도 2의 베인(3) 및 에노드(1)의 결합을 은납제인 베인솔다(6)를 사용하여 수소로내에서 고온에 의해 은납제를 녹여 붙이는 브레이징법을 적용한 기술과는 동일하다.

그리고, 본 고안은 도 3과 4에 도시된 바와 같이, 베인(3)이 부착되는 에노드(1) 내면으로 나선형의 유도홈(1a)이 수개 형성된다. 여기서, 상기 유도홈(1a)의 깊이 및 폭은 0.03∼0.5mm로 유지하는 것이 바람직하다.

이와같이 구성된 본 고안은 에노드(1)에 베인(3)을 부착하기 위해 링형상의 은납제인 베인솔다(6)를 올려 놓고 브레이징을 실시하는데, 이때 베인솔다는 Ag: Cu = 68 : 32 % 를 사용하며 이것의 융점(melting point)은 810。C이다. 또한 일반적으로 사용되는 은납제는 Ag : 72%, Cu : 28%이며 융점은 793。C이다. 따라서, 수소로의 온도는 850 - 900 。C정도의 온도를 유지해야 하며, 이 온도에서 녹은 은납제는 베인(3)과 에노드(1)사이의 미세한 틈새를 타고 모세관현상에 의해 흘러내려 용접된다.

그렇기 때문에 베인(3)과 에노드(1)사이에 형성된 유도홈(1a)을 타고 은납제가 서서히 흘러내리면서 용접되는 바, 이는 결국 베인솔다(6)가 베인(3)에 완전히 밀착이 안된 상태라도 유도홈(1a)에 의해 브레이징이 잘 이루어지게 되는 것이다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안은 간단히 에노드의 내부형상을 개선하여 브레이징 불량을 해결할 수 있는 특징을 지닌다.

Claims (1)

1. 링형상의 은납제인 베인솔다를 이용하여 에노드 내면에 브레이징을 함에 있어서, 에노드(1) 내면에 연속된 나선형태의 경사진 유도홈(1a)을 소정 깊이로 형성하여 베인솔다(6)가 용융 될 때 상기 유도홈(1a)을 따라 이동되면서 에노드(1) 내면에 베인(3)이 브레이징될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 마그네트론의 에노드 구조.