KR200144385Y1

KR200144385Y1 - Thermal Structure of Power Transistor

Info

Publication number: KR200144385Y1
Application number: KR2019930023458U
Authority: KR
Inventors: 이태승
Original assignee: 정몽규; 현대자동차주식회사
Priority date: 1993-11-10
Filing date: 1993-11-10
Publication date: 1999-06-15
Also published as: KR950016110U

Abstract

본 고안은 파워 트랜지스터의 방열구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 접속구의 바닥에 알루미늄 플레이트를 인서트하고 외부에 코팅된 알루미늄에 알루미늄 선을 연결하여 열이 쉽게 방출된는 구조를 갖도록 한 파워 트랜지스터의 방열구조에 관한 것이다.The present invention relates to a heat dissipation structure of a power transistor, and more particularly, a heat dissipation structure of a power transistor in which an aluminum plate is inserted at the bottom of a connection port and an aluminum wire is connected to an outer coated aluminum to easily dissipate heat. It is about.

이러한 본 고안은 기존의 플라스틱으로 이루어진 접속구에 알루미늄 플레이트를 인서트시켜 트랜지스터에서 발생된는 열이 전달되게 하고 접속구의 외부로 알루미늄을 코팅하여 코팅된 알루미늄과 상기 알루미늄 플레이트를 알루미늄 선으로 연결하여 선으로 전달되는 열이 알루미늄 코팅에 의해 열이 외부로 방출될 수 있도록 한 것이다.The present invention inserts an aluminum plate into a connector made of conventional plastic so that the heat generated from the transistor is transferred, and the aluminum is coated to the outside of the connector to connect the coated aluminum and the aluminum plate with an aluminum wire to be transferred to the wire. The heat allows the heat to be released to the outside by the aluminum coating.

Description

Heat dissipation structure of power transistor

도면은 본 고안의 파워 트랜지스터의 정면도.The front view of the power transistor of this invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 파워 트랜지스터 12 : 접속구10 power transistor 12 connection port

14 : 알루미늄 플레이트 16 : 알루미늄코팅층14 aluminum plate 16 aluminum coating layer

18 : 알루미늄 선18: aluminum wire

본 고안은 파워 트랜지스터의 방열구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 접속구의 바닥에 알루미늄 플레이트를 인서트하고 외부에코팅된 알루미늄에 알루미늄 선을 연결하여 열이 쉽게 방출되는 구조를 갖도록 한 파워 트랜지스터의 방열구조에 관한 것이다.The present invention relates to a heat dissipation structure of a power transistor, and more particularly, a heat dissipation structure of a power transistor in which an aluminum plate is inserted at the bottom of a connection port and an aluminum wire is connected to an aluminum coated on the outside to easily dissipate heat. It is about.

종래의 파워 트랜지스터의 접속구는 플라스틱으로 이루어져 파워 트랜지스터의 작동중에 발생되는 열이 쉽게 방출되지 못하고 접속구 내부에 잔류하므로 인해 열에 민감한 파워 트랜지스터는 온도가 급결히 상승됨에 따라 과전류에 의해 오버 임펄스(over impulse)가 발생하여 작동상태가 불량하게 된다. 이 때문에 성능이 저하되는 것은 물론이거니와 수명이 단축되는 것이다.Since the connection port of the conventional power transistor is made of plastic, heat generated during the operation of the power transistor is not easily discharged and remains inside the connection port. Occurs, resulting in poor operation. This not only degrades performance, but also shortens the lifespan.

본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 창안한 것으로, 방열효과가 우수한 알루미늄을 접속구의 바닥과 외부표면에 형성하고 이를 선으로 연결하여 발생되는 열을 쉽게 방출하는 구조를 갖도록 하여 파워 트랜지스터의 성능을 일정하게 유지하는 파워 트랜지스터의 방열구조를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised in view of the above-mentioned conventional problems, and has a structure that easily dissipates heat generated by forming aluminum having excellent heat dissipation effect on the bottom and the outer surface of the connection port and connecting them with wires. It is an object of the present invention to provide a heat radiation structure of a power transistor that maintains constant performance.

본 고안은 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 구체적인 수단으로 기존의 플라스틱으로 이루어진 접속구에 알루미늄 플레이트를 인서트시켜 트랜지스터에서 발생되는 열이 전달되게 하고 접속구의 외부로 알루미늄을 코팅하여 코팅된 알루미늄과 상기 알로미늄 플레이트를 알루미늄 선으로 연결하여 선으로 전달되는 열이 알루미늄 코팅에 의해 열이 외부로 방출될 수 있도록 하여 달성된다.The present invention is a specific means for achieving the above object by inserting an aluminum plate in the connection port made of conventional plastic so that the heat generated from the transistor is transferred and coated with aluminum to the outside of the connection aluminum and the aluminium The heat transferred to the line by connecting the aluminum plate with aluminum wire is achieved by allowing the heat to be released to the outside by the aluminum coating.

이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail by the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention as follows.

도면은 보 고안의 파워 트랜지스터의 정면도이다.The figure is a front view of the power transistor of the invention.

플라스틱으로 이루어진 접속구(12)의 바닥전체에 알루미늄 플레이느(14)를 인서트 성형하여 파워 트랜지스터(10)에서 발생되는 열이 전달되게 하고, 접속구(12)의 외부표면으로 알루미늄코팅층(16)을 형성하여 알루미늄코팅층(16)과 상기 알루미늄 플레이트(14)를 각 모서리부분에 4개의 알루미늄 선(18)으로 연결하여 열이 알루미늄 선(18)을 통해 알루미늄코티층(16)으로 열전달이 이루어져 열이 외부로 방출되도록 구성한 것이다.The aluminum plate 14 is insert-molded on the entire bottom of the connector 12 made of plastic so that heat generated from the power transistor 10 is transferred, and the aluminum coating layer 16 is formed on the outer surface of the connector 12. By connecting the aluminum coating layer 16 and the aluminum plate 14 with four aluminum wires 18 at each corner portion, heat is transferred to the aluminum coaty layer 16 through the aluminum wires 18 to heat the outside. It is configured to be emitted to.

상기와 같이 구성된 본 고안의 방열구조에 의하여 파워 트랜지스터(10)에서 발생되는 열이 알루미늄 플레이트(14)에 전달되고 전달된 열이 알루미늄 선(18)을 따라 외부에 있는 알루미늄코팅층(16)으로 전달되어 쉽게 열을 방출하게 되어 파워 트랜지스터(10)에 성능을 안정화시키게 되는 것이다.The heat generated from the power transistor 10 is transferred to the aluminum plate 14 by the heat dissipation structure of the present invention configured as described above, and the transferred heat is transferred to the aluminum coating layer 16 outside along the aluminum wire 18. The heat is easily released to stabilize the performance of the power transistor 10.

이상에서와 같이 본 고안의 파워 트랜지스터의 방열구조에 의하여 일정한 성능을 유지하게 되어 작동불량에 따른 문제점을 배제할 수 있게 되었고, 수명을 크게 연장시키는 효과를 함께 얻을 수 있게 되었다.As described above, the heat dissipation structure of the power transistor of the present invention maintains a constant performance, thereby making it possible to eliminate problems due to malfunction, and to obtain an effect of greatly extending the service life.

Claims

The aluminum plate 14 is insert-molded at the bottom of the connection port 12 made of plastic, and the aluminum coating layer 16 is formed on the outer surface of the connection port 12 to form the aluminum coating layer 16 and the aluminum plate 14, respectively. Heat dissipation structure of the power transistor, characterized in that the heat transfer to the aluminum coating layer 16 through the aluminum wire (18) by connecting the four aluminum wires (18) at the corners.