KR200141176Y1 - 반도체 제조공정용 가스 분사장치 - Google Patents

반도체 제조공정용 가스 분사장치 Download PDF

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Abstract

본 고안은 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 관한 것으로, 혼합 가스 분사장치의 가스 흐름경로를 나선형으로 함으로써 샤워(shower) 전극내부에 에지(edge)에 체류시간을 길게하여 에지부터 센터까지 일정한 가스 흐름 상태를 만들어 웨이퍼에 전달되는 가스 흐름이 일정하게 되어 균일도가 양호한 박막을 형성할 수 있도록 한 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 관한 것이다. 종래의 기술에 의한 반도체 제조공정용 가스 분사장치는 샤워 전극(3)의 에지와 센터에 집중되는 가스 흐름상태를 만들어 막 균일도가 낮아지는 원인을 유발하는 문제점이 있는 바, 본 고안에서는 가스라인을 통해 웨이퍼상에 박막을 형성하는 가스 분사장치에 있어서, 혼합가스 흐름경로를 나선형으로 회전하도록 한 나선형홈을 형성함으로써 상기의 문제점을 해결하도록 하였다.

Description

반도체 제조공정용 가스 분사장치
제1도는 일반적인 가스 분사장치를 포함한 반도체 제조기기를 나타내는 단면도.
제2도 및 제3도는 종래의 기술에 의한 가스 분사장치를 나타내는 평면도 및 측면도.
제4도는 종래의 기술에 의한 웨이퍼상이 박막형성을 나타내는 측면도.
제5도 및 제6도는 본 고안에 의한 가스분사장치를 나타내는 평면도 및 측면도.
제7도는 본 고안에 의한 웨이퍼상의 박막형상을 나타내는 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 가스 분사장치 11 : 나선형 홈
20 : 웨이퍼 21 : 균일 박막
본 고안은 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 관한 것으로, 특히 혼합 가스 분사장치의 가스 흐름경로를 나선형으로 함으로써 샤워(shower) 전극내부의 에지(edge)에 체류시간을 길게하여 에지부터 센터까지 일정한 가스 흐름 상태를 만들어 웨이퍼에 전달되는 가스 흐름이 일정하게 되어 균일도가 양호한 박막을 형성할 수 있도록 한 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 관한 것이다.
제1도는 일반적인 가스 분사장치를 포함한 반도체 제조기기를 나타내는 단면도이고, 제2도 및 제3도는 종래의 기술에 의한 가스 분사장치를 나타내는 평면도 및 측면도를 보인 것으로 이에 도시한 바와 같이, 종래의 기술에서는 웨이퍼(2)가 서셉터(susceptor)(1)위에 위치하고, 램프모듈(lamp module)(6)로 부터 가열된 상태에서 가스 라인(5)을 통하여 박막형성에 필요한 가스가 공급되며, 이 가스는 가스 분사장치(4)와 샤워 전극(3)을 통하여 분사된다. 이때 서셉터(1)와 샤워 전극(3)측에 고주파 전원이 공급되며, 웨이퍼(2)상에 박막형성이 이루어 진다. 상기 가스 분사장치(4)는 혼합된 가스를 더욱더 충분히 혼합되도록 하며 샤워 전극(3)을 통해 웨이퍼(2)에 균일하게 전달되도록 한다.
반응실내에서 가스의 분사는 매우 중요하며 이는 막의 균일도를 좌우한다. 그러나, 상기한 종래의 기술에 의한 반도체 제조공정용 가스 분사장치는 샤워 전극(3)의 에지와 센터에 집중되는 가스 흐름상태를 만들어 막 균일도가 낮아지는 원인을 유발하는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 혼합 가스 분사장치의 가스 흐름경로를 나선형으로 함으로써 샤워 전극내부의 에지에 체류시간을 길게하여 에지부터 센터까지 일정한 가스 흐름 상태를 만들어 웨이퍼에 전달되는 가스 흐름이 일정하게 되어 균일도가 양호한 박막을 형성할 수 있도록 한 반도체 제조공정용 가스 분사장치를 제공함에 있다.
이러한, 본 고안의 목적은, 웨이퍼를 지지하는 서셉터 상측에 설치되어 외부로부터 가스가 주입되고 그 서셉터와의 사이에 설치되는 샤워 전극을 통해 웨이퍼상에 가스를 분사하기 위한 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 있어서, 상기 분사되는 가스의 흐름이 상기 웨이퍼상에 균일하게 분사되도록 원판상의 분사장치 몸체로 되고 그 몸체의 중심로부터 가장자리로 주입된 가스를 나선형으로 분산시켜 안내하도록 형성된 여러갈래의 나선형홈을 갖는 것을 하는 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 의하여 달성된다.
이하, 본 고안에 의한 반도체 제조공정용 가스 분사장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명한다.
제5도는 본 고안에 의한 가스 분사장치를 나타내는 평면도이고, 제6도는 본 고안에 의한 가스 분사장치를 나타내는 측면도이며, 제7도는 본 고안에 의한 웨이퍼상의 박막형성을 나타내는 측면도를 각각 보인 것이다.
이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조공정용 가스 분사장치는 가스라인(5)을 통해 웨이퍼상에 박막을 형성하는 가스 분사장치에 있어서, 혼합가스 흐름 경로를 나선형으로 회전하도록 한 12개의 나선형홈(11)을 형성한다.
종래 구성과 동일 부분에 대하여는 동일 부호를 부여 하였다.
이와 같이 구성된 본 고안에 의한 반도체 제조공정용 가스 분사장치의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
반도체 제조공정용 가스 분사장치(10)의 12개 홈(11)을 나선형으로 한다. 이렇게 함으로써 혼합가스를 시계방향으로 회전시켜, 샤워 전극(3)의 에지와 센터에 가스 흐름이 집중되는 것을 방지할 수 있다. 즉 혼합 가스가 샤워 전극 내부에서 회전함으로써 에지부에서 체류할 수 있는 시간을 길게 할 수 있으며 가스흐름이 에지에서 센터까지 거의 동일한 상태가 되도록 할 수 있다. 따라서 일정한 가스 흐름을 형성함으로써 웨이퍼(20)에 전달되는 혼합가스의 흐름이 일정하게 되어 균일한 박막(21)형성이 가능하며 종래의 박막이 W형으로 이루어지는 균일도의 문제를 해결할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조공정용 가스 분사장치는 가스라인을 통해 웨이퍼상에 박막을 형성하는 가스 분사장치에 있어서, 혼합가스 흐름 경로를 나선형으로 회전하도록 한 나선형홈을 형성함으로써, 샤워 전극 내부의 에지에 체류시간을 길게하여 에지부터 센터까지 일정한 가스 흐름 상태를 만들어 웨이퍼에 전달되는 가스 흐름이 일정하게 되어 균일도가 양호한 박막을 형성할 수 있도록 한 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 웨이퍼를 지지하는 서셉터 상츠에 설치되어 외부로부터 가스가 주입되고 그 서셉터와의 사이에 설치되는 샤워 전극을 통해 웨이퍼상에 가스를 분사하기 위한 반도체 제조공정용 가스 분사장치에 있어서, 상기 분사되는 가스의 흐름이 상기 웨이퍼상에 균일하게 분사되도록 원판상의 분사장치 몸체로 되고 그 몸체의 중심로부터 가장자리로 주입된 가스를 나선형으로 분산시켜 안내하도록 형성된 여러갈래의 나선형홈을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가스 분사장치.
KR2019950038649U 1995-12-06 1995-12-06 반도체 제조공정용 가스 분사장치 KR200141176Y1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100920773B1 (ko) * 2007-07-05 2009-10-08 세메스 주식회사 기판 제조 장치

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