KR20010101997A - Method and device for cleaning substrates - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적어도 하나의 회전가능한 크리닝 엘리먼트를 구비하는 기판 크리닝을 위한, 특히 반도체 웨이퍼 크리닝을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for substrate cleaning with at least one rotatable cleaning element, in particular for semiconductor wafer cleaning.
상기 기판은 실제 크리닝 프로세스 동안 경사지게 되어, 효율적으로 크리닝 되며, 크리닝 유체의 양을 줄인다.The substrate is tilted during the actual cleaning process, which allows for efficient cleaning and reduces the amount of cleaning fluid.
Description
이러한 크리닝 장치는, 예컨대 화학적 기계적 평탄화(CMP) 공정 후에 웨이퍼를 크리닝하는 반도체 산업계에서는 공지되어 있다. 이러한 크리닝 장치로는, 예컨대 반도체 웨이퍼의 대향하는 측면에 배치되는 양면 브러쉬 크리너가 사용된다. 이러한 크리닝 장치에서는, 크리닝될 반도체 웨이퍼가 브러쉬 사이에 수직 또는 수평으로 위치하도록 브러쉬 크리너가 배치된다.Such cleaning devices are known in the semiconductor industry, for example, in cleaning wafers after chemical mechanical planarization (CMP) processes. As such a cleaning apparatus, for example, a double-sided brush cleaner disposed on opposite sides of the semiconductor wafer is used. In such a cleaning apparatus, the brush cleaner is arranged so that the semiconductor wafer to be cleaned is positioned vertically or horizontally between the brushes.
반도체 웨이퍼가 수직으로 위치하는 경우, 크리닝에 사용되는 린싱 유체(rinsing fluid)가 직접 흘러 내리고, 그 결과 한편으로는 양호한 린싱이 이루어지지만, 다른 한편으로는 린싱 유체의 소비량이 매우 높아진다. 반도체 웨이퍼가 수평으로 위치하는 경우, 반도체 상부 표면에 위치하는 린싱 유체는 오랜 시간동안 접촉된 상태로 남아 있어 린싱 유체의 소비를 줄일 수 있다. 그러나, 그렇게 하는 경우 크리닝 프로세스 후에 린싱 유체가 전혀 흘러 내리지 않거나 잘 흘러 내리지 않아 기판상에 오염 물질이 남게되는 문제가 발생된다. 따라서, 수평 크리닝과 수직 크리닝은 모두 장점 및 단점을 함께 가진다.When the semiconductor wafer is positioned vertically, the rinsing fluid used for cleaning flows directly, resulting in good rinsing on the one hand but very high consumption of the rinsing fluid on the other. When the semiconductor wafer is positioned horizontally, the rinsing fluid located on the semiconductor upper surface remains in contact for a long time, thereby reducing the consumption of the rinsing fluid. However, doing so creates a problem that the rinsing fluid does not flow down or flows well after the cleaning process, leaving contaminants on the substrate. Thus, both horizontal cleaning and vertical cleaning together have advantages and disadvantages.
JP6-326066에 웨이퍼를 위한 브러쉬 크리닝 장치가 공개되어 있다. 상기 장치는 웨이퍼를 둘러싸는 고정 링(holding ring)을 구비하는데, 상기 고정 링은 크리닝 프로세스 동안 웨이퍼를 수평선에 대하여 소정의 각으로 위치시키기 위하여 회전가능하다.A brush cleaning apparatus for a wafer is disclosed in JP6-326066. The apparatus has a holding ring surrounding the wafer, which is rotatable to position the wafer at a predetermined angle with respect to the horizontal line during the cleaning process.
본 발명은 적어도 하나의 회전가능한 크리닝 엘리먼트를 구비하는 기판 크리닝을 위한, 특히 반도체 웨이퍼 크리닝을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for substrate cleaning with at least one rotatable cleaning element, in particular for semiconductor wafer cleaning.
도 1은 본 발명에 따른 크리닝 장치의 단면도 및 평면도를 도시한 것으로, 여기서 크리닝될 웨이퍼는 수평으로 위치한다.1 shows a cross-sectional view and a plan view of a cleaning apparatus according to the invention, wherein the wafer to be cleaned is positioned horizontally.
도 2는 도 1과 유사한 것으로, 여기서 웨이퍼는 수직으로 위치한다.FIG. 2 is similar to FIG. 1 where the wafer is positioned vertically.
도 3은 도 1과 유사한 것으로, 여기서 웨이퍼는 수직선에 대해 약 45°경사져 위치한다.FIG. 3 is similar to FIG. 1 wherein the wafer is positioned at an angle of about 45 ° to the vertical line.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 크리닝 장치 측벽의 투시도를 도시한 것이다.Figure 4 shows a perspective view of the cleaning device side wall according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 크리닝 장치 측벽의 투시도를 도시한 것이다.5 illustrates a perspective view of a cleaning device sidewall according to another embodiment of the present invention.
그러므로, 본 발명의 목적은 크리닝 유체를 절약하면서도 기판의 크리닝이 효율적으로 수행될 수 있는 기판 크리닝을 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide an apparatus and method for substrate cleaning in which cleaning of the substrate can be performed efficiently while saving cleaning fluid.
본 발명의 목적은 기판이 크리닝 프로세스 동안 경사지는 것을 특징으로 하는 특허청구범위 제 1항에 따른 방법에 의해 이루어질 수 있다. 크리닝 프로세스 동안 기판을 경사지게 함으로써, 프로세스 조건은 요구되는 크리닝 프로세스에 맞게 적용될 수 있다. 특히, 크리닝 프로세스 동안 기판 위에 린싱 유체가 유지되는 시간이 조절될 수 있고, 최적의 조건으로 설정될 수 있다. 따라서, 수직 및 수평 크리닝의 장점이 하나의 프로세스에 결합되는 것이다.The object of the invention can be achieved by the method according to claim 1, wherein the substrate is inclined during the cleaning process. By tilting the substrate during the cleaning process, process conditions can be adapted to the required cleaning process. In particular, the time for which the rinsing fluid is maintained on the substrate during the cleaning process can be controlled and can be set to optimal conditions. Thus, the advantages of vertical and horizontal cleaning are combined in one process.
기판은 바람직하게도 실질적인 수직 위치에서 실질적인 수평 위치로 또는 그 반대로 경사질 수 있으며, 그 결과 크리닝 프로세스 동안 수직 크리닝 뿐만 아니라 수평 크리닝의 장점이 모두 구현될 수 있다. 기판은 또한 최적의 프로세스 조건을 만들기 위하여 다른 원하는 중간적 위치로 경사질 수 있으며 고정될 수 있다.The substrate may preferably be inclined from a substantially vertical position to a substantially horizontal position or vice versa, so that the advantages of both horizontal cleaning as well as vertical cleaning can be realized during the cleaning process. The substrate can also be tilted and fixed to other desired intermediate positions to create optimal process conditions.
기판을 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)하는 것은 수평 위치에서 기판을 취급하는 것이 용이하므로 수평 위치로 하는 것이 바람직하다.Loading and unloading the substrate is preferable to the horizontal position because it is easy to handle the substrate in the horizontal position.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 적어도 한 면은 브러쉬로 크리닝된다. 이러한 과정에서, 간단한 경사 메카니즘(tilting mechanism)을 제공하기 위하여 바람직하게도 기판은 적어도 하나의 브러쉬를 이동시켜 경사지게 된다.According to one embodiment of the invention, at least one side of the substrate is cleaned with a brush. In this process, the substrate is preferably tilted by moving at least one brush in order to provide a simple tilting mechanism.
크리닝 프로세스 동안, 기판은 유리하게도 적어도 하나의 가이드 롤러에 의하여 압력이 가해지며 상기 롤러에 의하여 회전하게 된다. 가이드 롤러는 기판을 크리닝 장치내로 안내하며 좋은 위치로 이동시킨다. 또한, 가이드 롤러는 균일한 크리닝을 위하여 기판을 회전시킬 수 있다.During the cleaning process, the substrate is advantageously pressurized by at least one guide roller and rotated by the roller. Guide rollers guide the substrate into the cleaning apparatus and move it into a good position. In addition, the guide roller can rotate the substrate for uniform cleaning.
기판은 바람직하게도 적어도 하나의 가이드 롤러의 능동적 회전에 의하여 회전될 수 있다.The substrate may preferably be rotated by active rotation of at least one guide roller.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에서는, 기판이 적어도 하나의 가이드 롤러의 수동적 회전에 의하여 회전된다. 즉, 기판이 접선 컴포넌트(tangential component)를 구비하는 롤러에 의하여 압력이 가해져 회전된다.On the other hand, in another embodiment of the present invention, the substrate is rotated by passive rotation of the at least one guide roller. That is, the substrate is rotated under pressure by a roller having a tangential component.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판은 적어도 하나의 가이드 롤러를 이동시킴으로써 경사지게 된다.According to an embodiment of the invention, the substrate is inclined by moving at least one guide roller.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 기판은 전체 크리닝 장치를 경사지게 함으로써 경사지게 된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the substrate is inclined by tilting the entire cleaning apparatus.
크리닝 프로세스 동안, 크리닝 엘리먼트의 크리닝 효과를 높이기 위하여 크리닝 유체가 기판에 인가된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 크리닝 프로세스 동안 크리닝 유체는 브러쉬에 의해서 인가되고, 그 결과 브러쉬는 항상 크리닝 유체로 젖어 있게 된다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 크리닝 유체가 노즐에 의해서 직접 기판으로 인가된다.During the cleaning process, a cleaning fluid is applied to the substrate to increase the cleaning effect of the cleaning element. According to one embodiment of the invention, the cleaning fluid is applied by the brush during the cleaning process, so that the brush is always wet with the cleaning fluid. According to another embodiment of the invention, the cleaning fluid is applied directly to the substrate by means of a nozzle.
프로세스 파라미터를 설정하기 위하여, 크리닝 엘리먼트에 의해 기판에 가해지는 압력은 바람직하게도 변화될 수 있다.In order to set the process parameters, the pressure exerted on the substrate by the cleaning element can preferably be varied.
더 나아가 전술한 목적은 기판이 경사질 수 있는 장치에 의해서 이루어질 수 있다. 기판을 경사지게 함으로써, 전술한 장점이 성취된다.Furthermore, the above object can be achieved by an apparatus in which the substrate can be inclined. By tilting the substrate, the above advantages are achieved.
크리닝 엘리먼트는 바람직하게도 롤러(roller) 또는 컵 브러쉬(cup brush) 형태의 브러쉬 크리너이다.The cleaning element is preferably a brush cleaner in the form of a roller or cup brush.
본 발명의 실시예에 따르면, 유체를 기판에 인가하기 위한 디바이스는 적어도 하나의 크리닝 엘리먼트내에 라인(line)을 구비하고, 그 결과 기판 표면은 유체에 의해 균일하게 젖게 된다.According to an embodiment of the invention, the device for applying the fluid to the substrate has a line in at least one cleaning element so that the substrate surface is uniformly wetted by the fluid.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판을 경사지게 하기 위한 크리닝 엘리먼트를 동작시키기 위하여 가이드 엘리먼트가 제공된다. 가이드 엘리먼트는 유리하게도 기판에 대향하여 크리닝 엘리먼트를 이동시킬 수 있도록 이동할 수 있다.According to an embodiment of the invention, a guide element is provided for operating the cleaning element for tilting the substrate. The guide element can advantageously be moved to move the cleaning element against the substrate.
본 발명의 장치 및 방법은 예컨대 반도체 웨이퍼, 포토 마스크와 같은 얇은 디스크, 유리 기판, 컴팩트 디스크, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등의 평평한 물체를 크리닝 하는데 특히 적합하다.The apparatus and method of the present invention are particularly suitable for cleaning flat objects such as, for example, semiconductor wafers, thin disks such as photomasks, glass substrates, compact disks, flat panel displays (FPDs) and the like.
이하에서는 본 발명의 실시예 및 참조 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments of the present invention and reference drawings.
도 1은 평평한 원형 웨이퍼(2)를 위한 본 발명의 크리닝 장치(1)의 단면도 및 평면도를 도시한 것이다.1 shows a cross-sectional view and a plan view of a cleaning apparatus 1 of the present invention for a flat circular wafer 2.
본 발명의 크리닝 장치(1)는 도시되지 않은 디바이스에 의해 구동되는 중앙축(7,8)에 대하여 회전가능한 롤러 브러쉬 형태의 제 1 및 제 2 크리닝 브러쉬(4,5)를 구비한다. 브러쉬(4,5)는 PVA와 같은 스폰지 형태의 재료나 또는 나일론과 같은 강모(bristle)로 구성되다. 웨이퍼(2)는 도 1에서와 같이 브러쉬(4,5) 사이에 수평 위치로 넣어진다. 브러쉬(4,5)는 웨이퍼(2)의 직경보다 더 큰 길이를 가져, 웨이퍼(2)의 가장자리를 넘어서 연장된다. 브러쉬는 웨이퍼(2)에 압력을 가하기 위하여 서로 대향하여 움직일 수 있다.The cleaning apparatus 1 of the present invention has first and second cleaning brushes 4, 5 in the form of roller brushes rotatable about a central axis 7, 8 driven by a device not shown. Brushes 4 and 5 consist of a sponge-like material such as PVA or bristle such as nylon. The wafer 2 is put in a horizontal position between the brushes 4 and 5 as in FIG. The brushes 4, 5 have a length greater than the diameter of the wafer 2 and extend beyond the edge of the wafer 2. The brushes may move opposite one another to apply pressure to the wafer 2.
도 1에 도시된 실시예에서, 크리닝 프로세스 동안 제 1 롤러 브러쉬(4)가 시계 방향으로 회전하는 한편, 제 2 롤러 브러쉬(5)는 반시계 방향으로 회전한다. 그 결과, 웨이퍼(2)는 가이드 롤러(10)에 대하여 왼쪽으로 압력을 가한다. 가이드롤러(10)는 도시되지 않은 디바이스에 의해 회전되며, 그 결과 웨이퍼(2)가 중앙축에 대하여 회전하게 된다.In the embodiment shown in FIG. 1, the first roller brush 4 rotates clockwise during the cleaning process, while the second roller brush 5 rotates counterclockwise. As a result, the wafer 2 is pressed to the left against the guide roller 10. The guide roller 10 is rotated by a device not shown, which results in the wafer 2 being rotated about the central axis.
물론, 하나의 가이드 롤러(10) 대신에 적어도 하나 이상의 가이드 롤러가 웨이퍼 주위에 각각 분배 배치되어 회전할 수도 있다. 대안으로서, 가이드 롤러는 또한 접선 컴포넌트(tangential component)에 의해서 웨이퍼가 롤러에 대하여 압력을 가하게 함으로써 수동적으로 회전할 수도 있다. 접선 컴포넌트는 롤러 브러쉬(4,5)가 웨이퍼의 일부분상으로 연장되는 곳에 구비될 수 있다.Of course, at least one guide roller may be distributed and rotated around the wafer instead of one guide roller 10, respectively. As an alternative, the guide roller may also be manually rotated by forcing the wafer against the roller by a tangential component. The tangential component can be provided where the roller brushes 4, 5 extend over a portion of the wafer.
도 2는 웨이퍼(2)가 수직으로 위치하는 도 1의 크리닝 장치를 도시한 것이고, 도 3은 웨이퍼(2)가 수직선에서 약 45°경사져 위치하는 도 1의 크리닝 장치를 도시한 것이다.FIG. 2 shows the cleaning device of FIG. 1 with the wafer 2 positioned vertically, and FIG. 3 shows the cleaning device of FIG. 1 with the wafer 2 positioned at an angle of approximately 45 ° from the vertical line.
본 발명에 따른 장치(1)에서 웨이퍼(2)의 크리닝 동안, 린싱 유체(rinsing fluid)가 도시되지 않은 장치에 의해서 웨이퍼에 인가된다. 예를 들어, 린싱 유체를 웨이퍼 표면에 대해서 분무(spray)하기 위한 노즐이 크리닝 장치(1)의 여러 위치에서 구비될 수 있다. 대안으로서 또는 보충적으로, 브러쉬 롤러(4,5)내에 라인(line)이 구비되어 린싱 유체가 이에 의해서 웨이퍼 표면으로 전달될 수 있다.During the cleaning of the wafer 2 in the apparatus 1 according to the invention, a rinsing fluid is applied to the wafer by an apparatus not shown. For example, nozzles for spraying the rinsing fluid against the wafer surface may be provided at various locations of the cleaning device 1. As an alternative or supplementary, a line may be provided in the brush rollers 4 and 5 so that the rinsing fluid may be delivered to the wafer surface.
웨이퍼(2)의 경사는 전체 크리닝 장치(1)에 경사를 줌으로써 즉, 린싱 유체 보충 수단 뿐만 아니라 도시되지 않은 드라이브 메카니즘을 포함함으로써 이루어질 수 있다.Inclination of the wafer 2 can be achieved by inclining the entire cleaning apparatus 1, ie by including not only the rinsing fluid replenishment means but also a drive mechanism not shown.
대안으로서, 웨이퍼(2)의 경사는 다음에 설명되는 바와 같이 도 4의 실시예에 의하여 브러쉬 롤러(4,5)를 움직임으로써 이루어 질 수 있다.As an alternative, the inclination of the wafer 2 can be made by moving the brush rollers 4 and 5 according to the embodiment of FIG. 4 as described below.
도 4는 크리닝 장치(1)의 측벽(12)의 투시도이다. 브러쉬 롤러(4,5) 및 웨이퍼(2)는 점선으로 도시되어 있다. 측벽(12)에는 브러쉬 롤러(4,5)의 축(17,18)이 수용될 수 있는 측면 개구부(opening; 14,15)가 구비된다. 축(17,18)은 가이드 개구부(14,15)에 충분히 동작할 수 있도록 위치되어, 브러쉬에 의해 인가되는 압력을 형성하도록 서로 대향하여 동작될 수 있다. 상기 압력은 프로세스 파라미터가 된다.4 is a perspective view of the side wall 12 of the cleaning apparatus 1. Brush rollers 4 and 5 and wafer 2 are shown in dashed lines. The side wall 12 is provided with side openings 14 and 15 in which the axes 17 and 18 of the brush rollers 4 and 5 can be accommodated. The shafts 17, 18 are positioned so as to be able to fully operate in the guide openings 14, 15, and can be operated opposite one another to form a pressure applied by the brush. The pressure becomes a process parameter.
대안으로서, 가이드 개구부는 또한 거기에 수용되는 축의 상대적인 동작을 형성하기 위하여 서로에 대하여 상대적으로 이동할 수 있는 플레이트(plate)와 같은 엘리먼트로 형성될 수 있다.As an alternative, the guide openings may also be formed of elements, such as plates, which are movable relative to one another to form relative motion of the axes received therein.
가이드 개구부(14,15)는 약 4분의 1 정도의 고리 모양 구획으로 각각 굽어져 있다. 축(17,18)은 도 4에 도시된 위치로부터 도 5에 도시된 위치에 이르기까지 가이드 개구부(14,15)내에서 이동될 수 있으며, 이에 의해서 축(17,18)과 브로쉬 롤러(4,5)는 크리닝 장치의 중심점에 대하여 대칭적으로 안내된다.The guide openings 14 and 15 are each bent into an annular partition of about one quarter. The shafts 17, 18 can be moved in the guide openings 14, 15 from the position shown in FIG. 4 to the position shown in FIG. 5, whereby the shafts 17, 18 and the broth roller ( 4,5 are symmetrically guided with respect to the center point of the cleaning apparatus.
도 4에 도시된 위치에서는 브러쉬(4,5) 사이에 위치하는 웨이퍼(2)가 수평으로 고정되고, 도 5에 도시된 위치에서는 브러쉬(4,5) 사이에 위치하는 웨이퍼(2)가 수직으로 고정된다.In the position shown in FIG. 4, the wafer 2 positioned between the brushes 4, 5 is fixed horizontally, and in the position shown in FIG. 5, the wafer 2 positioned between the brushes 4, 5 is vertical. Is fixed.
가이드 트랙(14,15)내에서 축(17,18)을 이동시킴으로써, 웨이퍼(2)는 수평 또는 수직 위치 사이에서 경사질 수 있다.By moving the axes 17, 18 in the guide tracks 14, 15, the wafer 2 can be tilted between horizontal or vertical positions.
브러쉬 롤러(4,5)에서와 동일한 방법으로, 도 4 및 도 5에서는 도시되지 않은 가이드 롤러(10)도 측벽(12)의 가이드 개구부내에서 안내될 수 있다. 브러쉬롤러(4,5) 축(17,18)의 능동적 동작 대신에, 관련 가이드 개구부내에서 가이드 롤러(10)의 능동적 동작에 의해서 웨이퍼(2)가 경사질 수도 있다.In the same way as in the brush rollers 4 and 5, the guide roller 10, not shown in FIGS. 4 and 5, can also be guided in the guide opening of the side wall 12. Instead of the active movement of the brush rollers 4, 5 axes 17, 18, the wafer 2 may be inclined by the active movement of the guide roller 10 in the associated guide openings.
지금까지 본 발명을 바람직한 실시예와 함께 설명하였다. 그러나, 본 발명의 다양한 변형 및 수정이 이루어질 수 있다는 것은 본 발명의 기술분야의 당업자에게는 명백한 것이다. 예를 들어, 가이드 개구부를 구비하는 측벽(12) 대신에 다른 가이드 메카니즘이 또한 브러쉬 롤러(4,5)의 축을 위하여 제공되 수 있다. 또한, 브러쉬 롤러 대신에 소위 컵 브러쉬 또는 다른 크리닝 엘리먼트가 사용될 수도 있다. 본 발명에 따른 장치는 웨이퍼를 위한 사용에만 제한되지 않는다. 본 발명은, 예컨대 포토마스크와 같은 얇은 디스크, 유리 기판, 컴팩트 디스크, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등에도 사용될 수 있는 장점을 가진다.The present invention has been described so far along with preferred embodiments. However, it will be apparent to one skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention. For example, other guide mechanisms may also be provided for the axes of the brush rollers 4, 5 instead of the side walls 12 having the guide openings. In addition, so-called cup brushes or other cleaning elements may be used instead of the brush rollers. The apparatus according to the invention is not limited to use for wafers only. The present invention has the advantage that it can also be used for thin disks such as photomasks, glass substrates, compact disks, flat panel displays (FPDs) and the like.
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60033811T2 (en) * | 2000-09-08 | 2007-11-15 | Qimonda Dresden Gmbh & Co. Ohg | Wafer cleaning device |
| US6748961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326066A (en) * | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Sony Corp | Brush scrubbing apparatus |
| DE19781822B4 (en) * | 1996-07-08 | 2004-09-09 | Speedfam-Ipec Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Chandler | Cleaning station for use in a system for cleaning, rinsing and drying semiconductor wafers |
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