KR20010094509A - 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링대역통과 여파기 및 그 제조방법 - Google Patents

인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링대역통과 여파기 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이중모드 링 공진기의 커플링 효과를 향상시켜 삽입 손실과 반사 손실 특성을 개선한 인터디지탈 측면 커플링 구조로 구성된 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 링 공진기와 입력 및 출력선로의 사이의 커플링을 효과적으로 향상시키기 위해 인터디지털 커패시터(Interdigital Capacitor)를 삽입하여 삽입 손실과 반사 손실을 줄이고, 90도로 급전을 하여 대역통과 필터 특성과 감쇄극을 얻어내는 이중모드 링 대역통과 여파기를 제시하고자 하는데 그 특징이 있다.

Description

인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 및 그 제조 방법{ The Microstrip Ring Bandpass Filter with Interdigital Side-Coupling and Its Manufacturing Method }
본 발명은 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이중모드 마이크로스트립 링 공진기에 커플링 효과를 향상시켜 삽입 손실과 반사 손실 특성을 개선한 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 무선통신 시장의 급격한 발달로 인하여 차세대 위성통신 및 이동통신 시스템에 응용 가능한 회로의 개발과 이러한 회로의 소형, 경량화에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
따라서 회로의 하이브리드 MIC(Microwave integrated circuit) 및 모노리식 MIC(Monolithic microwave integrated circuit)화는 필수적이라 하겠다.
특히 이러한 회로들의 구현에 있어서 마이크로스트립 구조는 그 구조가 지니는 여러가지 장점으로 인해 많은 통신 부품들의 제작에 응용되어 오고 있다.
그 중 마이크로스트립 링 공진기는 선형공진기에 비해 Q 요소(Quality factor)값이 높아 분산, 페이즈 속도, 실효 유전율 측정 등에 많이 사용되어져 왔다.
그러나 최근에는 간단한 구조를 지니고 있는 장점과 우수한 공진 특성으로 필터(Filter), 듀플렉서(Duplxer), 혼합기(Mixer), 커플러(Coupler), 발진기(Oscillator) 등과 같은 마이크로파 시스템의 핵심 부품에 응용되고 있다.
이러한 링 공진기의 응용 분야 중 이중모드 마이크로스트립 링 공진기로 구성된 이중모드 마이크로스트립 대역통과 여파기는 앞으로 무선통신 시스템에 응용될 협대역 대역통과 여파기로서 주목받고 있는 회로이다.
상기 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기의 일반적인 구조에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 이고, 도 2는 종래의 커플링 커패시터를 연결한 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기이며, 도 3은 종래의 이중모드 커플라인 마이크로스트립 링 대역통과 여파기로서,
먼저, 도 1에 도시한 바와같이, 상기 이중모드 링 대역통과 필터는 링 공진기의 공진 모드가 스플릿(split)되는 현상을 이용한다.
즉 상기 이중 모드 링 대역통과 필터는 마이크로 웨이브가 입력되는 입력선로(2)와, 출력되는 출력선로(3), 공진이 발생하는 링(1)으로 구성된다.
상기 링(1)과 입력선로(2) 및 출력선로(3)와의 간격이 커플링 갭(4)인데, 이는 커플링의 효율을 결정한다.
상기 링 공진기에서 공진현상이 일어나기 위해서는 공진기에 인가되는 공진주파수의 파장에 링(1)의 평균원주가 정수배에 해당해야 가능하다.
이를 식으로 나타내면 2πr = nλg식 (1) 이다. 여기서 r은 링(1)의 평균반지름 이고, n은 모드수 이며, 그리고 λg는 인가되는 신호의 파장을 나타낸다.
또한 링 공진기 내부의 로컬 공진 부분 (LRS-Local Resonant Sector) (5)는 링 공진기의 이중모드 특성을 유발한다. 로컬 공진 부분(5)의 너비와 길이를 조정함으로써 공진 모드가 스플릿되는 정도를 조절할 수 있으며, 이는 곧 대역통과 여파기의 대역폭이 된다.
상기 링 대역통과 필터의 커플링 갭(4)은 입출력 신호가 링 공진기에 커플링되는 정도를 결정한다. 즉, 커플링 갭(4)의 사이즈가 작으면 갭 커패시턴스가 늘어나 커플링 효과가 커지고, 갭 사이즈가 크게되면, 커패시턴스 값이 줄어들어 그만큼 커플링효과도 줄어들게 된다.
상기와 같은 이유로 인하여 기본적인 커플링 구조에서는 갭 사이즈를 작게 하는데 공정상 제한이 있어 삽입손실과 반사손실이 크기 때문에 많은 에너지 전송이 어려웠다.
또한 대역통과 여파기의 감쇄극 특성을 얻기 위해 90도 차이가 나도록 급전을 하였기 때문에 1차 공진 모드에서의 삽입손실과 반사손실이 크다.
상기 삽입 손실과 반사 손실을 줄이고자 개선된 커플링 방법들 중 하나인 종래의 커패시터를 이용한 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 필터에 대하여 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
상기 도 1 의 링 공진기에서 커플링 효율을 높이고자 입력선로 (2), 출력선로(3)와 링 공진기(1)사이의 커플링 갭을 각각 적정한 값을 지닌 커패시터(6)로 연결하여 커플링 효율을 증대시켰다.
또한 모드 스플릿을 위해 로컬 공진부분(5)대신에 개방스터브(7)(open stub)를 링 공진기(1)밖으로 결합하였다.
또한, 상기와 같은 방법 중의 다른 하나인 이중모드 커플라인 마이크로스트립 링 대역통과 여파기에 대해 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
입력선로 및 출력선로(2)(3)각각에 링 공진기(1)와 소정의 간격을 두고 커플라인(8)을 길게 늘어뜨려 연결시키고, 개방스터브(7)를 링 공진기(1)안에 삽입으로커플링 효율을 높이도록 하였다.
상기의 경우 신호가 커플링 할 때 링 공진기(1)와 커플라인(8) 사이의 커패시터에 의한 커플링을 하게 되어 공진 주파수가 하향 편이 된다. 이때 식 (1)에서 계산된 공진 주파수와 약간 다르게 된다.
상기와 같은 종래의 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기는 1차 공진모드에서 커플링 효율이 극대화되지 못하였기 때문에 1차 공진 모드에서 얻어진 대역통과 특성을 회로에 응용하기에 적합하지 못한 단점이 있다.
또한 집중소자인 커패시터를 연결하는 경우 회로의 평면화가 이루어지지 못하므로 회로의 모노리식MIC 화에 문제점이 된다.
따라서 본 발명의 목적은 입력된 신호와 출력되는 신호의 커플링 효율을 향상시키기 위하여 링과 급전선로 사이에 평면형의 인터디지탈 커패시터를 삽입하여 1차 공진 모드에서의 삽입손실 및 반사손실을 향상시키고, 모노리식 MIC에 적합한 협대역의 마이크로스트립 링 대역통과 여파기를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 실현하기 위하여 본 발명은 마이크로 웨이브가 입력되는 입력선로와, 입력선로를 통한 마이크로 웨이브의 공진이 발생하는 링 공진기와, 상기 링 공진기에서 공진된 마이크로 웨이브가 출력되는 출력선로로 구성된 이중 모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기에 있어서, 상기 입력선로와 출력선로를 90도차이가 나도록 링 공진기에 급전되게 하고, 상기 입,출력선로와 링 공진기사이의 커플링 부분을 인터디지털 커패시터와, 링 공진기 내부에 로컬 공진 부분을 구성하여서 된 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기
도 2는 종래의 커플링 커패시터를 연결한 이중모드 마이크로스트립 링 대역 통과 여파기
도 3은 종래의 이중모드 커플라인 마이크로스트립 링 대역통과 여파기
도 4는 본 발명에 적용되는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 이중모드 마이크로스트립 링 공진기
도 5는 본 발명에 적용되는 4단자 마이크로스트립 인터디지탈 커패시터
도 6은 본 발명 로컬 공진 부분을 갖는 인터디지탈 측면 커플링 구조로 구성된 마이크로스트립 링 대역통과 여파기
도 7은 본 발명인 두개의 로컬 공진 부분을 갖는 인터디지탈 측면 커플링 구조로 구성된 마이크로스트립 링 대역통과 여파기
도 8은 본 발명 도 6의 삽입손실 및 반사손실에 대한 시뮬레이션 및 측정 결과 그래프
도 9는 본 발명 도 7의 삽입손실 및 반사손실에 의한 시뮬레이션 및 측정 결과 그래프
도 9는 본 발명의 두 개의 커플라인 넓이의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프
도 10은 본 발명 도 6의 로컬 공진 부분 길이의 변화에 따른 시뮬레이션 결 과 그래프
도 11은 본 발명 도 6의 로컬 공진 부분 넓이의 변화에 따른 시뮬레이션 결 과 그래프
도 12는 본 발명 도 7의 로컬 공진 부분 I의 길이 θ1의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프
도 13은 본 발명 도 7의 로컬 공진 부분 II의 길이 θ2의 변화에 따른 시뮬 레이션 결과 그래프
도 14는 본 발명 도 7의 로컬 공진 부분 I의 넓이 D1의 변화에 따른 시뮬레 이션 결과 그래프
도 15는 본 발명 도 7의 로컬 공진 부분 II의 넓이 D2의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프
도 16은 본 발명의 유전체 기판상에 링 대역통과 여파기의 제작과정을 나타 내는 예시도
도 17은 반도체 기판상에 링 대역통과 여파기의 제작과정을 나타내는 예시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 링 공진기 2 : 입력선로
3 : 출력선로 4 : 커플링 갭
5 : 로컬 공진부분 6 : 커패시터
7 : 개방스터브 8 : 커플라인
9 : 인터디지탈 커패시터
10 : 제1 로컬 공진부분 11 : 제2 로컬 공진부분
12 : 감쇄극 13 : 컨덕터
14 : 포토레지스트 15 : 유전체
16 : 음각필름 17 : 금속
W : 인터디지탈 커패시터(Interdigital Capacitor)의 핑거(finger)의 너비
G : 인터디지탈 커패시터의 두 핑거(finger) 사이의 간격
WT : 인터디지탈 커패시터의 접합라인의 넓이
GE : 인터디지탈 커패시터의 핑거(finger) 끝부분 간격
L : 인터디지탈 커패시터의 핑거(finger)의 길이
D, D1, D2 : 마이크로스트립 LRS(Local Resonant Sector)의 넓이
θ,θ1,θ2 : 마이크로스트립 LRS(Locap Resonant Sector)의 전기적 길이
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 적용되는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 이중모드 마이크로스트립 링 공진기 이고, 도 5는 본 발명에 적용되는 4단자 마이크로스트립 인터디지탈 커패시터 마이크로스트립 링 공진기 이며, 도 6은 본 발명 로컬 공진 부분을 갖는 인터디지탈 측면 커플링 구조로 구성된 마이크로스트립 링 대역통과 여파기로서, 마이크로 웨이브가 입력되는 입력선로(2)와, 입력선로(2)를 통한 마이크로 웨이브의 공진이 발생하는 링 공진기(1)와, 상기 링 공진기(1)에서 공진된 마이크로 웨이브가 출력되는 출력선로(3)로 구성된 이중 모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기에 있어서, 상기 입력선로(2)와 출력선로(3)를 90도 차이가 나도록 링 공진기(1)에 급전되게 하고, 상기 입,출력선로(2)(3)와 링 공진기(1)사이의 커플링 부분을 인터디지털 커패시터(9)를 구성하게 된다.
상기 인터지디털 커패시터(9)는 도 5에 도시한 바와같이, 단자 1을 입력선로(2) 또는 출력선로(3)와 연결하고, 단자 2와 3은 링 공진기(1)에 삽입한다.
단자 4는 개방된 형태로 두어 도 4의 링 공진기를 구현하고, 상기 인터디지탈 커패시터(9)의 커패시턴스 값은 여러 가지 파라메터에 의해 결정되는데, 핑거(finger)의 너비는 W, 두 핑거(finger) 사이의 간격을 G, 접합라인의 너비를 WT, 핑거(finger) 끝부분 간격을 GE, 핑거(finger)의 길이를 L이라 정한다.
상기 링 공진기(1)내부에 포함된 하나의 로컬 공진 부분(LRS-Local Resonant Sector)(5)을 구성한다.
도 7은 두개의 로컬 공진 부분을 갖는 인터디지탈 측면 커플링 구조로 구성된 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 로서, 상기 도 6의 링 대역통과 필터에 구성된 로컬 공진 부분(10)과 서로 대향되는 위치에 또 다른 로컬 공진 부분(11)을 구성하여서 된 것이다.
상기의 구성으로 이루어진 본 발명에 대하여 마이크로웨이브 회로 디자인 툴(CAD Tool), HP EEsof Libra ver. 6.1에 의한 시뮬레이션 결과와 회로망 분석기(Network Analyzer)에 의한 측정결과를 도 8 및 도 9을 참조하여 분석하면 다음과 같다.
도 8은 본 발명 상기 도 6의 삽입손실 및 반사손실에 대한 시뮬레이션 및 측정 결과 그래프이다.
도 9은 본 발명 상기 도 7의 삽입손실 및 반사손실에 의한 시뮬레이션 및 측정 결과 그래프이다.
도 8 및 도 9를 참조하여 설명하면, 상기 그래프(도 8),(도 9)에서 가는 선은 시뮬레이션 결과를 나타내고, 굵은 선은 회로망 분석기에 의해 측정된 측정결과를 나타낸다.
본 발명은 상기 종래의 링 대역통과 여파기에 비해 첫 번째 공진모드에서 삽입손실과 반사손실을 각각 30dB, 15dB 이상 향상시키며, 상기 도 2의 집중소자 커플링 커패시터를 이용한 대역통과 여파기에 비해 평면형 구조라는 장점이 있으며, 도 3의 커플라인 마이크로스트립 링 대역통과 여파기에 비해 삽입손실과 반사손실이 각각 0.5dB, 5dB 이상 향상되었다.
또한, 통과대역을 중심으로 낮은 주파수 대역과 높은 주파수 대역에 각각 강한 억압이 생기는데, 높은 주파수 대역의 억압은 입력선로와 출력선로를 서로 90도 각도가 나도록 급전한 구조에 의해서 생성되는 것이며, 낮은 주파수 대역의 억압은 링 공진기 내부의 로컬 공진 부분에 의하여 생성되는 것으로, 이러한 억압 특성은 감쇄극 (Attenuation Pole)(12)에 해당된다.
상기의 억압 특성과 공진모드의 스플릿 정도를 좀 더 살펴보기 위해 도 10 , 도 11, 및 도 12,도 13,도 14, 도 15를 참조하여 로컬 공진 부분의 길이와 넓이의 변화에 따른 특성의 변화를 살펴보면 다음과 같다.
도 10은 본 발명 상기 도 6의 로컬 공진 부분 길이의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 11은 본 발명 상기 도 6의 로컬 공진 부분 넓이의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 10 및 도 11을 참조하여 설명하면, 먼저, 도 10에서 보면, 로컬 공진 부분(5)의 길이를 전체 링 원주의 1/3, 1/4, 1/5로 변화시켜감에 따라 통과대역 양쪽의 감쇄극(12)이 중심주파수로부터 멀리 이동함을 알 수 있다.
또한 도 11에서 보면, 로컬 공진 부분(5)의 넓이를 1.44mm에서 1.89mm까지 0.05mm씩 넓혀감에 따라 통과대역의 좌측 감쇄극이 점차적으로 중심주파수에 가까워짐을 알 수 있다. 또한 공진모드의 스플릿 되는 정도가 줄어듬을 확인 할 수 있다.
도 12는 본 발명 상기 도 7의 로컬 공진 부분(10)의 길이 θ1의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 13은 본 발명 상기 도 7의 로컬 공진 부분(11)의 길이 θ2의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 14는 본 발명 상기 도 7의 로컬 공진 부분(10)의 넓이 D1의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 15는 본 발명 상기 도 7의 로컬 공진 부분(11)의 넓이 D2의 변화에 따른 시뮬레이션 결과 그래프이다.
상기 도 12와 도 13를 참조하여 설명하면, 로컬 공진 부분(10),(11)의 길이는 감쇄극의 위치에 많은 영향을 주며, 상기 도 14와 도 15를 참조하여 설명하면, 로컬 공진 부분(10)(11)의 넓이는 감쇄극의 위치와 공진모드의 스플릿되는 정도에 큰 영향 줌을 알 수 있다.
상기와 같은 이중모드 링 대역통과 여파기의 유전체 기판위의 회로 제조과정을 설명하면 다음과 같다.
도 16은 본 발명의 유전체 기판상에 링 대역통과 여파기의 제작과정을 나타내는 예시도 로서,
컨덕터(13)의 내부에 유전체(15)가 채워진 기판을 원하는 회로의 크기만큼 기판을 절단한다(L100).
상기 과정(L100)에서 기판이 절단되면, TRP 포토레지스트(14) 용액을 얇게 도포한다(L200).
상기 과정(L200)에서 TRP 포토레지스트(14)가 기판위에 도포되면, 링 대역통과 여파기의 패턴을 가진 음각필름(16)을 기판위에 올려 놓은 뒤 자외선 노광기에 쬔다(L300).
상기 과정(L300)에서 자외선에 쬐어진 기판은, 현상액에 넣어져 자외선을 쬔부분은 회로로 남고 나머지 부분을 지워진다(L400).
상기 과정(L400)에서 기판위에 원하는 패턴의 회로가 남게 되면, 염화제이철 용액에 넣어서, 자외선에 쬐인 컨덕터(13) 부분은 링 공진기 회로로 남고 나머지 컨덕터(13) 부분은 식각 한다.
또한, 상기와 같은 링 공진기는 그 구조가 간단하기 때문에 반도체 기판위에 제작하기가 무척 용이하다.
상기의 링 공진기 제조과정의 또다른 실시예인 반도체 공정을 이용한 제조과정에 관하여 도 17을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 17는 반도체 기판상에 링 공진기의 제작과정을 나타내는 예시도 로서, S.I. GaAs 기판을 회로의 크기만큼 적절히 절단(scribing)한 다음 청정실에서 아세톤, 메탄올, 프로판올 등으로 기판을 세척한다(S100).
상기 과정(S100)에서 기판이 세척되면, AZ5214E 포토레지스트(14)를 기판위에 도포(spinning)한다(S200).
상기 과정(S200)에서 포토레지스트(14)가 기판위에 도포되면, UV 마스크 알레이너(mask aligner)를 사용하여 원하는 회로의 패턴을 만든다(S300).
상기 과정(S300)에서 회로패턴이 만들어지면, E-beam 증착법을 통해 금속(17)을 반도체에 증착시킨다(S400).
상기 과정(S400)에서 금속(17)이 반도체에 증착되면, 상기 기판을 아세톤에 담가 상기 과정(S200)에서 도포(spining)된 포토레지스트(14) 부분을 제거하여(lift-off) 원하는 회로의 금속 패턴을 얻게 된다(S500).
상기의 공정으로 만들어진 링 공진기는 고주파용 소자이기 때문에 가능한 금속부분이 두꺼울수록 손실이 적게 되며, 이러한 두꺼운 금속증착을 위해서는 E-빔 증착법보다는 금도금법(Gold Plating)이 더 적절한 프로세스이다.
상기의 모든 과정을 거쳐서 본 발명이 의도하는 대로 인터디지탈 측면 커플링 구조로 구성된 마이크로스트립 링 대역통과 여파기가 구현된다.
이상의 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 필터의 커플링 효율을 향상시키기 위하여 모노리식MIC 구조에 적합한 평면형의 인터디지탈 커패시터 커플링 구조를 구성함으로써, 첫번째 공진 모드에서 삽입손실과 반사손실을 향상시키고, 두 번째 링 공진기 내부에 로컬 공진부분을 적용함으로써 공진모드의 스플릿 정도 즉 대역폭을 용이하게 조절할 수 있으며, 소형, 경량화된 간단한 구조의 협대역 여파기로 앞으로의 차세대 통신 시스템에 응용될 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 마이크로 웨이브가 입력되는 입력선로와, 상기 입력선로를 통한 마이크로 웨이브의 공진이 발생하는 링 공진기와, 상기 링 공진기에서 공진된 마이크로 웨이브가 출력되는 출력선로로 구성된 이중 모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기에 있어서,
    상기 입력선로와 출력선로를 90도 차이가 나도록 링 공진기에 급전되게 하고, 상기 입,출력선로와 링 공진기사이의 커플링 부분을 인터디지털 커패시터를 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인터지디털 커패시터는 단자 1을 입력선로 또는 출력선로와 연결하고, 단자 2와 3은 링 공진기에 삽입하며, 단자 4는 개방된 형태로 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 링 공진기의 내부에는 하나의 로컬 공진 부분을 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 링 공진기에 구성된 로컬 공진 부분과 서로 대향되는 위치에 또 다른 로컬 공진 부분을 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다른 로컬 공진 부분은 상기 로컬 공진 부분보다 넓이를 좁게 형성하여서 된 것을 특징으로 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기.
  6. 유전체의 식각에 의한 공정으로 제조되는 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 제조 방법에 있어서,
    컨덕터의 내부에 유전체가 채워진 기판을 원하는 회로의 크기만큼 기판을 절단하는 과정과;
    상기 기판절단과정에서 기판이 절단되면, TRP 포토레지스트 용액을 얇게 도포하는 과정과;
    상기 과정에서 TRP 포토레지스트가 기판위에 도포되면, 링 대역통과 여파기의 패턴을 가진 음각필름을 기판 위에 올려놓은 뒤 자외선 노광기에 쬐는 과정과;
    상기 과정에서 자외선에 쬐어진 기판은 현상액에 넣어져 자외선을 쬔부분은 회로로 남고 나머지 부분을 지워주는 과정과;
    상기 지워주는 과정에서 기판위에 원하는 패턴의 회로가 남게 되면, 염화제이철 용액에 넣어서, 자외선에 쬐인 컨덕터 부분을 링 공진기 회로만을 남기고 나머지 컨덕터부분을 식각하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 제조 방법
  7. 반도체 제조 공정으로 제조되는 이중모드 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 제조 방법에 있어서,
    S.I. GaAs 기판을 회로의 크기만큼 적절히 절단한 다음 청정실에서 아세톤, 메탄올, 프로판올 등으로 기판을 세척하는 과정과;
    상기 과정에서 기판이 세척되면, AZ5214E 포토레지스트를 기판위에 도포하는 과정과;
    상기 과정에서 포토레지스트가 기판위에 도포되면, UV mask aligner를 사용하여 원하는 회로의 패턴을 만드는 과정과;
    상기 과정에서 회로패턴이 만들어지면, E-beam 증착법을 통해 금속을 반도체에 증착시키는 과정과;
    상기 과정에서 금속이 반도체에 증착되면, 상기 기판을 아세톤에 담가 상기 도포된 포토레지스트 부분을 제거하여 원하는 회로의 금속 패턴을 얻는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속을 반도체에 증착시키는 과정에서 두꺼운 금속증착을 위해 금도금법(Gold Plating)을 사용하여서 된 것을 특징으로 하는 인터디지탈 측면 커플링을 갖는 마이크로스트립 링 대역통과 여파기 제조 방법
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