KR20010072178A - 커패시터 및 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
커패시터는, 양극 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박과; 거친 제1금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 양극박에 전기적으로 접속되는 양극용 리드부재와; 그것들 사이에 세퍼레이터를 삽입하여 양극박에 대향하는 음극박과; 음극박에 전기적으로 접속되는 음극용 리드부재; 및 전해질이 충진되어 양극박, 양극용 리드부재, 음극박 및 음극용 리드부재를 수용하는 컨테이너를 포함한다. 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 동안에 사용되는 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위해 사용되는 것의 약 70% 보다 높거나 또는 균등하다.
Description
도 3은, 컨테이너(9)의 개구부가 밀봉체(6)로서 밀봉된 컨테이너(9)내에 수용된 커패시터 소자(34)를 포함하는 종래의 스냅인(snap-in) 형태의 알루미늄 전해 커패시터(30)를 나타낸다. 컨테이너(9)는 전해질에 함침된 커패시터 소자(34)와 함께 전해질로서 충진되어 있다. 커패시터 소자(34)는, 그 사이에 삽입된 세퍼레이터(36)와 함께 모두 감겨진 양극박 및 음극박을 포함하며, 양극용 리드부재(35a)와 음극용 리드부재(35b)를 구비하고 있다. 양극용 리드부재(35a)와 음극용 리드부재(35b)는 밀봉체(6)에 고정된 각각의 리벳(7)을 경유하여 외부 단자(8)에 접속되어 있다.
양극박은, 그것의 표면적을 증가시키기 위하여 알루미늄 평박(平箔)의 한쪽 표면을 거칠게 하고, 이 거칠게 된 표면상에 양극 산화 처리 공정을 통하여 유전체 필름을 형성함으로써 제조된다. 알루미늄 평박상에 유전체 필름을 형성함으로써 제조된 양극용 리드부재는 소정의 위치에서 상기한 바와 같이 제조된 양극박에 접속되어 있다. 따라서 유전체 필름은 양극박의 거칠게 된 표면과 또한 평평한 양극용 리드부재의 표면상에 형성된다.
음극박은, 알루미늄 평박의 한쪽 표면을 소정의 표면 불규칙성으로 거칠게 함으로써 유사하게 형성된다. 알루미늄 평박으로 제조된 음극용 리드부재는 소정의 위치에서 음극박에 접속되어 있다.
그러나, 위에서 설명한 형태의 종래 전해 커패시터는 이하에서 설명하는 바와 같은 문제를 가지고 있다. 커패시터에 대한 계속적인 전압의 인가는 유전체 필름에 균열이 발생할 수 있을 정도로 커패시터가 과부하되는 결과로 되기 쉽다. 이 균열은 알루미늄 평박의 부분적인 노출로 이어지고 다음에는 전류가 양극박의 노출 평박으로부터 세퍼레이터에 함침된 전해질을 통해 음극박으로 누설되는 것을 허용하게 된다. 그 다음, 전해질은 그 안에서 흐르는 누설 전류에 의해 전해되어, 노출된 평박의 표면상에 유전체 필름을 석출함으로써 파괴된 유전체 필름을 복구하게 된다. 이때, 전해질이 전해됨에 따라 유해한 가스가 발생된다.
또 다른 문제는, 양극박 및 음극박 모두 그것의 표면에 형성된 유전체 필름을 가진 커패시터에서 유전체 필름이 파괴될 때, 유사하게 유해한 가스가 발생하는 경향이 있다. 이 가스 발생을 피하기 위해 과거에 시도, 특히 양극박상의 유전체 필름의 개선에 의한 시도가 이루어 졌으나, 이것들은 가스 발생을 방지하는데 성공적이지 못했다.
본 발명은, 그 사이에 위치한 세퍼레이터(separator)를 경유하여 서로 대향된 양극박(陽極箔) 및 음극박(陰極箔)을 포함하는 커패시터, 및 이 커패시터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예를 따른 전해 커패시터의 분해 사시도.
도 2A는 본 발명의 실시예를 따른 전해 커패시터에 사용되는 전극박 및 리드부재의 도면.
도 2B는 본 발명을 실시하는 커패시터에 사용되는 양극용 리드부재의 확대 개략도.
도 2C는 도 2B의 선 2C-2C'를 따른 단면도.
도 3은 종래 전해 커패시터의 개략 단면도.
따라서 본 발명은 위에서 설명한 문제를 해결하기 위한 것이며, 본 발명의목적은, 누설 전류가 감소되어 발생 유해 가스량을 감소시키는 커패시터를 제공하고, 또한 이 커패시터의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 발명자는 상기 문제에 대하여 집중적으로 연구하여 다음의 연구 결과를 얻었다. 양극용 리드부재가 알루미늄 평박상에 유전체 필름을 형성함으로써 제조될 때, 양극용 리드부재의 표면상에 그렇게 형성된 유전체 필름은 균열에 취약하다. 이것은, 알루미늄 평박의 평탄한 표면상에 형성된 유전체 필름이 안정적이지 못하기 때문이다. 양극용 리드부재가 커패시터내의 전해질에 잠겨지기 때문에, 파괴 및 복구가, 양극박의 표면상에서 유전체 필름상에 발생하는 경우와 같이, 양극용 리드부재의 표면상에서 유전체 필름상에 발생한다. 결과적으로, 양극용 리드부재의 표면상의 유전체 필름이 파괴 또는 복구될 때, 가스가 발생된다. 양극용 리드부재의 표면상의 유전체 필름이 파괴 또는 복구될 때 발생되는 가스의 양은, 양극박의 표면상의 유전체 필름이 파괴 또는 복구될 때 발생되는 것 보다 약 20배 내지 30배의 양이 된다. 이것은 가스의 발생이 거의 양극용 리드부재의 유전체 필름의 파괴에 기인한다는 것을 의미한다. 또한 양극용 리드부재의 유전체 필름은 음극용 리드부재의 표면상의 유전체 필름 보다 파괴되기가 더욱 쉽다고 판명되었다.
본 발명은 위에서 설명한 바와 같은 발명가에 의해 수행된 연구 결과를 기초로 하고 있다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 커패시터는, 양극(陽極) 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박과; 거친 제1금속코어(core) 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 양극박에 전기적으로 접속되는 양극용 리드부재와; 그 사이에 삽입된 세퍼레이터와 함께 양극박에 대향하는 음극박과; 음극박에 전기적으로 접속되는 음극용 리드부재; 및 전해질이 충진되어 양극박, 양극용 리드부재, 음극박 및 음극용 리드부재를 수용하는 컨테이너를 포함한다. 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 동안에 사용되는 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 동안에 사용되는 것의 약 70% 보다 높거나 또는 균등하다.
양극용 리드부재가 거친 제1금속코어(즉, 제1금속코어의 표면적이 증가됨) 및 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하기 때문에, 양극용 리드 유전체 필름은 금속박의 표면에 단단히 피복되며, 이 양극용 리드 유전체 필름은 균열이 발생하기 어렵다. 또한 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위해 사용되는 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위해 사용되는 것의 약 70% 보다 높거나 또는 균등하기 때문에, 충분한 두께를 가진 유전체 필름이 양극용 리드부재의 표면에 형성된다. 따라서, 양극용 리드 유전체 필름은 균열에 덜 취약하다. 결과적으로, 누설 전류가 억제될 수 있어서 가스 발생을 감소시키게 된다. 여기에서 사용하는 바와 같이, 용어 "양극 산화"는 전해질내에서 금속박상에 유전체 필름을 피복시키는 전기 화학 공정을 나타낸다. 양극 처리중에 사용되는 전압을 양극 산화 처리 전압이라고 한다. 양극 산화 처리 전압의 양이 유전체 필름의 두께와 비교 관계를 가지고 있을지라도, 형성되는 유전체 필름의 두께는 양극 산화 처리 전압의 양에 따라 변한다.
바람직하게는, 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 것의 약 80% 보다 높거나 또는 균등하다. 이것은 양극용 리드 유전체 필름이 금속박의 표면상에 더 단단히 피복되도록 허용하고, 또한 양극용 리드 유전체 필름의 균열 가능성을 최소화하기에 유효하다.
음극박이 그 위에 피복된 음극박 유전체 필름을 가지며, 음극용 리드부재가 거친 제2금속코어 및 거친 것 위에 피복된 음극용 리드 유전체 필름을 포함한다면, 높은 내구성의 커패시터를 얻을 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 커패시터는, 양극 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박과; 거친 제1금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 양극박에 전기적으로 접속되는 양극용 리드부재와; 그 사이에 세퍼레이터를 삽입하여 양극박에 대향하는 음극박과; 거친 제2금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 음극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 음극박에 전기적으로 접속되는 음극용 리드부재; 및 전해질이 충진되어 양극박, 양극용 리드부재, 음극박 및 음극용 리드부재를 수용하는 컨테이너를 포함한다.
양극용 리드부재가 거친 제1금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하고, 음극용 리드부재가 거친 제2금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 음극용 리드 유전체 필름을 포함하기 때문에, 양극용 리드 유전체 필름과 음극용 리드 유전체 필름 모두는 균열이 발생하기 어렵다. 결과적으로, 누설 전류가 억제될 수 있어서 가스 발생을 감소시키게 된다.
양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 70%에 균등하거나 또는 더 큰 것이 바람직하다.
양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 80%이거나 또는 더 큰 것이 더욱 바람직하다.
거친 제1 및 제2금속코어는, 전해부식방법, 화학부식방법 및 분사가공방법을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법을 사용하여 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 커패시터 제조방법은, 가) 양극 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박을 준비하는 단계와; 나) 제1금속코어를 거칠게 하는 단계와; 다) 양극용 리드부재를 형성하기 위해 양극 산화에 의해 제1금속코어상에 양극용 리드 유전체 필름을 피복시키는 단계와; 라) 양극박에 양극용 리드부재를 전기적으로 접속시키는 단계와; 마) 그 사이에 세퍼레이터를 삽입하여 양극박에 음극박을 대향시키는 단계와; 바) 음극박에 음극용 리드부재를 전기적으로 접속시키는 단계와; 사) 양극박 및 음극박과, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재를 전해질이 충진된 컨테이너내로 침적시키는 단계를 포함한다. 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 것의 약 70%에 균등하거나 또는 더 크다.
제1금속코어가 거칠게 되고 양극용 리드 유전체 필름이 양극용 리드부재를 형성하기 위해 양극 산화에 의해 제1금속코어상에 피복되기 때문에, 양극용 리드 유전체 필름은 금속박의 표면에 단단히 피복되며, 이 양극용 리드 유전체 필름은균열이 발생하기 어렵다. 또한 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 70% 보다 크거나 또는 균등하기 때문에, 충분한 두께를 가진 유전체 필름이 양극용 리드부재의 표면에 형성된다. 따라서, 양극용 리드 유전체 필름은 균열되기 어렵다. 결과적으로, 누설 전류가 억제될 수 있어서 가스 발생을 감소시키게 된다.
양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 것의 약 80%에 균등하거나 또는 더 큰 것이 바람직하다.
단계 (나), 단계 (라) 및 단계 (다)는 이 순서로서 실행될 수 있다.
단계 (나)는 단계 (라) 이후에 실행될 수도 있다.
단계 (나), 단계 (다) 및 단계 (라)는 이 순서로서 실행될 수도 있으며, 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화의 조건은 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 것과 동일하다.
커패시터 제조방법은, 아) 제2금속코어를 거칠게 하는 단계와; 자) 음극용 리드부재를 형성하기 위하여 양극 산화에 의해 제2금속코어상에 음극용 리드 유전체 필름을 피복시키는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
단계 (아), 단계 (바) 및 단계 (자)는 이 순서로서 실행될 수도 있다.
단계 (아)는 단계 (바) 이후에 실행될 수도 있다.
단계 (아), 단계 (자) 및 단계 (바)는 이 순서로서 실행될 수도 있으며, 양극박 유전체 필름, 양극용 리드 유전체 필름 및 음극용 리드 유전체 필름을 피복시키기 위한 양극 산화의 조건은 동일하다.
단계 (나)는 전해부식방법, 화학부식방법 및 분사가공방법을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법을 사용하여 실행하는 것이 바람직하다.
본 발명은, 동일 부품은 동일 참조 숫자로 나타낸 첨부 도면을 참조하는 바람직한 실시예의 다음 설명으로부터 쉽게 이해될 것이다.
본 출원은 일본국에서 각각 1999년 6월 4일자 및 2000년 3월 31일자로 출원된 출원번호 제11-157879호 및 제2000-162230호에 근거하며, 그 내용을 참고로 본원에 결부하였다.
본 발명의 바람직한 실시예를 도 1, 도 2A, 도 2B 및 도 2C를 참조하여 아래에서 설명한다.
(실시예 1)
제1실시예에 따른 커패시터는, 유전체 필름이 양극용 리드부재의 표면상에 형성되고 안정되어 균열이나 또는 어느 다른 결함이 발생되기 어려운 설계의 것이다. 제1실시예의 커패시터(20)는, 커패시터를 동작시키기 위해 전해질(전해액)로 충진된 컨테이너(9)내에 수용된 커패시터 소자(4)를 포함하며, 컨테이너(9)의 개구부는 도 1에 나타낸 바와 같이 밀봉체(6)로서 밀봉되어 있다.
커패시터 소자(4)는, 그 사이에 삽입된 세퍼레이터(4a)의 길이 부분과 함께 각각 양극박 및 음극박(4b 및 4c)의 길이 부분을 감아서 제조한 롤(roll)을 포함한다. 결과적으로 생긴 롤, 즉, 커패시터 소자(4)는 커패시터를 동작시키기 위하여 전해질에 침적되어 있다. 또한 커패시터는, 각각 양극박(4b) 및 음극박(4c)에 전기적으로 접속되는 양극용 리드부재(5b) 및 음극용 리드부재(5c)를 포함한다. 양극용 리드부재(5b)는, 양극박(4b)의 길이 부분의 길이 감각에 수직 방향에서 수직으로 연장하기 위해 양극박(4b)에 접속된다. 음극용 리드부재(5c)는, 유사하게 음극박(4c)의 길이 부분의 길이 감각에 수직 방향에서 수직으로 연장하기 위해 음극박(4c)에 접속된다. 양극용 리드부재(5b) 및 음극용 리드부재(5c)는 다음에는 밀봉체(6)에 고정된 각각의 리벳(나타내지 않음)을 경유하여 외부 단자(8)에 접속된다.
커패시터 소자(4)를 그 사이에 삽입된 세퍼레이터(4a)와 함께 양극박(4b) 및 음극박(4c)의 감김에 의해 형성된 롤 형상으로 설명하고 있으나, 본 발명이 이 구조로서 제한되는 것은 아니고, 양극박 및 음극박이 세퍼레이터가 사이에 들어 서로 대향하는 한 어떤 구조에도 적용 가능하다.
양극박(4b)은 알루미늄박의 표면상에 유전체 필름을 형성하여 이것을 소정의 크기로 절단함으로써 제조된다. 도 2A에 나타낸 바와 같이, 양극용 리드부재(5b)는 소정의 위치에서 양극박(4b)에 접속되고, 양극박(4b)의 길이 감각에 수직방향에서 수직으로 연장하기 위해 양극박(4b)에 접속된다.
도 2B는 양극용 리드부재(5b)의 확대 개략도이고, 도 2C는 도 2B의 선 2C-2C'를 따른 단면도이다. 도 2B 및 도 2C에 나타낸 바와 같이, 제1실시예에 따른 커패시터(20)의 양극용 리드부재(5b)는, 알루미늄박의 형상으로 사용되는 금속코어(10)의 표면상에 유전체 필름(양극용 리드 유전체 필름)을 형성함으로써 제조된다. 금속코어(10)의 표면은 금속코어(10)가 증가된 표면적을 갖도록 거칠게 되어 있다. 도 2C에 나타낸 바와 같이, 양극용 리드 유전체 필름(11)은 금속코어(10)의 거칠게 된 표면을 따라 형성되어 있다. 금속코어(10)의 표면을 거칠게 하는 것은 금속코어(10)의 미끄러운 표면적이 감소하게 되고, 따라서 유전체 필름(11)이 금속코어(10)의 표면과 단단히 연결될 수 있어서 균열의 발생을 어렵게 한다. 금속코어(10)의 표면상에 형성된 유전체 필름(11)에서 발생하는 균열은 평평한 금속 표면상에 형성된 유전체 필름의 균열 보다 작다. 결과적으로, 금속코어(10)의 거칠게 된 표면상에 형성된 유전체 필름(11)은 균열이 발생하기 어렵고 안정적이다.
음극박(4c)은 알루미늄박의 표면상에 유전체 필름(음극박 유전체 필름)을 형성하여 이것을 소정의 크기로 절단함으로써 제조되며, 음극용 리드부재(5c)는 알루미늄박을 소정의 크기로 절단함으로써 제조된다. 위에서 설명한 양극용리드부재(5b)의 경우와 같이, 음극용 리드부재(5c)는 또한 음극박(4c)의 소정의 위치에 접속되고, 음극박(4c)의 길이 부분의 길이 감각에 횡단방향에서 수직으로 연장하기 위해 음극박(4c)에 접속된다.
위에서 설명한 제1실시예에 따른 커패시터(20)에서, 양극용 리드(5b)가 거칠게 된 표면을 가진 금속코어(10)를 포함하고 양극용 리드 유전체 필름이 거칠게 된 표면상에 피복되어 있기 때문에, 양극용 리드 유전체 필름은 금속 표면상에 단단하고 안정적으로 구성될 수 있다. 따라서, 커패시터를 통해 계속적인 전압 인가의 결과로서 양극용 리드부재(5b)에 부하가 걸릴 때일지라도 양극용 리드 유전체 필름에 균열이 발생하지 않으며, 전기적으로 도전성인 양극용 리드부재(5b)의 금속코어(10)의 노출 부분은 전해질과 직접 접촉하지 않는다. 결과적으로, 전해질을 통해서 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재 사이에 누설 전류가 흐르지 않으며, 따라서 누설 전류에 의해 초래되는 전해질의 전기분해중 발생되는 것으로부터 유해 가스를 방지하게 된다.
제1실시예에 따른 커패시터(20)의 제조방법을 아래에서 설명한다. 우선, 거친 표면을 갖도록 처리된 알루미늄박에 양극 산화를 인가하고, 이어서 그것의 거친 표면상에 유전체 필름(양극박 유전체 필름)을 피복시킨다. 다음에 알루미늄박을 소정의 크기로 절단함으로써 양극박(4b)을 구성한다. 양극 산화를 유사하게 알루미늄박에 인가하여 그것의 표면상에 유전체 필름(음극박 유전체 필름)을 형성시키고, 이 알루미늄박을 다음에 소정의 크기로 절단함으로써 음극박(4c)을 구성한다.
제1실시예에 따른 커패시터(20)에 대하여, 각각 유전체 필름이 양극박(4b)및 음극박(4c)상에 형성되나, 본 발명이 이 구조로서 제한되는 것은 아니며, 유전체 필름이 단지 양극박(4b)상에만 형성될 수도 있다. 유전체 필름이 음극박상에 형성되는 경우에, 리플(ripple) 전류가 커패시터를 통해 흐를 때 발생하는 전기적 스트레스를 흡수할 수 있으며, 커패시터의 내구성을 증가시킬 수 있다.
다음, 위에서 설명한 방식으로 알루미늄박의 표면이 거칠게 된 후에, 양극용 리드부재(5b)를 제조하기 위해, 알루미늄박을 소정의 크기로 절단한다. 음극용 리드부재(5c)는 알루미늄박을 소정의 크기로 절단함으로써 제조된다.
다음 양극용 리드부재(5b) 및 음극용 리드부재(5c)는 그것의 소정의 위치에서 양극박(4b) 및 음극박(4c)에 접속된다. 양극박 유전체 필름이 양극박(4b) 및 양극용 리드부재(5b) 사이에 존재할지라도, 양극박 유전체 필름의 일부는 양극박(4b) 및 양극용 리드부재(5b)가 구획되어 거기에서 접속될 수 있도록 제거됨으로써, 양극용 리드부재(5b)가 양극박(4b)에 전기적으로 접속하게 된다. 음극용 리드부재(5c) 및 음극박(4c)은 유사하게 접속된다. 그 후, 유전체 필름(양극용 리드 유전체 필름)은, 양극박(4b)의 소정의 위치에 접속된 양극용 리드부재(5b)의 표면상에 형성된다. 따라서 양극박(4b)에 접속되고 그것의 표면에 형성된 유전체 필름을 가진 양극용 리드부재(5b)가 완성된다.
양극용 리드부재(5b)에 접속된 양극박(4b) 및 음극용 리드부재(5c)에 접속된 음극박(4c)은 그 사이에 삽입된 세퍼레이터(4a)와 함께 계속해서 감겨짐으로써 커패시터 소자(4)를 완성하게 된다. 결과로서 생기는 커패시터 소자(4)는 컨테이너(9)내의 전해질에 침적되기 위해 컨테이너(9)내에 수용된다. 최종적으로,컨테이너(9)의 개구부가 밀봉체(6)로 밀봉됨으로써 커패시터(20)가 완성된다.
양극용 리드부재(5b)는, 위에서 설명한 방법으로 양극용 리드부재(5b)가 양극박(4b)에 부착되기 이전에 표면이 거칠게 된다. 그러나, 본 발명은, 이 방법에 한정되는 것은 아니고, 양극용 리드부재(5b)는 양극박(4b)에 부착된 이후에 표면이 거칠게 될 수도 있다.
또한 유전체 필름은, 양극용 리드부재를 완성하기 위해 양극용 리드부재(5b)가 양극박(4b)에 접속되기 이전에 양극용 리드부재(5b)의 표면상에 형성될 수도 있다. 이 경우, 양극용 리드부재상에 유전체 필름을 형성하기 위해 수행되는 양극 산화 조건과 양극박상에 유전체 필름을 형성하기 위해 수행되는 양극 산화 조건은 바람직하게는 서로 동일하며, 양극용 리드 유전체 필름의 형성 공정과 양극박 유전체 필름의 형성 공정은, 하기의 예 3과 관련하여 설명하는 바와 같이, 동일 설비를 이용하여 수행할 수 있다.
(실시예 2)
제2실시예에 따른 커패시터를 아래에서 설명한다. 제2실시예에 따른 커패시터는, 양극용 리드부재 뿐만아니라 음극용 리드부재도 표면이 거칠게 된 알루미늄박으로부터 형성된다는 점에서 제1실시예에 따른 커패시터(20)와 상이하다.
제2실시예에 따른 커패시터의 음극용 리드부재는, 표면이 거칠게 된 금속박의 유전체 필름(음극용 리드 유전체 필름)을 형성시킴으로써 제조된다. 양극용 리드 유전체 필름은, 도 2B 및 도 2C에 나타낸 양극용 리드 유전체 필름에 유사한 방식으로 음극용 리드부재의 거칠게 된 표면상에 형성된다. 금속박의 표면을 거칠게함으로써, 금속박의 미끄러운 표면적이 감소하게 되고, 음극용 리드 유전체 필름 및 금속박의 표면이 단단하고 안정적으로 서로 연결될 수 있으며, 따라서 균열의 발생을 어렵게 한다. 음극용 리드 유전체 필름에서 발생하는 균열은 평평한 금속 표면상에 형성된 유전체 필름의 균열 보다 작다. 결과적으로, 음극용 리드부재의 거칠게 된 표면상에 형성된 음극용 리드 유전체 필름은 균열이 발생하기 어렵고 안정적이다.
제2실시예에 따른 커패시터에서, 양극용 리드부재가 표면이 거칠게 된 금속코어(제1금속코어)를 포함하고 양극용 리드 유전체 필름이 거칠게 된 표면상에 피복되어 있으며, 음극용 리드부재가 유사하게 표면이 거칠게 된 금속코어(제2금속코어)를 포함하고 음극용 리드 유전체 필름이 거칠게 된 표면상에 피복되어 있기 때문에, 양극용 리드 유전체 필름 및 음극용 리드 유전체 필름은 각각 제1 및 제2금속코어의 표면상에 단단하고 안정적으로 피복될 수 있다. 따라서, 커패시터를 통해 전압이 계속적으로 인가될 때에도 유전체 필름의 균열은 신뢰할 만큼 억제될 수 있다. 결과적으로, 누설 전류가 억제됨으로써 누설 전류에 의한 전해질의 전기분해에 의해 발생되는 것으로부터 유해 가스를 방지하게 된다.
제2실시예에 따른 커패시터의 음극용 리드부재는, 이전에 설명한 제1실시예의 커패시터(20)의 양극용 리드부재와 유사한 방법에 의해 제조될 수 있다. 음극용 리드부재 이외의 부재를 조립하는 방법은 제1실시예의 커패시터(20)를 조립하는 방법과 유사하다.
본 발명의 실행에서, 알루미늄박의 표면을 거칠게 하기 위해 전해부식, 화학부식, 및 분사가공방법등의 사용이 바람직하다. 이러한 공정으로써, 금속박의 표면이 용이하게 거칠게 될 수 있다.
이하에서, 본 발명을, 범주를 제한하는 것이 아니고 설명을 목적으로 제안되는 예의 방법으로 설명한다.
(예 1)
알루미늄 전해 커패시터는 다음의 공정으로 제조된다. 우선, 양극용 리드부재를 제조하기 위해서, 알루미늄 평박을 표면을 거칠게 하기 위해 질산을 포함하고 있는 부식액내에서 전해부식을 시킨다. 다음에 알루미늄박을 소정의 크기로 절단한다. 음극 리드는 알루미늄 평박을 소정의 크기로 절단함으로써 제조된다.
알루미늄박의 표면을 거칠게 하고 약 520 V에서 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 양극박을 제조한다. 다음, 양극용 리드부재를 소정의 위치에서 양극박에 부착한다.
음극박은, 알루미늄박의 표면을 거칠게 하고 약 2 V에서 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 제조된다. 다음에 음극용 리드부재를 소정의 위치에서 음극박에 부착한다.
0.50 g/㎤의 밀도 및 50 ㎛의 두께를 가진 한장의 마닐라지(Manila paper)를 폭이 약 39 mm 및 길이가 약 600 mm로 절단하여 세퍼레이터를 제조한다. 세퍼레이터를 그 사이에 끼운 양극박 및 음극박의 층을 감아서 커패시터 소자를 완성한다.이 커패시터 소자를 전해질이 충진된 컨테이너내에 수용하여, 이 컨테이너의 개구부를 커패시터 소자로부터 나온 리드부재를 고정하기 위한 리벳을 가진 밀봉체로써 밀봉시키고, 거기에 430 V의 전압을 인가하여 1 시간 동안 에이징을 수행한다. 이 에이징 공정에 의해, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재의 표면상에 유전체 필름이 형성됨으로써 예 1의 알루미늄 전해 커패시터가 완성된다.
(예 2)
알루미늄 전해 커패시터는 다음의 공정으로 제조된다. 우선, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재를 제조하기 위해서, 알루미늄 평박을 표면을 거칠게 하기 위해 질산을 포함하고 있는 부식액내에서 전해부식을 시킨다. 다음에 알루미늄박을 소정의 크기로 절단한다.
알루미늄박의 표면을 거칠게 하고 약 520 V의 전압에서 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 양극박을 제조한다. 다음에 양극용 리드부재를 소정의 위치에서 양극박에 부착한다. 음극박은, 알루미늄박의 표면을 거칠게 하고 약 2 V의 전압이 인가된 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 제조된다. 다음에 음극용 리드부재를 소정의 위치에서 음극박에 부착한다.
0.50 g/㎤의 밀도 및 50 ㎛의 두께를 가진 한장의 마닐라지(Manila paper)를 폭이 약 39 mm 및 길이가 약 600 mm로 절단하여 세퍼레이터를 제조한다. 세퍼레이터를 그 사이에 끼운 양극박 및 음극박의 층을 감아서 커패시터 소자를 구성한다.이 커패시터 소자를 전해질이 충진된 컨테이너내에 수용하여, 이 컨테이너의 개구부를 커패시터 소자로부터 나온 리드부재를 고정하기 위한 리벳을 가진 밀봉체로써 밀봉시키고, 430 V의 인가 전압으로 1 시간 동안 에이징을 수행한다. 이 에이징 공정에 의해, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재의 표면상에 유전체 필름이 형성됨으로써 예 2의 알루미늄 전해 커패시터가 완성된다.
(예 3)
알루미늄 전해 커패시터는 다음의 공정으로 제조된다. 우선, 알루미늄 평박을 분사가공 공정을 이용하여 거칠게 하고, 약 520 V의 전압이 인가된 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성하여 양극용 리드부재를 구성한다. 동일 방식으로, 알루미늄 평박을 분사가공 공정을 이용하여 거칠게 하고, 약 2 V의 전압이 인가된 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성하여 음극용 리드부재를 제조한다.
알루미늄박의 표면을 거칠게 하고, 약 520 V의 전압이 인가된 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 양극박을 제조한다. 다음에 양극용 리드부재를 소정의 위치에서 양극박에 부착한다. 음극박은, 알루미늄박의 표면을 거칠게 하고, 약 2 V의 전압으로 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 제조된다. 음극용 리드부재를 소정의 위치에서 음극박에 부착한다.
0.50 g/㎤의 밀도 및 50 ㎛의 두께를 가진 한장의 마닐라지(Manila paper)를폭이 약 39 mm 및 길이가 약 600 mm로 절단하여 세퍼레이터를 제조한다. 세퍼레이터를 그 사이에 끼운 양극박 및 음극박의 층을 감아서 커패시터 소자를 제조한다. 이 커패시터 소자를 커패시터를 동작시키기 위해 전해질이 충진된 컨테이너내에 수용하여, 이 컨테이너의 개구부를 커패시터 소자로부터 나온 리드부재에 접속되는 리벳을 가진 밀봉체로써 밀봉시키고, 430 V의 인가 전압으로 1 시간 동안 에이징을 수행한다. 이 에이징 공정에 의해, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재의 표면상에 유전체 필름이 형성된다. 위에서 설명한 공정에서 예 3의 알루미늄 전해 커패시터가 완성된다.
(예 4)
알루미늄 전해 커패시터는 다음의 공정으로 제조된다. 우선, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재를 제조하기 위해 알루미늄박을 소정의 크기로 절단한다. 알루미늄박의 표면을 거칠게 하고, 약 520 V의 전압에서 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 양극박을 제조한다. 양극용 리드부재를 양극박의 소정의 위치에 부착하고, 표면을 거칠게 하기 위해 산성액을 포함하고 있는 화학부식을 수행한다.
유사하게, 알루미늄박의 표면을 거칠게 하고 약 2 V의 전압이 인가된 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 음극박을 구성한다. 다음에 음극용 리드부재를 소정의 위치에서 음극박에 부착하고, 표면을 거칠게 하기 위해 산성액에서 화학부식을 수행한다.
0.50 g/㎤의 밀도 및 50 ㎛의 두께를 가진 한장의 마닐라지(Manila paper)를 폭이 약 39 mm 및 길이가 약 600 mm로 절단하여 세퍼레이터를 제조한다. 세퍼레이터를 그 사이에 끼운 양극박 및 음극박의 층을 감아서 커패시터 소자를 구성한다. 이 커패시터 소자를 커패시터를 동작시키기 위한 전해질이 충진된 컨테이너내에 수용하고, 이 컨테이너의 개구부를 커패시터 소자로부터 나온 리드부재에 접속된 리벳을 가진 밀봉체로써 밀봉시켜, 430 V의 인가 전압으로 1 시간 동안 에이징을 수행한다. 이 에이징 공정에 의해, 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재의 표면상에 유전체 필름이 형성됨으로써 예 4의 알루미늄 전해 커패시터가 완성된다.
(비교예)
비교예의 커패시터는 본 발명의 커패시터와 종래 기술의 거패시터간에 비교를 목적으로 만들었다.
이 비교예의 커패시터는 양극용 리드부재의 표면을 거칠게 하기 위한 표면 치리를 실행하지 않는다. 이커패시터는 이하에서 설명하는 바와 같이 조립된다. 우선, 알루미늄 평박을 약 520 V의 인가 전압에서 양극 산화를 수행하여 표면상에 유전체 필름을 형성함으로써 양극용 리드부재를 구성한다. 양극박은, 알루미늄박의 표면을 거칠게 하고, 약 520 V의 인가 전압에서 양극 산화에 의해 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 제조된다. 양극용 리드부재를 소정의 위치에서 양극박에 부착한다.
알루미늄 평박을 약 520 V의 전압이 인가된 양극 산화를 수행하여 표면상에 유전체 필름을 형성하여 음극용 리드부재를 완성한다. 음극박은, 알루미늄박에 표면 거칠기 처리를 가하고, 약 2 V의 전압으로 양극 산화를 가해서 표면상에 유전체 필름을 형성한 후, 이 박(箔)을 폭이 약 35 mm 및 길이가 약 500 mm로 절단함으로써 제조된다. 음극용 리드부재를 소정의 위치에서 음극박에 부착한다.
0.50 g/㎤의 밀도 및 50 ㎛의 두께를 가진 한장의 마닐라지(Manila paper)를 폭이 약 40 mm 및 길이가 약 600 mm로 절단하여 세퍼레이터를 제조한다. 세퍼레이터를 그 사이에 끼운 양극박 및 음극박의 층을 감아서 커패시터 소자를 구성한다. 이 커패시터 소자는, 위에서 설명한 예와 유사한 공정으로 이 비교예의 알루미늄 전해 커패시터를 제조하기 위해 사용된다.
예 1 내지 예 4의 커패시터와 비교예의 커패시터를 비교한다. 커패시터는, 120 Hz, 350 Vdc의 바이어스 전압 및 2A의 리플 전류하에서 20,000 시간 동안 85℃의 주위 온도로서 내구성 시험이 실행된다. 이 시험의 결과를 표 1에 나타낸다. 내구성 시험에서, 컨테이너에 고정된 밸브가 커패시터의 컨테이너 내부에서 발생된 가스에 의해 가해지는 압력의 효력에 의해 개방되기 전에 장시간이 흐르게 된다.
[표 1]
| 양극용 리드부재 | 음극용 리드부재 | ||
| 표면을 거칠게 하는 방법 | 표면을 거칠게 하는 방법 | 유효 수명(시간) | |
| 예 1 | 전해부식 | 무 | 밸브 개방 않됨 |
| 예 2 | 전해부식 | 전해부식 | 밸브 개방 않됨 |
| 예 3 | 분사가공 | 분사가공 | 밸브 개방 않됨 |
| 예 4 | 화학부식 | 화학부식 | 밸브 개방 않됨 |
| 비교예 | 무 | 무 | 1200 |
표 1에서 나타낸 바와 같이, 예 1 내지 예 4의 어느 알루미늄 전해 커패시터에서도 밸브가 개방되지 않았다. 이것은, 이들 예의 커패시터내에서 발생된 가스의양이 비교예의 커패시터의 것 보다 적다는 것을 나타내고 있다. 이것은, 이들 예의 커패시터에서 양극용 리드부재를 제조할 때 거칠게 된 금속박의 표면상에 유전체 필름을 형성함으로써, 양극용 리드부재 표면상에 형성된 유전체 필름이 안정화되어 누설 전류를 감소시키기 때문이다. 예 2 내지 예 4의 커패시터가 더 바람직하며, 이들 각각은 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재를 포함하고, 모두 거칠게 된 금속박상의 유전체 필름을 포함한다.
(예 5)
예 5에서, 다수의 알루미늄 전해 커패시터는 양극용 리드부재상에 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위해 상이한 양극 산화 처리 전압을 사용하여 제조된다. 커패시터는 위에서 설명한 것에 유사한 내구성 시험을 거치게 된다. 커패시터의 제조 공정을 이하에서 설명한다.
커패시터 소자는 예 2에서와 같은 동일한 방식으로 제조되며, 각각은 양극용 리드부재에 접속된 양극박, 음극용 리드부재에 접속된 음극박, 및 세퍼레이터를 갖는다. 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재 모두는 전해부식이 실행된 알루미늄박을 포함한다. 이 커패시터 소자를 전해질이 충진된 컨테이너내에 수용하고, 이 컨테이너의 개구부를 예 2의 것과 유사하게 밀봉체로써 밀봉시킨다.
결과로 생기는 커패시터를 1 시간 동안 에이징시키며, 유전체 필름이 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재상에 형성된다. 에이징 동안에 인가되는 전압을, 양극박상에 유전체 필름을 형성할 때 인가하는 양극 산화 처리 전압(520 V)의 120%(커패시터 A), 110%(커패시터 B), 80%(커패시터 E), 71%(커패시터 F), 69%(커패시터G) 및 60%(커패시터 I)로 설정한다.
위에서 설명한 바와 같이 제조된 이들 6개의 커패시터의 유효 수명 시험 결과를 표 2에 나타낸다. 또한 표 2에는, 각각 예 3 및 예 2에서 제조된 커패시터 C(양극박의 양극 산화 동안에 사용되는 양극 산화 처리 전압과 동일한 전압이 에이징 동안에 인가됨) 및 커패시터 D(양극박의 양극 산화 동안에 사용되는 양극 산화 처리 전압의 83%에 균등한 전압이 에이징 동안에 인가됨)의 결과도 나타내고 있다. 또한 전해부식에 의해 표면 거칠기 처리가 실행된 양극용 리드부재 및 표면 거칠기 처리가 실행되지 않은 음극용 리드부재를 가진 커패시터 소자는 예 1에 유사하게 제조된다. 이 커패시터 소자를 양극박의 양극 산화 처리 전압(520 V)의 67% 값의 전압에서 1 시간 동안 에이징시킨 후, 유전체 필름이 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재상에 형성되어 커패시터 H가 제조되며, 이것의 시험 결과도 또한 표 2에 나타낸다.
[표 2]
| 양극용 리드부재 | 양극용 리드부재 | 양극용 리드부재 | 음극용 리드부재 | ||
| 커패시터 | 양극 산화 처리 전압 (V) | 양극박의 양극 산화 처리 전압에 대한 비율 (%) | 표면을 거칠게 하는 방법 | 표면을 거칠게 하는 방법 | 유효 수명 (시간) |
| A | 625 | 120 | 전해부식 | 전해부식 | 밸브 개방 않됨 |
| B | 570 | 110 | 전해부식 | 전해부식 | 밸브 개방 않됨 |
| C | 520 | 100 | 분사가공 | 분사가공 | 밸브 개방 않됨 |
| D | 430 | 83 | 전해부식 | 전해부식 | 밸브 개방 않됨 |
| E | 415 | 80 | 전해부식 | 전해부식 | 밸브 개방 않됨 |
| F | 370 | 71 | 전해부식 | 전해부식 | 18000 |
| G | 360 | 69 | 전해부식 | 전해부식 | 7000 |
| H | 350 | 67 | 전해부식 | 무 | 5000 |
| I | 310 | 60 | 전해부식 | 전해부식 | 2000 |
표 2에 나타낸 바와 같이, 양극박의 양극 산화 처리 전압의 120%로부터 80%까지의 범위(커패시터 A로부터 커패시터 E까지)에서 양극용 리드부재의 양극 산화 동안에 사용되는 전압에 대한 측정기간 중에 밸브는 개방되지 않는 반면, 전압비율이 71%(커패시터 F)일 때 밸브는 개방된다. 양극용 리드부재의 양극 산화 처리 전압이 양극박의 양극 산화 처리 전압의 71% 보다 높거나 또는 동일하지 않을 때, 양극박에 대한 양극용 리드부재의 양극 산화 처리 전압의 비율이 감소함에 따라 커패시터의 유효 수명이 감소되는 것이 또한 확인되었다. 특히, 양극용 리드부재의 양극 산화 처리 전압이 양극박의 양극 산화 처리 전압의 69% 일 때, 밸브가 개방되기 이전의 기간이 급속히 감소된다.
따라서, 양극박의 양극 산화 처리 전압에 대한 양극용 리드부재의 양극 산화 처리 전압의 비율이 약 70%이거나 또는 더 크고, 더욱 바람직하게는 약 80% 또는 더 큰 것이 바람직한 것으로 판명되었다. 비율이 상기 범위내에 있을 때, 유전체 필름은 잘 파괴되지 않는다. 양극 산화 처리 전압과 유전체 필름의 두께 사이에 비율 관계가 존재하기 때문에, 양극용 리드부재는 양극박의 유전체 필름 두께의 바람직하게 약 70%, 더욱 바람직하게는 약 80%의 유전체 필름 두께 또는 더 큰 유전체 두께를 갖는다는 것을 알 수 있다. 제조 조건을 고려할 때, 양극용 리드부재의 양극 산화 처리 전압은 양극박의 양극 산화 처리 전압의 약 200%에 균등하거나 또는 더 높지 않는 것이 바람직하다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 커패시터로서, 양극용 리드부재가 거친 제1금속코어(즉, 제1금속코어의 표면적이 증가됨) 및 거친 것 위에 피복된 양극용리드 유전체 필름을 포함하기 때문에, 양극용 리드 유전체 필름은 금속박의 표면상에 단단히 피복되며, 이 양극용 리드 유전체 필름은 균열이 발생되기 어렵다.
양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압이 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 70% 보다 크거나 또는 균등하면, 충분한 두께를 가진 유전체 필름이 양극용 리드부재의 표면상에 형성된다. 따라서 양극용 리드 유전체 필름은 균열되기 어렵다. 결과적으로, 누설 전류가 억제될 수 있어서 가스 발생을 감소시키게 된다.
또한 양극용 리드부재가 거친 제1금속코어 및 거친 것 위에 양극 산화에 의해 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하고, 음극용 리드부재가 거친 제2금속코어 및 거친 것 위에 양극 산화에 의해 피복된 음극용 리드 유전체 필름을 포함하면, 양극용 리드 유전체 필름 및 음극용 리드 유전체 필름 모두는 잘 파괴되지 않는다. 결과적으로, 누설 전류가 억제될 수 있어서 가스 발생을 감소시키게 된다.
본 발명을 첨부 도면을 참조하여 바람직한 실시예와 관련하여 설명하였지만, 당업자에게는 각종 변경 및 변형이 명백함을 주목하여야 한다. 그러한 변경 및 변형은, 본 발명의 범주로부터 이탈하지 않는 한, 첨부한 청구 내용에 의해 한정되는 본 발명의 범주내에 포함되는 것으로 한다.
Claims (18)
- 양극 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박과;거친 제1금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 상기 양극박에 전기적으로 접속되는 양극용 리드부재와;상기 양극박에 대향하는 음극박과;상기 양극박 및 상기 음극박 사이에 삽입된 세퍼레이터와;상기 음극박에 전기적으로 접속되는 음극용 리드부재; 및전해질이 충진되어, 상기 양극박, 양극용 리드부재, 음극박 및 음극용 리드부재를 수용하는 컨테이너를 포함하는 커패시터에 있어서:양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압이 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 70% 보다 크거나 또는 균등한 커패시터.
- 제1항에 있어서, 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압이 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 80% 보다 크거나 또는 균등한 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 음극박은 그 위에 피복된 음극박 유전체 필름을 가지며, 상기 음극용 리드부재는 거친 제2금속코어 및 거친 것 위에 피복된 음극용 리드 유전체 필름을 포함하는 커패시터.
- 제1항에 있어서, 거친 제1금속코어는, 전해부식방법, 화학부식방법 및 분사가공방법을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법을 이용하여 제조되는 커패시터.
- 양극 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박과;거친 제1금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 양극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 상기 양극박에 전기적으로 접속되는 양극용 리드부재와;상기 양극박에 대향하는 음극박과;상기 양극박 및 상기 음극박 사이에 삽입된 세퍼레이터와;거친 제2금속코어 및 양극 산화에 의해 거친 것 위에 피복된 음극용 리드 유전체 필름을 포함하며, 음극박에 전기적으로 접속되는 음극용 리드부재; 및전해질이 충진되어, 상기 양극박, 양극용 리드부재, 음극박 및 음극용 리드부재를 수용하는 컨테이너를 포함하는 커패시터.
- 제5항에 있어서, 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 위한 것의 약 70% 보다 크거나 또는 균등한 커패시터.
- 제5항에 있어서, 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리전압은 양극박 유전체 필름을 위한 것 보다 많거나 또는 약 80%인 커패시터.
- 제5항에 있어서, 거친 제1 및 제2금속코어는, 전해부식방법, 화학부식방법 및 분사가공방법을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법을 이용하여 제조되는 커패시터.
- 가) 양극 산화에 의해 피복된 양극박 유전체 필름을 가진 양극박을 준비하는 단계와;나) 제1금속코어를 거칠게 하는 단계와;다) 양극용 리드부재를 형성하기 위해 양극 산화에 의해 제1금속코어상에 양극용 리드 유전체 필름을 피복시키는 단계와;라) 상기 양극박에 상기 양극용 리드부재를 전기적으로 접속시키는 단계와;마) 그 사이에 세퍼레이터를 삽입하여 상기 양극박에 음극박을 대향시키는 단계와;바) 상기 음극박에 음극용 리드부재를 전기적으로 접속시키는 단계와;사) 상기 양극박 및 음극박과, 상기 양극용 리드부재 및 음극용 리드부재를 전해질이 충진된 컨테이너내로 침적시키는 단계를 포함하는 커패시터 제조방법에 있어서:양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 것의 약 70%에 균등하거나 또는 더 큰 커패시터 제조방법.
- 제9항에 있어서, 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 처리 전압은 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 것의 약 80%에 균등하거나 또는 더 큰 커패시터 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 단계 (나), 단계 (라) 및 단계 (다)는 이 순서로서 수행되는 커패시터 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 단계 (나)는 상기 단계 (라) 이후에 수행되는 커패시터 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 단계 (나), 단계 (다) 및 단계 (라)는 이 순서로서 수행되며, 양극박 유전체 필름을 형성하기 위한 양극 산화 조건은 양극용 리드 유전체 필름을 형성하기 위한 것과 동일한 커패시터 제조방법.
- 제9항에 있어서,아) 제2금속코어를 거칠게 하는 단계; 및자) 양극 산화에 의해 제2금속코어상에 음극용 리드 유전체 필름을 피복하여 음극용 리드부재를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 커패시터 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 단계 (아), 단계 (바) 및 단계 (자)는 이 순서로서 수행되는 커패시터 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 단계 (아)는 상기 단계 (바) 이후에 수행되는 커패시터 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 단계 (아), 단계 (자) 및 단계 (바)는 이 순서로서 수행되며, 상기 양극박 유전체 필름, 상기 양극용 리드 유전체 필름 및 상기 음극용 리드 유전체 필름을 피복하기 위한 양극 산화 조건이 동일한 커패시터 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 단계 (나)는 전해부식방법, 화학부식방법 및 분사가공방법을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법을 이용하여 수행되는 커패시터 제조방법.
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