KR20010065749A - Method and conductive powder struture of anisotropic conductive powder - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체를 기판에 실장할 때 많이 사용되는 전도성 입자의 구현에관한 것으로 더 상세하게는 경도를 낮추고 스트레스를 완화 시킬 수 있으며 외부 환경에 견디는 고신뢰성의 전도성 입자를 구현하기 위한 전도성 입자의 제조공정과 그 입자 구조를 제공하는 것이다.The present invention relates to the implementation of conductive particles, which are widely used when mounting a semiconductor on a substrate, and more particularly, to manufacture conductive particles for realizing highly reliable conductive particles that can reduce hardness and relieve stress and withstand the external environment. To provide a process and its particle structure.
일반적으로 전자제품 특히 LCD(Liquid Crystal Display) 판넬 구동용 직접회로(IC) 실장과 COF(칩 필름:Chip On Film) 조립 그리고 PDP의 패널 구동용 플렉시블 기판 실장시 도선의 패턴 간격이 점차 좁아지는 현상에 대비하기 위해 최근에는 노출형IC(Bare IC)를 이용한 직접집속(Direct Chip Attach)방법이 다양하게 생겨나고 있다.In general, the pattern gap of wires becomes narrow gradually when mounting ICs for LCD (Liquid Crystal Display) panels, assembling chip on film (COF), and mounting flexible substrates for panel driving of PDP. Recently, a variety of direct chip attach methods using bare ICs have been developed.
이러한 방법 중 하나로 이방성 도전체(Anisotropic Conductive Powder)를 이용하는 방법이 알려져 있다. 이방성 도전체는 물질에 가해준 스트레스 방향으로 도전성을 띄게 되는 것으로서 도 1의 반도체 IC(1)의 입출력 단자(2)와 기판(3) 사이를 전기적으로 접속 시키기 위해 수지 등과 혼합하여 페이스트(Paste) 상태로 제조하고 디스펜스(Dispens)시키거나 이방성 도전필름(4:Anisotropic Conductive Film)상으로 접착 시킨 후 IC(1)나 단자(2)를 접속 시킬 수 있는 물질을 의미하며, 이러한 전도성 입자로 이루어진 여러 가지 종류의 구조와 물질이 있다. 구조에 따라서는 순 금속분말의 등방성 도전입자형(Flake)과 이방성 도전입자형의 두가지 구조로 크게 나눌 수 있다.As one of these methods, a method using anisotropic conductive powder is known. The anisotropic conductor is conductive in the direction of stress applied to the material, and is mixed with resin or the like to electrically connect the input / output terminal 2 and the substrate 3 of the semiconductor IC 1 of FIG. 1 to a paste. It refers to a material that can be connected to the IC (1) or the terminal (2) after being manufactured in a state and dispensed or adhered onto an anisotropic conductive film (4). There are different kinds of structures and materials. According to the structure, it can be roughly divided into two structures, an isotropic conductive particle type (Flake) and an anisotropic conductive particle type of pure metal powder.
등방성 도전입자는 SnPb(수운-납)합금과 Ni(니켈), Au(금) 그리고 Ag(은) 등이 쓰이며 이방성 도전입자는 도 2의 (a)(b)(c)와 같이 폴리머(Polymer)를 코어(Core)재로 하여 그 외부에 니켈을 입히거나 니켈과 금을 입힌 3중 구조, 그외부에 절연성 물질을 코팅 시킨 구조의 3가지로 나눌 수 있다. 이러한 구조는 기판 위 혹은 IC의 단자가 있는 면 사이에 전도성 입자를 필름이나 페이스트 형태로 디스펜스 혹은 접착 시킨 뒤 경화온도 부근에서 짧은 시간동안 가경화 시킨 후 부품 혹은 단자와 기판을 열 압착하게 되면 스트레스 방향의 축으로 전기가 통하게 되며 단자가 없는 부분은 입자들이 절연성을 띄게 된다. 이러한 단자는 일반적으로 도 3과 같이 반도체 웨이퍼를 이루는 IC의 입출력 단자(6)와 기판의 일출력 단자(7)의 각 입출력 패드(Pad)에 전기도금 혹은 와이어 본더(Wire Bonder)등을 이용하여 돌기를 형성한 후 그 돌기와 기판의 접속 부위를 전기 전도성 입자(5) 즉, 전도성 물질을 이용하여 전기적 접속을 하는 구조를 하고 있다.The isotropic conductive particles include SnPb (water-lead) alloy, Ni (nickel), Au (gold), Ag (silver), and the like. The anisotropic conductive particles are polymers such as (a), (b) and (c) of FIG. ) Can be divided into three types: core structure with nickel coated on its outside, triple structure coated with nickel and gold, and structure coated with insulating material on the outside. This structure disperses or bonds conductive particles in the form of a film or paste on the board or between the surface of the IC terminal, and temporarily hardens them for a short time near the curing temperature. Electricity is transferred to the axis of the unit, and the part without terminals becomes insulated. In general, as shown in FIG. 3, an input / output terminal 6 of an IC constituting a semiconductor wafer and an input / output pad Pad of one output terminal 7 of a board may be formed using an electroplating or a wire bonder. After forming the projections, the connection portion between the projections and the substrate is electrically connected using the electrically conductive particles 5, that is, conductive materials.
그러나 이러한 구조를 갖는 입자구조는 물성이 서로 다른 소자와 기판, 에폭시의 열팽창계수 차이에 의하여 고온과 저온의 환경조건에서 수축과 팽창을 통한 스트레스를 받게 될 경우 입출력 단자(6)(7)의 접속 부위가 오픈 되는 현상이 나타나게 되어 신뢰성에 치명적인 악영향을 미치게 된다. 이같은 현상은 기존 입자의 전도성 파우더가 높은 경도와 스트레스에 대한 완화작용을 하지 못하는데 원인이 있다.However, the particle structure having such a structure is connected to the input / output terminals 6 and 7 when the physical properties are stressed by shrinkage and expansion under high and low temperature environmental conditions due to differences in thermal expansion coefficients of devices, substrates, and epoxy having different physical properties. The opening of the site appears, which has a fatal adverse effect on reliability. This phenomenon is caused by the fact that the conductive powder of the existing particles do not relieve high hardness and stress.
따라서 반도체 패키지 등에 적용할 경우 열팽창계수의 차이로 인해 클랙 발생과 층분할 현상을 동반 한다. 특히 입출력 단자 부근에서의 불량은 시스템 전체의 동작 불량을 일으키며 제품 신뢰도에 치명적인 결함을 일으키는 요인으로 작용하는 문제점이 있었다.Therefore, when applied to a semiconductor package, due to the difference in the coefficient of thermal expansion is accompanied by the occurrence of cracks and layer division. In particular, a defect near the input / output terminal causes a malfunction of the entire system and has a problem of causing a fatal defect in product reliability.
따라서 본 발명의 목적은 경도를 낮추고 스트레스를 완화 시킬 수 있는 구조를 채택하여 외부 환경에 견디는 고신뢰성의 전도성 입자를 구현하기 위한 것이다.Therefore, an object of the present invention is to implement a highly reliable conductive particles to withstand the external environment by adopting a structure that can lower the hardness and relieve stress.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,Features of the present invention for achieving this object,
에멀젼중합법을 이용하여 1~30μ의 스틸렌-부타디엔 고무 입자를 제조하는 단계와,Preparing an styrene-butadiene rubber particle of 1 to 30 mu using an emulsion polymerization method,
상기 스틸렌-부타디엔 고무 입자를 원심분리 혹은 여과지를 이용하여 일정 직경의 입자만을 분리 시킨 뒤 수세 및 건조 처리를 하는 단계와,Separating the styrene-butadiene rubber particles by centrifugation or filter paper to separate only particles of a predetermined diameter, followed by washing and drying;
상기 단계를 거친 스틸렌-부타디엔 고무 입자를 다시 무전해도금법으로 니켈 혹은 금을 코팅하여 플렉시블한 구조의 전도성 입자로 제조하는 것을 특징으로 한다.The styrene-butadiene rubber particles, which have been subjected to the above steps, are coated with nickel or gold by an electroless plating method to prepare conductive particles having a flexible structure.
선택적으로, 상기 스틸런-부타디엔 고무 입자 중합시 모노머의 스틸렌 함량을 5~80중량%로 조절하거나 중합 개시제의 양에 의해 분자량과 물성 특히 유리전이온도와 기계적 특성을 임의로 조절하는 것을 특징으로 한다.Optionally, the styrene content of the styrene-butadiene rubber particles is controlled to 5 to 80% by weight of the monomer or the molecular weight and physical properties, in particular glass transition temperature and mechanical properties by the amount of the polymerization initiator.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징은,Another feature of the present invention for achieving the above object,
폴리머 코어재가 스틸렌-부타디엔 고무의 공중합체로 이루어지며,The polymer core material consists of a copolymer of styrene-butadiene rubber,
상기 스틸렌-부타디엔 고무의 공중합체는 니켈 또는 금을 코팅하여 플렉시블한 구조의 전도성 입자로 조성된 것을 특징으로 한다.The copolymer of styrene-butadiene rubber is characterized by being composed of conductive particles having a flexible structure by coating nickel or gold.
도 1은 반도체 IC에 적용된 일반적인 도전성 입자의 적용 단면도1 is a cross-sectional view of application of general conductive particles applied to a semiconductor IC
도 2의 (a)(b)(c)는 도 1에 적용되는 도전성 입자의 구조(A) (b) (c) of FIG. 2 is a structure of the electroconductive particle applied to FIG.
도 3은 도전성 입자를 이용한 실장 구조3 is a mounting structure using conductive particles
도 4는 본 발명에 따른 도전성 입자의 제조 공정도4 is a manufacturing process diagram of the conductive particles according to the present invention
도 5는 본 발명에 따른 도전성 입자의 단면도5 is a cross-sectional view of the conductive particles according to the present invention
도 6은 본 발명에 따른 도전성 입자의 화학적 구조6 is a chemical structure of the conductive particles according to the present invention
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawings ***
1:반도체 IC 2:입출력 단자1: Semiconductor IC 2: I / O Terminal
3:기판 5.10.10a:도전성 입자3: substrate 5.10.10a: conductive particles
6:IC 입출력 단자 7:기판 입출력 단자6: IC I / O Terminal 7: Board I / O Terminal
이렇게 폴리머 코어재로서 스틸렌-부타디엔 고무의 공중합체를 사용함으로서 구조적으로 경도를 낮추고 스트레스를 완화 시켜 외부 환경 중 특히 열팽창계수에의한 클랙이나 층분할 현상을 방지할 수 있는 고신뢰성의 전도성 입자를 구현할 수 있게 된다.By using a copolymer of styrene-butadiene rubber as a polymer core material, it is possible to realize high reliability conductive particles that can structurally lower hardness and relieve stress to prevent cracking or layer splitting due to thermal expansion coefficients. It becomes possible.
이하, 본 발명을 도면 도 4 내지 도 6을 참고로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6.
일반적인 전도성 파우더는 높은 경도와 스트레스에 대한 완화 작용을 원할하게 수행하지 못한다. 이 입자 구조가 반도체 패키지에 적용되었을 경우 소자와 기판, 에폭시 등의 열팽창계수 차이에 의하여 고온과 저온의 환경조건에서 수축과 팽창을 통한 스트레스를 받게될 경우 입출력 단자의 접속 부위가 오픈 되는 현상이 나타나게 되어 신뢰성에 치명적인 영향을 미친다.Common conductive powders do not smoothly perform high hardness and stress relief. When the particle structure is applied to a semiconductor package, the connection part of the input / output terminal is opened when the stress is caused by shrinkage and expansion under the high and low temperature conditions due to the difference in thermal expansion coefficient of the device, the substrate, and the epoxy. Has a devastating effect on reliability.
본 발명은 폴도 4와 같이 폴리머 코어재를 스틸렌-부타디엔(Styrene-Butadiene)고무의 공중합체를 사용하여 경도를 낮추고 스트레스를 완화 시킬 수 있는 구조를 채택하여 고신뢰성의 전도성 입자를 구현 하는 것이다.The present invention uses a copolymer of styrene-butadiene rubber as a polymer core material to adopt a structure capable of lowering the hardness and relieving stress, thereby implementing conductive particles having high reliability.
스틸렌-부타디엔 고무(10)는 유리전이온도가 스틸렌-부타디엔 비율 75/25(중량%)에서 60℃이고 내열성, 내마모성, 오존저항성, 내후성, 내유성이 우수하며 가격이 싸고 가공이 용이하다.The styrene-butadiene rubber 10 has a glass transition temperature of 60 ° C. at a styrene-butadiene ratio of 75/25 (wt%), and is excellent in heat resistance, abrasion resistance, ozone resistance, weather resistance, oil resistance, and is inexpensive and easy to process.
이러한 스틸렌-부타디엔 고무(10)를 사용하는 본 발명의 전도성 입자 제조공정은, 도 4와 같이 일반적인 에멀젼중합(Emulsion Polymerization)법을 이용하여 1~30μ의 스틸렌-부타디엔 고무 입자(10a)를 제조한 뒤(S1), 이것을 원심분리 하거나 혹은 여과지를 이용하여 일정 직경의 입자만을 분리 시킨 상태에서 해당 입자들을 수세 및 건조 등의 표면처리를 하고(S2), 다시 무전해 도금법으로 니켈 또는 금을 코팅 하며(S3), 다시 여과 수세 및 건조를 거치고(S4), 적절한 레진 및 경화제 그리고 용제를 혼합하여(S5), 플렉시블한 구조의 전도성 입자로 제조 하여 제품에 적용(S6) 하는 것이다. 참고적으로 본 발명에 채택된 스틸렌-부타디엔 고무의 화학적 구조는 도 6과 같다.In the conductive particle manufacturing process of the present invention using the styrene-butadiene rubber 10, 1 to 30μ of styrene-butadiene rubber particles 10a are manufactured by using a general emulsion polymerization method as shown in FIG. Afterwards (S1), these particles are centrifuged or surface-treated, such as water washing and drying, in which the particles of a certain diameter are separated using filter paper (S2), and nickel or gold is coated again by electroless plating. (S3), after washing with filtration and drying again (S4), by mixing the appropriate resin and curing agent and solvent (S5), to produce a flexible conductive particles to apply to the product (S6). For reference, the chemical structure of the styrene-butadiene rubber adopted in the present invention is shown in FIG. 6.
스틸렌-부타디엔 고무(10) 중합시 모노머의 스틸렌 함량을 5~80중량%로 조절하거나 중합개시제의 양에 의해 분자량과 물성 특히 유리전이온도와 기계적 특성을 임의로 조절 할 수 있다.When the styrene-butadiene rubber 10 is polymerized, the styrene content of the monomer may be adjusted to 5 to 80% by weight, or the molecular weight and physical properties, particularly the glass transition temperature and the mechanical properties, may be arbitrarily controlled by the amount of the polymerization initiator.
그리고 무전해 도금 공정시 스틸렌-부타디엔 표면의 조면화 구조에 의해 무전해 도금특성 특히 두께와 고착성이 향상된다. 두께와 고착성은 도금된 부위의 상태를 평가할 수 있는 것으로서 그것으로 스틸렌-부타디엔과 금속막의 밀착성에 중요한 요소가 된다. 따라서 시간에 따르는 도금 두께 조절이 가능한 무전해 도금법으로 0.1~10μ으로 금속층의 두께를 조절한 후 다시 여과, 수세 및 건조를 반복하여 표면을 세정하고 에폭시 수지와 경화촉진제, 용제를 혼합하고 페이스트 혹은 필름 상태로 제조한다.In the electroless plating process, the roughening structure of the styrene-butadiene surface improves the electroless plating properties, in particular, thickness and adhesion. Thickness and adhesion can evaluate the state of the plated portion, which is an important factor in the adhesion between the styrene-butadiene and the metal film. Therefore, by adjusting the thickness of the metal layer to 0.1 ~ 10μ with the electroless plating method that can control the thickness of the coating over time, it is again filtered, washed with water and dried to clean the surface, mix epoxy resin, curing accelerator and solvent, paste or film Manufactured in a state.
이렇게 제조된 전도성 파우더는 수지와 혼합하여 점착성을 가진 액체 상태로 존재하며 안정화제를 사용하여 페이스트 상태로 제조하거나 시트상으로 제조하여 필름으로 만들 수 있다.The conductive powder thus prepared may be mixed with a resin to exist in a tacky liquid state, and may be prepared in a paste state using a stabilizer or in a sheet form to form a film.
제조된 페이스트 혹은 필름 내부의 전도성 입자는 반도체 IC나 단자를 기판과 전기적으로 접속 하는데 유용하게 사용되며 수지는 기판과 반도체 IC를 접착 시키는 작용을 하게 됨으로서 외부 환경 중 주로 열적 변화에 의한 접속 부위를 보호하여 안정화된 성능을 나타낸다.The conductive particles inside the prepared paste or film are useful for electrically connecting the semiconductor IC or the terminal to the substrate, and the resin serves to bond the substrate and the semiconductor IC to protect the connection part mainly due to thermal changes in the external environment. To stabilized performance.
이 구조는 반도체 패키지에서 고무 탄성체인 스틸렌-부타디엔을 폴리머 코어재로 사용하여 칩을 기판에 실장할 때 발생하는 스트레스와 진동 그리고 충격 완화 흡수 작용을 통해 반도체의 신뢰도를 크게 개선할 수 있으며, 열팽창계수의 차이로 인한 클랙 발생이나 층분할 현상도 억제 시킨다. 그리고 입출력 단자 부분에서의 불량을 막아 시스템 동작 안정성을 높히는데 크게 기여한다.This structure uses styrene-butadiene, a rubber elastomer in a semiconductor package, as a polymer core material, which can greatly improve the reliability of semiconductors by absorbing stress, vibration, and shock absorbing when chips are mounted on a substrate. It also suppresses cracking and delamination due to the difference of. It also contributes greatly to improving system operation stability by preventing defects at the input and output terminals.
또한 이방성도전필름 혹은 이방성 도전 페이스트로 가공하여 저가의 IC실장을 용이하게 할 수도 있으며, 반도체 제조 공정시 재료선택의 까다로움과 공정설계를 하는데 시간과 노력을 절감할 수도 있다. 또한 스틸렌-부타디엔 고무의 스틸렌과 부타디엔의 질량%를 조절하면 물성적 변화를 가져와 탄성율의 조절이 가능하다. 이를 통해 기판과 돌기의 구조에 따른 물성차이를 스틸렌-부타디엔 고무 구조 자체적으로 흡수할 수 있으므로 반도체 패키지에서 적용 범위가 크다.In addition, processing with anisotropic conductive films or anisotropic conductive pastes can facilitate low-cost IC mounting, and it can save time and effort in the selection of materials and process design in the semiconductor manufacturing process. In addition, by controlling the mass% of styrene and butadiene in the styrene-butadiene rubber, it is possible to adjust the modulus of elasticity by bringing about physical property changes. As a result, the difference in the physical properties of the substrate and the protrusion structure can be absorbed by the styrene-butadiene rubber structure itself, so the application range of the semiconductor package is large.
이상, 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 패키지에서 폴리머 코어재로 사용될 경우 칩을 기판에 실장할 때 발생하는 스트레스와 진동 그리고 충격 완화 흡수 작용을 통해 신뢰도를 크게 개선할 수 있는 효과가 있으며, 열팽창계수의 차이로 인한 클랙 발생이나 층분할 현상도 충분히 억제 시킨다.As described above, according to the present invention, when used as a polymer core material in a semiconductor package, there is an effect of greatly improving reliability through absorbing stress, vibration, and shock mitigation when the chip is mounted on a substrate, and thermal expansion. It also sufficiently suppresses the occurrence of cracking or layering due to the difference in coefficients.
또한 저가의 IC실장을 용이하게 할 수도 있으며, 반도체 제조 공정시 재료선택의 까다로움과 공정설계를 하는데 시간과 노력을 절감 시킨다. 또한 스틸렌-부타디엔 고무의 질량%를 조절하면 기판과 돌기의 구조에 따른 물성차이를 자체적으로 흡수할 수 있으므로 반도체 패키지의 신뢰성을 제고 시키는 효과가 있다.In addition, it can facilitate the low-cost IC mounting and saves time and effort in the selection of materials and process design in the semiconductor manufacturing process. In addition, by adjusting the mass% of the styrene-butadiene rubber, it is possible to absorb the difference in physical properties of the substrate and the protrusions by itself, thereby improving the reliability of the semiconductor package.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006083117A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Hanwha Chemical Corporation | Advanced anisotropic insulated conductive ball for electric connection, preparing method thereof and product using the same |
| WO2006083116A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Hanwha Chemical Corporation | Advanced anisotropic insulated conductive ball for electric connection, preparing method thereof and product using the same |
| US7438563B2 (en) | 2004-12-06 | 2008-10-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Connector for testing a semiconductor package |
| US8153030B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing conductive particle, anisotropic conductive adhesive having the same, and method of manufacturing display apparatus using the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0570750A (en) * | 1991-09-10 | 1993-03-23 | Fujitsu Ltd | Conductive adhesive |
| JPH05144873A (en) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Fujitsu Ltd | Mounting method of semiconductor integrated circuit element |
| JPH0613432A (en) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Citizen Watch Co Ltd | Connecting method for semiconductor integrated circuit device |
| JPH06155070A (en) * | 1992-11-20 | 1994-06-03 | Hitachi Ltd | Solder paste |
| TW340132B (en) * | 1994-10-20 | 1998-09-11 | Ibm | Structure for use as an electrical interconnection means and process for preparing the same |
| JPH08288291A (en) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Citizen Watch Co Ltd | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-12-30 KR KR1019990065689A patent/KR100313766B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7438563B2 (en) | 2004-12-06 | 2008-10-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Connector for testing a semiconductor package |
| WO2006083117A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Hanwha Chemical Corporation | Advanced anisotropic insulated conductive ball for electric connection, preparing method thereof and product using the same |
| WO2006083116A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Hanwha Chemical Corporation | Advanced anisotropic insulated conductive ball for electric connection, preparing method thereof and product using the same |
| KR100675442B1 (en) * | 2005-02-02 | 2007-01-29 | 한화석유화학 주식회사 | Advanced anisotropic insulated conductive ball for electric connection, preparing method thereof and product using the same |
| US8153030B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing conductive particle, anisotropic conductive adhesive having the same, and method of manufacturing display apparatus using the same |
| US8821764B2 (en) | 2007-09-11 | 2014-09-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing conductive particle, anisotropic conductive adhesive having the same, and method of manufacturing display apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100313766B1 (en) | 2001-11-15 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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Payment date: 20070918 Year of fee payment: 7 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |