KR20010050545A - 물(水)의 자기처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 자기 처리장치의 물의 활성 효율은 자계-발생 영역(5)에 위치된 도전체(4)에 의하여, 또는 쌍극 자석 링 구조(10)을 갖는 자기회로를 사용함으로써 향상된다.

Description

물의 자기처리장치{Magnetic treating apparatus of water}

본 발명은 물의 자기(磁氣)처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 영구자석과 도전체의 신규한 조합을 채용하여 발생전류를 높일 수 있도록 한 물의 자기처리장치에 관한 것이다. 상기 장치는 수도수, 공업용수, 빌딩내 배관에서 사용되는 물, 온천, 원예용수, 공장내에서의 리사이클된 공업용수를 처리하는데 사용된다.

도관내(導管內)를 흐르는 물에 자계(磁界)를 인가하여 스케일(scale)의 형성을 방지하고, 물을 활성화시킬 수 있도록 하며, 그 밖에 다른 목적을 달성하기 위한 자기 처리장치가 제안되어 왔다.

상기 물을 활성화시키는데 필수적인 기전력은 MHD(magneto hydrodynamic)발전 원리에 의하여 발생된다. 상기 원리하에서, 물은 자계의 방향에 대하여 수직방향으로 흘러야만 한다. 따라서, 수도관은 N극을 갖는 자석과 S극을 갖는 자석 사이에 끼이게 위치되도록 한다.

일본 특개평 9-308,888호 공보에는 상술한 원리하에서 구성된 물의 자기 처리장치가 제안되어 있다. 이 제안의 장치에서 수도관과 영구자석의 외측에 장착된 요크(Yoke)는 수도관 내부로 자속(磁束)을 집중시킨다. 상기 영구자석은 수도관의 길이방향을 따라 배열되는 바, 상기 영구자석의 상부자석과 하부자석은 각각 S극과 N극을 갖는다. 따라서, 직류자계가 발생하게 된다.

일본 특개평 9-57,273호 공보에는 자계의 방향이 일정하게 되도록 다수의 영구자석을 배열시킨 물의 처리장치가 제안되어 있다.

미국특허 4,935,133에는 상술한 원리하에 구성된 자기 처리기가 제안되어 있다. 영구자석이 케이싱(casing)의 길이 방향을 따라 케이싱의 내부에 배열되어 있고, 그 배열간격은 미리 설정된 간격으로 유지된다. 서로 마주보는 한 쌍의 영구자석은 서로 반대극을 갖고, 물은 상기 서로 마주보는 한 쌍의 영구자석 사이를 흐르게 된다.

일본 실용신안등록 3,043,069에는 자계의 방향이 수도관의 길이방향에서 세로로 180°역전되는 물의 자기 처리장치가 제안되어 있다. 이 장치에서는 영구자석의 위쪽에 배치된 파동물질이 MHD에 의한 기전력에 영향을 미치는 것에 대한 설명이 되어 있지 않다.

일본 실용신안등록 3,011,870에는 통수관 내부에 금속판이 삽입된 자기처리 장치가 제안되어 있다. 이 발명의 효과에 따르면 붉은 녹(red-scale)이 상기 금속판에 의하여 제거되거나 방지된다. 금속판상에 충돌된 음이온이 전자를 방전시킴에 따라, 이 전자는 충돌된 반대측에서 용존산소를 부(負)로 이온화시킨다. 그 결과로 산소(O₂)가 붉은 녹을 감소시킨다. 상기 금속판은 다수개의 서로 다른 극을 가지며 대향된 자석에 가로지르며 연결 설치된다.

미국특허 5,683,579호에는 파이프와; 파이프내의 동심축 코어와; 파이프의 외주에 반대극을 갖는 다수개의 자석과; 그리고 코어를 전기적으로 연결하고 접지시키는 와이어로 구성된 자기 유체 처리기가 제안되어 있다. 실시예에 의하면 4개의 분리된 자석이 파이프에 등간격으로 배치되어 있다. 이들 각각의 자석은 6개의 분리된 영역을 갖는다. 유체가 들어가는 파이프의 인접한 자석이 N극이 된다. 그 다음 부분은 S극이 되고, 또 그 다음 부분은 N극이 되며 반복된다. 이 발명은 전기적 반환회로의 제어에 의하여 전기흐름이 제어되도록 함으로써, 파이프내의 자기장을 제어할 수 있는 가변 저항기의 발견도 포함된다.

본 발명자들의 검토에 의하면, 종래의 물의 처리장치에 의하여 얻어낸 물의 활성정도는 낮은 것으로 인지하고 있는 바, 그 이유는 상기 MHD 기전력의 원리를 고려하는 것이 불충분하다는데 있다. 특히 일본 실용신안등록 3,011,870호에 제안된 금속판과 미국특허 5,683,579호에 제안된 와이어와 코어는 이하 상세하게 설명되는 기전력을 향상시킬 수 없다.

따라서, 본 발명은 물의 활성화 효력을 향상시킬 수 있도록 한 물의 처리장치를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 물의 처리장치는:

제1방향으로 물이 흐르는 수도관과;

상기 제1방향에 대한 수직방향인 제2방향에서 발생되어 물에 대하여 자계을 인가시키도록 상기 수도관내에서 서로 인접하여 설치되는 적어도 한 쌍의 자계-발생 영역과;

상기 자계 발생 영역중에 하나의 영역에 위치되고, 상기 제1방향과 제2방향에 대하여 수직방향인 제3방향과 교차되는 제1 도전체와;

상기 자계 발생 영역의 또 다른 영역에 위치되고, 제1방향과 제2방향에 대하여 수직방향인 제3방향과 교차되는 제2 도전체로 구성되고,

상기 제1 도전체와 제2 도전체는 서로 전기적으로 접촉되지 않도록 한다.

바람직하게는, 상기 제2방향은 물의 흐름방향에 따라 변경된다,

또한, 상기 한 쌍의 제1 도전체는 서로 반대위치에 배열되고, 상기 한 쌍의 제2도전체도 서로 반대위치로 배열된다.

본 발명의 또 다른 물의 자기 처리장치는:

제1방향으로 물이 흐르는 수도관과;

상기 수도관에서 제1방향과 수직방향을 갖는 제2방향에서 자계가 발생되도록 한 적어도 하나의 자계 발생 영역으로 구성하되, 이 자계 발생 영역은 쐐기(wedge-

shaped) 단면형상을 갖는 다수개의 자석을 포함하고, 쌍극을 갖는 자석 링 구조를 형성하며 배열된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조로 설명하면 다음과 같다.

도 1은 교류자장 조건하에서 발생된 분극 전압을 나타내는 그래프,

도 2는 MHD 전류를 측정하기 위한 방법을 설명하는 도면,

도 3은 교류자장과 일방향 조건하에서 발생된 전류와 물의 흐름속도간의 관계를 나타내는 그래프,

도 4(a)는 MHD 전압과 자계(磁界)을 나타내는 도면,

도 4(b)는 도전체에 적용되는 MHD 전압을 나타내는 도면,

도 5는 수도관내의 자속(磁束) 밀도의 측정 결과와, 교류자장의 일례를 나타내는 개략도,

도 6은 본 발명에 따른 자기 처리장치의 일실시예와 물을 활성화시키는 전류를 나타내는 모식도

도 7은 도전체의 배열에 대한 일실시예를 나타내는 도면,

도 8(a)는 쌍극을 갖는 자석링의 원리를 설명하는 도면,

도 8(b)는 쌍극을 갖는 자석링 구조를 포함하는 자기회로의 일실시예를 나타내는 도면,

도 9는 쌍극을 갖는 자석링 구조를 포함하는 자기처리장치의 단면도,

도 10은 물의 전기 분해를 나타내는 도면,

도 11은 도전체를 사용하지 않고, 물을 분해함으로써 발생된 활성 산소의 농도변화를 나타내는 그래프,

도 12는 도전체를 사용하지 않고, 물을 분해함으로써 발생된 활성 수소의 농도변화를 나타내는 그래프,

도 13은 도전체를 사용하여, 물을 분해함으로써 발생된 활성 산소의 농도변화를 나타내는 그래프,

도 14는 도전체를 사용하여, 물을 분해함으로써 발생된 활성 수소의 농도변화를 나타내는 그래프,

도 15는 본 발명의 실시예로서, 물의 처리장치를 나타내는 단면도,

도 16은 도 14에서 사용된 자기회로의 정면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 영구자석 2 : 수도관

3 : 전극 4 : 도전체

5 : 자계 발생 영역

본 발명의 물의 자기처리장치에 의하면, 자계의 방향(제2방향으로 칭함)은 수도관에서의 물의 흐름 방향(제1방향으로 칭함)에 대하여 실질적으로 수직방향을 이룬다. 따라서, 상기 제2방향과 MHD 기전력 방향이 변화된다.

바람직한 구체예로서, 상기 자석의 극은 수도관에서 역전되도록 한다. 예를들면 N극과 S극을 갖는 한 쌍의 영구자석이 서로 대향되게 하고, S극과 N극을 갖는 또 다른 한 쌍의 영구자석이 서로 대향되게 한다.

상기의 한 쌍과 또 다른 한 쌍의 영구자석은 수도관의 길이방향을 따라 길게 배열된다. 그 결과로, 상기 자계의 방향은 도1에 도시한 바와 같은 변화를 일으키게 되는데, 즉 제1파장(H1)과 제2파장(H2)의 방향이 180°로 역전된다.

이하 이극(異極)배열로 언급되는 상기 자석의 바람직한 배열에 대하여 상세하게 설명한다.

본 발명자는 다음 메카니즘에 의한 교류자장 조건하에서 이극배열을 갖는 자기처리장치에서 기전력을 증가시키는 것을 발견하였다.

상기 제2파장의 분극전압은 제1파장의 분극전압 이하로 감소되고(｜V_p(1)｜〉｜V_p(2)｜), 제2파장과 제3파장도 마찬가지이다. 따라서, MHD 발생 전류가 예를들어 제2파장, 제3파장 등의 순으로 점차 증가하게 된다.

20mm의 직경을 갖는 도관(導管)을 통하여 흐르는 물은 1250G의 밀도를 갖는 일방향 자장이나 교류자장에 인가된다. 상기 수도관내에서 발생된 MHD 전류는 도 2 에 도시한 바와 같은 장치를 사용하여 측정되며, 도면부호 1,2,3 은 각각 영구자석, 수도관, 전극을 나타낸다. 상기 다수쌍의 영구자석중 하나가 도 2 에 도시되어 있으며 그 측정 결과치는 도 3 에 도시되어 있다. 도 3 에 도시한 바와 같이 임계흐름속도는 일방향 자계(C₁)의 경우에 약 40cm/sec로 나타났다. 상기 교류자장(C₂)의 경우에서는 상기 임계흐름속도가 나타나지 않았다. 더욱이, 자화 처리된 물에서 발생된 MHD 전류는 동일한 흐름속도 조건하에서 일방향 자장에서보다 교류자장에서 현저히 높게 나타났다. 또한, 도전판설치 교류자장의 그래프(C₃)는 이하 설명되는 본 발명의 실시예에 해당된다.

본 발명자는 기전력을 증가시키기 위한 또 다른 방법을 검토하였다.

도 4(a)를 참조하면, 자계는 실선으로 표시되어 있고, 반면에 MHD 전압은 점선으로 표시되어 있다. 수도관의 A,B,C,D 와 E 위치에서 발생하는 자계는 각각 A(=0 Oe),F,G,H와 E(=0 Oe)로 표기되어 있다. 상기 수도관의 A,B,C,D와 E 위치에서 발생하는 MHD 전류는 각각 A(=0 V),I,J,K와 E(=0 V)로 표기되어 있다.

상기 수도관에서 발생된 전압은 점선으로 나타낸 평균값이고, 최대 전압 J(도 4(a) 참조)보다 현저히 낮다. 도전체(4)를 도 4(b)에 도시한 바와 같이 자계-발생 영역(MHD 전류 발생 영역)에 설치하면. 최고전압 (V max)이 도전체의 어느 부분에도 걸리게 된다. 또, 도 4 에 도시한 점선은 도전체를 사용하지 않은 수도관에서 발생된 전압을 나타낸다.

상기 도전체(4)내를 흐르는 MHD 기전력에 의하여 발생된 전류는 물을 활성화시키기 위하여 다음 사항이 필수적으로 요구된다.

(a) 도전체가 각각의 인접된 자계-발생 영역에 위치되어야 한다. 상기 인접된 자계-발생 영역사이에는 물과 수도관의 수지(樹脂)물질 등이 존재하지만, 도전체에는 존재하지 않아야 한다. 상기 도전체는 인접된 자계 영역에서 다른 자계 영역으로 연장되지 않아야 한다.

(b) 도전체가 각각의 인접된 자계-발생 영역에 배열되어야 한다. 자계와 물의 흐름 방향에 대하여 실질적으로 수직방향을 갖는 제3방향은 상기 도전체와 교차되도록 한다. 이에 한 쌍의 도전체는 인접한 각각의 자계-발생 영역에 배열될 수 있다. 상기 도전체는 제1방향으로 배열되는 방식으로 서로 반대 위치를 갖도록 한다.

상기 (a) 조건을 설명하면, 인접한 영역에서 발생된 MHD 기전력의 방향은 역전된다. 만일 상기 도전체가 인접한 자계-발생 영역 사이에서 존재하게 되면, 하나의 자계 발생 영역과 또 다른 자계 발생 영역에서의 MHD 기전력은 상쇄되어, 전류 전도가 일어나지 않게 된다. 이는 (a)조건에 의하여 방지될 수 있다.

또한, 상기 (a)조건은 플러스(+) 전하가 지나는 도전체와 마이너스(-) 전하가 지나는 도전체 사이에 전위차가 발생된다. 이 전위차의 조건하에서 물에 흐르는 전류에 의하여 물이 활성화된다.

상기 조건(b)는 MHD 기전력의 원리로부터 도출된 것이다. 금속판과 같은 도전체가 MHD 기전력의 방향으로 배열되면, 상기 도전체는 전류를 취출(取出)할 수 있게 된다.

따라서, 상술한 도전체가 배열되는 두 쌍의 자계-발생 영역은 본 발명에서 하나의 유니트로서 존재하게 된다. 두 개 이상의 유니트도 본 발명에서 설치시킬 수 있다. 구체예로서, 두 쌍과 또 다른 두 쌍의 자계-발생 영역은 서로 일정거리를 충분히 유지하여한 한다.

(c) MHD 기전력의 방향은 인접된 한 쌍의 자계-발생 영역에서 변화되어야 한다. 플러스와 마이너스 전하는 하나의 자계-발생 영역과 다른 자계-발생 영역에서 각각 발생한다. 상기 (a),(b)와, (c)조건이 충족되면, 발생 전류는 크게 증가하게 되고, 특히 도3 에 도시한 바와 같이 (C₃)의 전류가 (C₂)의 전류보다 두배 정도 높게 증가한다.

위에서 설명한 것으로부터, 상기 도전체가 위치된 수도관은 염화비닐과 같은 전기 절연체로 만들어져야만 하고, 상기 도전체는 자계-발생 영역에 위치되어야 함은 명백한 사실이다.

상기와 같은 점이 충촉된 상태에서, 도전체는 형상과 직경에 관계없이, 하나 이상의 도전체가 각각의 자계-발생 영역에 위치될 수 있다. 상기 도전체는 수도관내의 어떤 위치에도 위치시킬 수 있다.

그러나, 상기 도전체는 수도관의 내벽면에 견고하게 부착하는 것이 바람직하고, 그 이유는 자기 처리장치의 유지관리가 필요없기 때문이다.

또한, 상기 자계는 전자석, 영구자석과 그 밖에 유사한 것에 의하여 발생될 수 있으며, 도 2에 도시한 바와 같이, 수도관과 접촉되지 않도록 위치시킬 수 있지만 상기 영구자석은 수도관의 외주면에 견고하게 부착시키고, N극과 S극을 갖는 영구자석과 S극과 N극을 갖는 영구자석을 서로 반대로 위치되게 부착시키는 것이 바람직한데, 그 이유는 자기 처리장치의 유지관리가 필요없기 때문이다. 또한, 상기 영구자석과 도전체의 길이는 물의 흐름방향의 길이가 거의 동등한 것이 바람직하다.

20mm의 직경을 갖는 염화비닐관이 물의 흐름 방향에서 각각 40mm의 길이를 갖는 상기 두 쌍의 영구자석 사이에 끼워진다. 상기 한 쌍의 영구자석에 의하여 발생된 상기 자속 밀도가 측정되는데, 그 결과치는 도 5에 도시한 바와 같고, 이 그래프는 자계-발생 영역의 일구체예를 나타낸다. 이 영역에서, 자속 밀도는 일정치에 머무르지 않고, 두 개의 최대점을 갖는 연속곡선으로 나타난다.

상기 두 쌍의 영구자석간의 거리는 도 5 에서 도시한 것 보다 넓게 되면, 교류자장이 발생하지 않고, 자속밀도가 제로인 영역이 분리된 자계-발생 영역간에 형성된다. 따라서, 도 1을 참조하여 설명한 상기 분극 전압의 감소를 사용할 수 없지만, 본 발명에 따른 도전체를 도 6에 도시한 바와 같이 자계-발생영역에 위치시킬 수 있게 된다.

따라서, 상기 도전체(4)는 상기 자계-발생 영역(5)이외에도 연장된 부분(4e,4e')을 가지게 되고, 이 연장된 부분(4e,4e')간에 흐르는 전류(I)는 물을 활성시키는데 기여하게 된다.

수도관내의 자속 밀도의 최대치가 1000G 이하 또는 3000G 이상일때, 본 발명에 따른 전류 증가의 효과는 적다. 보다 바람직한 자속밀도(磁束密度)는 1500G에서 2000G이다.

도 7을 참조로 설명하면, 자계-발생 영역에서 도전체의 위치에 대한 구체예가 도시되어 있다. 반원(半圓) 단면 형상을 갖는 홈이 수도관의 내벽면에 형성되어있다. 별체(別體)의 도전판(4a,4b)을 금형성형(die-forming)과 같은 방법으로 상기 홈에 내설시킨다. 상기 한 쌍의 도전판(4a,4b)은 영구자석(1a,1b)의 배열 방향에 대하여 수직방향으로 배열된다.

일반적으로, 분리된 자석에 있어서는, 그 자석의 잔류자화(Br)의 값보다 큰 자속밀도를 자석의 외부로 출현시키는 것은 불가능하다. 다시 말해서, 무한정으로 큰 크기를 갖는 자석이 어떤 공간내의 자기회로에 장착되더라도, 자석의 외부로 나오는 자속밀도는 잔류자속밀도(Br)에 근접하지만, 초과할 수는 없다.

그러나, 쌍극 자석링의 이론에 따르면, 복수개의 자석을 동일한 강도를 갖도록 하고, 각 자석의 자화방향(α)이 α= 2Φ+(π/2)의 식에 따라 변화된다. 자석의 내부공간에서의 자계(H)는 H = Brㆍln(ρ₀/ρ₁)의 식으로 표현된다.

여기서, 상기 Br은 자석의 잔여 자속밀도를 나타내고, ρ₀는 자석의 외경을, ρ₁은 자석의 내경을 나타낸다. 따라서, ρ₀〉 2.7ρ₁일때, H 〉 Br이 얻어진다.

상기 자계의 방향은 도 8(a)에 도시한 바와 같이 변화하지만, 한 개의 구성으로 된 자석에서 자계의 방향을 변화시키는데는 용이하지 않기 때문에, 쐐기 단면 형상을 갖는 자석을 도 8(b)에 도시한 바와 같이 결합함으로써, 만족스런 결과를 얻을 수 있다. 바람직한 자석의 갯수는 6개에서 18개이다.

자석의 잔여 자속밀도보다 큰 자속밀도를 취출(取出)할 수 있도록 한 자기회로가 자기 처리장치에 장착되면, 그 성능은 현저히 증가하게 된다.

또한, 상기 장치는 양 장치의 성능이 동일하다는 조건하에서 종래의 장치보다 현저하게 작은 크기를 갖도록 소형화시킬 수 있다.

상기 쐐기 형상의 Nd-Fe-B 자석(10)(도 9 참조)은 쌍극 자석 링 구조, 즉 α= 2Φ+(π/2)를 갖는다.

자속밀도의 선은 수도관(2)의 내부 모든 부분에서 서로에 대하여 균일하고 평행하게 나타난다.

도 10을 참조로 설명하면, 도면부호 10은 양극, 11은 음극, 12는 MHD 전지를, 13은 격벽을, 14는 전해액을 나타낸다. 실선과 점선은 각각 전자의 흐름과 전류흐름을 나타낸다. 상기 MHD전압이 자기 처리장치에서 발생되면, 물은 활성산소와 활성수소가 발생하도록 전기 분해가 진행되게 된다.

도 10에서, 상기 MHD 전압은 전지(12)로 대체될 수 있다. 상기 활성산소와 활성수소의 발생 메카니즘은 도 9를 참조로 설명되어진다. 즉, 양극에서 발생되는 반응은 2OH^-→ 2e^-(방전) → H₂O + O(활성산소) → (분자상)O₂이다. 반면에, 음극에서 발생되는 반응은 H⁺+ e→ H(활성수소) → (분자상)H₂이다.

비록 격벽(13)이 도 10에서와 같이 설치되더라도, 양극과 음극 반응은 수도관의 동일한 위치에서 발생되어진다.

도 15는 도전체의 유무(有無)에 의한 활성산소와 활성수소의 발생량의 차이를 검사하는데 사용되는 장치를 나타내고 있다.

(A) 도전체가 없고, 교류자장이 있고, MHD 전류는 10mA이고. 표준유속 25cm/sec.

(B) 도전체가 없고, 교류자장이 있고, MHD 전류는 25mA이고, 표준유속 25cm/sec.

상술한 (A) 조건은 비교예에 해당되는 것으로서, 활성산소와 활성수소의 농도는 각각 도 11과 12에 도시한 바와 같다.

상술한 (B) 조건은 실시예에 해당되는 것으로서, 활성산소와 활성수소의 농도는 각각 13과 14에 도시한 바와 같다.

상기 도면에서 본 발명의 조건 (B)에 의한 것이 조건(A)에 비하여, 활성수소와 활성산소의 농도가 약 5배 정도 높다는 것을 알 수 있다.

이하 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.

도 15는 수도관(2)의 한 부분에 장착되는 물의 자기 처리장치의 단면도이다.

상기 수도관(2)은 20mm의 내경을 갖는 보통의 염화비닐관으로 구성된다.

쌍극 자석링 구조를 갖는 두 개의 자기 회로(20a,20b)는 상기 수도관의 외주면에 부착된다. 도면에서 보는 바와 같이 상향의 자속이 자기 회로(20a)에 의하여 발생되고, 반면 하향의 자속은 자기회로(20b)에 의해서 발생한다. 상기 자기회로 (20a,

20b)의 외경(R)과 내경(r)은 각각 관계식 R2.7r을 만족한다.

상기 자기회로(20a,20b)를 구성하는 상기 영구자석(1)(예들들면, 페라이트 자석)은 도 16 에 도시한 바와 같은 형상과 배열을 갖는다. 상기 각각의 자석(10)의 자화방향은 도면에 도시한 바와 같이 변화시킴에 따라, 수도관내의 H1,H2의 방향으로 자속이 발생된다. 비전도성의 재료로 만들어진 스페이서(21)가 상기 자기회로(20a,

20b) 사이에 삽입된다. 또한 양측에 철 파이프로 만들어진 외측 프레임(frame)22 와 스페이서(21)이 수도관(2)를 견고하게 고착하고 있다. 보다 바람직한 상기 스페이서(21)의 길이는 10mm 에서 20mm를 갖도록 하고 반면에 자석(1)은 도관의 길이방향으로 측정된 20mm 의 길이를 갖도록 함이 바람직하다.

상기 도전판(4a,4b)은 자석(1)보다 길고, 도면에서 보는 바와 같이 수도관의 전방과 후방위치에 압착되어 있다.

이상의 설명에서 자계의 방향이 역전되는 실시예에 대하여 설명하였지만, 물을 활성화시키는데 필수적인 전류가 MHD 기전력의 방향이 서로 다르게 나타나는 두 개의 영역에서 발생됨을 상술한 설명으로부터 명백하게 확인할 수 있을 것이다.

이상 구체예 및 실시예 등을 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 이들에 대하여 당업자가 용이하게 생각해내어서 수정한 것은 본 발명의 범위에 포함되는 것이다.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 의하면 MHD 발생 전류를 현격히 증가시키는 것이 가능하므로, 물의 활성화나 스케일의 발생을 방지할 수 있는 효과가 비약적으로 증대된다.

Claims (16)

1. 물의 자기처리장치는:

   제1방향으로 물이 흐르는 수도관과;

   상기 제1방향에 대한 수직방향인 제2방향에서 발생되어 물에 대하여 자계을 인가시키도록 상기 수도관내에서 서로 인접 설치되는 적어도 한 쌍의 자계-발생영역과;

   상기 자계 발생 영역중에 하나의 영역에 위치되고, 상기 제1방향과 제2방향에 대하여 수직방향인 제3방향과 교차되는 제1 도전체와;

   상기 자계 발생 영역의 또 다른 영역에 위치되고, 제1방향과 제2방향에 대하여 수직방향인 제3방향과 교차되는 제2 도전체로 구성되고,

   상기 제1 도전체와 제2 도전체는 서로 전기적으로 접촉되지 않도록 한 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 도전체는 서로 반대 위치로 배열되는 한 쌍의 도전판으로 구성되고, 상기 제2 도전체도 서로 반대 위치로 배열되는 한 쌍의 도전판으로 구성된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체는 제1방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
4. 제 1 항에서 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2방향은 물의 흐름방향에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
5. 제 1 항에서 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 수도관은 물과 접촉되는 적어도 일부분이 비전도성 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
6. 제 1 항에서 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체는 상기 수도관의 비전도성 물질상에 견고히 부착된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
7. 제 1 항에서 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 자계-발생 영역중 적어도 한 쌍의 영역은 각각 N극을 갖는 영구자석과 S극을 갖는 영구자석으로 구성되고, 수도관의 외주면에 서로 반대위치를 이루며 부착되는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 자계의 방향은 인접된 한 쌍의 자계 발생 영역에서 역전되는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
9. 제 1 항에서 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물의 흐름방향에서의 영구자석의 길이와, 물의 흐름방향에서의 도전체의 길이는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
10. 물의 자기처리장치는:

    제1방향으로 물이 흐르는 수도관과;

    상기 수도관에서 제1방향과 수직방향을 갖는 제2방향에서 자계가 발생되도록 한 적어도 하나의 자계 발생 영역으로 구성하되, 이 자계 발생 영역은 쐐기 단면 형상을 갖는 다수개의 자석을 포함하고, 쌍극을 갖는 자석 링 구조를 형성하여 배열된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 자계-발생 영역에서의 자속 밀도는 1000G에서 3000G의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 자속 선(線)은 수도관의 단면도에서 보는 바와 같이 균일하고 상호 평행되는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
13. 제 10 항에서 제 12 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자계-발생 영역은 적어도 인접한 한 쌍으로 된 자계-발생 영역으로 구성되고, 상기 장치는:

    상기 자계 발생 영역중에 하나의 영역에 위치되고, 상기 제1방향과 제2방향에 대하여 수직방향인 제3방향과 교차되는 제1 도전체와;

    상기 자계 발생 영역의 또 다른 영역에 위치되고, 제1방향과 제2방향에 대하여 수직방향인 제3방향과 교차되는 제2 도전체와:

    상기 제1 , 제2 도전체는 전기적으로 서로 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
14. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 제1 도전체는 서로 반대로 위치되는 한 쌍의 도전판으로 구성되고, 상기 제2 도전체도 서로 반대로 위치되는 한 쌍의 도전판으로 구성된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체는 제1방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.
16. 제 12 항에서 제 15 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자계의 방향은 인접된 한 쌍의 자계 발생 영역에서 역전되는 것을 특징으로 하는 물의 자기처리장치.