KR20010041221A - Resist stripping process - Google Patents

Resist stripping process Download PDF

Info

Publication number
KR20010041221A
KR20010041221A KR1020007009310A KR20007009310A KR20010041221A KR 20010041221 A KR20010041221 A KR 20010041221A KR 1020007009310 A KR1020007009310 A KR 1020007009310A KR 20007009310 A KR20007009310 A KR 20007009310A KR 20010041221 A KR20010041221 A KR 20010041221A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ammonium
resist
stripping solution
solution
stripping
Prior art date
Application number
KR1020007009310A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
야콥슨에릭
Original Assignee
알파 메탈즈, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알파 메탈즈, 인크. filed Critical 알파 메탈즈, 인크.
Publication of KR20010041221A publication Critical patent/KR20010041221A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces

Abstract

본발명은 프린트된 와이어링 기판 제조시에 기판 표면으로 부터 패턴화된 레지스트를 제거하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 패턴화된 레지스트를 알카리 원료 및 암모늄 이온을 함유하는 스트리핑 용액과 접촉하는 단계를 포함한다. 여기서 스트리핑 용액은 휘발성 유기 화합물(VOC)를 함유하지 않는 것을 특징으로 한다.The present invention is directed to a method of removing patterned resist from a substrate surface in manufacturing a printed wiring substrate. The method includes contacting the patterned resist with a stripping solution containing an alkali source and ammonium ions. The stripping solution is characterized in that it does not contain a volatile organic compound (VOC).

Description

레지스트 제거 방법{RESIST STRIPPING PROCESS}How to remove resist {RESIST STRIPPING PROCESS}

현재 제조되고 있는 대부분의 인쇄 와이어링 보드(Printed wiring board, PWB)는 감법(에칭) 및 가법(도금) 기술을 조합하여 만든 것들이다. PWB의 표면상에 전도성 패턴을 형성하기 위해서, 통상 건식 필름 또는 액체형으로 존재하는 유기 중합체 레지스트 층을 구리 피복(copper-clad) 패널에 적용한다.Most printed wiring boards (PWBs) currently manufactured are a combination of subtractive (etching) and additive (plating) techniques. In order to form a conductive pattern on the surface of the PWB, an organic polymer resist layer, usually present in dry film or liquid form, is applied to a copper-clad panel.

레지스트가 네가티브 작용성의 광-형성 타입인 경우, 레지스트 코팅 패널이 전자자기 에너지, 예컨대 가시광선 또는 자외선에 노출되면, 이는 패턴을 통해 투사된다. 그 패턴은 기판상에 형성되는 금속 트레이스의 포지티브형 이미지 또는 네가티브 형 이미지에 상응하는 아트워크를 형성한다. 네가티브 형 레지시트의 노출된 부위는 화학 변화를 일으켜 이 부위를 보드 상에 남긴다. 레지스트중 비노출부위는 현상시켜 제거한다. 이와 반대로, 포지티브 작용 시스템에서는, 레지스트중 노출된 부위가 현상 용액중에서 가용성이 되므로, 가용성 부위를 제거하면 보드상의 레지스트중 패턴화된 비노출 부위가 남게 된다. 다른 방법으로서, 스크린 프린팅 공정을 사용하여 레지스트 이미지를 형성하거나 또는 패턴화할 수있다. 흔하게 볼 수있는 것은 아니지만, 전자 빔 또는 레이저 삭마술등을 레지스트에서 패턴을 형성하는 데 이용할 수있다.When the resist is a negative functional photo-forming type, when the resist coating panel is exposed to electromagnetic energy, such as visible or ultraviolet light, it is projected through the pattern. The pattern forms artwork corresponding to a positive or negative image of a metal trace formed on the substrate. Exposed areas of negative resists cause chemical changes that leave these areas on the board. Unexposed areas of the resist are developed and removed. In contrast, in a positive action system, the exposed sites in the resist become soluble in the developing solution, so removing the soluble sites leaves the patterned unexposed sites in the resist on the board. Alternatively, a screen printing process can be used to form or pattern the resist image. Although not commonly seen, electron beams or laser ablation may be used to form patterns in the resist.

레지스트 이미지가 형성된 후, 특정 보드 타입 및 선택한 특정 제조 기술에 따라 PWB 표면은 도금 또는 에칭 단계에 노출한다. 이러한 노출 후에, 광중합체 레지스트 층을 제거하여 추가의 공정을 수행하는 것이 필요하다. 상기 제거 단계는 레지스트 스트리핑 공정을 사용하여 수행한다.After the resist image is formed, the PWB surface is exposed to a plating or etching step, depending on the particular board type and the particular fabrication technique chosen. After this exposure, it is necessary to remove the photopolymer resist layer to perform further processing. The removal step is performed using a resist stripping process.

강알카리("가성, caustic") 용액은 일반적으로 레지스트 제거제로 사용되고 있다. 가장 흔하게 사용되는 제거제는 수산화 나트륨 및 수산화 칼륨이다. 가성 용액을 사용했을 때 나타나는 가장 큰 문제는 이들의 느린 제거 속도, 짧은 수명 및 소위 "시이팅"에 있다. 여기서 시이팅이란 가성 용액이 이들을 조그만 입자로 분해시켜 그것을 큰 시이트로 스트립하기 보다는 대부분의 레지스트를 팽창시키는 경향을 말한다. 이러한 시이트는 이후의 에칭 단계에서, 다시 침적되어 보드의 구리면에 부착한다는 점에서 바람직하지 않다. 또한, 제거된 레지스트 시이트는 분무 기계상의 필터와 노즐을 막아 실질적으로 유지에 있어 문제를 일으킨다.Strong alkaline ("caustic") solutions are commonly used as resist removers. The most commonly used removers are sodium hydroxide and potassium hydroxide. The biggest problem with using caustic solutions is their slow removal rate, short life and so-called "sitting". Sitting here refers to the tendency of the caustic solution to expand most of the resist, rather than breaking them into smaller particles and stripping them into larger sheets. Such sheets are undesirable in that they are deposited again in the subsequent etching step and adhere to the copper surface of the board. In addition, the removed resist sheet clogs the filters and nozzles on the spraying machine, causing substantial maintenance problems.

가성 제거제는 "PWB 의 외부층"에 통상적으로 사용되는 것이 아니다. 여기서, 레지스트는 전기도금 단계의 이미지를 형성하는 데 일반적으로 사용된다. 이는 산 구리 및 주석/주석-납이 오버 도금된 정교한 라인 트레이스간의 팽창된 스트립을 깨끗이 스트립하는 것을 실제적으로 불가능하게 한다. 이외에, 가성물은 주석 또는 주석-납 에치 레지스트를 공격하는 경향이 있다. 그러므로, 가성 스트리퍼는 "내부층" 또는 "프린트 & 에치"를 덜 요구하는 용도에 사용되는 데, 여기서 레지스트는 에칭 단계의 패턴을 간단히 형성한다. 그러나, 불행히도, 상술한 재침착의 문제와 유지 문제가 여전히 남아 있다.Caustic removers are not commonly used in "outer layer of PWB". Here, resist is generally used to form an image of the electroplating step. This makes it practically impossible to clean strip the expanded strip between fine line traces overplated with acid copper and tin / tin-lead. In addition, caustic tends to attack tin or tin-lead etch resists. Therefore, caustic strippers are used in applications requiring less "inner layer" or "print & etch", where the resist simply forms a pattern of etching steps. Unfortunately, however, the above-mentioned problems of re-deposition and maintenance still remain.

스트리핑 조성물로 공지된 다른 타입은 지방족 또는 사이클릭 유기(즉, 탄소 함유), 아민, 유기 4차 수산화 암모늄 및 유기 용매와의 혼합물로 구성된다. 때로, 무기 알카리 수산화 금속은 2차 알카리 담체로 사용된다. 미국 특허 제5,543,353호는 부식 억제제로서 유기 극성 용매, 알칸올 아민 및 티오카르복실산을 함유하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 대해서 개시하고 있다. 미국 특허 제5,556,482호는 유기 극성 용매, 염기성 아민 및 억제제를 함유하는 조성물로 포토레지스트를 제거하는 방법에 대해 기술하고 있다. 미국 특허 제4,904,571호는 알콜, 에테르, 케톤, 염소화된 클로로카본, 방향족 탄화수소, 알칼리 금속 수산화물, 탄산염, 인산염, 피로포스페이트, 보로하이드라이드, 및 유기 아민 보란 화합물을 함유하는 용액중에서 포토레지스트를 제거하는 방법에 관하여 기술하고 있다.Another type known as stripping composition consists of mixtures with aliphatic or cyclic organic (ie carbon containing), amines, organic quaternary ammonium hydroxides and organic solvents. Sometimes inorganic alkali metal hydroxides are used as secondary alkali carriers. U.S. Patent 5,543,353 discloses photoresist stripper compositions containing organic polar solvents, alkanol amines and thiocarboxylic acids as corrosion inhibitors. US Pat. No. 5,556,482 describes a method for removing photoresist with a composition containing an organic polar solvent, a basic amine and an inhibitor. U.S. Patent 4,904,571 discloses the removal of photoresist in solutions containing alcohols, ethers, ketones, chlorinated chlorocarbons, aromatic hydrocarbons, alkali metal hydroxides, carbonates, phosphates, pyrophosphates, borohydrides, and organic amine borane compounds. It describes how.

대부분의 공지된 스트리핑 조성물에 있어서, 아민 및 유기 용매를 함유하는 스트리퍼제 유기 성분은 스트리핑의 주성분으로 작용한다. 이러한 조성물은 높은 수행력(즉 고속도), 긴 수명 및 제거된 조그만 레지스트 입자 크기를 제공하는 것으로 공지되어 있다. 그러나, 불행히도, 스트리퍼 조성물의 유기 성분은 휘발성 유기 화합물(이하 "VOC"라 칭함)로 구성된다. 따라서, 날이 갈수록 엄격해지는 정부의 환경 법과 규칙들 때문에, 프린트된 와이어링 보드 산업은 현재 VOC 유출을 감소시키도록 심각한 압력을 받고 있다.In most known stripping compositions, the stripper organic component containing the amine and the organic solvent serves as the main component of the stripping. Such compositions are known to provide high performance (i.e. high speed), long life and small resist particle size removed. Unfortunately, however, the organic component of the stripper composition consists of volatile organic compounds (hereinafter referred to as "VOC"). Thus, due to increasingly stringent government environmental laws and regulations, the printed wiring board industry is currently under severe pressure to reduce VOC emissions.

VOC는 일반적으로 임의의 탄소 휘발성 화합물로 정의된다(단, 메탄, 일산화 탄소, 이산화 탄소, 탄산, 금속 카바이드 또는 탄산염, 암모늄 탄산염 및 제외된 화합물등은 제외). 이들 VOC 화합물은 대기의 광화학 반응에 참여한다. VOCS 햇빛과 대기 산소로부터 나오는 자외선의 존재하에 대류권내에서 질소산화물(NOx)과 광화학적으로 반응하여 그라운드 레벨의 오존--"스모그"의 주성분을 형성하는 데, 이러한 것들로는 NOx 페록시아실니트레이트(CH3COONO2), VOCs 및 오존의 혼합물이 있다. 결과적으로, VOCs는 "오존 전구체"로서 규제되고 있다.VOC is generally defined as any carbon volatile compound (except methane, carbon monoxide, carbon dioxide, carbonate, metal carbide or carbonate, ammonium carbonate and excluded compounds). These VOC compounds participate in the photochemical reaction of the atmosphere. VOCS Photochemically reacts with nitrogen oxides (NOx) in the troposphere in the presence of ultraviolet light from sunlight and atmospheric oxygen to form ground-level ozone--the main component of "smog", these include NOx peroxyacylnitrites. Rate (CH 3 COONO 2 ), VOCs and ozone. As a result, VOCs are regulated as "ozone precursors".

본발명은 도금 또는 에칭 단계후에 프린트된 와이어링 보드로부터 레지스트 재료를 제거 또는 스트리핑하는 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 본발명은 기판으로 부터 레지스트 패턴을 제거하는 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 표면상에 패턴화된 또는 층화된 레지스트를 가진 기판을 제공하는 단계, VOC가 없는 레지스트 제거 용액을 제공하는 단계(이 용액은 암모늄 이온 원료를 포함하고 있음), 기판으로 부터 패턴화된 층 또는 층화된 레지스트를 모두 제거하기에 충분한 시간동안 스트리핑 용액에 기판을 노출시키는 단계를 포함한다. 놀랍게도, 암모늄 이온은 레지스트 패턴 또는 층을 스트리핑하는 데 있어서 매우 효과적인 것으로 나타났다. 따라서, 본발명은 VOCs를 사용하지 않는 간단한 포토레지스트 제거 공정을 제공하며, 공정 그 자체로서, 본발명은 환경 오염이 되는 실질적인 자원을 제거한다.The present invention relates to a method of removing or stripping resist material from a printed wiring board after a plating or etching step. More specifically, the present invention relates to a method of removing a resist pattern from a substrate, the method comprising providing a substrate having a patterned or layered resist on a surface, the method of removing a resist free of VOC Providing (the solution comprises an ammonium ion source), exposing the substrate to the stripping solution for a time sufficient to remove all of the patterned layer or layered resist from the substrate. Surprisingly, ammonium ions have been shown to be very effective in stripping resist patterns or layers. Thus, the present invention provides a simple photoresist removal process that does not use VOCs, and as the process itself, the present invention removes substantial resources that are environmental pollution.

본발명은 인쇄된 와이어링 보드 제작분야에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 본발명은 도금 또는 에칭 공정 단계후에 프린트된 와이어링 보드에서 레지스트 재료를 제거 또는 스트리핑하는 공정에 관한 것이다.The present invention relates to the field of printed wiring board fabrication. More specifically, the present invention relates to a process for removing or stripping resist material from a printed wiring board after a plating or etching process step.

VOC 유출 감소 및 종국적으로는 완전한 제거를 목표로 하는 PWB 제조 공정의 한 단계는 레지스트 스트리핑이다. 놀랍게도, 공지된 레지스트 스트리핑 조성물에 통상적으로 존재하는 아민, 용매 및 4차 암모늄 화합물은 암모니아 기체 또는 수산화 암모늄같은 암모늄 이온 원료를 함유하는 무기의 비-VOC 함유 용액으로 성공적으로 대체될 수있다. 암모니아계 화합물은 PWB 산업에서 이미 사용되어 온 것이고, 수산화 암모늄은 다양한 구리 에칭 공정에서 암모니아 부식물로서 광범위하게 사용되어 오던 것이다. 상술한 바와 같이, 에칭 단계는 외부층 제조공정에서 레지스트 스트리핑 이후의 단계 또는 내부층 제조에서 레지스트 스트리핑 바로 앞단계이다.One step in the PWB manufacturing process aimed at reducing VOC emissions and ultimately complete removal is resist stripping. Surprisingly, the amines, solvents and quaternary ammonium compounds typically present in known resist stripping compositions can be successfully replaced with inorganic non-VOC containing solutions containing ammonium ion sources such as ammonia gas or ammonium hydroxide. Ammonia-based compounds have already been used in the PWB industry, and ammonium hydroxide has been widely used as ammonia corrosive in various copper etching processes. As described above, the etching step is a step after the resist stripping in the outer layer manufacturing process or just before the resist stripping in the inner layer manufacturing.

암모니아는 수용액중에서 매우 높은 가용성을 지니므로, pH에 따라 한번 용해되면 수소(히드로늄) 이온과 반응하여 암모늄 이온을 형성한다. 수소 이온을 쉽게 얻을 수 있는 것이라면, 이러한 반응은 낮은 pH에서 일어난다. 알카리 용액에서, 수소 이온이 쉽게 얻을 수없는 것이라면, 암모니아는 기체형으로 남는다. 약 9.3(25℃에서)보다 더큰 pH하에서, 50%의 암모니아가 암모늄 이온 형태로 존재하는 반면, 약 12의 pH에서 거의 100% 암모니아가 기체형으로 존재한다. 승온된 온도하에서, 평형은 기체쪽으로 더 이동된다.Since ammonia has a very high solubility in aqueous solution, once dissolved according to pH, it reacts with hydrogen (hydronium) ions to form ammonium ions. If hydrogen ions are readily available, this reaction occurs at low pH. In alkaline solutions, if hydrogen ions are not readily available, ammonia remains in gaseous form. Under pH greater than about 9.3 (at 25 ° C.), 50% of ammonia is present in ammonium ion form, while at a pH of about 12 almost 100% ammonia is present in gaseous form. Under elevated temperature, the equilibrium is further shifted towards the gas.

통상의 레지스트 스트리퍼는, pH가 약 11보다 큰 경우 및 온도는 약 120-130℉(약 49℃ 내지 54℃)의 범위에서 사용된다. 이러한 조건하에서, 모든 암모니아는 육안으로 보았을때 기체형으로 머무르고, 시간이 경과함께 따라 휘발성이 된다. 암모니아 기체는 그 자체로서, 레지스트 스트리핑제 주성분으로 지금까지 사용된 적은 없었다. 미국 특허 제3,980,587호는 레지스트 스트리핑제 주성분(50 내지 55 중량%)으로서 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, EDTA 염, 아세트산, 및 수산화 칼륨과 수산화 암모늄의 30:1 혼합물을 함유하는 알칼리 스트리퍼 성분(19 중량%) 함유 농축물을 1 갤런당 10 내지 30 lb(약 1.2∼3.6 kg/ℓ)를 지닌 용액을 사용하여 일정한 레지스트를 스트리핑할 수있는 방법에 대해 개시하고 있긴 하지만, 이러한 무시 가능한 농도의 수산화 암모늄은 유기 스트리핑 제(에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르) 및 유기 담체(수산화 칼륨)의 스트리핑 작용에 눈에 뜨일만큼 기여하지 않는다.Conventional resist strippers are used when the pH is greater than about 11 and the temperature is in the range of about 120-130 ° F. (about 49 ° C. to 54 ° C.). Under these conditions, all ammonia stays in gaseous form with the naked eye and becomes volatile over time. Ammonia gas, by itself, has never been used as the main component of a resist stripping agent. U.S. Patent No. 3,980,587 discloses an alkali stripper component (19 wt%) containing ethylene glycol monobutyl ether, EDTA salt, acetic acid, and a 30: 1 mixture of potassium hydroxide and ammonium hydroxide as the main component of the resist stripping agent (50-55 wt%). Although it is disclosed a method for stripping a constant resist using a solution containing 10 to 30 lb (about 1.2 to 3.6 kg / l) per gallon, such a negligible concentration of ammonium hydroxide There is no noticeable contribution to the stripping action of the organic stripping agent (ethylene glycol monobutyl ether) and the organic carrier (potassium hydroxide).

이와 유사하게, 미국 특허 제4,078,102호는 레지스트 스트리퍼제 주성분 및 활성화제로서 알데히드 또는 케톤의 혼합물중에서 레지스트를 스트리핑하는 방법을 개시하고 있는 데, 여기서 그 혼합물은 암모늄, 알칼리 및 알카리 토금속 수산화물의 알콜 용액을 약 0.005 내지 0.1 몰의 활성화제 대 1몰의 알데히드 또는 케톤을 함유하고 있다. 보다 바람직한 구체화에 있어서, 상기 특허는 수산화 나트륨(알카리성 담체) 및 시클로헥사논(레지스트 스트리퍼 주성분)을 0.006 내지 0.01 내지 1의 비율로 구성된 포화된 이소프로필 알콜 용액을 제안하고 있다. 이 조성물의 스트리핑 작용은 무기 알카리 담체가 아닌 스트리퍼의 유기 성분으로 인한 것이다.Similarly, U.S. Patent No. 4,078,102 discloses a method of stripping resist in a mixture of aldehydes or ketones as a resist stripper active ingredient and activator, wherein the mixture provides an alcohol solution of ammonium, alkali and alkaline earth metal hydroxides. It contains about 0.005 to 0.1 moles of activator to 1 mole of aldehyde or ketone. In a more preferred embodiment, the patent proposes a saturated isopropyl alcohol solution consisting of sodium hydroxide (alkaline carrier) and cyclohexanone (resist stripper main component) in a ratio of 0.006 to 0.01 to 1. The stripping action of this composition is due to the organic component of the stripper and not the inorganic alkali carrier.

본 발명의 또 하나 개념은 임의의 휘발성 유기 재료를 이용하지 않고서 레지스트 스트리핑제 주성분으로서 암모늄 이온의 다른 원료 또는 암모니아 기체를 사용하는 완전한 수성 VOC가 없는 레지스트 스트리핑 공정을 제공하는 것이다. 본 발명은 또한 승온하에(즉, 80-140℉) 알칼리 용액(pH>9)중, 일정하고 충분히 높은 암모늄 이온 농도를 유지하는 방법에 관한 것이다. 임의의 배쓰 성분은, 스트리핑 용액에 노출된 금속 표면의 부식을 방지하는 비 휘발성 억제제 및 용액을 강력히 교반하여 스트리핑 작용을 증진시키는 경우에서는 거품 생성을 조절하기 위한 거품 억제제 또는 거품제거제를 포함한다.Yet another concept of the present invention is to provide a complete aqueous VOC-free resist stripping process using other raw materials of ammonium ions or ammonia gas as the main component of the resist stripping agent without using any volatile organic material. The present invention also relates to a method for maintaining a constant and sufficiently high ammonium ion concentration in an alkaline solution (pH> 9) at elevated temperatures (ie 80-140 ° F.). Optional bath components include non-volatile inhibitors that prevent corrosion of the metal surface exposed to the stripping solution and foam inhibitors or defoamers to control foam formation when vigorously stirring the solution to enhance stripping action.

스트리핑 용액의 수명을 연장시키기 위해서, 대부분의 현대 레지스트 스트리퍼 시스템은 소위 "공급 및 배출" 모드로 작용한다. 이러한 모드에 있어서, 스트리핑 배쓰가 연속적으로 제거되고, 그 배쓰가 연속적으로 새로운 스트리퍼 용액으로 연속해서 보충된다.In order to extend the life of the stripping solution, most modern resist stripper systems operate in a so-called "feed and discharge" mode. In this mode, the stripping bath is removed continuously and the bath is continuously replenished with fresh stripper solution.

상기 조건하에서, 암모늄 이온 농도는 하기의 방법중 어느 것을 사용하여 일정 레벨로 쉽게 유지할 수있다:Under these conditions, the ammonium ion concentration can be easily maintained at a constant level using any of the following methods:

a) 수산화 암모늄 용액을 스트리퍼 용액으로 연속적으로 공급하는 방법;a) a method of continuously feeding the ammonium hydroxide solution into the stripper solution;

b) 알카리성 암모늄 염(탄산염, 카르바메이트, 실리케이트, 포르메이트, 인산염, 아황산염등)을 연속적으로 공급하는 방법, 이 방법은 pH>12 및 120℉ -130℉에서 암모늄 기체로 전환된다;b) continuously feeding alkaline ammonium salts (carbonates, carbamates, silicates, formates, phosphates, sulfites, etc.), which are converted to ammonium gas at pH> 12 and 120 ° F-130 ° F;

c) 압축된 암모니아 기체를 스트리핑 용액내로 직접 연속 주입하는 단계;c) continuously injecting compressed ammonia gas directly into the stripping solution;

d) 암모니아 농축의 암모니아성 부식 증기로부터 암모니아 기체를 제거 및 회수한 후 스트리핑 용액내로 연속 주입하여 이것을 재순환하는 방법.d) A method for removing and recovering ammonia gas from the ammonia corrosive vapor of ammonia concentration and then recycling it by continuous injection into the stripping solution.

스트리핑 용액은 기술에 공지된 광범위하고 다양한 방법을 사용하여 현상된 포토레지스트에 적용할 수있다.Stripping solutions can be applied to developed photoresists using a wide variety of methods known in the art.

예컨대, 현상된 포토레지스트를 함유하는 기판은 스트리핑 용액 배쓰내로 간단히 침지시킬 수있다. 다른 방법으로서, 스트리핑 용액을 기판상에 분무할 수있다. 현상된 포토레지스트에 스트리핑 용액을 적용하기 위해서 본 명세서에 제시된 방법으로만 본발명이 제한되는 것은 아니다.For example, a substrate containing developed photoresist may simply be immersed into a stripping solution bath. Alternatively, the stripping solution can be sprayed onto the substrate. The present invention is not limited only to the methods presented herein for applying stripping solutions to developed photoresists.

암모늄 이온 재료는 상술한 것에 국한하지 않지만, 공정내로 VOCs를 유입하지 않고 사용될 수있는 것이라면 어떠한 암모늄 이온 재료도 사용 가능하다. 이와는 달리, 스트리핑 용액을 가성 pH에서 유지하는 것이 가능한데, 이러한 pH는 암모니아 기체내로 암모늄 이온을 전환시킬 수있는 가성 스트리핑 역량 및 가성 용액의 역량을 의미한다. 스트리핑 배쓰의 가성 특성을 유지 및/또는 제공하는 데에도 상술한 몇몇 화합물들이 사용될 수있긴 하지만, 본발명은 이들 화합물에만 특별히 제한되는 것은 아니다. VOCs를 공정내로 도입하지 않는 것을 조건으로 알카리성이라면 어떠한 원료도 사용가능하다.The ammonium ion material is not limited to the above, but any ammonium ion material can be used as long as it can be used without introducing VOCs into the process. Alternatively, it is possible to maintain the stripping solution at a caustic pH, which refers to the caustic stripping capacity and the caustic solution's ability to convert ammonium ions into ammonia gas. Although some of the compounds described above may be used to maintain and / or provide the caustic properties of the stripping bath, the present invention is not particularly limited to these compounds. Any raw material can be used as long as it is alkaline provided that VOCs are not introduced into the process.

실험Experiment

실시예 1Example 1

DuPont Riston 9020 건식 필름을 사용하여 구리 피복 패널을 고온 롤로 라미네이트한 후, 1%의 탄산 나트륨 용액중에서 노출 및 현상시켰다. 1 리터의 수산화 칼륨당 20g 및 1 리터의 수산화 암모늄(30% 수용액)당 10밀리리터를 함유하는 레지스트 스트리핑 용액을 제공하였다. 스트리핑 용액은 약 125℉(약51.7℃)에서 가열한 후 패널을 이 용액에 침지시켰다. 60초가 안되어 모든 레지스트가 패널 표면으로 부터 완전히 제거되었다.The copper clad panel was laminated with a hot roll using a DuPont Riston 9020 dry film and then exposed and developed in 1% sodium carbonate solution. A resist stripping solution was provided containing 20 milliliters per liter of potassium hydroxide and 10 milliliters per liter of ammonium hydroxide (30% aqueous solution). The stripping solution was heated at about 125 ° F. (about 51.7 ° C.) and then the panel was immersed in this solution. In less than 60 seconds all resist was removed completely from the panel surface.

실시예 2Example 2

Dynachem Laminar GA 건식 필름을 사용하여, 구리 피복 패널을 고온 롤에 라미네이트 한 후, 1%의 탄산 나트륨 용액중에서 노출 및 현상시켰다. 수산화 나트륨 1 리터당 50g, 중탄산암모늄 1 리터당 20g을 함유하는 레지스트 스트리핑 용액을 제공하였다. 이 스트리핑 용액은 약 130℉(약 54.4℃)에서 가열한 후, 패널을 용액중에 침지시켰다. 60초가 못되어서, 모든 레지스트가 패널 표면으로부터 완전히 제거되었다.Using a Dynachem Laminar GA dry film, the copper clad panel was laminated to a hot roll and then exposed and developed in 1% sodium carbonate solution. A resist stripping solution was provided containing 50 g per liter of sodium hydroxide and 20 g per liter of ammonium bicarbonate. This stripping solution was heated at about 130 ° F. (about 54.4 ° C.) and then the panel was immersed in the solution. In less than 60 seconds, all resist was completely removed from the panel surface.

실시예 3Example 3

DuPont Riston 9015 건식 필름을 사용하여, 구리 피복 패널을 고온 롤에 라미네이트 한 후 1%의 탄산 나트륨 용액중에서 노출 및 현상시켰다. 수산화 리튬 1 리터당 25g, 암모늄 카바메이트 1 리터당 15g을 함유하는 레지스트 스트리핑 용액을 제공하였다. 이 스트리핑 용액은 약 120℉(약 48.9℃)에서 가열하였고, 패널을 용액중에 침지시켰다. 60초가 못되어서, 모든 레지스트가 패널 표면으로부터 완전히 제거되었다.Using a DuPont Riston 9015 dry film, a copper clad panel was laminated to a hot roll and then exposed and developed in 1% sodium carbonate solution. A resist stripping solution was provided containing 25 g per liter of lithium hydroxide and 15 g per liter of ammonium carbamate. This stripping solution was heated at about 120 ° F. (about 48.9 ° C.) and the panel was immersed in the solution. In less than 60 seconds, all resist was completely removed from the panel surface.

실시예 4Example 4

DuPont Riston 9020 건식 필름을 사용하여, 구리 피복 패널을 고온 롤에 라미네이트 한 후, 1%의 탄산 나트륨 용액중에서 노출 및 현상시켰다. 실시예 1에서 얻은 스트리핑 용액을 약 125℉(약 51.7℃)로 가열하고, 제1패널을 용액중에 침지시켰다. 60초가 못되어서 모든 레지스트가 패널의 표면으로 부터 완전히 제거되었다. 용액을 약 125℉(약 51.7℃)에서 2시간 동안 교반하여 암모니아를 휘발성이 되게 하였다. 제2패널을 상기 용액중에 침지 시켰다. 60초후에, 레지스트는 완전히 제2표면으로부터 제거되었다. 30%의 수산화 암모늄 10ml를 스트리핑 용액에 가하고, 제3패널을 그 용액에 침지시켰다. 60초가 못되어서, 모든 레지스트가 제3패널 표면으로부터 완전히 제거되었다.Using a DuPont Riston 9020 dry film, a copper clad panel was laminated to a hot roll and then exposed and developed in 1% sodium carbonate solution. The stripping solution obtained in Example 1 was heated to about 125 ° F. (about 51.7 ° C.) and the first panel was immersed in the solution. In less than 60 seconds all of the resist was completely removed from the surface of the panel. The solution was stirred at about 125 ° F. (about 51.7 ° C.) for 2 hours to make ammonia volatile. The second panel was immersed in the solution. After 60 seconds, the resist was completely removed from the second surface. 10 ml of 30% ammonium hydroxide was added to the stripping solution and the third panel was immersed in the solution. In less than 60 seconds, all resist was completely removed from the third panel surface.

비교 실시예 1Comparative Example 1

DuPont Riston 9020 건식 필름을 사용하여 구리 피복 패널을 고온 롤에 감아 라미네이트한 후, 1%의 탄산 나트륨 용액중에서 노출 및 현상시켰다. 1 리터의 수산화 칼륨당 20g을 함유하는 레지스트 스트리핑 용액을 제공하였다. 스트리핑 용액은 약 125℉(약51.7℃)에서 가열한 후, 이 용액에 패널을 침지시켰다. 60초후, 레지스트는 패널의 표면으로부터 제거되지 못했다.The copper clad panel was wound up on a hot roll and laminated using a DuPont Riston 9020 dry film, then exposed and developed in 1% sodium carbonate solution. A resist stripping solution containing 20 g per 1 liter of potassium hydroxide was provided. The stripping solution was heated at about 125 ° F. (about 51.7 ° C.) and then the panels were immersed in this solution. After 60 seconds, the resist was not removed from the surface of the panel.

비교 실시예2Comparative Example 2

DuPont Riston 9020 건식 필름을 사용하여 구리 피복 패널을 고온 롤에 감아 라미네이트한 후, 1%의 탄산 나트륨 용액중에서 노출 및 현상시켰다. PC-4077 레지스트 스트리퍼(Alpha Metals PC Fab Division) 10%(by vol)를 함유하는 레지스트 스트리핑 용액을 제공하였다. 스트리핑 용액을 약 125℉(약51.7℃)로 가열 한후 패널을 그 용액내로 침지시켰다. 60초후, 레지스트가 패널의 표면으로 부터 완전히 제거되었다.The copper clad panel was wound up on a hot roll and laminated using a DuPont Riston 9020 dry film, then exposed and developed in 1% sodium carbonate solution. A resist stripping solution was provided containing 10% (by vol) PC-4077 resist stripper (Alpha Metals PC Fab Division). The stripping solution was heated to about 125 ° F. (about 51.7 ° C.) and then the panel was immersed into the solution. After 60 seconds, the resist was completely removed from the surface of the panel.

본발명의 특정 구체화 내용으로부터 특징있는 스트리핑 공정이 제안되었다는 것을 알 수있을 것이다. 특정 구체화를 기술하였긴 하지만, 이는 구체화의 목적일뿐 후술되는 청구범위를 제한하는 것은 아니다. 특히, 본 발명가들은 첨부된 청구범위에서 정의한 본 발명의 영역과 정신을 벗어나지 않고서 다양한 치환, 변경 및 수정이 가능하다는 것을 이해하고 있다.It will be appreciated from the specific embodiments of the present invention that a characteristic stripping process has been proposed. Although specific embodiments have been described, this is for the purpose of specification only and is not intended to limit the claims set forth below. In particular, the inventors understand that various substitutions, changes, and modifications are possible without departing from the scope and spirit of the invention as defined in the appended claims.

Claims (20)

a) 표면상에 패턴화된 레지스트를 가진 기판을 제공하는 단계a) providing a substrate having a patterned resist on the surface b) 암모늄 이온 원료를 포함하는 VOC가 없는 레지스트 스트리핑 용액을 제공하는 단계;b) providing a VOC free resist stripping solution comprising an ammonium ion source; c) 표면으로부터 모든 패턴화된 레지스트를 제거하기에 충분한 시간동안 스트리핑 용액에 기판을 노출시키는 단계를 포함하는, 기판으로부터 패턴화된 레지스트를 제거하는 방법.c) exposing the substrate to the stripping solution for a time sufficient to remove all patterned resist from the surface. 제1항에 있어서, VOC가 없는 레지스트 스트리핑 용액은 수산화물 이온 원료를 더 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the resist stripping solution free of VOCs further comprises a hydroxide ion source. 제2항에 있어서, 그 수산화물 이온 원료는 수산화 칼륨, 수산화 나트륨, 수산화 리튬, 및 이의 조합물로 구성된 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 2, wherein the hydroxide ion source is selected from the group consisting of potassium hydroxide, sodium hydroxide, lithium hydroxide, and combinations thereof. 제1항에 있어서, 암모늄 이온 원료는 암모니아 기체를 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the ammonium ion source comprises ammonia gas. 제1항에 있어서, 암모늄 이온 원료는 수산화 암모늄 이온을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the ammonium ion source comprises ammonium hydroxide ions. 제1항에 있어서, 암모늄 이온 원료는 암모늄 염을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the ammonium ion source comprises an ammonium salt. 제1항에 있어서, 암모늄 염은 암모늄 탄산염, 암모늄 카르바메이트, 암모늄 아황산염, 암모늄 실리케이트, 암모눔 포르메이트, 암모늄 인산염 및 이의 조합물로 구성된 군에서 선택한 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the ammonium salt is selected from the group consisting of ammonium carbonate, ammonium carbamate, ammonium sulfite, ammonium silicate, ammonium formate, ammonium phosphate and combinations thereof. 제1항에 있어서, VOC가 없는 레지스트 스트리핑 용액은 비 휘발성의 부식 억제제를 더 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the VOC free resist stripping solution further comprises a nonvolatile corrosion inhibitor. 제1항에 있어서, VOC가 없는 레지스트 스트리핑 용액은 거품 억제제를 더 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the resist stripping solution free of VOCs further comprises a foam inhibitor. 제1항에 있어서, VOC가 없는 레지스트 스트리핑 용액은 거품 제거제를 더 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the resist stripping solution free of VOCs further comprises a defoamer. 제1항에 있어서, 노출 단계는 스트리핑 용액내로 기판을 침지시키는 단계를 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the exposing step comprises immersing the substrate into the stripping solution. 제1항에 있어서, 노출 단계는 스트리핑 용액을 기판상에 분무하는 것을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the exposing step comprises spraying the stripping solution onto the substrate. 제1항에 있어서, 스트리핑 용액중의 암모늄 이온 원료는 주기적으로 또는 연속적으로 공급되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the ammonium ion source in the stripping solution is fed periodically or continuously. 제13항에 있어서, 상기 공급은 수산화 암모늄 용액을 스트리퍼 용액에 주기적으로 또는 연속적으로 첨가하는 것을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 13, wherein said supply comprises adding ammonium hydroxide solution periodically or continuously to the stripper solution. 제13항에 있어서, 상기 공급은 알카리성 암모늄 염을 스트리퍼 용액에 주기적으로 또는 연속적으로 첨가하는 것을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.14. The method of claim 13, wherein said supply comprises adding alkaline ammonium salts periodically or continuously to the stripper solution. 제13항에 있어서, 상기 공급은 암모니아 기체를 스트리퍼 용액에 주기적으로 또는 연속적으로 첨가하는 것을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 13, wherein the supply comprises adding ammonia gas periodically or continuously to the stripper solution. 제1항에 있어서, 스트리핑 용액의 pH는 약 9.3 이상에서 유지되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the pH of the stripping solution is maintained at about 9.3 or greater. 제1항에 있어서, 스트리핑 용액의 pH는 약 11.0 이상에서 유지되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein the pH of the stripping solution is maintained at about 11.0 or higher. 제1항에 있어서, 스트리핑 용액의 pH는 12.0 이상에서 유지되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the pH of the stripping solution is maintained at 12.0 or higher. 제1항에 있어서, 스트리핑은 약 80℉ 내지 약 140℉의 온도 범위에서 수행되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein stripping is performed at a temperature range of about 80 ° F. to about 140 ° F. 3.
KR1020007009310A 1998-02-26 1999-02-01 Resist stripping process KR20010041221A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3115498A 1998-02-26 1998-02-26
US09/031,154 1998-02-26
PCT/US1999/002160 WO1999044101A1 (en) 1998-02-26 1999-02-01 Resist stripping process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010041221A true KR20010041221A (en) 2001-05-15

Family

ID=21857911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007009310A KR20010041221A (en) 1998-02-26 1999-02-01 Resist stripping process

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1057080A1 (en)
JP (1) JP2002505448A (en)
KR (1) KR20010041221A (en)
CN (1) CN1129036C (en)
TW (1) TW407449B (en)
WO (1) WO1999044101A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030007288A (en) * 2002-11-29 2003-01-23 (주) 라모스테크놀러지 Digital player which possesses a e-mail facility and method for processing it
KR100582202B1 (en) * 2003-10-13 2006-05-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Fabrication apparatus and method of thin film transistor array substrate

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328250B2 (en) 1998-12-09 2002-09-24 岸本産業株式会社 Resist residue remover
WO2000044034A1 (en) * 1999-01-25 2000-07-27 Speedfam-Ipec Corporation Methods and cleaning solutions for post-chemical mechanical polishing
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
CN102221791B (en) * 2011-04-29 2014-09-03 西安东旺精细化学有限公司 Photoresist stripper composition
US8975008B2 (en) * 2012-05-24 2015-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of removing negative acting photoresists
TWI595332B (en) * 2014-08-05 2017-08-11 頎邦科技股份有限公司 Method for photoresist stripping

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD143920A1 (en) * 1979-05-24 1980-09-17 Uwe Jungstand EXTRACTS FOR REMOVING POSITIVE PICTURES
JPS60203944A (en) * 1984-03-28 1985-10-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Method for removing positive type photoresist

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030007288A (en) * 2002-11-29 2003-01-23 (주) 라모스테크놀러지 Digital player which possesses a e-mail facility and method for processing it
KR100582202B1 (en) * 2003-10-13 2006-05-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Fabrication apparatus and method of thin film transistor array substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002505448A (en) 2002-02-19
CN1298496A (en) 2001-06-06
CN1129036C (en) 2003-11-26
EP1057080A1 (en) 2000-12-06
WO1999044101A1 (en) 1999-09-02
TW407449B (en) 2000-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4592787A (en) Composition useful for stripping photoresist polymers and method
KR100602463B1 (en) Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces
US6218022B1 (en) Resin etching solution and process for etching polyimide resins
US6440647B1 (en) Resist stripping process
EP1904898B1 (en) Method for fine line resist stripping
JP2734839B2 (en) Etching solution for aluminum, etching method and aluminum etching product
US20110049104A1 (en) Etchant for copper or copper alloy, liquid for etching pretreatment, and etching method
JP2021192427A (en) Methods for producing an etch resist pattern on metallic surface
JP2005043873A (en) Photoresist stripping liquid composition and method for stripping photoresist by using the same
US5256209A (en) Method for cleaning rosin-base solder flux
KR20010041221A (en) Resist stripping process
WO1994008276A1 (en) Photoresist stripping process using n,n-dimethyl-bis(2-hydroxyethyl) quaternary ammonium hydroxide
US11092895B2 (en) Peeling solution composition for dry film resist
CN115261879A (en) Organic film removing liquid suitable for MSAP (multiple-site amplification process)
US6436276B1 (en) Cathodic photoresist stripping process
US5958144A (en) Flux-removing aqueous cleaning composition and method of use
JPH06116755A (en) Resist peeling agent
WO2022114110A1 (en) Cleaning agent composition for detaching resin mask
CN115066104A (en) Stripping liquid for thick photoresist
KR20050078918A (en) Method for forming hole of flexible printed circuit board
KR20000006930A (en) Aqueous negative stripper composition and regeneration of negative PS plate
Chu et al. Development of new photoresist stripping agent
CN111031694A (en) Film stripping liquid and film stripping method
JP2003171694A (en) Cleaning composition and cleaning method
JP2002146561A (en) Etching solution for aluminum foil and etching method for aluminum foil

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid