KR20010036176A - Pumping system of semiconductor fabrication apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼를 처리하기 위한 챔버 내의 압력을 조절하는 펌핑 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a pumping system that regulates a pressure in a chamber for processing a wafer.
반도체 소자를 제조하는 반도체 제조공정의 조건들 중 압력의 조건은 매우 중요하며, 많은 반도체 제조공정상에서 저압력 즉, 저진공이나 고진공의 조건들이 필요로 된다. 각 공정마다 요구되는 진공도는 각 공정에 따라 다르며, 요구되는 진공도에 따라 또는 사용되는 가스의 종류에 따라서 1개 또는 그 이상의 진공 펌프들이 사용된다.Among the conditions of the semiconductor manufacturing process for manufacturing a semiconductor device, the pressure condition is very important, and low pressure, that is, low vacuum or high vacuum conditions are required in many semiconductor manufacturing processes. The degree of vacuum required for each process is different for each process, and one or more vacuum pumps are used depending on the degree of vacuum required or the type of gas used.
일반적으로 반도체 장비의 기본이라 할 수 있는 펌핑 시스템에서는 터보 펌프의 배기관에는 진공라인이 연결되고 그 진공라인에는 러프 펌프가 연결된다. 그리고 상기 배기관과 진공라인의 연결부위에는 실링을 위한 센터링이 설치된다.In general, in a pumping system, which is the basis of semiconductor equipment, a vacuum line is connected to an exhaust pipe of a turbo pump and a rough pump is connected to the vacuum line. And a centering for sealing is installed at the connection portion of the exhaust pipe and the vacuum line.
이와 같은 종래 펌핑 시스템에서 상기 터보 펌프는 상기 러프 펌프가 2 토르까지 진공을 만든 후에 작동된다. 이 과정에서 상기 터보 펌프가 페일(fail)되면 날카로운(blade) 파편 조각이 상기 진공라인을 통해 상기 러프 펌프로 유입되게 된다. 이 파편 조작은 상기 러프 펌프의 페일(fail)을 유발시키는 원인으로 작용하게 된다. 뿐만 아니라, 상기 진공 라인의 밸브에 상기 이물질이 유입되면 밸브의 동작이 불안정하게 되고 밸브의 리크(leak)를 발생시킬 수 있다.In such a conventional pumping system the turbo pump is operated after the rough pump creates a vacuum up to 2 Torr. In this process, when the turbo pump fails, pieces of blade debris flow into the rough pump through the vacuum line. This debris operation acts as a cause of failing the rough pump. In addition, when the foreign matter is introduced into the valve of the vacuum line, the operation of the valve may become unstable and may cause leakage of the valve.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 터보 펌프가 페일되면서 발생되는 이물질이 라인을 통해 다른 진공 펌프로 유입되는 것을 차단할 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조장치의 펌핑 시스템을 제공하는데 있다.The present invention is to solve such a conventional problem, the object of the present invention is to provide a pumping system of a new type of semiconductor manufacturing apparatus that can block foreign matter generated while the turbo pump is failed to enter the other vacuum pump through the line. It is.
도 1은 반도체 제조용 이온 주입 설비에서 적용된 본 발명의 펌핑 시스템을 보여주는 도면;1 shows a pumping system of the present invention applied in an ion implantation facility for semiconductor manufacturing;
도 2은 도 1에 도시된 펌핑 시스템에 설치된 센터링을 보여주는 도면이다.FIG. 2 shows centering installed in the pumping system shown in FIG. 1. FIG.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
12 : 챔버 20 : 터보 펌프12 chamber 20 turbo pump
30 : 진공 라인 40 : 러프 펌프30: vacuum line 40: rough pump
50 : 센터링50: centering
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 챔버 내의 압력을 조절하기 위한 반도체 제조장치의 펌핑 시스템은 상기 챔버에 연결되는 진공 라인과; 상기 진공 라인을 통해 상기 챔버 내의 기압을 미리 정해진 제 1 기압으로 낮추는 제 1 펌프와; 상기 제 1 펌프와 상기 챔버 사이에 위치되도록 상기 진공 라인상에 설치되는 그리고 상기 챔버내의 기압이 상기 제 1 기압에 도달했을 때 상기 제 1 기압보다 낮은 제 2 기압으로 낮추는 제 2 펌프 및; 상기 제 1 펌프와 상기 진공 라인이 연결되는 부분의 실링을 위해 설치되고 이물질이 상기 진공 라인을 통해 상기 제 2 펌프에서 상기 제 1 펌프로 유입되는 것을 차단하는 안전부재를 갖는 센터링을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the pumping system of the semiconductor manufacturing apparatus for regulating the pressure in the chamber includes a vacuum line connected to the chamber; A first pump for lowering the pressure in the chamber to a first predetermined pressure through the vacuum line; A second pump installed on the vacuum line to be positioned between the first pump and the chamber and lowering to a second air pressure lower than the first air pressure when the air pressure in the chamber reaches the first air pressure; And a centering having a safety member installed to seal the portion where the first pump and the vacuum line are connected, and preventing foreign matter from flowing into the first pump from the second pump through the vacuum line.
이와 같은 시스템에서 상기 안전부재는 이물질을 거르기 위한 그물망으로 이루어질 수 있다.In such a system, the safety member may be made of a net for filtering foreign matter.
이와 같은 시스템에서 상기 제 1 펌프는 러프 펌프이고, 상기 제 2 펌프는 터보 펌프로 이루어진다.In such a system the first pump is a rough pump and the second pump is a turbo pump.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 및 도 2를 참조하면서 상세히 설명한다. 그리고 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. In the drawings, the same reference numerals are given to components that perform the same function.
도 1에는 반도체 제조용 이온 주입 설비에서의 펌핑 시스템을 보여주고 있다. 도 2은 도 1에 도시된 펌핑 시스템에 설치된 센터링을 보여주는 도면이다.1 shows a pumping system in an ion implantation facility for semiconductor manufacturing. FIG. 2 shows centering installed in the pumping system shown in FIG. 1. FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 펌핑 시스템은 챔버(12)와 터보 펌프(20), 진공라인(30), 밸브(32) 그리고 러프(rough) 펌프(40)와 센터링(50)으로 이루어지는 것을 알 수 있다. 상기 챔버(12)에서는 반도체 제조를 위한 이온주입 공정이 진행된다. 상기 진공 라인(30)은 상기 챔버(12)에 연결된다. 그리고 상기 러프 펌프(40)와 상기 터보 펌프(20)는 상기 진공 라인(30)상에 설치된다. 상기 터보 펌프(20)는 상기 챔버(12)와 상기 러프 펌프(400 사이에 위치되도록 설치되는 것이 바람직하다. 상기 밸브(32)는 상기 진공 라인(30)상에 설치되어 상기 터보 펌프(20)의 펌핑 능력을 조절하게 된다. 상기 러프 펌프(40)는 부스터 펌프 또는 드라이 펌프 등의 저진공 펌프로도 이해할 수 있다.1 and 2, the pumping system according to the present invention includes a chamber 12, a turbo pump 20, a vacuum line 30, a valve 32, a rough pump 40, and a centering 50. It can be seen that consists of). In the chamber 12, an ion implantation process for manufacturing a semiconductor is performed. The vacuum line 30 is connected to the chamber 12. The rough pump 40 and the turbo pump 20 are installed on the vacuum line 30. The turbo pump 20 is preferably installed to be located between the chamber 12 and the rough pump 400. The valve 32 is installed on the vacuum line 30 to the turbo pump 20 The rough pump 40 may be understood as a low vacuum pump such as a booster pump or a dry pump.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에서 가장 특징적인 구성인 센터링(50)은 그물망(52)을 갖는다. 이 센터링(50)은 기본적으로 상기 터보 펌프(20)의 배기관(22)과 상기 진공 라인(30)이 연결되는 부분에서의 실링을 위해 설치된다. 그리고 상기 그물망(52)은 상기 터보 펌프(20)의 페일시 발생하는 파편 조각이 상기 러프 펌프(40) 또는 밸브(32)로 유입되는 것을 막아주게 된다.On the other hand, as shown in Figure 2, the most characteristic configuration in the present invention, the centering 50 has a mesh 52. The centering 50 is basically provided for sealing at the portion where the exhaust pipe 22 of the turbopump 20 and the vacuum line 30 are connected. In addition, the mesh 52 prevents the fragments generated during the failure of the turbo pump 20 from entering the rough pump 40 or the valve 32.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 이온 주입 설비에서 소스 ＆ 빔 라인 챔버(12) 내의 압력을 고진공으로 만들기 위해서는 먼저, 상기 러프 펌프(40)로 상기 챔버(12) 내의 압력을 대기압 상태에서 2.0E-1 상태로 만든다. 그리고 나서 상기 터보 펌프(20)로 챔버 내의 압력을 저진공에서 고진공으로 만든다. 이 과정에서 터보 펌프(20)가 페일되었을 때 발생하는 파편 조각이 상기 진공 라인(30)으로 유입되게 된다. 이때, 이 파편 조각은 상기 센터링(50)의 그물망(52)에 걸리게 되면서, 상기 러프 펌프(40) 및 밸브(32)로의 유입이 차단되고, 상기 러프 펌프(40)와 밸브(32)는 상기 파편조각의 유입시 발생될 수 있는 고장으로부터 예방할 수 있는 것이다.Referring again to FIGS. 1 and 2, in order to make the pressure in the source & beam line chamber 12 high in the ion implantation facility, first, the pressure in the chamber 12 is 2.0 at atmospheric pressure with the rough pump 40. To E-1. The turbopump 20 then makes the pressure in the chamber from low to high vacuum. In this process, fragments generated when the turbo pump 20 fails are introduced into the vacuum line 30. At this time, the fragment is caught by the mesh 52 of the centering 50, the inflow into the rough pump 40 and the valve 32 is blocked, the rough pump 40 and the valve 32 is It is possible to prevent the failures that may occur when the fragments are introduced.
이와 같은 펌핑 시스템의 센터링 구조는 반도체 소자 제조 공정에서 필요로 하는 다양한 펌핑 시스템의 진공라인에 널리 사용되는 것이 바람직하다.Such a centering structure of the pumping system is preferably widely used in the vacuum line of the various pumping system required in the semiconductor device manufacturing process.
이상에서, 본 발명에 따른 펌핑 시스템의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the pumping system according to the present invention has been shown in accordance with the above description and drawings, but this is only an example, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. to be.
이와 같은 본 발명의 펌핑 시스템에 의하면, 터포 펌프의 페일시 발생되는 이물질이 센터링의 그물망에 걸려 진공 라인에 설치된 밸브와 러프 펌프로의 유입을 차단함으로서 이물질에 의한 밸브와 러프 펌프의 고장을 예방할 수 있는 효과가 있다.According to the pumping system of the present invention, the foreign matter generated during the failure of the turpo pump is caught by the mesh of the centering to block the inflow into the valve and the rough pump installed in the vacuum line to prevent the failure of the valve and the rough pump by the foreign matter. It has an effect.
Claims (3)
Priority Applications (1)
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| KR1019990043078A KR20010036176A (en) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | Pumping system of semiconductor fabrication apparatus |
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| KR1019990043078A KR20010036176A (en) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | Pumping system of semiconductor fabrication apparatus |
Publications (1)
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| KR20010036176A true KR20010036176A (en) | 2001-05-07 |
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Family Applications (1)
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| KR1019990043078A KR20010036176A (en) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | Pumping system of semiconductor fabrication apparatus |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR20010036176A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100939207B1 (en) * | 2002-11-19 | 2010-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Apparatus for decompression |
-
1999
- 1999-10-06 KR KR1019990043078A patent/KR20010036176A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100939207B1 (en) * | 2002-11-19 | 2010-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Apparatus for decompression |
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