KR100939207B1 - Apparatus for decompression - Google Patents

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Abstract

본 발명은 분말 및 진동에 의해 진공펌프가 손상되는 것을 방지할 수 있는 감압장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure reduction device that can prevent the vacuum pump from being damaged by powder and vibration.

본 발명은 프로세스 챔버와, 상기 챔버 내부를 고진공 상태로 감압시키기 위한 진공펌프와, 상기 진공펌프를 지지하기 위한 댐퍼와, 상기 챔버와 진공펌프 사이에 설치되어 상기 진공펌프의 진공력을 높이기 위한 버퍼 탱크와, 상기 버퍼 탱크를 직접 지지하기 위한 서포터를 구비한다.The present invention provides a process chamber, a vacuum pump for depressurizing the inside of the chamber to a high vacuum state, a damper for supporting the vacuum pump, and a buffer installed between the chamber and the vacuum pump to increase the vacuum force of the vacuum pump. A tank and a supporter for directly supporting the buffer tank are provided.

이러한 구성에 의하여, 본 발명은 고 하중의 버퍼 탱크를 서포터가 지지함과 아울러 질소가스에 의해 진공펌프 내부에 적체된 파우더를 외부로 배출시킴으로써 진공펌프 내부의 베어링 또는/및 블레이드 등의 손상을 방지하게 된다.By such a configuration, the present invention prevents damage to the bearings and / or blades inside the vacuum pump by supporting the buffer tank with a high load and discharging the powder accumulated in the vacuum pump to the outside by the supporter. Done.

Description

감압장치{APPARATUS FOR DECOMPRESSION} Pressure reducing device {APPARATUS FOR DECOMPRESSION}             

도 1은 종래의 감압장치를 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional pressure reducing device.

도 2는 프로세서 가스에 의해 발생되는 파우더가 도 1에 도시된 진공펌프 내부에 적체된 것을 나타내는 도면.2 is a view showing that the powder generated by the processor gas is accumulated in the vacuum pump shown in FIG.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치를 나타내는 도면.3 is a view showing a pressure reducing device according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10, 110 : 챔버 12, 112 : 버퍼 탱크10, 110: chamber 12, 112: buffer tank

14, 114 : 진공펌프 16, 116 : 댐퍼14, 114: vacuum pump 16, 116: damper

20, 120 : 지면 40 : 베어링20, 120: ground 40: bearing

118 : 가스 공급부 119 : 충격완충부재118: gas supply unit 119: shock absorbing member

본 발명은 감압장치에 관한 것으로, 특히 분말 및 진동에 의해 진공펌프가 손상되는 것을 방지할 수 있는 감압장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure reducing device, and more particularly, to a pressure reducing device that can prevent the vacuum pump from being damaged by powder and vibration.

반도체 디바이스나 액정표시패널 등의 소재로 이루어지는 기판에의 이온 주입, 드라이 에칭, 막형성 처리 등의 각종 공정에서는 감압장치가 사용되고 있다.The pressure reduction device is used in various processes, such as ion implantation, dry etching, and film formation process into the board | substrate which consists of raw materials, such as a semiconductor device and a liquid crystal display panel.

일반적으로, 기판에 불순물을 도핑하는 방법으로는 이온주입법과 확산법 등이 있다. 확산법은 1970년대 초반까지 지배적으로 이용되어 왔으나 몇 가지의 문제점을 가지고 있어 최근에는 이온주입법으로 대체되고 있다. 상기 확산법의 문제점으로는 낮은 농도영역에서의 농도조절이 어렵고, 불순물이 웨이퍼에 파고드는 접합깊이의 조절이 어렵고, 고온에서의 확산이 진행되는 동안 먼저 주입되었던 불순물이 웨이퍼 내에서 수직, 수평방향으로 확산되어 반도체 소자상의 실제로 원하는 확산영역보다 더 큰 영역이 형성되는 문제점을 갖고 있다. In general, methods of doping impurities into a substrate include ion implantation and diffusion. Diffusion has been dominant until the early 1970s, but has been replaced by ion implantation in recent years due to some problems. As a problem of the diffusion method, it is difficult to control the concentration in the low concentration region, difficult to control the depth of bonding of impurities into the wafer, and impurity previously injected during diffusion at high temperature is vertically and horizontally in the wafer. The diffusion has a problem in that a region larger than the actually desired diffusion region on the semiconductor element is formed.

이에 비하여, 이온주입법은 확산법의 상기 문제점을 보완할 수 있을 뿐 아니라 웨이퍼 상에서 원하지 않는 영역으로 들어오는 불순물을 막기 위한 마스크로서 실리콘 산화막 이외에 감광막을 사용할 수도 있으며, 균일성 또한 확산법에 비해훨씬 양호하다는 장점을 갖고 있다. 그래서, 이온주입법은 웨이퍼 내에 반도체 소자를 형성시키는데 있어서, 그 적용범위가 점차 증대되고 있는 추세에 있다. On the other hand, the ion implantation method can compensate for the above problems of the diffusion method and can also use a photoresist film in addition to the silicon oxide film as a mask for preventing impurities from entering an undesired region on the wafer, and uniformity is much better than that of the diffusion method. Have Therefore, the ion implantation method has a tendency that the application range is gradually increasing in forming a semiconductor element in a wafer.

도 1을 참조하면, 종래의 감압장치는 로드록 챔버(10)와, 로드록 챔버(10)의 대기압 상태를 고진공 상태로 만들기 위한 진공펌프(14)와, 로드록 챔버(10)와 진공펌프(14) 사이에 접속되어 진공펌프의 압력을 증가시키기 위한 버퍼 탱크(12)와, 진공펌프(14)의 배면에 설치되어 상기 진공펌프(14)를 지지하는 댐퍼(16)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a conventional pressure reducing device includes a load lock chamber 10, a vacuum pump 14 for bringing the atmospheric pressure of the load lock chamber 10 into a high vacuum state, a load lock chamber 10, and a vacuum pump. A buffer tank 12 for increasing the pressure of the vacuum pump and connected between the plurality of nozzles 14 and a damper 16 provided on the rear surface of the vacuum pump 14 to support the vacuum pump 14 is provided.

로드록 챔버(10)는 이온 주입할 기판을 도시하지 않은 공정챔버에 로딩시키거나 이온 주입 완료한 기판을 공정챔버로부터 언로딩시키는 장소가 된다. 즉, 로드록 챔버(10)는 공정챔버의 예비실로 사용된다. 이러한, 로드록 챔버(10)는 외부의 공기에 의한 기판의 오염을 방지하기 위하여 고진공 상태로 유지된다.The load lock chamber 10 is a place for loading a substrate to be ion implanted into a process chamber (not shown) or unloading a substrate that has been ion implanted from the process chamber. That is, the load lock chamber 10 is used as a preliminary chamber of the process chamber. The load lock chamber 10 is maintained in a high vacuum state to prevent contamination of the substrate by external air.

버퍼 탱크(12)는 부스터(Booster Pump)의 역할과 같이 기류를 모아서 진공펌프(14)의 기능을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 버퍼 탱크(12)와 로드록 챔버(10) 사이에는 도시하지 않은 게이트 밸브가 설치된다. 이 게이트 밸브가 닫힌상태에서 열림상태로 될 경우에는 로드록 챔버(10) 내의 대기압과 버퍼 탱크(12) 간의 기압차에 의해 로드록 챔버(10)는 대기압에서 고 진공분위기 상태가 된다.Buffer tank 12 serves to improve the function of the vacuum pump 14 by collecting the air flow, such as the role of a booster (Booster Pump). For this purpose, a gate valve (not shown) is provided between the buffer tank 12 and the load lock chamber 10. When the gate valve is opened from the closed state, the load lock chamber 10 is in a high vacuum atmosphere at atmospheric pressure due to the pressure difference between the atmospheric pressure in the load lock chamber 10 and the buffer tank 12.

댐퍼(16)는 진공펌프(14)의 배면과 지면(20) 사이에 설치된다. 이러한, 댐퍼(16)는 버퍼 탱크(12)가 설치된 진공펌프(14)를 지지하게 된다.The damper 16 is installed between the rear surface of the vacuum pump 14 and the ground 20. The damper 16 supports the vacuum pump 14 provided with the buffer tank 12.

이러한, 종래의 감압장치를 이용하여 로드록 챔버(10)를 고진공 분위기화 할 경우에는 우선, 게이트 밸브가 닫힌 상태에서 진공펌프(14)의 도시하지 않은 모터의 펌핑구동에 의해 버퍼 탱크(12)의 내부는 고진공 상태가 된다. 그런 다음, 버퍼 탱크(12) 내부의 분위기가 고 진공상태일 경우 게이트 밸브를 열면, 버퍼 탱크(12)와 로드록 챔버(10) 간의 기압차 및 진공펌프(14)의 구동에 의해 로드록 챔버(10)의 내부는 빠르게 고진공 상태가 된다.When the load lock chamber 10 is subjected to a high vacuum atmosphere by using such a conventional pressure reducing device, the buffer tank 12 is first driven by pumping of a motor (not shown) of the vacuum pump 14 in a state where the gate valve is closed. The interior is in a high vacuum state. Then, when the gate valve is opened when the atmosphere inside the buffer tank 12 is in a high vacuum state, the pressure difference between the buffer tank 12 and the load lock chamber 10 and the load lock chamber are driven by the vacuum pump 14. The interior of 10 quickly becomes a high vacuum state.

그러나, 종래의 감압장치는 진공펌프(14) 위에 고 하중의 버퍼 탱크(12)가 설치되기 때문에 펌핑시 진공펌프(14)의 도시하지 않은 샤프트 축에 버퍼 탱크(12)의 고 하중이 수직방향으로 영향을 미치게 됨과 아울러 진공펌프(14)의 회전에 의 해 수평방향으로의 진동이 발생하게 된다. 이러한 진공펌프(14)의 샤프트 축에 전달되는 수직 방향의 하중 및 수평방향의 진동을 댐퍼(16) 만으로 감소시키지 못하게 된다. 또한, 종래의 감압장치는 및 진공펌프(14)의 펌핑 중 챔버(10) 내의 프로세스 가스(GAS)로 인하여 도 2에 도시된 바와 같이 가루 형태의 파우더가 진공펌프(14) 내에 발생하게 된다. 이러한, 파우더에 함유된 화학물질의 기호 및 함유량은 아래의 표 1과 같이 나타난다.However, in the conventional pressure reducing device, since the high load buffer tank 12 is installed on the vacuum pump 14, the high load of the buffer tank 12 is perpendicular to the shaft axis (not shown) of the vacuum pump 14 during pumping. In addition, the vibration in the horizontal direction is generated by the rotation of the vacuum pump (14). It is impossible to reduce the vertical load and the horizontal vibration transmitted to the shaft shaft of the vacuum pump 14 by the damper 16 alone. In addition, in the conventional pressure reducing device and the process gas (GAS) in the chamber 10 during the pumping of the vacuum pump 14, powder in the form of powder is generated in the vacuum pump 14 as shown in FIG. Symbols and contents of the chemicals contained in the powder are shown in Table 1 below.

기호sign 성분% ingredient% F(불소)F (fluorine) 20.320.3 B(바륨)B (barium) 2.662.66 P(인)P (person) 0.420.42 Al(알루미늄)Al (aluminum) 4.94.9 Cr(크롬)Cr (chrome) 3.63.6 Fe(철)Fe 19.719.7 Mn(망간)Mn (manganese) 0.10.1 Ni(니켈)Ni (nickel) 0.60.6 Si(실리콘)Si (Silicone) 0.10.1 Ca(칼슘)Ca (calcium) 미량a very small amount Mo(몰리브덴)Mo (molybdenum) 미량a very small amount V(바나듐)V (vanadium) 미량a very small amount

이에 따라, 종래의 감압장치에서 진공펌프(14) 내의 베어링(40) 또는 블레이드(Blade)는 불소(F), 바륨(B) 및 인(P)의 화학물질이 함유된 파우더에 의해서 손상된다. 이는, 파우더에 함유된 화학물질 중 불소(F), 바륨(B) 및 인(P)은 챔버 내의 프로세스 가스의 성분들과 일치하기 때문에 철(Fe) 성분인 진공펌프(14) 내의 베어링(40) 또는 블레이드(Blade)는 불소(F), 바륨(B) 및 인(P)의 화학물질이 함유된 파우더에 의해서 손상됨을 알 수 있다.Accordingly, in the conventional pressure reducing device, the bearing 40 or the blade in the vacuum pump 14 is damaged by powder containing chemicals of fluorine (F), barium (B) and phosphorus (P). This is because the fluorine (F), barium (B) and phosphorus (P) among the chemicals contained in the powder match the components of the process gas in the chamber, so that the bearings 40 in the vacuum pump 14 which are iron (Fe) components. ) Or blade (Blade) can be seen to be damaged by the powder containing the chemicals of fluorine (F), barium (B) and phosphorus (P).

따라서, 본 발명의 목적은 분말 및 진동에 의해 진공펌프가 손상되는 것을 방지할 수 있는 감압장치를 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a pressure reduction device that can prevent the vacuum pump from being damaged by powder and vibration.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치는 프로세스 챔버와, 상기 챔버 내부를 고진공 상태로 감압시키기 위한 진공펌프와, 상기 진공펌프를 지지하기 위한 댐퍼와, 상기 챔버와 진공펌프 사이에 설치되어 상기 진공펌프의 진공력을 높이기 위한 버퍼 탱크와, 상기 버퍼 탱크를 직접 지지하기 위한 서포터를 구비한다.In order to achieve the above object, a pressure reducing device according to an embodiment of the present invention is a process chamber, a vacuum pump for reducing the pressure inside the chamber in a high vacuum state, a damper for supporting the vacuum pump, the chamber and the vacuum pump It is provided between the buffer tank for increasing the vacuum force of the vacuum pump, and a supporter for directly supporting the buffer tank.

상기 감압장치는 상기 진공펌프에 설치되어 상기 진공펌프 내부로 고압의 가스를 공급하기 위한 가스 공급기를 구비한다.The decompression device is installed in the vacuum pump and has a gas supply for supplying a high pressure gas into the vacuum pump.

상기 감압장치에서 상기 버퍼 탱크의 하단부는 상기 진공펌프의 바깥쪽으로 연장되고, 상기 서포터는 상기 연장된 버퍼탱크의 하단부와 지면 사이에 수직하게 설치되는 것을 특징으로 한다.In the decompression device, the lower end of the buffer tank extends outward of the vacuum pump, and the supporter is installed vertically between the lower end of the extended buffer tank and the ground.

상기 감압장치는 상기 연장된 버퍼탱크의 하단부와 상기 서포터 사이에 설치되는 충격완충부재를 더 구비한다.The decompression device further includes an impact buffer member installed between the lower end of the extended buffer tank and the supporter.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한 다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치는 로드록 챔버(110)와, 로드록 챔버(110)의 대기압 상태를 고진공 상태로 만들기 위한 진공펌프(114)와, 로드록 챔버(110)와 진공펌프(114) 사이에 접속되어 진공펌프의 압력을 증가시키기 위한 버퍼 탱크(112)와, 진공펌프(114)의 배면에 설치되어 상기 진공펌프(114)를 지지하는 댐퍼(116)와, 진공펌프(114)의 내부로 질소(N2) 가스를 공급하는 가스 공급부(118) 및 버퍼 탱크(112)를 지지하기 위한 서포터(130)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the pressure reducing device according to the embodiment of the present invention includes a load lock chamber 110, a vacuum pump 114 for making the atmospheric pressure state of the load lock chamber 110 into a high vacuum state, and a load lock chamber ( A buffer tank 112 connected between the 110 and the vacuum pump 114 to increase the pressure of the vacuum pump, and a damper 116 installed at the rear of the vacuum pump 114 to support the vacuum pump 114. And a gas supply unit 118 for supplying nitrogen (N2) gas into the vacuum pump 114 and a supporter 130 for supporting the buffer tank 112.

로드록 챔버(110)는 이온 주입할 기판을 도시하지 않은 공정챔버에 로딩시키거나 이온 주입 완료한 기판을 공정챔버로부터 언로딩시키는 장소가 된다. 즉, 로드록 챔버(110)는 공정챔버의 예비실로 사용된다. 이러한, 로드록 챔버(110)는 외부의 공기에 의한 기판의 오염을 방지하기 위하여 고진공 상태로 유지된다.The load lock chamber 110 is a place for loading a substrate to be ion implanted into a process chamber (not shown) or unloading a substrate that has been ion implanted from the process chamber. That is, the load lock chamber 110 is used as a preliminary chamber of the process chamber. The load lock chamber 110 is maintained in a high vacuum state to prevent contamination of the substrate by external air.

버퍼 탱크(112)는 부스터(Booster Pump)의 역할과 같이 기류를 모아서 진공펌프(114)의 기능을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 버퍼 탱크(112)와 로드록 챔버(110) 사이에는 도시하지 않은 게이트 밸브가 설치된다. 이 게이트 밸브가 닫힌상태에서 열림상태로 될 경우에는 로드록 챔버(110) 내의 대기압과 버퍼 탱크(112) 간의 기압차에 의해 로드록 챔버(110)는 대기압에서 고 진공분위기 상태가 된다.Buffer tank 112 serves to improve the function of the vacuum pump 114 by collecting the air flow, such as the role of a booster (Booster Pump). To this end, a gate valve (not shown) is installed between the buffer tank 112 and the load lock chamber 110. When the gate valve is opened from the closed state, the load lock chamber 110 is in a high vacuum atmosphere at atmospheric pressure due to the pressure difference between the atmospheric pressure in the load lock chamber 110 and the buffer tank 112.

댐퍼(116)는 진공펌프(114)의 배면과 지면(120) 사이에 설치된다. 이러한, 댐퍼(116)는 버퍼 탱크(112)가 설치된 진공펌프(114)를 지지하게 된다.The damper 116 is installed between the rear surface of the vacuum pump 114 and the ground 120. The damper 116 supports the vacuum pump 114 in which the buffer tank 112 is installed.

가스 공급부(118)는 진공펌프(114)의 일측에 설치되어 도시하지 않은 가스 공급장치로부터 공급되는 고압의 질소 가스를 진공펌프(114)의 내부로 공급한다.The gas supply unit 118 is installed at one side of the vacuum pump 114 to supply high pressure nitrogen gas supplied from a gas supply device (not shown) into the vacuum pump 114.

서포터(130)는 버퍼 탱크(112)와 지면(120) 사이에 설치되어 버퍼 탱크(112)를 수직하게 직접 지지하게 된다. 이를 위해, 버퍼 탱크(112)의 하단부는 진공펌프(112)의 바깥쪽으로 연장된다. 이에 따라, 서포터(130)는 나사에 의해 연장된 버퍼 탱크(112)의 하단부와 지면(120) 사이에 수직하게 설치되어 버퍼 탱크(112)를 직접 지지하게 된다. 또한, 연장된 버퍼 탱크(112)의 하단부와 서포터(130) 사이에는 사이에는 테프론 등의 충격완충부재(119)가 설치된다.The supporter 130 is installed between the buffer tank 112 and the ground 120 to directly support the buffer tank 112 vertically. To this end, the lower end of the buffer tank 112 extends out of the vacuum pump 112. Accordingly, the supporter 130 is vertically installed between the lower end of the buffer tank 112 extended by the screw and the ground 120 to directly support the buffer tank 112. In addition, an impact buffer member 119 such as Teflon is installed between the lower end of the extended buffer tank 112 and the supporter 130.

이와 같은, 서포터(130)는 버퍼 탱크(112)와 지면(120) 사이에 설치되어 버퍼 탱크(112)의 고 하중이 진공펌프(114)으로 전달되지 않도록 버퍼 탱크(112)를 지지하게 된다.As such, the supporter 130 is installed between the buffer tank 112 and the ground 120 to support the buffer tank 112 so that the high load of the buffer tank 112 is not transferred to the vacuum pump 114.

이러한, 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치를 이용하여 로드록 챔버(110)를 고진공 분위기화 할 경우에는 우선, 게이트 밸브가 닫힌 상태에서 진공펌프(114)의 도시하지 않은 모터의 펌핑구동에 의해 버퍼 탱크(112)의 내부는 고진공 상태가 된다. 그런 다음, 버퍼 탱크(112) 내부의 분위기가 고 진공상태일 경우 게이트 밸브를 열면, 버퍼 탱크(112)와 로드록 챔버(110) 간의 기압차 및 진공펌프(114)의 구동에 의해 로드록 챔버(110)의 내부는 빠르게 고진공 상태가 된다.When the load lock chamber 110 is subjected to a high vacuum atmosphere by using the decompression device according to the embodiment of the present invention, first, by the pumping operation of a motor (not shown) of the vacuum pump 114 in a state where the gate valve is closed. The interior of the buffer tank 112 is in a high vacuum state. Then, when the gate valve is opened when the atmosphere inside the buffer tank 112 is in a high vacuum state, the pressure difference between the buffer tank 112 and the load lock chamber 110 and the load lock chamber are driven by the vacuum pump 114. The interior of 110 quickly becomes a high vacuum state.

이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치는 진공펌프(114) 위에 설치되는 고 하중의 버퍼 탱크(112)를 서포터(130)가 지지하기 때문에 펌핑시 버퍼 탱크(112)의 고 하중이 진공펌프(114)의 도시하지 않은 샤프트 축에 수직방향으로 미 치지 않도로 한다. 한편, 진공펌프(14)의 회전에 의해 샤프트 축에 미치는 수평방향으로의 진동은 진공펌프(114) 만을 지지하는 댐퍼(116)가 감소시키게 된다.As described above, since the supporter 130 supports the high load buffer tank 112 installed on the vacuum pump 114, the high pressure of the buffer tank 112 is vacuumed. It does not extend in the direction perpendicular to the shaft axis (not shown) of the pump 114. On the other hand, the vibration in the horizontal direction on the shaft axis by the rotation of the vacuum pump 14 is reduced by the damper 116 supporting only the vacuum pump 114.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치는 진공펌프(114)의 펌핑 중 챔버(110) 내의 프로세스 가스(GAS)로 인하여 종래와 같이 가루 형태의 파우더가 진공펌프(114) 내에 발생하게 된다. 이러한, 파우더는 가스 공급부(118)에 의해 진공펌프(114)의 내부로 공급되는 고압의 질소 가스에 의해 외부로 배출되어진다. 이에 따라, 프로세스 가스에 의해 진공펌프 내부에 파우더가 발생하더라도 고압의 질소가스에 의해 외부로 배출되기 때문에 파우더에 의한 진공펌프(114) 내부의 베어링 또는/및 블레이드의 손상이 발생하지 않게 된다. In addition, in the pressure reducing apparatus according to the embodiment of the present invention, powder in the form of powder is generated in the vacuum pump 114 as in the prior art due to the process gas GAS in the chamber 110 during the pumping of the vacuum pump 114. The powder is discharged to the outside by the high pressure nitrogen gas supplied into the vacuum pump 114 by the gas supply unit 118. Accordingly, even if the powder is generated inside the vacuum pump by the process gas, the powder is discharged to the outside by the high-pressure nitrogen gas, so that the bearing or / and the blade inside the vacuum pump 114 by the powder does not occur.

이와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치는 반도체 디바이스나 액정표시패널 등의 소재로 이루어지는 기판에의 이온 주입, 드라이 에칭, 막형성 처리 등의 각종 공정에서 사용될 수 있다.The pressure reducing device according to the embodiment of the present invention can be used in various processes such as ion implantation, dry etching, and film formation treatment on a substrate made of a material such as a semiconductor device or a liquid crystal display panel.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 감압장치는 진공펌프 상에 설치되는 버퍼 탱크를 지지하기 위한 서포터와 프로세스 가스에 의해 진공펌프 내부에 적체된 파우더를 외부로 배출시키기 위한 질소가스를 공급하는 가스 공급부를 구비한다. 이에 따라, 본 발명은 고 하중의 버퍼 탱크를 서포터가 지지함과 아울러 질소가스에 의해 진공펌프 내부에 적체된 파우더를 외부로 배출시킴으로써 진공펌프 내부의 베어링 또는/및 블레이드 등의 손상을 방지하게 된다. 따라서, 본 발 명은 공정 가동률을 향상시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, the decompression device according to the embodiment of the present invention supplies a nitrogen gas for discharging the powder accumulated in the vacuum pump to the outside by a supporter and a process gas for supporting a buffer tank installed on the vacuum pump. A gas supply part is provided. Accordingly, in the present invention, the supporter supports a high-load buffer tank and discharges powder accumulated in the vacuum pump to the outside by nitrogen gas to prevent damage to bearings and / or blades inside the vacuum pump. . Therefore, the present invention can improve the productivity of the process operation rate.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (4)

프로세스 챔버와,Process chamber, 상기 챔버 내부를 고진공 상태로 감압시키기 위한 진공펌프와,A vacuum pump for depressurizing the inside of the chamber to a high vacuum state; 상기 진공펌프를 지지하기 위한 댐퍼와,A damper for supporting the vacuum pump, 상기 챔버와 진공펌프 사이에 설치되어 상기 진공펌프의 진공력을 높이기 위한 버퍼 탱크와,A buffer tank installed between the chamber and the vacuum pump to increase the vacuum force of the vacuum pump; 상기 버퍼 탱크를 직접 지지하기 위한 서포터와,A supporter for directly supporting the buffer tank; 상기 진공펌프에 설치되어 상기 진공펌프 내부로 고압의 가스를 공급하기 위한 가스 공급기를 구비하는 것을 특징으로 하는 감압장치.And a gas supply unit installed in the vacuum pump to supply a high pressure gas into the vacuum pump. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼 탱크의 하단부는 상기 진공펌프의 바깥쪽으로 연장되고, 상기 서포터는 상기 연장된 버퍼탱크의 하단부와 지면 사이에 수직하게 설치되는 것을 특징으로 하는 감압장치.The lower end of the buffer tank extends to the outside of the vacuum pump, and the supporter is installed between the lower end of the extended buffer tank and the ground vertically. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 연장된 버퍼탱크의 하단부와 상기 서포터 사이에 설치되는 충격완충부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 감압장치.And a shock absorbing member installed between the lower end of the extended buffer tank and the supporter.
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