KR20010035553A - 반도체 소자 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 출입을 위하여 그 벽에 개구부를 가지는 반응챔버와, 상기 개구부와 연결되는 웨이퍼 이송관과, 상기 웨이퍼 이송관의 차단 여부를 결정하도록 상기 웨이퍼 이송관에 설치된 슬롯밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치에 있어서, 상기 슬롯밸브와 반응챔버 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관에 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치를 제공한다. 여기서, 상기 퍼지용 포트는 슬롯밸브에 설치되는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 공정 진행 중에 상기 퍼지용 포트를 통하여 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어 줌으로써 상기 반응챔버내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관의 내부로 확산할 수 없게 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 반응챔버에 인접한 상기 웨이퍼 이송관에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체 소자 제조 장치 {Apparatus for fabricating semiconductor devices}
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서 특히, 반응챔버에 인접한 웨이퍼 이송관 내부에서 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼는 반응챔버로 유입되거나 유출될 때 로드락(load lock)부를 거치게 된다. 이 때, 웨이퍼는 로드락부와 반응챔버를 연결하는 웨이퍼 이송관을 통하여 이송된다. 그리고, 웨이퍼 이송관에는 슬롯 밸브가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브에 의하여 반응챔버와 로드락부의 연통 여부가 결정된다.
그런데, 슬롯 밸브가 반응챔버와 소정의 거리만큼 떨어진 곳에 설치되기 때문에 반응챔버 쪽에 있는 웨이퍼 이송관 내부도 실질적으로 반응 공간을 형성하게 된다. 이 때문에 웨이퍼 이송관의 일부에도 박막이 증착되고, 공정 진행 중이나 진행 후에 박막이 일부 박리됨으로써 원하지 않게 미세입자가 발생하게 된다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 구체적으로, 반응챔버(10)는 그 내부에 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터(Susceptor, 15)를 구비한다. 여기서, 상기 서셉터(15)는 안착되는 웨이퍼를 가열시키기 위하여 그 내부에 히터(미도시)를 구비한다. 그리고, 상기 반응챔버(10)는 웨이퍼 이송관(30)에 의해 로드락부(20)와 연결되며, 상기 웨이퍼 이송관(30)을 통해 상기 로드락부(20)에서 상기 반응챔버(10)로 웨이퍼가 이송된다. 상기 웨이퍼 이송관(30)에는 슬롯 밸브(34)가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브(34)에 의하여 상기 웨이퍼 이송관(30)의 차단 여부가 결정된다.
상기 슬롯 밸브(34)를 닫음으로써 상기 반응챔버(10)에 의한 독립적인 반응 공간이 제공된다. 그러나, 이 경우 상기 슬롯 밸브(34)와 반응챔버(10) 사이의 웨이퍼 이송관(30) 내부도 상기 반응챔버(10)의 내부와 함께 반응 공간을 형성하게 되어 문제이다.
이를 구체적으로 설명하면, 상기 반응챔버(10) 내에서 박막 증착 공정이 진행될 경우 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부에도 약간의 박막이 증착된다. 따라서, 나중에 이들이 일부 박리되어 원하지 않는 미세 입자가 발생하게 된다. 뿐만 아니라, 상기 히터에서 발생하는 열에 의해 상기 반응 챔버(10)가 이와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30)보다 더 뜨겁게 되기 때문에, 상대적으로 차가운 상기 웨이퍼 이송관(30)에 기체들이 응축되어 증착되거나 미세 입자(particle)가 발생하게 된다.
이를 방지하기 위하여 상기 반응챔버(10) 내부를 세정해줘야 하는데, 그 기하학적인 구조 때문에 상기 웨이퍼 이송관(30)의 내부는 제대로 세정되지 않게 된다. 예컨대, 플라즈마를 이용하는 제조 공정의 경우, 일반적으로 그 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 그대로 이용하여 반응챔버의 내부를 세정하는데, 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부에는 플라즈마가 형성되지 않기 때문에 플라즈마에 의한 건식 세정이 되지 않는다. 또한, 습식 세정도 마찬가지 이유로 제대로 되지 않는다.
상기 슬롯 밸브(34)는 인서트 밸브(34a)의 상하 운동에 의해 그 게이트부(34b)가 열리고 닫힌다. 상기 게이트부(34b)에는, 상기 반응챔버(10)가 진공 상태일 경우 이를 잘 밀폐시키기 위하여 O-링(34c)이 설치되어 있다. 그러나, 상기 O-링(34c)은 상기 히터로부터 가까운 곳에 위치하기 때문에 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받게 된다.
상기 웨이퍼 이송관(30)은 상기 슬롯 밸브(34)와 로드락부(20) 사이에 웨이퍼 감지부(32)를 구비한다. 상기 웨이퍼 감지부(32)에 의해 그 위치에 웨이퍼가 있는가의 여부가 감지되며, 이에 의해 상기 슬롯 밸브(34)의 열림/닫힘 여부가 결정된다.
상술한 바와 같이 종래의 반도체 소자 제조 장치에 의하면, 상기 슬롯 밸브(34)와 반응챔버(10) 사이의 웨이퍼 이송관(30) 내부도 상기 반응챔버(10)의 내부와 함께 실질적으로 반응 공간을 형성하게 되고, 이로 인해 결과적으로 상기 반응챔버(10)와 접해 있는 웨이퍼 이송관(30) 내부가 미세입자의 발생 근원지가 된다. 이를 방지하기 위하여 상기 반응챔버(10)의 내부를 세정한다 하더라도, 그 기하학적인 구조 때문에 상기 웨이퍼 이송관(30)의 내부는 제대로 세정되지 않게 된다. 또한, 상기 O-링(34c)이 상기 히터에서 발생하는 열에 의하여 쉽게 열적 손상을 받기 때문에, 상기 반응챔버(10)를 진공으로 할 때, 상기 반응챔버(10)와 로드락부(20)에 리크(leak)가 발생한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반응챔버에 인접한 웨이퍼 이송관 내부에서 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, O-링이 열적으로 손상을 받는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이고,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다.
〈 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 〉
10, 110: 반응챔버 15, 115: 서셉터
20, 120: 로드락부 30, 130: 웨이퍼 이송관
34, 134: 슬롯 밸브 34a, 134a: 인서트 밸브
34b, 134b: 게이트부 34c, 134c: O-링
134d: 온도조절관 134e: 퍼지용 포트
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의하면, 본 발명은 웨이퍼의 출입을 위하여 그 벽에 개구부를 가지는 반응챔버와, 상기 개구부와 연결되는 웨이퍼 이송관과, 상기 웨이퍼 이송관의 차단 여부를 결정하도록 상기 웨이퍼 이송관에 설치된 슬롯밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치에 있어서, 상기 슬롯밸브와 반응챔버 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관에 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 퍼지용 포트가 슬롯밸브에 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 슬롯 밸브가 자신의 온도 조절을 위하여 그 내부에 유체가 흐를 수 있는 온도조절관을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 공정 진행 중에 상기 퍼지용 포트를 통하여 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어 줌으로써 상기 반응챔버내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관의 내부로 확산할 수 없게 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 반응챔버에 인접한 상기 웨이퍼 이송관에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 온도조절관을 통하여 적당한 온도를 갖는 물을 흘러보냄으로써 상기 슬롯 밸브내에 있는 O-링이 열적 손상을 받거나, 상기 슬롯 밸브 부근과 상기 반응챔버의 온도 구배에 의해 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 구체적으로, 반응챔버(110)는 그 내부에 웨이퍼를 안착시키기 위한 서셉터(Susceptor, 115)를 구비하며, 그 내부 및 외부가 원통형의 형상을 갖는다. 여기서, 상기 서셉터(115)는 그 위에 안착되는 웨이퍼를 가열시키기 위하여 그 내부에 히터(미도시)를 구비한다.
상기 반응챔버(110)는 웨이퍼 이송관(130)에 의해 로드락부(120)와 연결되며, 상기 웨이퍼 이송관(130)을 통해 상기 로드락부(120)에서 상기 반응챔버(110)로 웨이퍼가 이송된다. 상기 웨이퍼 이송관(130)에는 슬롯 밸브(134)가 설치되어 있으며, 이 슬롯 밸브(134)에 의하여 상기 웨이퍼 이송관(130)의 차단 여부가 결정된다.
상기 슬롯 밸브(134)는 상기 슬롯밸브(134)와 반응챔버(110) 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관(130)에 Ar 또는 N2기체와 같은 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트(134e)를 구비한다. 그리고, 상기 슬롯 밸브(134)는 인서트 밸브(134a)의 상하 운동에 의해 그 게이트부(134b)가 열리고 닫힌다. 여기서, 상기 게이트부(134b)에는 상기 반응챔버(110)가 진공 상태일 경우 이를 잘 밀폐시키기 위하여 O-링(134c)이 설치되어 있다.
상기 슬롯 밸브(134)를 닫음으로써 상기 반응챔버(110)의 내부와 함께, 상기 슬롯 밸브(134)와 반응챔버(110) 사이의 웨이퍼 이송관(130) 내부도 반응 공간을 형성하게 된다. 상기 반응챔버(110) 내에서 소정의 공정, 예컨데 증착공정을 진행하면서 상기 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어주게 되면, 그 분압차로 인하여 상기 반응챔버(110) 내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관(130)의 내부로 확산할 수 없게 된다. 따라서, 종래와 같이 상기 웨이퍼 이송관(130)의 내부에 박막이 증착됨으로 인한 원하지 않는 미세입자의 발생을 감소시킬 수 있다. 특히, PH3도핑공정에서 Ar을 불어넣어주게 되면 PH3가 Ar에 용해되기 때문에 상기 반응챔버(110)에 인접한 웨이퍼 이송관(130)에 PH3가 증착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 슬롯 밸브(134)는 자신의 온도 조절을 위하여 그 내부에 유체가 흐를 수 있는 온도조절관(134d)을 구비한다. 따라서, 상기 온도조절관(134d)을 통하여 냉각수를 흘려보내주므로써 종래와 같이 상기 O-링(134c)이 열적 손상을 받게 되는 것을 방지할 수 있다. 경우에 따라서는 상기 슬롯 밸브(134) 부근과 상기 반응챔버(110)의 온도 구배를 줄이기 위하여 적당한 온도의 물을 흘러보냄으로써 온도차에 의한 미세입자의 발생을 방지할 수 있다. 예컨데, TiN 증착 공정의 경우는 통상 웨이퍼의 온도가 400℃~450℃ 되고 이로 인해 상기 반응챔버(110) 벽의 온도가 약 150℃ 가 되므로 100℃~160℃ 범위내의 온도를 갖는 물을 흘러보내주는 것이 바람직하다. 물론, 상기 O-링(134c)이 열적으로 손상을 받지 않도록 너무 고온의 물을 흘러보내는 것은 바람직하지 않다.
해당 위치에 웨이퍼가 있는가의 여부를 감지하는 웨이퍼 감지부(132)는 상기 로드락부(120)와 상기 슬롯 밸브(134) 사이에 위치하며, 상기 웨이퍼 감지부(132)에 의해 상기 슬롯 밸브(134)의 열림/닫힘 여부가 결정된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의하면, 공정 진행 중에 상기 퍼지용 포트(134e)를 통하여 퍼지용 기체를 미세하게 불어넣어 줌으로써 상기 반응챔버(110) 내의 기체가 상기 웨이퍼 이송관(130)의 내부로 확산할 수 없게 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 반응챔버에 인접한 상기 웨이퍼 이송관(130)에서 미세 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 온도조절관(134d)을 통하여 적당한 온도를 갖는 물을 흘러보냄으로써 상기 O-링(134c)이 열적 손상을 받거나, 상기 슬롯 밸브(134) 부근과 상기 반응챔버(110)의 온도 구배에 의해 미세입자가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (4)

  1. 웨이퍼의 출입을 위하여 그 벽에 개구부를 가지는 반응챔버와, 상기 개구부와 연결되는 웨이퍼 이송관과, 상기 웨이퍼 이송관의 차단 여부를 결정하도록 상기 웨이퍼 이송관에 설치된 슬롯밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치에 있어서,
    상기 슬롯밸브와 반응챔버 사이에 위치하는 웨이퍼 이송관에 퍼지용 기체가 외부로부터 주입될 수 있도록 퍼지용 포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 퍼지용 포트가 슬롯밸브에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 슬롯 밸브가 자신의 온도 조절을 위하여 그 내부에 유체가 흐를 수 있는 온도조절관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 퍼지용 기체가 Ar 또는 N2기체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
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