KR20010032866A - 로스트 메탈패턴을 사용하여 세라믹 몰드를 형성하는 방법 - Google Patents

Abstract

세라믹몰드를 형성하는 방법은 개방끝부를 가진 주형틀(3)에서 임계의 패턴표면(13)을 가진 패턴(1)을 위치시키는 단계를 포함한다. 임계의 패턴표면은 개방끝부를 향하여 상향으로 면한다. 연속하는 단계는 열 가역성액체메탈(5)을 주형틀(3)에 추가하여 임계의 패턴표면을 커버하는 단계, 액체메탈을 냉각하여 고체메탈몰드를 형성하는 단계를 포함한다. 메탈몰드(7)는 임계의 패턴표면(10)에 반대의 임계의 메탈몰드(7)표면을 갖는다. 그 다음 단계는 메탈몰드(7)에서 패턴을 제거하는 단계, 메탈몰드주위에 세라믹몰드(11)를 주조하는 단계, 세라믹몰드(11)에서 메탈몰드를 제거하기 위해 메탈몰드를 액화하는 단계를 포함한다. 세라믹 몰드(11)는 임계의 메탈몰드표면에 반대하는 임계의 세라믹 표면(10)을 갖는다. 이에 의해 임계의 패턴표면을 정확하게 반대편으로 뒤집는다.

Description

로스트 메탈패턴을 사용하여 세라믹 몰드를 형성하는 방법{METHOD OF USING LOST METAL PATTERNS TO FORM CERAMIC MOLDS}

경쟁상대보다 빠르게 시장에 대해 새로운 제품을 얻는 것은 큰 시장점유율을 얻는 열쇠로서 인식된다. 전체 시장 시간조절에 중요한 영향을 미치는 제품개발의 한 영역은 시장실험을 위한 제품 및 패키지 프로토타입을 만드는 것이다. 이러한 실험은 소비자가 검사하거나 사용하기 위한 다중의 시각, 감각, 및 기능적인 프로토타입을 통상적으로 요구한다.

패키지 구성요소는 통상적으로 매우 고가의 플라스틱 부품, 다중의 공동 및 스틸몰드를 포함한다. 예를 들면, 대부분의 병은 중공 성형되고 대부분의 병 폐쇄부는 사출성형된다. 많은 중공을 갖춘 몰드를 만드는데 드는 비용은 통상적으로 대량의 생산량이 요구된다. 보다 작은 시장을 위해 또는 수 백개의 실험 부품만을 만들기 위해 단일의 중공 몰드 또는 프로토타입 몰드가 만들어진다. 프로토타입 몰드는 실험부품을 만드는데 사용될 수 있는 도구를 제공할 뿐만 아니라 부분이 연속적으로 만들어질 수 있는지의 여부에 대한 중요한 지식을 제공한다. P20 또는 H13 스틸 같은 생산류 메탈으로부터 몰드를 만드는 경우에, 전기방전가공(EDM)이 사용된다. EDM 전극은 패턴이 적용되는 메탈에서 역패턴을 생성하도록 형성된다. 이러한 전극은 전형적으로 구리 또는 흑연으로 가공된다. 이들 전극재료는 EDM 공정에서 파손되고 마모되므로 교체 전극은 EDM 공정을 완성하기 위해 반드시 가공되어 대체되어야 한다. EDM 전극용 증가된 마모저항재료가 사용되지만 이 재료는 쉽게 가공될 수 없다. 필요한 것은 전극을 가공하지 않고 고 마모저항 전극을 만드는 방법이다.

컨테이너 또는 부품을 빠르게 프로토타이핑하는 하나의 방법은 전통적인 사출 압출되는 왁스패턴 대신에 빠른 프로토타이핑 시스템에 의해 생성된 패턴을 사용하는 인베스트먼트 주조이다. 이러한 패턴의 실례는 캘리포니아 발란시아의 3D system사의 QUICKCAST^TM패턴이다. 중공의 플라스틱 패턴은 디핑(dipping)공정에 의해 통상적으로 얇은 세라믹 쉘로 코팅되어 있다. 이 플라스틱은 재(ash) 잔여물의 최소 양을 남기는 세라믹쉘로부터 가열된다. 그 다음 용융된 메탈은 세라믹쉘내로 주입되어 플라스틱 부분을 위해 메탈부분 또는 메탈몰드를 주조한다. 쉘은 용융된 메탈을 수용하는 작은 구멍만을 가지고 있기 때문에 재 잔여물을 위해 임계의 표면을 검사하기가 어렵다. 임계의 표면상의 임의의 재 잔여물은 메탈 주물을 잠재적으로 파괴시킬 것이다. 용융된 메탈이 냉각되고 수축되어 임계의 표면이 정밀하게 재생산되지 않는다. 부품이 보다 커지면 커질수록 더 정밀하지 않게 된다.

충분히 밀도가 높은 몰드를 제조하는 개량된 방법은 1996년 4월 토빈(Tobin)에게 허여된 US 5,507,336에 개시되었다. 이 방법은 메탈몰드를 만드는데 사용되는 침투재료의 용융점보다 큰 용융점을 갖는 튜브내에 있는 패턴을 위치시키는 단계를 포함한다. 세라믹 부재는 패턴의 표면과 튜브의 개방끝부 사이에서 주조되어 임계의 패턴 표면을 세라믹부재로 변형시킨다. 세라믹 표면은 패턴표면과 반대이다. 패턴은 가열되고 세라믹표면은 튜브에 남는다. 그 다음 세라믹은 튜브의 나머지 끝부로부터 메탈분말과 침투재료로 덮여지고 튜브는 노에 위치되어 세라믹표면상에 메탈부분을 형성한다. 메탈부분은 세라믹표면과 반대하는 표면을 갖는다. 세라믹 단편이 제거될 때 메탈몰드가 생긴다. 메탈몰드는 패턴으로서 동일한 형상을 갖고 반대의 형상을 가진 플라스틱부품을 몰딩하는데 유용하다. 이러한 것은 외부의 임계의 표면을 갖는 부품을 위한 이상적인 공정이다.

토빈의 공정은 세라믹몰드가 만들어지는 패턴을 파괴한다. 패턴을 파괴하지 않고 정밀한 세라믹몰드패턴을 빠르게 형성하는 공정이 필요하다. 또한 세라믹 부분 몰딩을 위해 짝을 이루는 메탈몰드를 제공하는 것이 종종 필요하다. 이것을 이루기 위해, 메탈몰드는 패턴의 반대로된 형상을 요구할 수 있다. 따라서, 세라믹 몰드는 패턴과 동일한 형상을 가질 필요가 있어서 세라믹몰드와 패턴사이에 중간몰드가 생산되는 것을 필요로 한다. 토빈의 보다 빠른 공정으로, 임의의 세라믹몰드는 이 표면에서 오염되지 않아서 결과로서 생기는 메탈몰드는 정밀하다.

패턴이 파괴되지 않게 하기 위해, 임계의 패턴표면이 세라믹몰드로 변형되어될 때 버려지고 재활용될 수 있는 재료로 만들어진 중간몰드를 사용하는 것이 바람직하다. 왁스와 실리콘 고무는 이러한 목적으로 사용된다. 왁스(열 가역성)는 패턴으로부터 제거될 때 부서지기 쉬운 단점을 가지고 있고 작은 단편의 특히 언더컷이 있는 곳에서 부서질 수 있고 얇은 특성이 있다. 또한 이것은 팽창될 수 있고 가열시 세라믹을 균열하게 한다. 세라믹이 "응고" 함에 따라 열을 방출시킬 때, 실리콘 고무는 경화되고, 실리콘 고무는 왜곡될 수 있어서 정밀하지 않음이 세라믹패턴에 나타난다. 또한 실리콘 고무가 세라믹으로부터 실리콘을 가압하는 공기 분사 또는 다른수단에 의해 패턴으로부터 제거되어야 한다. 이러한 것은 세라믹몰드가 특히 얇은 형상이 있는 곳에서 파괴되게 한다.

따라서, 본 발명의 목적은 세라믹몰드상에 다른 잔여물이나 재를 남기지 안고 ±0.005 인치의 오차내에 있는 임의의 크기 패턴의 정밀한 재생산품을 생산하고 패턴과 동일한 형상을 갖는 세라믹몰드를 만드는 공정을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 열 가역성 메탈을 사용하여 반대의 패턴 중간 몰드를 만들고 세라믹 몰드를 형성하는 동한 왜곡되게 하지 않고, 세라믹몰드의 미세한 형상을 파괴함이 없이 세라믹몰드로부터 용이하게 제거되게 할 수 있는 공정을 제공하는 것이다.

이들 및 다른 목적은 이하 설명으로부터 명백해질 것이다.

본 발명은 열 가역성 메탈을 사용하여 패턴의 중간몰드를 만들고 세라믹 몰드를 주조하기 위해 중간몰드를 사용함으로써 정밀한 세라믹몰드를 준비하는 방법에 관한 것이다. 그 다음 세라믹 몰드는 원래의 패턴과 유사한 다중의 플라스틱 부품을 주조하는 보다 내구성이 있는 메탈몰드를 만들어 내는데 사용될 수 있다.

도 1은 주형틀(3)내에 위치된 임계의 패턴표면(13)을 가진 패턴(1)의 정면 단면도,

도 2는 액체메탈(5)이 주입된 제1 주형틀(3)내의 패턴(1)의 정면 단면도,

도 3은 제2 주형틀(8)과 응고된 메탈몰드(7)사이의 환형공간(12)를 갖추고서 제2 주형틀(8)내에 위치된 임계의 패턴표면(13)으로부터 변형된 임계의 메탈몰드표면(10)을 갖는 응고된 메탈몰드(7)의 정면 단면도,

도 4는 응고된 메탈몰드(7)를 걸쳐 그리고 환형공간(12)내로 주입되고 임계의 메탈몰드표면(10)을 덮는 석고 또는 세라믹 용액(9)을 갖는 제2 주형틀(8)의 정면 단면도, 그리고

도 5는 제2 주형틀(8) 및 메탈몰드(7)를 제거하여 세라믹표면(14)을 노출하고, 임계의 메탈몰드표면(10)으로부터 변형되고 임계의 패턴표면(13)을 정확하게 모사한 응고된 석고몰드(11)의 정면 단면도.

본 발명의 한 양태에 있어서, 세라믹몰드를 형성하는 방법은 개방끝부를 가진 주형틀에서 임계의 패턴표면을 가진 패턴을 위치시키는 단계를 포함한다. 임계의 패턴표면은 개방끝부를 향하여 상향으로 면한다. 연속하는 단계는 액체메탈을 주형틀에 추가하여 임계의 패턴표면을 커버하는 단계, 액체메탈을 냉각하여 고체메탈몰드를 형성하는 단계를 포함한다. 메탈몰드는 임계의 패턴표면에 반대의 임계의 메탈몰드표면을 갖는다. 그 다음 단계는 메탈몰드에서 패턴을 제거하는 단계, 메탈몰드주위에 세라믹몰드를 주조하는 단계, 세라믹몰드에서 메탈몰드를 제거를 위해 가열에 의해 메탈몰드를 액화하는 단계를 포함한다. 세라믹 몰드는 임계의 메탈몰드표면에 반대하는 임계의 세라믹 표면을 갖는다. 이에 의해 임계의 패턴표면을 정확하게 모사한다. 이 방법은 액체메탈이 냉각되어 고체 메탈몰드를 형성할 때 액체메탈에서 가스를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 명세서는 본 발명을 명확하게 청구하고 특정적으로 한정짓는 청구항을 포함하고 있고, 본 발명은 부재번호가 이에 상응하는 요소에 기재되어 있는 첨부된 도면에 따라 취해진 바람직한 실시예의 설명으로 부터 보다 잘 이해될 것이다.

여기에서 사용되는, 용어 "세라믹"은 경화되는 제품을 만들어내기 위해 가열되어질 수 있는 석고, 점토, 실리카 또는 다른 비금속 같은 재료이다.

여기에서 사용되는, 용어 "메탈"은 패턴에 대한 손상을 줄 수 있는 온도 이하에서 용융하거나 패턴의 실제적인 열팽창을 야기할 수 있는 임의의 메탈, 메탈합금 또는 메탈합금성분이다. 이러한 메탈, 메탈합금 또는 메탈합금성분은 응고시 실질적으로 팽창하거나 수축하지 않는다. 이것은 패턴의 실질적인 열수축을 야기시킬 수 있는 온도 이상에서도 응고된다. 바람직하게, 이것은 실온이상 약 3 ℃에서 응고한다. 이 메탈은 고체상태로 응고하는 세라믹 주입과 연관되는 온도의 범위에 노출될 때, 최소의 팽창 또는 수축을 갖는 고체를 형성한다.

여기에서 사용되는, 용어 "열 가역성"은 메탈이 약 45℃이상의 온도에서 녹거나 액화되고 약 35℃이하의 온도에서 응고하는 것을 일컫는다. 젤라틴 같은 비메탈 열 가역성 재료가 사용된다 할지라도, 낮은 용융점 메탈은 고 열전도성으로 인해 가장 빠르게 용융된다. 또한, 낮은 용융메탈이 세라믹 몰드로부터 제거될 때, 젤라틴은 세라믹 표면입자를 마멸시키는 성향을 가지고 있지 않고 낮은 용융점 메탈은 낮은 점도를 가지고 있다. 이러한 파인세라믹 입자는 부품 주조물의 바람직한 표면 마무리를 유지하는데 중요하다.

도 1은 주형틀의 내부표면에 대항하여 타이트하게 끼워맞춤된 패턴(1)을 예시한다. 패턴(1)은 병 폐쇄부의 외부를 나타낸다. 패턴(1)은 병 폐쇄부의 외부에 상세하게 나타나는 임계의 패턴표면(13)을 갖는다. 바람직하게, 패턴은 패턴을 묘사하는 전자파일이 폴리머의 레이저 교정에 의해 빠르게 조작되고 프로토타이핑 기술로 잘 공지된 입체평판인쇄공정에 의해 만들어진다. 이 패턴은 주형틀의 개방끝부를 향하여 상향으로 면하는 임계의 패턴 표면을 갖추고서 주형틀에 위치되어 있다.

액체메탈은 패턴위로 주입된다. 메탈몰드는 임계의 패턴표면을 세라믹몰드로 변형시키는 중간몰드로 되어 있다. 세라믹용액은 개방된 주형틀에 있는 메탈몰드위로 유사하게 주입되어 경화된다. 그러나 세라믹 재료는 발열하는 결합반응에서 열을 전형적으로 생성시킨다. 메탈몰드는 메탈을 용융시킴으로써 세라믹몰드로부터 결국에는 제거되어야 한다. 얇은 섹션이 있는 곳에서 메탈이 녹아서 부서지기 쉬운 세라믹몰드을 손상하지 않게 한다. 다시 액화된 메탈은 이것을 주입함으로써 세라믹몰드로부터 쉽게 제거된다. 세라믹의 발열하는 반응은 전형적으로 세라믹에 인접한 메탈을 용융시켜 세라믹경화시 표면왜곡이 일어나지 않게한다. 결과로 생기는 세라믹 몰드는 용융된 납땜플럭스로 도금되어 세라믹몰드를 가열하기 전에 임의의 잔여물을 제거시켜 세라믹몰드를 경화시킨다.

바람직한 메탈은 Cerro Corporation의 상표 CERROLOW117이고 그리고 PA, Bellefonte의 Cerro Metal Products의 제품을 이용할 수 있다. 섬유 또는 다른 구조재료가 메탈내에서 확산될 수 있다. 이들은 강도가 증가될 것이고 세라믹몰드로부터 용융된 메탈과 함께 쉽게 제거 가능하다.

메탈은 도 2에 도시된 바와 같이 끝부가 개방된 주형틀에 있는 패턴상에 주입된다. 메탈주물은 부분의 크기에 따라 여러번 주입함으로써 완성된다. 바람직하게, 여러번 주입하는 것 중에 첫 번째 주입은 그 다음의 주입 전에 표피를 형성하게 하여 공기거품이 첫 번째 주입에 스며들지 않을 것이다.

메탈이 응고할 때까지 주형틀이 빙결되거나 대기 실온에서 냉각되게 한다. 패턴의 크기 및 메탈층의 깊이에 따라 메탈을 응고하도록 약 2 내지 8 시간이 요구된다.

메탈주입의 깊이는 세라믹몰드에 대해 원하는 크기와 패턴에 달려있다. 당업자는 부적절한 실험을 하지 않고도 이것을 용이하게 결정할 수 있다. 전형적으로 약 2.5cm의 최소 메탈 두께가 각각의 임계의 패턴표면에 걸쳐 요구되어진다.

그 다음, 응고된 중간메탈몰드는 패턴으로부터 잡아당겨진다. 바람직한 실시예에 있어서, 주형틀은 메탈몰드를 용이하게 제거 가능한 측면으로 만들어져서 측면이 메탈몰드에서 제거되고 그 다음 메탈몰드가 패턴에서 제거할 수 있다. 얇은 형상이 있어도 메탈몰드는 왜곡 없이 패턴의 임계표면의 반대로의 모사를 유지한다. 패턴이 어떠한 언더컷도 없이 매끄러운 표면을 가지고 있는 것이 중요하다. 언더컷과 거친 표면은 패턴으로부터 응고되는 메탈의 제거를 방해할 수 있다.

도 3은 석고 또는 세라믹용액이 추가되는 제2 주형틀에 위치된 메탈몰드를 개시한다. 메탈몰드는 제2 주형틀의 개방 끝부를 향해 상향으로 면하는 임계의 메탈몰드로 위치되어 있다. 바람직하게, 제2 주형틀과 메탈몰드사이에 충분한 공간이 있어서 세라믹이 공간에서 메탈몰드 주위에 형성될 것이다. 여기에서 만들어진 세라믹몰드는 임계의 세라믹표면을 에워싸는 연속적인 환형 세라믹 림을 갖추어 세라믹몰드가 또 하나의 주형틀 없이 주조 목적으로 용이하게 사용될 수 있다.

석고 또는 다른 세라믹 재료는 메탈몰드상의 깊이로 제2 주형틀에 주입된다. 바람직하게, 이 깊이는 메탈몰드상의 약 1cm 내지 약 5cm이다. 주입된 세라믹재료는 최종 세라믹몰드 형성물에 영향을 미칠 수 있는 임의의 공기를 제거하기 위해 진공상태에서 가스를 방출하는 것이 바람직하다. 석고 또는 세라믹 재료는 먼저 "응고" 되거나 고체형상을 취하여 완전히 응고된다. 결합공정시, 발열반응이 석고에서 발생하여 에워싸는 메탈을 용융시킨다. 주형틀은 바람직하게는 방출된 작용물로 코팅되어 주형틀이 세라믹몰드로부터 쉽게 제거될 수 있다.

바람직한 발열 세라믹메탈은 Ohio, Maumee의 Ranson ＆ Randolph의 C1-Core Mix 이다. 이것은 용융 실리카, 규산 지르코늄, 인산 암모늄, 실리카(홍연석) 및 산화마그네슘의 혼합물이다. Ranson ＆ Randolph의 Core hardener 2000 또한 사용될 수 있다. 이것은 비정질 실리카와 디포타슘-6-히드록시-3-옥소-9-크산텐-0-벤조에이트를 함유한다.

세라믹이 세트된 후에, 세라믹몰드와 잔여메탈은 오븐 또는 가열주입기구에 의해 가열되어 제거를 용이하게 하기 위해 메탈을 완전히 용융시킨다. 오븐의 온도는 약 200℃ 내지 약 500℃가 되어 메탈의 용융을 보장하여야 한다.

제2 주형틀의 바닥 끝부에 상응하는 세라믹몰드의 개방끝부는 세라믹 몰드

로부터 용융된 메탈 또는 액체메탈 주입을 용이하게 한다. 또한, 임계의 세라믹 표면이 개방끝부에서 쉽게 점검할 수 있어서 모든메탈과 임의의 잔여물이 제거되는 것을 볼 수 있다.

노에 세라믹몰드를 위치시키고 이것을 적어도 3시간 동안, 적어도 1100。F(990℃)로 가열시켜서 그 다음의 공정을 위해 석고를 충분히 세트시킨다. 수소공기는 가열될 필요가 있는 세라믹상에 남아있는 잔여물이 없을 때 사용되어 질수 있다. 에폭시 및 왁스를 사용하는 공정을 이루는 세라믹 몰드와 비교하였을 때 잔여물이 적은것이 중요한 차이점이다.

본 발명의 특정 실시예가 예시되고 설명되었지만, 본 발명의 권리범위와 기술사상으로부터 벗어남이 없이 다양한 변경 및 개조를 할 수 있다는 것은 당업자에게 분명하게 이해될 것이고, 본 발명은 본 발명의 권리범위안에 있는 이러한 모든 변경을 첨부된 청구항에서 커버되도록 의도되었다.

Claims (7)

1. a) 개방끝부를 가진 주형틀에서 임계의 패턴표면을 가진 패턴을 위치시키고 상기 임계의 패턴표면이 개방끝부를 향하여 상향으로 면하는 단계;

   b) 상기 주형틀에 추가되는 열 가역성 액체메탈으로 상기 임계의 패턴표면을 커버하는 단계;

   c) 상기 메탈용액을 냉각하여 고체메탈몰드를 형성하고 상기 메탈몰드가 상기 임계의 패턴표면에 반대로 상기 임계의 패턴표면으로부터 변형된 임계의 메탈표면을 갖는 단계;

   d) 상기 메탈몰드에서 상기 주형틀과 상기 패턴을 제거하는 단계;

   e) 상기 고체메탈몰드주위에 세라믹몰드를 주조하고 상기 세라믹몰드가 상기 임계의 메탈몰드표면에 반대로 상기 임계의 메탈몰드표면으로부터 변형된 임계의 세라믹표면을 갖고 이에 의하여 상기 임계의 세라믹표면이 상기 임계의 패턴표면을 정확하게 모사하는 단계; 그리고

   f) 상기 세라믹몰드로부터 메탈몰드를 제거하기 위해 상기메탈몰드를 액화하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹몰드를 형성하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 메탈은 CERROLOW117 인 것을 특징으로하는 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 액체메탈이 냉각되어 고체메탈몰드를 형성할 때 상기 액체메탈에서 가스를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 액체메탈은 섬유 또는 다른 점증제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
5. a) 개방끝부를 가진 제1 주형틀에서 임계의 패턴표면을 가진 패턴을 위치시키고 상기 임계의 패턴표면이 개방끝부를 향하여 상향으로 면하는 단계;

   b) 상기 제1 주형틀에 추가되는 열 가역성 액체메탈으로 상기 임계의 패턴표면을 커버하는 단계;

   c) 상기 액체메탈에서 가스를 제거하여 고체메탈몰드를 형성하는 동안 상기 액체메탈을 냉각하고, 상기 메탈몰드가 상기 임계의 패턴표면에 반대로 상기 임계의 패턴표면으로부터 변형되는 임계의 메탈몰드표면을 가지는 단계;

   d) 상기 메탈몰드에서 상기 패턴과 상기 제1 주형틀을 제거하고, 상기 임계의 메탈몰드표면이 제2 주형틀의 개방끝부를 향하여 상향으로 면하는 상태로 상기 제2 주형들에 상기 메탈몰드를 위치시키는 단계;

   e) 상기 세라믹용액에서 가스를 제거하는 동안 상기 제2 주형틀에 추가된 세라믹 용액으로 상기 임계의 메탈몰드표면을 커버하고, 상기 세라믹용액이 응고되어 발열적으로 결합하여 상기 메탈몰드 주위에 세라믹몰드를 형성하고, 상기 세라믹몰드가 상기 임계의 메탈몰드 표면에 반대로 상기 임계의 메탈몰드표면으로부터 변형된 임계의 세라믹 표면을 가지고, 이에 의해 상기 세라믹 임계의 표면이 상기 임계의 패턴표면을 정확하게 모사하는 단계; 그리고

   f) 열에 의해 상기 메탈몰드를 액화시켜 상기 세라믹몰드에서 상기 메탈을 제거하고 상기 세라믹몰드에서 상기 제2 주형틀을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹몰드를 형성하는 방법.
6. 제 6 항에 있어서, 상기 액체메탈은 섬유 또는 다른 점증제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. a) 개방끝부를 가진 제1 주형틀에서 임계의 패턴표면을 가진 패턴을 위치시키고 상기 임계의 패턴표면이 상기 개방끝부를 향하여 상향으로 면하는 단계;

   b) 상기 제1 주형틀에 추가되는 메탈용액으로 상기 임계의 패턴표면을 커버하는 단계;

   c) 상기 메탈용액에서 가스를 제거하여 탄성체의 고체메탈몰드를 형성하는 동안 상기 메탈용액을 냉각하고, 상기 메탈몰드가 상기 임계의 패턴표면에 반대로 상기 임계의 패턴표면으로부터 변형되는 임계의 메탈몰드표면을 가지는 단계;

   d) 상기 메탈몰드에서 상기 패턴과 상기 제1 주형틀을 제거하고, 상기 임계의 메탈몰드표면이 상기 제2 주형틀의 개방끝부를 향하여 상향으로 면하는 상태로 제2 주형틀에 상기 메탈몰드를 위치시키고, 상기 제2 주형틀이 상기 메탈몰드주위에 환형공간을 제공하도록 크기가 정해지는 단계;

   e) 상기 제1 세라믹용액에서 가스를 제거하는 동안 제2 주형틀에 추가되는 제1 세라믹용액으로 상기 환형공간을 채우고, 상기 메탈몰드를 적소에 고정시키고 상기 임계의 메탈몰드 표면을 에워싸는 계속적인 환형림을 형성하기 위해 상기 제1 세라믹 용액이 열을 생성시키지 않고 응고하여 제1 세라믹 몰드를 형성하는 단계;

   f) 상기 제2 주형틀에 추가되는 제2 세라믹 용액으로 상기 제1 세라믹몰드 및 상기 메탈몰드를 커버하고, 상기 제2 세라믹용액이 발열적으로 결합하여 상기 제1 세라믹몰드에 접합되는 제2 세라믹몰드를 형성하고, 상기 세라믹몰드가 상기 임계의 메탈몰드 표면에 반대로 상기 임계의 메탈몰드표면으로부터 변형된 임계의 세라믹 표면을 가지고, 이에 의해 상기 임계의 세라믹 표면이 상기 임계의 패턴표면을 정확하게 모사하는 단계; 그리고

   g) 열에 의해 상기 메탈몰드를 액화시켜 상기 제1 및 제2 세라믹몰드에서 상기 메탈을 제거하고 상기 제1 및 제2 세라믹몰드에서 상기 제2 주형틀을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹몰드를 형성하는 방법.