KR20010026421A - 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법 - Google Patents
고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010026421A KR20010026421A KR1019990037729A KR19990037729A KR20010026421A KR 20010026421 A KR20010026421 A KR 20010026421A KR 1019990037729 A KR1019990037729 A KR 1019990037729A KR 19990037729 A KR19990037729 A KR 19990037729A KR 20010026421 A KR20010026421 A KR 20010026421A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- forming
- passivation layer
- color filter
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 28
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910017305 Mo—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 패드부와 소자를 보호하는 보호막을 소자검사를 위한 테스트시 완전히 제거하지 않고 금속으로 이루어진 패드를 덮도록 일부 잔류시킨 후 칼라 필터공정을 진행한 다음 패드부에도 형성된 칼라필터 보호막을 패터닝하여 패드 개구부를 형성하여 금속 패드의 이물 발생 및 부식을 방지하도록 하는 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 셀부와 패드부 등을 갖는 고체촬상소자 제조에 있어서, 반도체기판의 패드부에 패드를 형성하는 단계와, 패드를 포함하는 반도체기판 위에 제 1 보호막을 형성하는 단계와, 패드 상부에 위치하는 제 1 보호막을 소정두께 만큼만 잔류시켜 함몰부를 형성하는 단계와, 셀부에 칼라필터를 형성하는 단계와, 셀부 및 패드부를 포함하는 반도체기판상에 제 2 보호막을 형성하는 단계와, 제 2 보호막 및 잔류한 제 1 보호막의 소정부위를 제거하여 상기 패드를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 패드부와 소자를 보호하는 보호막을 소자검사를 위한 테스트시 완전히 제거하지 않고 금속으로 이루어진 패드를 덮도록 일부 잔류시킨 후 칼라 필터공정을 진행한 다음 패드부에도 형성된 칼라필터 보호막을 패터닝하여 패드 개구부를 형성하여 금속 패드의 이물 발생 및 부식을 방지하도록 하는 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법에 관한 것이다.
고체촬상소자는 빛에 의해 전자를 발생시키고, 전하결합소자(Charge Coupled Device)를 방향성을 가지도록 배열하고, 이에 의해 전송된 신호전하를 검출하는 장치이다. 즉, 빛에 의하여 여기된 전하들을 방향성을 가지는 CCD 어레이(array)를 통하여 전송한 다음, 이 신호를 증폭하여 소정의 출력신호를 얻는 장치이다. 이와 같이, 영상신호를 전기신호로 변환시켜주는 장치인 고체 촬상 소자는 PD와 VCCD로 구성된 단위셀로 배열된 어레이부와, 수평전하전송영역(Horizontal Charge Coupled Device), 신호검출부를 포함한다. PD에서 축적한 신호전하는 VCCD와 HCCD로 차례로 전달되어 신호검출부를 통해 출력된다.
도 1a부터 도 1d는 종래의 기술에 의한 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법을 도시한다.
도 1a를 참조하면, 반도체기판(10) 상에 적층구조로 이루어진 패드(11,12)를 형성한 다음 패드의 부식 등을 방지하기 위한 제 1 보호막(13)으로 p-산화막(13)을 소정 두께로 패드(11,12)를 포함하는 기판(10)을 덮도록 증착하여 형상한다. 이때, 제 1 보호막(13)인 p-산화막(p-SiO)는 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)로 증착하여 약 2000Å 두께로 형성한다.
도 1b를 참조하면, 제 1 보호막(13)의 소정 부위를 제거하여 패드부를 개방시키기 위한 식각마스크를 형성하기 위하여 제 1 보호막(13)의 표면에 포토레지스트를 도포한 후 노광 및 현상을 실시하여 패드 개구부를 정의하는 포토레지스트패턴(도시안함)을 형성한다.
그리고, 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 부위의 제 1 보호막을 건식식각을 포함하는 이방성식각으로 제거하여 패드(12)의 일부 표면을 개방시킨 다음, 포토레지스트패턴을 제거한다. 따라서, 패드(12)의 개방부위를 제외한 부위는 잔류한 제 1 보호막(130)으로 보호되지만, 패드 개방부위를 이루는 금속층(12)이 노출되어 일부 부식되고, 이후 공정 즉, 칼라필터공정 등에서의 후속공정에서 이물발생의 원인이 된다.
이러한, 패드 개방부위를 형성하는 이유는 현재단계까지 진행되어 형성된 소자의 특성을 검사하기 위해서이다.
즉, 도시되지는 않았지만 p검 또는 w검 등의 테스트를 실시한다.
이후, 전하결합소자(charge coupled device)의 칼라필터 공정을 반도체기판의 포토다이오드 어레이(photo diode array)부에 실시한다.
도 1c를 참조하면, 전술한 칼라필터공정의 마지막 단계로, 형성된 칼라필터 보호용으로 노출된 패드(12) 표면인 패드 개방부위를 포함하는 기판(10)의 전면에 제 2 보호막(14)으로 p-산화막을 다시 PECVD법으로 증착하여 형성한다. 이때, 증착 두께는 약 8000Å이다.
도 1d를 참조하면, 외부회로와의 전기적 연결을 위한 패드 개구부를 형성하기 위하여 제 2 보호막의 표면에 포토레지스트를 도포한 다음 노광 및 현상을 실시하여 포토레지스트패턴을 형성한다.
그리고, 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 부위의 제 2 보호막을 건식식각을 포함하는 이방성 식각으로 제거하여 패드(12)를 이루는 알루미늄 금속층(12) 표면 일부를 개방시키는 패드 개구부(W1)를 형성한다.
그러나 상기 종래의 기술에 의한 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법은 알루미늄 등의 금속으로 이루어진 패드 개구부가 고체촬상소자의 셀부의 칼라필터 형성공정시 습식 또는 건식 식각제에 노출되어 금속의 부식 및 이물이 발생하게되어 이후, 외관 검사 및 패키지공정에서 불량을 유발하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 패드부와 소자를 보호하는 보호막을 소자검사를 위한 테스트시 완전히 제거하지 않고 금속으로 이루어진 패드를 덮도록 일부 잔류시킨 후 칼라 필터공정을 진행한 다음 패드부에도 형성된 칼라필터 보호막을 패터닝하여 패드 개구부를 형성하여 금속 패드의 이물 발생 및 부식을 방지하도록 하는 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 셀부와 패드부 등을 갖는 고체촬상소자 제조에 있어서, 반도체기판의 패드부에 패드를 형성하는 단계와, 패드를 포함하는 반도체기판 위에 제 1 보호막을 형성하는 단계와, 패드 상부에 위치하는 제 1 보호막을 소정두께 만큼만 잔류시켜 함몰부를 형성하는 단계와, 셀부에 칼라필터를 형성하는 단계와, 셀부 및 패드부를 포함하는 반도체기판상에 제 2 보호막을 형성하는 단계와, 제 2 보호막 및 잔류한 제 1 보호막의 소정부위를 제거하여 상기 패드를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
도 1a부터 도 1d는 종래의 기술에 의한 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법
도 2a부터 도 2d는 본 발명에 따른 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법
본 발명의 구성은 일반적인 고체촬상소자 내지는 전하결합소자의 셀부의 칼라필터 형성공정 이전 단계에서 패드를 덮고 있는 보호막을 완전히 제거하지 않고 일부 패드 개방부를 덮도록 잔류시킨 다음, 셀부의 칼라필터 형성공정을 진행한다.
그리고, 칼라필터 형성 후, 칼라필터 보호막을 셀부와 패드부 모두에 증착하여 형성한 다음, 패드개구부를 포토리쏘그래피 등의 방법으로 패터닝하여 알루미늄 등의 금속으로 이루어진 패드를 노출시키는 개구부를 형성한다.
따라서, 칼라필터 형성공정시 패드 금속이 노출되지 않으므로 패드금속의 부식 및 노출에 기인하는 이물발생을 방지하도록 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2a부터 도 2d는 본 발명에 따른 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법이다.
도 2a를 참조하면, 반도체기판(20) 상에 적층구조로 이루어진 패드(21,22)를 형성한 다음 패드의 부식 등을 방지하기 위한 제 1 보호막(23)으로 p-산화막(23)을 소정 두께로 패드(21,22)를 포함하는 기판(20)을 덮도록 증착하여 형상한다. 이때, 패드의 하부층(21)은 Mo-Si 실리사이드를 약 180Å의 두께로 형성하고 상부층(22)은 Al을 약 8000Å의 두께로 증착하여 형성한 다음 차례로 패터닝하여 형성하고, 제 1 보호막(23)인 p-산화막(p-SiO)는 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)로 증착하여 약 2000Å 두께로 형성한다.
도 2b를 참조하면, 제 1 보호막(23)의 소정 부위를 소정 두께만 잔류시키기 위한 식각마스크를 형성하기 위하여 제 1 보호막(23)의 표면에 포토레지스트를 도포한 후 노광 및 현상을 실시하여 패드 개구부를 정의하는 포토레지스트패턴(도시안함)을 형성한다.
그리고, 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 부위의 제 1 보호막을 건식식각을 포함하는 이방성식각으로 약 1000-1900Å 두께만큼 제거하여, 중앙부위가 함몰된 형태(W20)로 패드(22)의 일부 표면에 그 나머지를 잔류시킨 다음, 포토레지스트패턴을 제거한다. 따라서, 개방부위를 포함하는 패드(21,22)의 표면이 잔류한 제 1 보호막(230)으로 보호되어 패드 개방부위를 이루는 금속층이 노출되어 일부 부식되고, 이후 공정 즉, 칼라필터 형성공정 등에서의 후속공정에서 이물발생의 원인이 방지된다.
이러한, 패드 개방부위를 형성하는 이유는 현재단계까지 진행되어 형성된 소자의 특성을 검사하기 위해서이다. 즉, 도시되지는 않았지만, 이후 p검 또는 w검 등의 소자특성 테스트를 실시한다.
이후, 전하결합소자(charge coupled device)의 칼라필터 공정을 반도체기판의 포토다이오드 어레이(photo diode array)부에 실시한다.
도 2c를 참조하면, 전술한 칼라필터공정의 마지막 단계로, 형성된 칼라필터 보호용으로 제 1 보호막(231)의 전면에 제 2 보호막(24)으로 p-산화막을 다시 PECVD법으로 증착하여 형성한다. 이때, 증착 두께는 약 8000Å이다.
도 2d를 참조하면, 외부회로와의 전기적 연결을 위한 패드 개구부를 형성하기 위하여 제 2 보호막의 표면에 포토레지스트를 도포한 다음 노광 및 현상을 실시하여 포토레지스트패턴을 형성한다. 이때, 포토레지스트패턴이 노출시키는 제 2 보호막(24)의 노출부위는 제 1 보호막 식각공정에서 형성된 포토레지스트패턴 보다 약간 작게 형성한다.
그리고, 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 부위의 제 2 보호막을 건식식각을 포함하는 이방성 식각으로 제거하여 패드(22)를 이루는 알루미늄 금속층(22) 표면 일부를 개방시키는 패드 개구부(W21)를 형성한다.
따라서, 본 발명은 알루미늄 등의 금속으로 이루어진 패드 개구부가 고체촬상소자의 셀부의 칼라필터 형성단계에서 습식 또는 건식 식각제에 노출되지 않게 하여 금속의 부식 및 이물발생을 방지하여 이후, 외관검사 및 패키지공정에서 불량을 감소시키는 장점이 있다.
Claims (4)
- 셀부와 패드부 등을 갖는 고체촬상소자 제조에 있어서,반도체기판의 상기 패드부에 패드를 형성하는 단계와,상기 패드를 포함하는 상기 반도체기판 위에 제 1 보호막을 형성하는 단계와,상기 패드 상부에 위치하는 상기 제 1 보호막을 소정두께 만큼만 잔류시켜 함몰부를 형성하는 단계와,상기 셀부에 칼라필터를 형성하는 단계와,상기 셀부 및 패드부를 포함하는 상기 반도체기판상에 제 2 보호막을 형성하는 단계와,상기 제 2 보호막 및 잔류한 상기 제 1 보호막의 소정부위를 제거하여 상기 패드를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계로 이루어진 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 게이트전극은 상기 제 1 보호막과 제 2 보호막은 플라즈마 화학기상증착법으로 산화막을 증착하여 형성하는 것이 특징인 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법.
- 청구한 1에 있어서, 상기 패드는 알루미늄으로 형성하는 것이 특징인 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 보호막은 상기 칼라필터 보호막인 것이 특징인 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990037729A KR100587591B1 (ko) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990037729A KR100587591B1 (ko) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010026421A true KR20010026421A (ko) | 2001-04-06 |
| KR100587591B1 KR100587591B1 (ko) | 2006-06-08 |
Family
ID=19610275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990037729A KR100587591B1 (ko) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100587591B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040095971A (ko) * | 2003-04-29 | 2004-11-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지센서 |
| KR100649018B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2006-11-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 금속패드 산화 방지 방법 |
| KR100741914B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107238A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP3263617B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2002-03-04 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JPH10321828A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-06 KR KR1019990037729A patent/KR100587591B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040095971A (ko) * | 2003-04-29 | 2004-11-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지센서 |
| KR100649018B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2006-11-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 금속패드 산화 방지 방법 |
| KR100741914B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100587591B1 (ko) | 2006-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6632700B1 (en) | Method to form a color image sensor cell while protecting the bonding pad structure from damage | |
| US6656762B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor image sensor with color filters and bonding pads | |
| US20080272416A1 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
| US6344369B1 (en) | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process | |
| JP2006261249A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6288434B1 (en) | Photodetecting integrated circuits with low cross talk | |
| KR100873275B1 (ko) | 이미지센서의 제조 방법 | |
| TWI222178B (en) | Manufacturing method of image sensor device | |
| KR100587591B1 (ko) | 고체촬상소자의 패드 개구부 형성방법 | |
| JP4466213B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR20010061308A (ko) | 박막 이미지센서의 제조 방법 | |
| US20060126005A1 (en) | Method for reforming color filter array of a CMOS image sensor | |
| US7879640B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| KR100263473B1 (ko) | 고체촬상소자 및 그의 제조방법 | |
| US6861207B2 (en) | Method for fabricating microlens with lithographic process | |
| KR100790211B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100660323B1 (ko) | 시모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| US20060131710A1 (en) | Advanced cavity structure for wafer level chip scale package | |
| JPH0269978A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| US5864170A (en) | Semiconductor device having bonding pad and scribe line | |
| US6846705B2 (en) | Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor having redundancy module | |
| KR20010008983A (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| JPS589364A (ja) | カラ−用固体撮像装置の製造方法 | |
| KR100214277B1 (ko) | 셀 어퍼쳐 제조방법과 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR100806780B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110428 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |