KR20010026383A - 신뢰성있는 테스트를 위해 주파수 체배기를 내장하는 고속 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
신뢰성있는 테스트를 위해 주파수 체배기를 내장하는 고속 반도체 장치를 공개한다. 높은 동작 주파수를 갖는 본 발명에 따른 고속의 반도체 장치는 테스트 모드 선택신호에 응답하여 고속의 반도체 장치가 테스트 모드이면 외부로부터 N개이 채널을 통해 전송되는 낮은 주파수의 테스트 클럭신호들를 동작 주파수로 체배하여 체배된 테스트 클럭신호들을 출력하고, 고속의 반도체 장치가 테스트 모드가 아니면 외부로부터 전송되는 동작 주파수와 같은 주파수를 갖는 시스템 클럭신호를 출력하는 클럭신호 선택부들을 구비하고, 클럭신호 선택부는, 테스트 클럭신호를 받아들여 상기 동작 주파수로 체배하는 주파수 체배기 및 테스트 모드 선택신호에 응답하여, 각각은 체배된 테스트 클럭신호와 시스템 클럭신호중 하나를 선택하여 출력하는 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하고, 클럭신호 선택부(14)를 통해, 낮은 주파수의 테스트 클럭신호를 반도체 장치(12)의 동작 주파수에 맞게 체배시키므로써, 비록 테스트 장비(10)에서 출력되는 테스트 클럭신호가 낮더라도 반도체 장치(12)를 정상적인 동작상태로 하여 테스트할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 테스트에 관한 것으로, 특히, 저속의 테스트 장비를 이용하여 신뢰성 높은 반도체 장치의 테스트를 가능하게 하도록 주파수 체배기를 내장한 반도체 장치에 관한 것이다.
임의의 주파수 이상인 시스템 클럭에서 정상적인 특성을 가지는 고속 반도체 장치를 테스트할 경우, 고속의 반도체 장치를 신뢰성있게 테스트하기 위해서는 고속의 반도체 장치를 정상 동작상태로 한 후 테스트해야한다. 그러나, 고속의 반도체 장치를 정상적으로 동작시키는 클럭을 발생시키기 위한 테스트 장비는 매우 비싸다. 따라서, 시스템 운용 비용을 절감하기 위해 반도체 장치의 동작 주파수 보다 낮은 시스템 장비를 사용하는 경우가 많다.
도 4는 종래의 고속 반도체 장치를 테스트 방법을 설명하기 위한 도면으로, 테스트 장비(40)와 디.엘.엘.(DLL:Delay Locked Loop,44)을 포함하는 고속의 반도체 장치를 도시한다.
도 4를 참조하면, 테스트 장비(40)는 고속의 반도체 장치(42)를 동작시키기 위해 발생하는 클럭을 N개의 채널을 통해 고속 반도체 장치(42)로 전달된다. 고속 반도체 장치(42)는 N개의 채널을 통해 전달된 클럭을 기준 클럭으로하고, DLL은 N개이 채널을 통해 전달되는 클럭을 반도체 장치의 동작과 동기시키기 위한 블럭이다.
한편, 테스트 장비(40)에서 발생되는 클럭신호의 주파수는 고속의 테스트 장치(42)의 동작 주파수보다 낮다. 이처럼, 주파수가 낮은 테스트 장비(40)를 이용하여 고속의 반도체 장치(42)를 테스트하는 경우 비용은 절감되지만, 테스트 신뢰성이 떨어진다는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 테스트 장비의 시스템 클럭이 고속의 반도체 장치의 동작 주파수보다 낮더라도, 고속의 반도체 장치가 정상적인 고속 시스템에서의 동작특성을 테스트할 수 있는 주파수 체배기를 내장하는 고속의 반도체 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 고속의 반도체 장치의 테스트를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 클럭신호 선택부를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 3(a)~(d)는 도 2에 도시된 장치의 각 부의 출력 파형도들이다.
도 4는 종래의 고속 반도체 장치를 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
상기 과제를 이루기 위해, 높은 동작 주파수를 갖는 본 발명에 따른 고속의 반도체 장치는 테스트 모드 선택신호에 응답하여 고속의 반도체 장치가 테스트 모드이면 외부로부터 N개이 채널을 통해 전송되는 낮은 주파수의 테스트 클럭신호들를 동작 주파수로 체배하여 체배된 테스트 클럭신호들을 출력하고, 고속의 반도체 장치가 테스트 모드가 아니면 외부로부터 전송되는 동작 주파수와 같은 주파수를 갖는 시스템 클럭신호를 출력하는 클럭신호 선택부들을 구비하고, 클럭신호 선택부는, 테스트 클럭신호를 받아들여 상기 동작 주파수로 체배하는 주파수 체배기 및 테스트 모드 선택신호에 응답하여, 각각은 체배된 테스트 클럭신호와 시스템 클럭신호중 하나를 선택하여 출력하는 선택부를 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 따른 고속의 반도체 장치의 구성 및 동작을 첨부한 도면들을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 고속의 반도체 장치의 테스트를 설명하기 위한 도면으로, 테스트 장비(10)와, 클럭신호 선택부(14) 및 DLL(16)을 포함하는 고속의 반도체 장치(12)를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 테스트 장비(10)는 N개의 채널을 통해 고속의 반도체 장치를 테스트하기 위한 클럭신호들을 발생한다. 고속의 반도체 장치(12)의 클럭신호 선택부(14)는 N개의 채널을 통해 전달되는 테스트 클럭신호들을 받아들여 주파수 체배를 하고, 또한 외부로 부터 시스템 클럭신호(SCK)를 받아들인다. 여기서, 시스템 클럭신호(SCK)는 고속의 반도체 장치(12)가 정상적인 동작을 할 경우 외부의 시스템으로부터 받아들이는 신호이며, 이 신호는 반도체 장치(12)의 동작 주파수와 동일한 주파수를 갖는 신호이다. 또한, 도 1에는 표시하지 않았지만, 반도체 장치(12)가 정상동작을 할 경우에는 N개의 채널에 테스트 장비(10)대신 반도체 장치(12)의 동작을 제어하기 위한 시스템 제어부(미도시)가 연결된다.
클럭신호 선택부(14)는 테스트 모드 선택신호(TS)에 응답하여 테스트 장비(10)로 부터 발생되는 테스트 클럭신호를 받아들여 이를 반도체 장치(12)의 동작주파수로 체배하여 출력하거나 아니면 시스템 제어부(미도시)로부터 발생되는 시스템 클럭신호(SCK)를 선택하여 출력한다. DLL(16)은 클럭신호 선택부(14)에서 출력되는 신호를 내부의 동작 주기에 맞게 동기시킨다.
결국, 클럭신호 선택부(14)는 반도체 장치(12)의 동작 주파수에 맞게, 입력되는 테스트 클럭신호를 체배시킴으로써, 비록 테스트 장비(10)에서 출력되는 테스트 클럭신호의 주파수가 낮더라도 반도체 장치(12)를 정상적인 동작상태로 하여 테스트할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 클럭신호 선택부(14)를 개략적으로 나타내는 블록도이다. 클럭신호 선택부(14)는 N개의 주파수 체배기(20~22), N개의 선택부(30~32)를 포함하여 구성된다.
도 1 및 도2를 참조하면, 주파수 체배기(20)는 제1채널로 입력되는 테스트 클럭신호를 받아들여 반도체 장치(12)의 동작 주파수로 체배하고, 체배된 테스트 클럭신호를 출력한다. 선택부(30)는 테스트 모드 선택신호(TS)에 응답하여, 체1채널(CH1)로 입력되는 신호와 주파수 체배기(20)에서 출력되는 체배된 테스트 클럭신호를 선택하여 출력한다. 반도체 장치(12)가 테스트 모드이면 제1채널(CH1)로는 테스트 장비(10)에서 출력되는 낮은 주파수의 테스트 클럭신호가 입력되므로, 선택부(30)는 주파수 체배기(20)를 통해 반도체 장치(12)의 동작주파수로 체배된 테스트 클럭신호를 선택해서 출력한다. 반면, 반도체 장치(12)가 정상적인 동작 모드이면 제1채널(CH1)로는 외부의 제어부(미도시)로부터 발생되는 높은 주파수의 시스템 클럭신호(SCK)가 입력되므로, 선택부(30)는 제1채널(CH1)로 입력되는 신호를 선택해서 출력한다. 여기서, 주파수 체배기들(20~22) 및 선택부들(30~32)의 동작은 모두 동일하므로 나머지 주파수 채배기들과 선택부들에 대한 동작 설명은 생략한다.
도 3(a)~(d)는 도 2에 도시된 장치의 각 부의 출력 파형도들로서, 도 3(a)는 테스트 모드 선택신호(TS)를 나타내고, 도 3(b)는 제1채널(CH1)로 입력되는 테스트 클럭신호를 나타내고, 도 3(c)는 주파수 체배기(20)의 출력 파형도를 나타내고, 도 3(d)는 선택기(30)에서 출력되는 신호를 나타낸다.
도 3(a)~(d)를 참조하여, 도 3(a)에서와 같이 테스트 모드 선택신호(TS)가 인에이블되면 주파수 체배기(30)는 제1채널(CH1)로 입력되는 도 3(b)에 도시된 테스트 클럭신호를 체배하여 도 3(c)에 도시된 바와 같은 체배된 테스트 클럭신호를 발생한다. 결국, 테스트가 진행되는 구간동안 도 3(d)에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(12)의 동작주파수로 체배된 테스트 클럭신호가 출력됨을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 신뢰성있는 테스트를 위해 주파수 체배기를 내장하는 고속 반도체 장치는 클럭신호 선택부(14)를 통해, 낮은 주파수의 테스트 클럭신호를 반도체 장치(12)의 동작 주파수에 맞게 체배시키므로써, 비록 테스트 장비(10)에서 출력되는 테스트 클럭신호가 낮더라도 반도체 장치(12)를 정상적인 동작상태로 하여 테스트할 수 있다.
Claims (1)
- 높은 동작 주파수를 갖는 고속의 반도체 장치에 있어서,테스트 모드 선택신호에 응답하여 상기 고속의 반도체 장치가 테스트 모드이면 외부로부터 N개이 채널을 통해 전송되는 낮은 주파수의 테스트 클럭신호들를 상기 동작 주파수로 체배하여 체배된 테스트 클럭신호들을 출력하고, 상기 고속의 반도체 장치가 테스트 모드가 아니면 외부로부터 전송되는 상기 동작 주파수와 같은 주파수를 갖는 시스템 클럭신호를 출력하는 클럭신호 선택부들을 구비하고,상기 클럭신호 선택부는,상기 테스트 클럭신호를 받아들여 상기 동작 주파수로 체배하는 주파수 체배기; 및상기 테스트 모드 선택신호에 응답하여, 각각은 상기 체배된 테스트 클럭신호와 상기 시스템 클럭신호중 하나를 선택하여 출력하는 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 신뢰성있는 테스트를 위해 주파수 체배기를 내장하는 고속 반도체 장치.
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KR1019990037673A KR20010026383A (ko) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 신뢰성있는 테스트를 위해 주파수 체배기를 내장하는 고속 반도체 장치 |
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- 1999-09-06 KR KR1019990037673A patent/KR20010026383A/ko not_active Application Discontinuation
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