KR20010006524A - 화학 기상 증착 반응기 및 그의 사용방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 케이싱 커버를 갖춘 반응기 케이싱과, 반응기 케이싱 내에 배치된 하나 또는 여러 웨이퍼를 지지하기 위한 가열된 서셉터(웨이퍼 캐리어)와, 웨이퍼 또는 웨이퍼들을 향하고 있는 다수의 개구를 갖추고 있으며 특히 적절하게 가열된 화학 기상 증착 매개물을 반응기로 유입시키는 유체 유입 유닛과, 그리고 반응기 케이싱의 둘레상에 배치되고 유입된 매개물을 다시 배출시키는 유체 배출구를 포함하는 화학 기상 증착 반응기에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 유체 배출구가 화학 기상 증착 매개물을 배출하기 위한 다수의 배출 개구를 갖춘 디스크형태를 가지며, 이러한 유체 배출구는 방사에 의해 서셉터(웨이퍼 캐리어)를 통해 가열될 수 있도록 서셉터(웨이퍼 캐리어)와 반응기 커버 사이에 배치되어 있으며, 서셉터(웨이퍼 캐리어)와 반응기 커버의 온도 사이의 온도로 자체적으로 제어하여 화학 기상 증착 매개물을 적절하게 가열된 상태로 유입시킨다.

Description

화학 기상 증착 반응기 및 그의 사용방법 {CVD REACTOR AND USE THEREOF}
CVD 반응기는 일반적으로 공지된 것으로서, 독일 아아첸에 소재한 아익스트론 아게(Aixtron AG)와 같은 회사에 의해 제조되고 판매된다. 본 명세서에서는 CVD 반응기가 이미 공지되어 있기 때문에 설명하지 않는다.
공지된 CVD 반응기는 커버를 갖춘 반응기 케이싱을 포함하고 있는데, 반응기 케이싱 내부에는 하나 이상의 웨이퍼가 위치될 수 있는 가열된 서셉터가 제공되어 있다. 중앙 유체 유입구가 CVD 가스 또는 유체를 공급하기 위해 제공되어 있다. 유체 유입구는 반응기 케이싱의 둘레 상에 대부분 배열된다.
가스를 반응기의 중앙으로부터 웨이퍼를 통해 배출시키는 중앙 가스 유입 노즐 또는 소위 샤워 헤드 중 어느 하나가 반응기 커버내에 또는 커버 상에 사용되는데, 이러한 가스 유입 노즐 또는 샤워 헤드는 웨이퍼 위에 직접 배치되며 다수의 소구멍을 통해 웨이퍼 상으로 수직하게 가스를 샤워 형태로 분사한다. 이러한 반응기는 예컨대 독일의 토마스 스완(Thomas Swan)사에 의해 판매된다.
독일 특허 제 43 30 266호에는 유사한 구조가 개시되어 있는데, 여기서는 단일 웨이퍼 반응 챔버는 웨이퍼를 유지하고 가열하기 위한 웨이퍼 가열 스테이지를 포함한다. 또한, 가스 유입 노즐을 포함하는 가스 공급 헤드는 웨이퍼 가열 스테이지에 대향하여 위치되어서 반응 가스를 공급하기 위한 일정한 공간이 형성된다. 가스는 가스 공급 헤드를 통해 배출된다. 배출 가스 배출구가 동일하게 제공되어 있다.
만일 가스가 약간 가열된 상태로 반응기내로 도입된다면 보다 유리할 것이다. 이는 가스를 예열하거나 또는 유입구를 가열함으로써 달성된다.
샤워 헤드로서 구성된 유체 유입구에 있어서, 온도 제어를 위해 복잡한 물통로를 갖는 샤워 헤드를 제공하는 것이 통상적이다. 이러한 구성은 복잡하고 고가인 단점 뿐만 아니라 CVD 반응기내의 물통로의 사용이 항상 소정의 위험을 내포하고 있다는 단점을 가진다. 예컨대, 냉각수가 유출하는 경우에 유출된 냉각수가 반응기의 내부로 누출될 수도 있으며, 반응기 내부에서 CVD 가스와 폭발 반응을 할 수도 있다. 또한, 고온수와 연결된 샤워 헤드의 온도가 불균일하다는 단점이 있다.
독일 특허 제 43 30 266호에 따르면, 가스는 가스 공급 헤드와 그의 가스 유입 노즐을 통해 웨이퍼를 거쳐 일정하게 이격된 공간으로 흐른다. 여기서도 마찬가지로, 냉각수 경로 및 온도 유지 요소는 유입 영역의 온도에 영향을 받는다. 가스 유입 영역에 인접한 공간 요소의 내부벽의 온도는 일정한 온도 레벨로 유지된다. 이러한 경우에, 상기한 단점들이 물통로에서 마찬가지로 발생된다.
본 발명은 청구범위 제 1항의 전제부에 따른 화학 기상 증착 반응기(Chemical Vapor Deposition Reactor, 이하 CVD 반응기라 함) 및 그의 사용방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명은 샤워 헤드로서 구성된 유체 유입구 또는 가스 유입 노즐을 포함하는 CVD 반응기를 개선시키는 것에 기초로 하는데, 유체 유입구 및 가스 및/또는 액체와 같은 유입될 유체가 간단한 방식으로 적절하게 가열되고 특히 물통로가 적절하게 가열될 수 있는 CVD 반응기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 본 발명의 목적은 청구범위 제 1항에 의해 달성된다. 본 발명은 청구범위 제 2항 등의 청구 내용에 의해 개선된다. 청구범위 제 31항 및 제 32항에는 본 발명에 따른 반응기를 사용하는 방법이 청구되어 있다.
본 발명에 따르면, 청구범위 제 1항의 전제부에서 한정한 특징을 갖는 CVD 반응기에서,
- 유체 유입 유닛은 개구들이 제공되어 있고 반응기 커버로부터 이격되어 있는 중공형 몸체를 포함하고 있으며, 중공형 몸체의 하부측이 실질적으로 열방사 및/또는 열전도에 의해 서셉터(웨이퍼 캐리어)를 통해 가열되며,
- 중공형 몸체의 상부측이 가스내의 열전도에 의해 대기로 실질적으로 열을 방사시키도록, 중공형 몸체의 상부측과 반응기 커버 사이의 공간으로 분출 가스를 도입하는 분출 가스 유입 장치가 제공되어 있으며,
- 중공형 몸체로의 열공급 또는 중공형 몸체로부터의 열분산의 조건을 조절하여 중공형 몸체의 하부측을 선택가능한 온도로 조절함으로써, 외부로부터 어떠한 가열 매개물도 공급하지 않고서도 화학 기상 증착 매개물이 적절하게 가열되고, 중공형 몸체의 상부측과 하부측 사이에 현저한 온도구배가 존재하는 것을 특징으로 한다.
본 명세서에서 사용된 "CVD 매개물"이라는 용어는 CVD, 특히 MOCVD 가스, 액체, 용액, 또는 이들의 혼합물을 의미하며, 이를 이하에서는 "유체(fluid)"라 칭한다.
본 발명에 따르면, 공지된 CVD 반응기는 CVD 매개물을 위한 다수의 배출 개구를 갖춘 중공형 디스크를 갖춘 샤워 헤드라 불리는 유닛을 포함하는 유체 유입 유닛에 의해 개선되는데, 이러한 유체 유입 유닛은 유체 유입 유닛의 하부측이 서셉터(웨이퍼 캐리어)로부터의 방사에 의해 가열되도록 서셉터(웨이퍼 캐리어)와 반응기 커버 사이에 배치되며, CVD 매개물이 유체 유입 유닛을 통과할 때 적절하게 가열되도록 서셉터(웨이퍼 캐리어)와 반응기 커버 사이의 온도를 조절한다. (조절가능한) 열싱크(heat sink)가 유체 유입 유닛의 상측부 상에 제공되며, 이에 의해 유체 유입 유닛을 통해 축선방향으로 온도구배가 발생된다.
본 발명은 공지된 반응기의 복잡한 구조를 단순화시키는 기본적인 사상에서 출발한다. 이를 위해 반응기 커버, 액체가 통과하는 샤워 헤드 형태의 가스 유입구, 및 개별적인 가열 시스템의 조절은 자동 온도 제어하에서 수행되며, 샤워 헤드는 반응기 커버와 별도의 구성 요소로서 형상화된다. 서셉터(웨이퍼 캐리어)가 적외선 가열, 저항 가열, 또는 고주파 가열에 의해 상온 내지 1200℃ 사이의 온도 레벨로 가열되고, 방사에 의해 실질적으로 열량을 대기로 방사시키기 때문에, 유체 유입 유닛이 가열된다. 보다 진보적인 관점에서, 유체 유입 유닛이 가열되는 온도는 자동 제어 방식으로 설정된다.
열전도성이 우수한 금속으로 제조된 얇은 샤워 헤드는 반응기 커버 아래의 반응기 내에, 그리고 가능하다면 자동 온도 제어하에서 반응기 천장 아래에 배열되는 것이 바람직하다.
이러한 구조는 다수의 장점을 가진다.
샤워 헤드(웨이퍼 캐리어)는 서셉터로부터의 방사에 의해 직접 가열된다. 특히, 서셉터(웨이퍼 캐리어)와 중공형 몸체 사이의 공간은 중공형 몸체 하부측의 온도를 설정하기 위해 조절될 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 나사와 같은 유지 유닛이 중공형 몸체에 제공될 수도 있다.
중공형 몸체로의 열공급 또는 중공형 몸체로부터의 열분산은 서셉터(웨이퍼 캐리어)의 온도, 자유롭게 조절될 수 있는 서셉터(웨이퍼 캐리어)로부터의 공간, 및 반응기내에서의 가스의 전도도(캐리어 가스, 즉 질소 또는 수소 또는 이들 가스의 혼합물 및 전체 압력의 선택)에 의해 결정된다. 따라서, 샤워 헤드를 적절하게 가열하기 위해 필요로 했던 추가의 가열 시스템이 더 이상 요구되지 않는다.
샤워 헤드의 상부측으로부터 상방향으로의 열분산은 샤워 헤드 및 석영 천장 위에서 사용되는 특별한 분출 가스 및 석영 천장과 금속 반응기 커버 사이에서 사용되는 특별한 분출 가스에 의해 결정된다.
여기서, 프리즈링크(Frijlink)에 의해 제안된 자동 온도 제어된 천장이 특별히 적용될 수도 있다. 두 분출 가스의 혼합물이 적용되는 한, 매우 정교한 제어가 가능하며, 절대 온도 및 반응기내에서 샤워 헤드의 온도구배의 설정이 가능하다.
무엇보다도, 샤워 헤드로부터 서셉터(웨이퍼 캐리어)로의 현저한 온도구배가 자동적으로 보장된다. 온도구배는 열차폐물로서 작용하는 국부적 금속쉬트와 반사 및 흡수 계수차가 존재하는 다층 형태의 샤워 헤드가 도입되는 부가의 실시예에 의해 제어 방식으로 추가적으로 영향을 받을 수도 있다.
다른 모든 관점에서, 반응기는 종래의 구성을 가지는데, 특히 반응기는 중앙의 가스 유입구와 이러한 가스 유입구를 둘러싸는 가스 배출구를 갖춘 원형 반응기(공지된 평면형 반응기와 유사한)일 수도 있다. 가스 배출구는 프리즈링크에 의해 제안된 터널일 수도 있다. 반응기의 천장은 프리즈링크에 의해 제안된 형태로 구성될 수도 있으며, 자동 온도 제어에 적합하다.
서셉터(웨이퍼 캐리어)는 이중 회전하는 평면형 서셉터(평면형 웨이퍼 캐리어)이거나, 또는 가스 포일 회전(즉, 가스 쿠션 상에서의 웨이퍼의 회전; 본 출원인이 보유한 특허) 상에서 작용하거나 기계식으로 회전하는 큰 평면 디스크일 수 있다. 후자의 경우, 하나의 웨이퍼가 각 공정 동안에 중앙에 위치될 수 있지만, 이러한 웨이퍼는 상당한 크기를 가질 수도 있다. 선택적으로 또는 부가적으로, 축선을 중심으로 유체 유입 장치를 회전시키는 것이 가능하다.
다중 구성재료층 시스템을 제조하기 위해, 예컨대 β-디케토네이트(β-deketonate) 또는 동일한 온도 또는 상이한 온도 레벨에서 하나 또는 여러 유입구의 구조적 특성에 의해 직접 샤워 헤드에서 혼합될 수도 있는 다른 유기 금속 용액이 사용될 수도 있다. 다른 한편으로, 샤워 헤드는 또한 상이한 가스가 개별적으로 샤워 헤드를 통과하여서 기생적인 조기 반응을 방지하도록 반응 공간으로 배출될 때만 완전히 혼합되도록 구성될 수도 있다.
자동 온도 제어를 위해 가스 유입구 부근에 부가적인 냉각수를 사용함으로써 발생되는 위험이 일어나지 않는다. 샤워 헤드는 실질적으로 보다 용이하게 조절할 수 있고 교환될 수 있다. 반응기를 개조시키기 않고 매개물 이송 라인을 해체시키지 않으면서, 상이한 크기의 웨이퍼를 처리할 수 있도록 가장 상이한 샤워 헤드가 장착될 수 있고 신속하게 교환될 수 있기 때문에, 교환 반응기는 매우 높은 적용성을 가진다. 이러한 반응기는 모든 측상에서 열적으로 한정되고, 모든 벽들은 축적이 최소가 되도록 가열된다.
본 발명은 또한 유체 유입 유닛이 종래의 유입구와 완전히 대조되기 때문에 이미 사용중인 각각의 평면형 반응기를 용이하게 개조시킬 수 있는 또다른 장점을 가지고 있다.
본 발명에 따른 반응기는 상기한 억셉터(acceptor) 및/또는 도네이터(donator)가 도핑된 상기한 재료 시스템 뿐만 아니라 예컨대 바륨 티타네이트(BT), 스트론튬 티타네이트(ST), 바륨 스트론튬 티타네이트(BST), 스트론튬 지르코네이트 티타네이트, 바륨 지르코네이트 티타네이트, 스트론튬 비스무스 탄탈레이트(SBT), 및 리드 써코네이트 티타네이트(PZT)와 같은 페로브스카니트, 그리고 단일 및 다중 성분 산화물, 및 III-V족, II-VI족, 및 IV-IV족 재료의 얇은 층을 제조하기 위한 어떠한 종류의 CVD 공정에 사용될 수도 있다.
본 발명에 따른 반응기의 다른 장점은 샤워 헤드를 매우 용이하게 교환할 수 있다는 점이다. 사용될 각각의 웨이퍼 형태에 따라, 배치된 웨이퍼의 배열 및 형태에 대응하여 구멍 또는 배출구가 배열된 샤워 헤드를 사용할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 매우 균일하고 경제적인 처리 또는 코팅이 가능하다.
더욱이, 진보적인 구성을 갖는 반응기는 또한 가능한 한 신속하게 축적물 또는 응축물을 제거하기 위해 유체를 에칭하거나 정화하는데 사용될 수도 있다(자가 정화). 이러한 구성에 있어서, 반응기는 에칭 가스 저항성 재료로 구성된 샤워 헤드가 제공된다.
더욱이, 반응기는 정상적인 가스 공급 시스템 또는 원료 분배 시스템(액체 운반 시스템) 또는 가스를 이미 가열된 상태로 공급하는 분무 시스템(소위, LDS 시스템) 상에서 작용될 수도 있다.
이중 회전시에, 회전 속도는 비교적 낮으며, 일반적인 경우에 분당 10 내지 200 회전수(rpm)를 갖는다.
단일 웨이퍼만이 중앙에 위치된다면, 가장 상이한 회전 속도가 분당 5 내지 1500 회전수(rpm)로 사용될 수도 있다.
이하에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1에 도시된 CVD 반응기는 반응기 커버(2)를 갖춘 반응 용기(1)를 포함하고 있다. 도시된 실시예에서, 반응 용기(1)와 커버(2)는 대략 상온으로 지속적으로 유지되도록 수냉된다. 반용 용기(1), 특히 원통형태를 가질 수도 있는 반응 용기에서, 가스 배출구(21)는 이미 공지되어 있다.
반응 용기(1)의 내부에는 CVD 공정에 의해 처리되거나 코팅될 웨이퍼(4)를 위한 서셉터(웨이퍼 캐리어, 3)가 배치되어 있다. 서셉터(웨이퍼 캐리어, 3)는 적외선, 저항, 또는 고주파 형태의 가열 수단(5)에 의해 상온 내지 1200℃ 사이의 온도로 가열된다.
본 실시예에서는 중공형 디스크의 형태를 갖는 서셉터(웨이퍼 캐리어, 3) 위에는 유체 유입 유닛(6)이 배치되어 있다. 유체 유입 유닛(6)의 하부측(6')에는 웨이퍼(4)의 형태와 일치할 수도 있는 배열을 갖는 다수의 구멍(도면에서 개략적으로 도시된)이 제공되어 있다. 유체 유입 유닛(6)과 서셉터(웨이퍼 캐리어, 3) 사이의 공간은 나사와 같은 수단에 의해 조절될 수도 있다.
라인(71 내지 73)은 중공형 디스크(6)의 내부 공간으로 개방되어 있는데, 이러한 라인들을 통해 가스, 특히 CVD 가스가 가스 공급 유닛(이미 공지된 것으로 도시되지 않았으며, 필요에 따라 적절한 예열을 위한 수단을 포함함)으로부터 중공형 디스크(6)의 내부 공간으로 유동된다. 이후, 가스는 구멍(도시되지 않음)을 통해 내부 공간으로부터 배출되며, 웨이퍼(4) 상에 균일하게 작용한다.
천장으로서 언급되는 열차폐판(8)이 중공형 디스크(6)와 반응기 커버(2)의 하부측 사이에 제공되어 있다. 열차폐판(8)은 단열성 및 불활성 재료로 구성된 판이며, 본 실시예에서는 석영으로 구성된다.
더욱이, 라인(91,92)을 통해 분출 가스 유입 수단이 반응기에 연결되어 있다. 라인(91)은 열차폐판(8)과 중공형 디스크(6)의 상부측 사이의 공간으로 개방되어 있는 반면, 라인(92)은 반응기 커버(2)와 열차폐판(8) 사이의 공간으로 개방되어 있다. 중공형 몸체의 상부측 위의 공간 또는 공간들로 도입되는 가스의 조성 및/또는 유량이 열분산의 조건을 설정하도록 변화될 수 있도록, 분출 가스 유입 수단이 구성된다.
중공형 몸체(6)로의 열공급 또는 중공형 몸체(6)로부터의 열분산의 조건은 중공형 몸체의 하부측이 선택가능한 온도로 조절되도록 제어될 수도 있으며, 이에 의해 CVD 매개물은 외부로부터 가열 매개물을 공급하지 않고서도 적절하게 가열되며, 중공형 몸체의 상부측과 하부측 사이에는 현저한 온도구배가 발생할 것이다. 이러한 구성에 의해, 구멍의 막힘이 방지된다. 더욱이, 서셉터(웨이퍼 캐리어)를 향한 현저한 온도구배가 극복된다.

Claims (32)

  1. 케이싱 커버를 갖춘 반응기 케이싱과,
    상기 반응기 케이싱 내에 배치된 하나 또는 여러 웨이퍼를 지지하기 위한 가열된 서셉터(웨이퍼 캐리어)와,
    상기 웨이퍼 또는 웨이퍼들을 향하고 있는 다수의 개구를 갖추고 있으며 특히 적절하게 가열된 CVD 매개물을 상기 반응기로 유입시키는 유체 유입 유닛과, 그리고
    상기 반응기 케이싱의 둘레상에 배치되고 유입된 상기 매개물을 다시 배출시키는 유체 배출구를 포함하는 화학 기상 증착 반응기에 있어서,
    - 상기 유체 유입 유닛은 상기 개구들이 제공되어 있고 상기 반응기 커버로부터 이격되어 있는 중공형 몸체를 포함하고 있으며, 상기 중공형 몸체의 하부측이 실질적으로 열방사 및/또는 열전도에 의해 상기 서셉터(웨이퍼 캐리어)를 통해 가열되며,
    - 상기 중공형 몸체의 상부측이 상기 가스내의 열전도에 의해 대기로 실질적으로 열을 방사시키도록, 상기 중공형 몸체의 상부측과 상기 반응기 커버 사이의 공간으로 분출 가스를 도입하는 분출 가스 유입 장치가 제공되어 있으며,
    - 상기 중공형 몸체로의 열공급 또는 상기 중공형 몸체로부터의 열분산의 조건을 조절하여 상기 중공형 몸체의 하부측을 선택가능한 온도로 조절함으로써, 외부로부터 어떠한 가열 매개물도 공급하지 않고서도 상기 화학 기상 증착 매개물이 적절하게 가열되고, 상기 중공형 몸체의 상부측과 하부측 사이에 현저한 온도구배가 존재하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 서셉터(웨이퍼 캐리어)와 상기 중공형 몸체 사이의 공간이 상기 중공형 몸체의 하부측의 온도를 설정하기 위해 조절가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 중공형 몸체를 유지시키기 위한 나사와 같은 수단이 상기 공간을 설정하기 위해 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기 커버가 자동 온도식으로 제어되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 반응기 커버는 물과 같은 액체 매개물에 의해 냉각되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기 커버와 상기 중공형 몸체 사이에 열차폐판(천장)이 제공되어 있는 화학 기상 증착 반응기.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 열차폐판은 석영과 같은 내열성 및 불활성 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 분출 가스 유입 장치가 상기 반응기 커버와 상기 열차폐판 사이의 상기 공간에 제 1가스 배출구와, 상기 열차폐판과 상기 중공형 몸체의 상부측 사이의 상기 공간에 제 2가스 배출구를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공형 몸체의 상부측 위의 상기 공간 또는 공간들 내로 유입되는 가스의 조성물 및/또는 유량이 열분산 조건을 설정하기 위해 변화될 수 있도록 상기 분출 가스 유입 장치가 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 가스 분출 유입 장치가 상기 중공형 몸체의 상부측과 상기 열차폐판 사이로 그리고 상기 열차폐판과 상기 반응기 커버 사이로 각각 상이한 가스 또는 가스 조성물들을 도입하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 가스 분출 유입 장치가 수소와 산소의 혼합물과 같은 상이한 열전도도를 갖는 가스들로 구성된 가스 혼합물을 도입하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공형 몸체가 양호한 열전도도를 갖는 금속으로 제조되거나, 상이한 열전달계수, 반사성, 및 흡수성을 갖는 상이한 금속들의 다층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 중공형 몸체가 낮은 열용량을 갖는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  14. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 중공형 몸체가 얇은 디스크인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  15. 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서셉터(웨이퍼 캐리어)가 이중으로 회전하는 평면형 서셉터(평면형 웨이퍼 캐리어)인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  16. 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서셉터(웨이퍼 캐리어)가 디스크인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 디스크가 기계식으로 회전하거나 가스 포일 회전에 대해 작용하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  18. 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공형 몸체 또는 상기 중공형 몸체의 부품들이 회전하도록 구성되어 있으며, 상기 디스크 및/또는 상기 서셉터는 회전하지 않는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  19. 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체 유입 유닛이 가스 및/또는 특히 유기 금속 용액과 같은 액체가 상기 중공형 몸체에서 혼합될 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  20. 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체 유입 유닛이 상이한 유체를 위한 개별적인 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 유체가 상기 개구로부터 배출될 때 서로 혼합되도록 상기 개구가 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  22. 제 1항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체가 상기 중공형 몸체내로 유입되기 전에 상기 유체를 가열(예열)하는 적절한 가열 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  23. 제 1항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체 유입 유닛이 에칭 또는 정화 가스에 내성을 갖는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  24. 제 1항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기가 원통형태를 갖는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  25. 제 1항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기의 측벽이 자동 온도식으로 제어되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  26. 제 1항 내지 제 25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기내의 압력이 0.1 내지 1000 mbar 인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  27. 제 1항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체 유입 유닛이 0.1 mbar 내지 10 bar 의 압력 레벨에서 상기 화학 기상 증착 매개물을 공급하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  28. 제 1항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서셉터(웨이퍼 캐리어)가 적외선 가열, 저항 가열, 또는 고주파 가열에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  29. 제 28항에 있어서, 상기 서셉터(웨이퍼 캐리어)가 대략 상온에서 1200℃ 사이의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  30. 제 1항 내지 제 29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공형 몸체와 상기 반응기 커버 사이에 부가의 열차폐판이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 반응기.
  31. 바륨 티타네이트(BT), 스트론튬 티타네이트(ST), 바륨 스트론튬 티타네이트(BST), 스트론튬 지르코네이트 티타네이트, 바륨 지르코네이트 티타네이트, 스트론튬 비스무스 탄탈레이트(SBT), 및 리드 써코네이트 티타네이트(PZT)와 같은 페로브스카니트, 그리고 단일 및 다중 성분 산화물, 및 III-V족, II-VI족, 및 IV-IV족 재료의 얇은 층을 제조하기 위한 제 1항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 따른 화학 기상 증착 반응기의 사용방법.
  32. 제 31항에 있어서, 도핑된 얇은 층, 특히 억셉터 또는 도네이터로 도핑된 층을 제조하기 위한 화학 기상 증착 반응기의 사용방법.
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