KR20010004890A - 웨이퍼 레벨 패키지의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 웨이퍼보다 크기가 큰 직경을 갖는 금속링상에, 금속링보다 열팽창계수가 큰 금속박판을 열을 가하면서 접착한다. 그런 다음, 금속링과 금속박판을 냉각시키면, 금속링으로부터 반지름 방향으로 작용하는 힘에 의해 금속박판이 팽팽하게 잡아당겨지게 된다. 이와 아울러, 복수개의 반도체 칩이 구성된 웨이퍼 표면에 하부 절연층을 도포한다. 하부 절연층을 부분적으로만 경화시킨다. 부분적으로 경화된 하부 절연층상에 상기 금속박판을 올려놓고 열압착으로 부착한다. 그런 다음, 금속박판을 웨이퍼 크기대로 절단하여 금속박판의 가장자리와 금속링을 제거한다. 금속박판의 일단이 본딩 패드상에 위치하도록 금속박판을 패터닝한다. 이 패터닝 공정에서 본딩 패드상에 위치한 하부 절연층 부분이 노출된다. 금속 패턴에서 노출된 하부 절연층 부분을 제거하여 비아홀을 형성하므로써, 비아홀을 통해 본딩 패드를 노출시킨다. 비아홀 내벽에 금속막을 도금하여, 금속 패턴과 본딩 패드를 전기적으로 연결시킨다. 전체 구조 상부에 상부 절연층을 도포하고, 금속 패턴의 타단 부분이 노출되도록 상부 절연층을 식각하여 볼 랜드를 형성한다. 볼 랜드에 접합 보조 금속 패턴을 형성한다. 접합 보조 금속 패턴에 솔더 볼을 마운트한 후, 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리한다.

Description

웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법{method of fabricating wafer level package}

본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼 상태에서 패키징 공정이 이루어지는 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다.

기존의 패키지는 웨이퍼를 먼저 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리한 후, 개개의 반도체 칩별로 여러 가지 패키징 공정을 실시하는 것에 의해 제조되었다.

그러나, 상기된 기존의 패키지는 개개의 반도체 칩별로 많은 단위 공정이 실시되어야 하기 때문에, 하나의 웨이퍼에서 제조되는 반도체 칩들을 고려하게 되면, 공정수가 너무 많다는 문제점을 안고 있다.

그래서, 최근에는 웨이퍼를 먼저 절단하지 않고 웨이퍼 상태에서 상기된 패키징 공정을 우선적으로 실시한 후, 최종적으로 스크라이브 라인을 따라 절단하여 패키지를 제조하는 방안이 제시되었다. 이러한 방법으로 제조된 패키지를 웨이퍼 레벨 패키지라 하는데, 도 1에 종래의 웨이퍼 레벨 패키지가 단면도로 ??시되어 있다.

도 1을 참조로 하여, 웨이퍼(1) 표면에는 실리콘 질화막인 보호막(2)이 도포되어 있다. 웨이퍼(1) 표면에 구성된 반도체 칩의 본딩 패드(1a)는 식각에 의해 보호막(2)에 형성된 홈을 통해 노출되어 있다.

이러한 상태에서, 보호막(2) 전체 표면에 하부 절연층(3)을 도포한다. 본딩 패드(1a) 상부에 위치한 하부 절연층(3)을 식각하여 본딩 패드(1a)를 외부로 노출시킨다. 그런 다음, 구리나 알루미늄 재질의 금속막을 전체 구조 표면상에 진공 증착한다. 이때, 금속막은 본딩 패드(1a)에도 증착된다. 이어서, 금속막을 부분 식각하여, 일단은 본딩 패드(1a)에 전기적으로 연결되고 타단은 하부 절연층(3)상에 위치하는 금속 패턴(4)을 형성한다. 그런 다음, 전체 구조 표면에 상부 절연층(5)을 도포한 후, 금속 패턴(4)의 타단 상부에 위치한 상부 절연층(5) 부분을 식각하여 금속 패턴(4)의 타단을 노출시킨다. 노출된 금속 패턴(4)의 타단이 솔더 볼이 마운트되는 볼 랜드가 된다.

이어서, 볼 랜드에 구형의 솔더 볼(6)을 올려놓은 후, 자외선을 이용한 리플로우 공정을 통해 솔더 볼(6)과 볼 랜드를 접착시키므로써, 반도체 칩의 본딩 패드(1a)와 기판에 실장되는 솔더 볼(6)을 전기적으로 연결시킨다. 마지막으로, 웨이퍼(1)에 형성된 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리하면, 웨이퍼 레벨 패키지가 완성된다.

웨이퍼 레벨 패키지가 전기적 특성을 최대로 발휘하기 위해서는, 금속 패턴을 통한 전기 신호의 전달이 신속해야만 한다. 전기 신호의 전달을 빠르게 하기 위해서는 금속 패턴의 저항을 최대한 낮추어야 한다. 금속 패턴의 저항은 주지된 사실대로 그의 길이에 비례하고, 반면에 단면적에는 반비례한다. 본딩 패드와 볼 랜드간의 거리는 미리 설정되어 있으므로, 금속 패턴의 길이를 임의로 줄일 수는 없다. 따라서, 금속 패턴의 저항을 낮추기 위해서는 금속 패턴의 단면적을 증가시켜야 한다. 단면적은 폭×두께인데, 금속 패턴들간의 간격은 쇼트 예방을 위해 임계 치수가 있기 마련이고, 따라서 금속 패턴의 폭을 늘이는데는 한계가 있다. 그러므로, 금속 패턴의 저항을 낮추는 유일한 방법은 그의 두께를 늘이는 수밖에 없다.

그런데, 종래의 웨이퍼 레벨 패키지에서, 금속 패턴의 폭은 40∼100㎛, 두께는 1㎛ 이하로 제한된다. 그 이유는 금속 패턴이 진공 증착에 의해 형성되기 때문이다. 진공 증착에 의해 금속 패턴의 두께를 늘이기 위해서는 증착 시간과 스퍼터링 파워 등을 최대한 늘려야 한다. 그러나, 진공 증착에 의해 1㎛ 이상의 두께로 금속 패턴을 형성하기에는 증착 시간 및 비용이 너무 많이 소요되고, 아울러 스퍼터링 파워도 매우 많이 소모되는 문제점이 있다. 그러므로, 진공 증착으로 금속 패턴의 두께를 증가시키는데는 한계가 있었다.

본 발명은 종래의 웨이퍼 레벨 패키지가 안고 있는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 간단한 방법으로 금속 패턴의 두께를 허용된 범위내에서 최대한 늘일 수 있도록 하여, 금속 패턴의 저항을 낮추어서 전기적 신호 전달이 신속하게 이루어지는 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.

도 1은 종래의 웨이퍼 레벨 패키지를 나타낸 단면도.

도 2 내지 도 16은 본 발명의 실시예 1에 따른 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면.

도 17 내지 도 19는 본 발명의 실시예 2에 따른 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법 중 실시예 1과 다른 공정만을 나타낸 단면도.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -

10 ; 금속링 20 ; 금속박판

21 ; 금속 패턴 40 ; 웨이퍼

41 ; 본딩 패드 50 ; 보호층

60 ; 하부 절연층 61 ; 비아홀

70 ; 금속막 80 ; 상부 절연층

81 ; 볼 랜드 90 ; 접합 보조용 금속막

91 ; 접합 보조용 금속 패턴 100 ; 솔더 볼

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 패키지를 제조하는 방법은 다음과 같다.

웨이퍼보다 크기가 큰 직경을 갖는 금속링상에, 금속링보다 열팽창계수가 큰 금속박판을 열을 가하면서 접착한다. 그런 다음, 금속링과 금속박판을 냉각시키면, 금속박판의 수축율보다 금속링의 수축율이 더 작으므로, 금속링에서 반지름 방향으로 작용하는 힘에 의해 금속박판이 팽팽하게 잡아당겨지게 된다.

이와 아울러, 복수개의 반도체 칩이 구성된 웨이퍼 표면에 하부 절연층을 도포한다. 하부 절연층을 부분적으로만 경화시킨다. 부분적으로 경화된 하부 절연층상에 상기 금속박판을 올려놓고 열압착으로 부착한다. 그런 다음, 금속박판을 웨이퍼 크기대로 절단하여 금속박판의 가장자리와 금속링을 제거한다.

이어서, 금속박판의 일단이 본딩 패드상에 위치하도록 금속박판을 패터닝한다. 이 패터닝 공정에서 본딩 패드상에 위치한 하부 절연층 부분이 노출된다. 금속 패턴에서 노출된 하부 절연층 부분을 제거하여 비아홀을 형성하므로써, 비아홀을 통해 본딩 패드를 노출시킨다. 비아홀 내벽에 금속막을 도금하여, 금속 패턴과 본딩 패드를 전기적으로 연결시킨다.

전체 구조 상부에 상부 절연층을 도포하고, 금속 패턴의 타단 부분이 노출되도록 상부 절연층을 식각하여 볼 랜드를 형성한다. 전체 구조 상부에 도전층과 확산 방지층 및 솔더 습윤층의 3층으로 이루어진 접합 보조 금속층을 증착한 후, 이를 패터닝하여 볼 랜드에만 남는 접합 보조 금속 패턴을 형성한다. 접합 보조 금속 패턴에 솔더 볼을 마운트하고, 리플로우 공정을 통해 솔더 볼을 볼 랜드에 견고히 접합시킨다. 마지막으로, 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리한다.

금속링과 금속박판을 사용하는 방법 대신에, 웨이퍼 표면에 하부 절연층을 도포한 후, 하부 절연층을 식각하여 비아홀을 형성하므로써 비아홀을 통해 본딩 패드를 노출시킨다. 전체 구조 상부에 금속층을 전기 도금법으로 도금한다. 금속층을 패터닝하여 일단이 본딩 패드에 연결되는 금속 패턴을 형성한다. 전체 구조 상부에 상부 절연층을 도포하고, 금속 패턴의 타단 상부에 있는 상부 절연층 부분을 식각하여 볼 랜드를 형성한다. 볼 랜드에 솔더 볼을 마운트한 후, 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리한다.

상기된 본 발명의 구성에 의하면, 금속 패턴이 임의의 두께로 용이하게 설정가능한 금속박판이나 전기 도금법에 의해 형성되므로써, 금속 패턴의 두께를 허용된 범위내에서 최대한 늘일 수가 있다. 그러므로, 금속 패턴의 저항이 증가되어, 전기 신호 전달이 신속하게 이루어진다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.

[실시예 1]

도 2 내지 도 16은 본 발명의 실시예 1에 따른 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.

먼저, 도 2에 도시된 환상의 금속링(10)과, 도 3에 도시된 직사각형의 금속박판(20)을 준비한다. 금속링(10)의 크기는 웨이퍼보다 크다. 금속박판(20)을 접착제(30)를 매개로 도 4와 같이, 금속링(10)상에 부착한다. 금속박판(20)이 접착제(30)를 매개로 금속링(10)상에 부착된 상태가 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 취한 단면도인 도 5에 도시되어 있다. 특히, 금속링(10)으로 금속박판(20)보다 열팽창계수가 작은 재질을 사용하는데, 그 이유는 후술한다. 본 실시예 1에서는 금속박판(20)으로 구리 또는 알루미늄이 사용되고, 금속링(10)으로는 구리 또는 알루미늄보다는 열팽창계수가 작은 니켈 또는 그의 합금이 사용될 수가 있다.

또한, 도 6에 도시된 웨이퍼(40)를 준비한다. 웨이퍼(40)에는 복수개의 반도체 칩들이 구성되어 있고, 반도체 칩의 본딩 패드(41)는 웨이퍼(40) 표면에 배치되어 있다. 따라서, 도 6에서 웨이퍼(40) 표면이 본딩 패드 형성면이 된다. 또한, 반도체 칩을 보호하기 위한 실리콘 질화막 재질의 보호층(50)이 웨이퍼(40) 표면에 도포되어 있다. 보호층(50)의 소정 부분이 식각되어서, 본딩 패드(41)는 보호층(50)으로부터 외부로 노출되어 있다.

이와 같은 웨이퍼(40) 표면에 도 7와 같이 하부 절연층(60)을 스핀 코팅 방식으로 도포한다. 하부 절연층(60)은 웨이퍼(40) 표면을 평탄화시키는 역할과 아울러 이후에 증착될 금속층과 본딩 패드(41)를 전기적으로 절연시키는 역할을 한다. 하부 절연층(60)의 재질로는 폴리이미드 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이 사용될 수 있다. 그런 다음, 하부 절연층(60)을 경화시키는데, 완전 경화시키는 것이 아니라 부분적으로만 경화시킨다. 그 이유는 후술한다.

이어서, 도 8와 같이 미리 준비된 금속박판(20)을 하부 절연층(60)상에 올려놓고 열압착으로 부착시킨다. 이때, 부분적으로 경화된 하부 절연층(60) 자체가 일종의 접착제 역할을 하게 된다.

여기서, 본 실시예 1에서는 금속박판(20)을 하부 절연층(60)상에 단순한 방법, 즉 다른 수단없이 부착하는 것이 아니라, 금속박판(20)보다 열팽창계수가 작은 전술된 금속링(10)이 이용된다. 그 이유는, 하부 절연층(60)의 평탄화 여부에 기인한다. 상술하면, 하부 절연층(60)의 표면은 평탄화된 상태가 아니기 때문에, 만일 금속박판(20)을 직접 평탄하지 않은 하부 절연층(60)상에 부착하게 되면, 금속박판(20)이 울퉁불퉁해진다. 평탄하지 않은 금속박판(20)에 후속 공정을 실시할 수 없음은 물론이다.

그러나, 금속링(20)을 이용하게 되면 금속박판(20)의 평탄화를 이룰 수가 있다. 즉, 금속박판(20)을 금속링(20)에 부착할 때, 소정의 열을 가하면서 부착하게 된다. 그런 다음, 서로가 견고히 부착되도록 하기 위해서 냉각시키게 되는데, 이때 금속박판(20)의 열팽창계수가 금속링(20)의 열팽창계수보다 크므로, 금속박판(20)의 수축율이 금속링(20)의 수축율보다 크게 된다. 따라서, 금속링(20)이 그의 중심 방향으로 수축되는 정도가 금속박판(20)보다 작으므로, 역으로 금속박판(20)을 반지름 방향으로 당기는 효과가 발휘된다. 이러한 효과에 의해 금속박판(20)이 반지름 방향으로 전체적으로 당겨지게 되므로써, 금속박판(20)이 평평한 상태로 유지된다.

한편, 하부 절연층(60)을 도포한 후, 그의 표면을 평탄화하는 공정이 실시되었다면, 본 실시예 1과 같이 금속링(10)을 사용하지 않고 금속박판(20)을 직접 하부 절연층(60)상에 부착할 수 있음은 물론이다.

계속해서, 금속박판(20)을 웨이퍼(40) 크기로 절단하여, 금속박판(20)의 가장자리 부분과 금속링(10)을 동시에 제거한다.

그런 다음, 금속박판(20)상에 포토레지스트를 도포하고, 이 포토레지스트를 마스크를 이용한 노광 공정을 통해서 패터닝한다. 패터닝된 포토레지스트를 식각 마스크로 하여 금속박판(20)과 하부 절연층(60)을 식각하므로써, 도 9와 같은 패터닝된 금속 패턴(21)을 형성한다. 이때, 본딩 패드(41)가 하부 절연층(60)에 형성된 비아홀(61)을 통해 노출된다.

이어서, 도 10과 같이, 금속 패턴(21)과 본딩 패드(41)를 전기적으로 연결시키기 위해서, 전체 구조 상부에 구리 또는 알루미늄 재질의 금속막(70)을 전기 도금한다. 그런 다음, 금속막(70)을 패터닝하여, 비아홀(61) 내벽에만 잔존하는 금속막(70)을 형성한다.

전체 구조 상부에 도 12와 같이 상부 절연층(80)을 도포한 후, 도 13와 같이 금속 패턴(21)의 타단 상부에 있는 상부 절연층(80) 부분을 식각하여, 금속 패턴(21)이 노출되는 볼 랜드(81)를 형성한다.

이어서, 도 14와 같이 전체 구조 상부에 접합 보조 금속층(90)을 증착한다. 접합 보조 금속층(90)은 3층 구조로서, 하부로부터 도전층과 확산 방지층 및 솔더 습윤층으로 구성된다. 도전층은 금속 패턴(21)과 전기적으로 연결되는 층이다. 확산 방지층은 솔더 볼의 주석 성분이 도전층과 금속 패턴(21)으로 침투하여 금속간 화합물을 형성하는 것을 방지하는 층이다. 솔더 습윤층은 솔더 볼과의 접합력 강화를 위해 가용성을 갖는 층이다. 이러한 3층 구조의 접합 보조 금속층(40)으로 알루미늄/니켈/구리, 알루미늄/티타늄/구리, 알루미늄/크롬/구리, 티타늄/티타늄+텅스텐/구리 또는 크롬/크롬+구리/구리 중의 하나가 선택될 수 있다.

한편, 금속 패턴(21), 즉 금속박판(20)을 전술된 접합 보조용 금속층(90)과 같은 구조 및 재질로 형성하였다면, 본 실시예 1과 같이 접합 보조용 금속층(90)을 별도로 형성할 필요는 없다.

계속해서, 도 15와 같이 접합 보조용 금속층(90)을 패터닝하여, 볼 랜드(81) 주위에만 남는 접합 보조용 금속 패턴(91)을 형성한다. 그런 다음, 도 16와 같이 볼 랜드(81)에 플럭스를 사용해서 솔더 볼(100)을 올려놓고, 자외선을 이용한 리플로우 공정을 통해 솔더 볼(100)을 볼 랜드(81)에 견고히 접합시킨다. 마지막으로, 웨이퍼(40)에 형성된 스크라이브 라인을 따라 개개로 절단하여, 개개의 반도체 칩으로 분리하면 본 실시예 1에 따른 웨이퍼 레벨 패키지가 완성된다.

[실시예 2]

도 17 내지 도 19는 본 발명의 실시예 2에 따른 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법 중 실시예 1과 다른 공정만을 나타낸 단면도이다.

본 실시예 2에 따른 방법이 실시예 1과 다른 점은 금속박판과 금속링이 사용되지 않는다는 점이다. 대신에, 금속 패턴이 전기 도금법에 의해 형성된다. 전기 도금법은 종래의 진공 증착에 비해서 금속막이 형성되는 속도가 빠르면서 비용도 저렴하다는 장점이 있다. 그러므로, 허용되는 범위내에서 금속 패턴의 두께를 충분히 두껍게 형성할 수가 있다.

구체적으로 설명하면, 도 17와 같이, 하부 절연층(60)을 웨이퍼(40) 표면에 도포한 후, 본딩 패드(41)가 노출되도록 하부 절연층(60)을 식각하여 비아홀(61)을 형성한다. 그런 다음, 전체 구조 상부에 도 18와 같이 구리 또는 알루미늄 재질의 금속막(22)을 전기 도금한다. 이어서, 도 19와 같이 금속막(22)을 패터닝하여, 일단이 본딩 패드(41)에 연결된 금속 패턴(23)을 형성한다. 후속 공정은 실시예 1과 동일하므로 반복 설명은 생략한다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 미리 준비된 금속박판이나 전기 도금법으로 금속 패턴을 형성하게 되므로써, 빠른 시간내에 적은 비용 및 간단한 방법으로 허용되는 범위내에서 충분한 두께로 금속 패턴을 형성할 수가 있게 된다. 따라서, 금속 패턴의 저항이 줄어들게 되고, 결과적으로 전기 신호 전달이 신속해지게 된다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (6)

1. 본딩 패드들을 갖는 복수개의 반도체 칩이 구성된 웨이퍼 표면에 하부 절연층을 도포하는 단계;

   상기 하부 절연층상에 금속박판을 열압착한 후, 상기 금속박판을 패터닝하는 단계;

   상기 본딩 패드상에 위치하여 금속 패턴에서 노출된 하부 절연층 부분을 제거하여 비아홀을 형성하므로써, 상기 비아홀을 통해 본딩 패드를 노출시키는 단계;

   상기 비아홀 내벽에 금속막을 전기 도금하여, 상기 금속막을 통해 본딩 패드와 금속 패턴의 일단을 전기적으로 연결시키는 단계;

   전체 구조 상부에 상부 절연층을 도포한 후, 상기 상부 절연층을 식각하여 금속 패턴의 타단을 노출시켜 볼 랜드를 형성하는 단계;

   상기 볼 랜드에 솔더 볼을 마운트하는 단계; 및

   상기 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속박판을 하부 절연층상에 부착하는 단계 전에, 상기 금속박판을 그의 열팽창계수보다 작은 열팽창계수를 가지면서 상기 웨이퍼보다 큰 직경을 갖는 금속링상에 열을 가하면서 부착한 후 냉각시키면서, 상기 금속링의 수축율이 금속박판의 수축율보다 작아서 상기 금속링이 금속박판을 반지름 방향으로 전체적으로 당기는 것에 의해 금속박판의 평탄화를 이루는 단계;

   상기 금속링상에 부착된 금속박판을 하부 절연층상에 열압착하는 단계; 및

   상기 금속박판을 웨이퍼 크기로 절단하여 금속박판의 가장자리와 금속링을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 금속박판의 재질은 구리 또는 알루미늄이고, 상기 금속링의 재질은 니켈 또는 니켈 합금인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 금속 패턴을 단일층으로 형성하고,

   상기 볼 랜드가 형성된 상부 절연층상에 상기 단일층의 금속 패턴과 전기적으로 연결되는 도전층; 상기 솔더 볼의 성분이 금속 패턴으로 확산되는 것을 방지하는 확산 방지층; 및 상기 솔더 볼과의 접합력 강화를 위한 가용성의 솔더 습윤층이 하부로부터 순차적으로 적층된 구조의 접합 보조 금속층을 증착한 후,

   상기 볼 랜드에만 남도록 상기 접합 보조 금속층을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 접합 보조 금속층의 재질은 알루미늄/니켈/구리, 알루미늄/티타늄/구리, 알루미늄/크롬/구리, 티타늄/티타늄+텅스텐/구리 또는 크롬/크롬+구리/구리 중의 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지의 제조 방법.
6. 본딩 패드들을 갖는 복수개의 반도체 칩이 구성된 웨이퍼 표면에 하부 절연층을 도포한 후, 상기 하부 절연층을 식각하여 본딩 패드가 노출되는 비아홀을 형성하는 단계;

   전체 구조 상부에 금속막을 전기 도금한 후, 상기 금속막을 패터닝하여 일단이 상기 본딩 패드에 연결된 금속 패턴을 형성하는 단계;

   전체 구조 상부에 상부 절연층을 도포한 후, 상기 상부 절연층을 식각하여 금속 패턴의 타단을 노출시켜 볼 랜드를 형성하는 단계;

   전체 구조 상부에 접합 보조 금속막을 증착한 후, 상기 볼 랜드에만 남도록 상기 접합 보조 금속막을 패터닝하는 단계;

   상기 볼 랜드에 솔더 볼을 마운트하여, 상기 솔더 볼과 접합 보조 금속막을 전기적으로 연결시키는 단계; 및

   상기 웨이퍼에 형성된 스크라이브 라인을 따라 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법