KR20000076305A - 티탄이 포함된 복합재의 연마용 조성물 및 연마 방법 - Google Patents
티탄이 포함된 복합재의 연마용 조성물 및 연마 방법 Download PDFInfo
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 23
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 20
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 17
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- -1 tricarboxylic acid compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical group [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSKNUZYLXFBIHL-UHFFFAOYSA-N azanium;hydron;phthalate Chemical compound N.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O OSKNUZYLXFBIHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 3
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 2
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical class OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000004701 malic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogen phthalate Chemical compound [K+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
물, 서브마이크론 마모 입자, 산화제, 및 프탈레이트 화합물과 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산 화합물로 이루어진 착화제 조합물을 함유하는, 티탄이 포함된 기판의 화학적 기계적 연마에 유용한 수성 슬러리가 제공된다.
Description
발명의 배경
종래의 연마용 조성물 또는 슬러리는 마모 입자가 함유된 용액으로 이루어지는 것이 일반적이다. 슬러리 내에서 부품 또는 기판은, 탄성 패드를 그 기판에 대고 눌러 패드와 기판이 서로 상대적으로 움직이게 하면서 세척되거나 행구어진다. 따라서 마모 입자는 하중을 받아 기판으로 압착되며, 패드의 횡방향 운동으로 인해 마모 입자가 기판 표면을 가로질러 움직이게 되어 기판 표면을 닳게 하거나 대량 제거를 일으킨다.
많은 경우 표면 제거율은 적용된 압력의 세기, 패드 회전 속도 및 슬러리 입자의 화학적 활성에 의해서만 결정된다. 연마율을 증가시키는 하나의 수단은 기판에 대해 그 자체로 부식성인 성분을 슬러리에 첨가하는 것이다. 마모 입자와 함께 사용된다면 상당히 높은 연마율을 달성할 수 있다. 이 방법은 종종 화학적 기계적 연마 (CMP)로 불리며, 반도체 및 반도체 소자, 특히 집적회로의 연마에 있어 바람직한 기술이다. 대개의 첨가제는 집적회로 구조에서 상호접속 비아(via) 등의 유전체/금속 복합 구조를 연마할 때 금속 성분의 해리를 촉진하기 위해 슬러리에 도입된다. 이런 기술 및 여타의 다른 관련 기술의 목적은 회로의 금속 부분을 우선적으로 제거하여, 생성된 표면이 절연성 또는 유전성이 있는, 전형적으로는 SiO2로 이루어진 공면이 되도록 하는 것이다. 이 공정은 평탄화라고 명명한다.
티탄/질화티탄 필름은 대개 산화규소 절연층으로 텅스텐이 잘 부착되도록 하기 위해 사용된다. 이상적으로는 티탄/질화티탄층이 텅스텐 제거 속도에 필적하는 속도로 제거되어야 하지만, 티탄은 비부식성이 강한 물질이다. 그것은 쉽게 산화되지 않기 때문에 제거하기가 어렵다.
미국 특허 제5,391,248호 및 제5,476,606호는 텅스텐 등의 금속과 실리카의 복합재를 평탄화하는데 유용한 슬러리 조성물을 제시한다. 본 발명의 슬러리 조성물은 이들 특허의 청구 범위 내에 들어간다.
본 발명의 목적은 티탄이 포함된 복합재에 특히 효과적인 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
발명의 요약
물, 서브마이크론 마모 입자, 산화제, 및 프탈레이트 화합물과 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산 화합물로 이루어진 착화제 조합물을 함유하는, 티탄이 포함된 기판의 화학적 기계적 연마에 유용한 수성 슬러리가 제공된다.
물, 서브마이크론 연마 입자, 산화제, 및 프탈레이트 화합물과 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산 화합물로 이루어진 착화제 조합물을 함유하는 연마용 슬러리를 이용하는 티탄 함유 기판의 화학적 기계적 연마 방법도 제공된다.
바람직한 실시태양에 대한 설명
실리카와 착물을 형성하는 화합물을 실리카 및 티탄을 포함하는 복합재의 화학적 기계적 연마에 사용되는 연마용 슬러리에 첨가하면, 실리카의 제거 속도는 낮게 유지되지만 티탄과 복합재 내의 다른 금속의 제거 속도는 높일 수 있다.
SiO2에 대한 착화제 또는 킬레이트화제로 작용하는 화합물은 미국 특허 제5,391,258호 및 미국 특허 제5,476,606호에 매우 상세하게 기재되어 있다. 이들 화합물은 실리카에 대한 착화에 영향을 줄 수 있는 구조로 존재하는 2개 이상의 산 기를 갖고 있어야 한다. 산 종류는 해리가능한 양성자가 있는 관능기로 정의된다. 예를 들면 카르복실레이트, 히드록실, 술폰산기 및 포스폰산기 등이 있으나 이것으로 제한되는 것은 아니다. 카르복실레이트 및 히드록실기는 가장 광범위한 형태의 효과적인 것으로 존재하기 때문에 바람직하다. 특히 2개 이상의 카르복실레이트 기와 알파 위치에 히드록실기를 갖는 구조, 예를 들면 말산, 말산염, 타르타르산, 타르타르산염, 글루콘산 및 글루콘산염 등을 비롯한 직쇄 모노- 및 디-카르복실산 및 염이 효과적이다. 또한 시트르산 및 시트르산염과 같이, 카르복실기에 대해 알파 위치에 제2 또는 제3 히드록실기를 갖는 트리- 및 폴리카르복실산 및 염이 효과적이다. 또한 오르토 디- 및 폴리히드록시벤조산 및 산염, 프탈산 및 산염, 피로카테콜, 피로갈롤, 갈산 및 갈산염, 탄닌산 및 탄닌산염과 같이 벤젠 고리를 포함하는 화합물도 효과적이다. 대개 이런 착화제는 약 2 내지 약 7 중량%로 CMP용 슬러리에 사용되는 것이 일반적이다.
다음의 실시예에서는 프탈레이트 화합물을 카르복실기 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기를 갖는 디카르복실산 또는 트리카르복실산 착화제와 병용해서 티탄의 제거 속도를 향상시킨다. 프탈레이트 화합물은 프탈산수소칼륨 등의 프탈레이트로 조성물에 첨가할 수 있으며, 또한 실시예에서 보인 바와 같이 프탈산 무수물 및 암모니아를 조성물에 첨가하여 프탈산수소암모늄을 발생시킴으로써 프탈레이트 화합물을 생성시킬 수도 있다.
본 발명의 조성물에서 서브마이크론 마모 입자는 알루미나, 실리카, 세리아 및 지르코니아 등 화학적 기계적 연마에 사용되는 산화물 중 임의의 것으로 이루어질 수 있다. 대개 마모 입자는 약 1 내지 15 중량%로 CMP용 슬러리에 사용된다. 바람직한 마모 입자는 알루미나이다. 가장 바람직한 것은 약 7 중량%로 알루미나를 사용하는 것이다.
본 발명의 조성물에서 산화제는 질산염, 요오드산염, 염소산염, 과염소산염, 아염소산염, 과황산염, 황산염 또는 과산화물로 이루어질 수 있다. 일반적으로 산화제는 약 2 내지 약 7 중량%로 CMP용 슬러리에 사용된다. 요오드산염은 바람직한 산화제이다. 가장 바람직한 것은 약 3 중량%으로 요오드산칼륨을 사용하는 것이다.
〈실시예 1〉
20.32 cm (8 in) 웨이퍼를 Westech 372U 연마기 (IPEC Planar에서 입수 가능)에서 압력 7 psi, 캐리어 50 rpm, 테이블 40 rpm, 후방 압력 3 psi의 조건하에서 IC1000-P/SubaTM IV 패드 (미국 델라웨어주 뉴워크에 위치한 Rodel Inc.로부터 입수 가능)를 써서 연마했다. 이들 웨이퍼를 연마시키는데 3.1 % 프탈산 무수물, 3.14 % 요오드산칼륨, 1.23 % 암모니아 용액(29 %), 6.86 % 서브마이크론 알루미나 및 85.67 % 탈염수를 함유하는 조성물 (중량 단위)을 연마용 슬러리로 사용했다. 3가지 종류의 웨이퍼를 위 조건에서 연마시켰다. 이들 표면에는 400 Å Ti, 2000 Å Ti 또는 8000 Å 텅스텐/400 Å TiN/250 Å Ti 층이 적층되어 있었다. 이 웨이퍼 3개의 제거 시간 (하나의 층 또는 층 시리즈를 제거하는데 걸리는 시간 (초))은 각각 45, 255, 및 235 초였다. 이 슬러리는 질산제2철이 함유된 이 분야에 사용되는 표준 슬러리 보다 대략 2배 정도가 효과적인 것으로 드러났다 (제거 시간이 절반).
〈실시예 2〉
실시예 1에 기재된 것과 동일한 종류의 웨이퍼를 실시예 1과 동일한 연마기를 써서 동일한 연마 조건에서 연마했다. 여기서 슬러리는 몰 수를 기준으로 프탈산 무수물 20 %가 말산으로 대체되었다는 점에서만 실시예 1의 슬러리와 달랐다. 즉, 슬러리 내의 착화제는 몰 수를 기준으로 프탈레이트 대 말산 4 : 1의 비율로 이루어진다. 이 슬러리의 경우 제거 시간은 400 Å Ti층이 35초, 2000 Å Ti층이 160초, W/TiN/Ti 조합 표면층이 205초였다.
〈실시예 3〉
실시예 1에 기재된 것과 동일한 종류의 웨이퍼를 실시예 1과 동일한 연마기를 써서 동일한 연마 조건에서 연마했다. 여기서 슬러리는 몰 수를 기준으로 프탈산 무수물 20 %가 시트르산으로 대체되었다는 점에서만 실시예 1의 슬러리와 달랐다. 이 슬러리의 경우 제거 시간은 400 Å Ti층이 30초, 2000 Å Ti층이 140초, W/TiN/Ti 조합 표면층이 220초였다.
이들 실시예로부터 분명하게 알 수 있는 것은 이런 제제에서 프탈레이트 일부를 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산으로 대체하면 제거 기간이 감소된다는 것이다. 이런 시너지 효과는 지금까지 알려지지 않았었다. (a) 프탈레이트 대 (b) 카르복실기 중 하나에 대해 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 화합물의 몰 비는 약 1 : 1 내지 약 10 : 1일 수 있다. (a) 대 (b)의 바람직한 비율 범위는 약 2 : 1 내지 약 7 : 1이다. 가장 바람직한 비율은 약 4 : 1이다.
위에서 논한 것은 본 발명과 관련해서 어떠한 식으로는 제한적인 것으로 받아들여져서는 안된다. 본 발명의 범위에 대한 모든 제한은 하기한 청구의 범위에서만 발견된다.
본 발명은 기판, 그 중에서도 실리카, 티탄 및 질화티탄으로 이루어진 기판의 화학적 기계적 연마에 사용되는 슬러리로 유용한 조성물에 관한 것이다.
Claims (17)
- 물, 서브마이크론 마모 입자, 산화제, 및 프탈레이트 화합물과 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산 화합물로 이루어진 착화제 조합물을 함유하는, 티탄이 포함된 기판의 화학적 기계적 연마에 유용한 수성 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 서브마이크론 마모 입자가 알루미나인 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 산화제가 요오드산칼륨인 조성물.
- 제1항에 있어서, 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 상기 화합물이 말산인 조성물.
- 제1항에 있어서, 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 상기 화합물이 시트르산인 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 프탈레이트 화합물이 프탈산수소암모늄인 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 착화제 조합물이 (a) 프탈레이트 화합물 및 (b) 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 화합물로 이루어지며, (a) 대 (b)의 몰 비가 약 1 : 1 내지 약 10 : 1이고, 착화제의 총량이 조성물 내에서 약 2 중량% 내지 약 7 중량%인 조성물.
- 제1항에 있어서, 중량을 기준으로 서브마이크론 마모 입자 약 1 % 내지 약 15 %, 산화제 약 2 % 내지 약 7 %, 상기 착화제 약 2 % 내지 약 7 %를 함유하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 중량을 기준으로 알루미나 약 7 %, 요오드산칼륨 약 3 %, (a) 프탈레이트 화합물과 (b) 카르복실기 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 화합물로 (a) 대 (b)의 몰 비 약 4 : 1로 이루어진 착화제 약 4 %를 함유하는 조성물.
- 연마용 패드에 대고 기판을 눌러, 이 기판과 패드가 서로 상대적으로 움직이게 하고,물, 서브마이크론 마모 입자, 산화제, 및 프탈레이트 화합물과 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산 화합물로 이루어진 착화제 조합물을 함유하는 연마용 조성물을 연마 작업시 상기 패드에 가하는, 티탄이 포함된 기판의 연마 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 서브마이크론 마모 입자가 알루미나인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 산화제가 요오드산칼륨인 방법.
- 제10항에 있어서, 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 상기 화합물이 말산인 방법.
- 제10항에 있어서, 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 상기 화합물이 시트르산인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 프탈레이트 화합물이 프탈산수소암모늄인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 착화제 조합물이 (a) 프탈레이트 화합물 및 (b) 카르복실기 중 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 화합물로 이루어지며, (a) 대 (b)의 몰 비가 약 1 : 1 내지 약 10 : 1이고, 착화제의 총량이 상기 조성물 내에서 약 2 중량% 내지 약 7 중량%인 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 연마용 조성물이 중량을 기준으로 알루미나 약 7 %, 요오드산칼륨 약 3 %, (a) 프탈레이트 화합물과 (b) 카르복실기 하나에 대한 알파 위치에 하나 이상의 히드록실기가 있는 디카르복실산 또는 트리카르복실산인 화합물로 (a) 대 (b)의 몰 비 약 4 : 1로 이루어진 착화제 약 4 %를 함유하는 것인 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/819,236 US5756398A (en) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | Composition and method for polishing a composite comprising titanium |
| US8/819,236 | 1997-03-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000076305A true KR20000076305A (ko) | 2000-12-26 |
Family
ID=25227570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019997008406A KR20000076305A (ko) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | 티탄이 포함된 복합재의 연마용 조성물 및 연마 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5756398A (ko) |
| EP (1) | EP0985059B1 (ko) |
| JP (1) | JP2001516383A (ko) |
| KR (1) | KR20000076305A (ko) |
| DE (1) | DE69809228T2 (ko) |
| WO (1) | WO1998041671A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180122326A (ko) * | 2016-03-04 | 2018-11-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 반도체 기판을 화학 기계적 연마하는 방법 |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5993686A (en) * | 1996-06-06 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same |
| US6132637A (en) * | 1996-09-27 | 2000-10-17 | Rodel Holdings, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
| US6204169B1 (en) * | 1997-03-24 | 2001-03-20 | Motorola Inc. | Processing for polishing dissimilar conductive layers in a semiconductor device |
| US5922091A (en) * | 1997-05-16 | 1999-07-13 | National Science Council Of Republic Of China | Chemical mechanical polishing slurry for metallic thin film |
| US6572449B2 (en) | 1998-10-06 | 2003-06-03 | Rodel Holdings, Inc. | Dewatered CMP polishing compositions and methods for using same |
| US6241586B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-06-05 | Rodel Holdings Inc. | CMP polishing slurry dewatering and reconstitution |
| US6245690B1 (en) * | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
| JP2003509855A (ja) * | 1999-09-15 | 2003-03-11 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 化学機械研磨中に不溶性ケイ酸塩を形成するためのスラリー |
| US6435944B1 (en) | 1999-10-27 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | CMP slurry for planarizing metals |
| US6194366B1 (en) | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
| US6723691B2 (en) | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
| US6432826B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Planarized Cu cleaning for reduced defects |
| US6638143B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Ion exchange materials for chemical mechanical polishing |
| JP2001269859A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US6451697B1 (en) | 2000-04-06 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method for abrasive-free metal CMP in passivation domain |
| US6447375B2 (en) | 2000-04-19 | 2002-09-10 | Rodel Holdings Inc. | Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition |
| US6409781B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-06-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Polishing slurries for copper and associated materials |
| US6858540B2 (en) | 2000-05-11 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of tantalum-containing barrier layer during metal CMP |
| JP3837277B2 (ja) | 2000-06-30 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
| US6653242B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Solution to metal re-deposition during substrate planarization |
| US6872329B2 (en) | 2000-07-28 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
| US7220322B1 (en) | 2000-08-24 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Cu CMP polishing pad cleaning |
| US6569349B1 (en) | 2000-10-23 | 2003-05-27 | Applied Materials Inc. | Additives to CMP slurry to polish dielectric films |
| US6709316B1 (en) | 2000-10-27 | 2004-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for two-step barrier layer polishing |
| US6524167B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for the selective removal of residual materials and barrier materials during substrate planarization |
| US20020068454A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for the removal of residual materials during substrate planarization |
| US7012025B2 (en) | 2001-01-05 | 2006-03-14 | Applied Materials Inc. | Tantalum removal during chemical mechanical polishing |
| US6676718B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-01-13 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing of semiconductor substrates |
| US7104869B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-09-12 | Applied Materials, Inc. | Barrier removal at low polish pressure |
| US7008554B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Dual reduced agents for barrier removal in chemical mechanical polishing |
| US6821881B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method for chemical mechanical polishing of semiconductor substrates |
| JP2003100672A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Rodel Nitta Co | 研磨用スラリー |
| US6705926B2 (en) * | 2001-10-24 | 2004-03-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Boron-containing polishing system and method |
| KR20030035637A (ko) * | 2001-11-01 | 2003-05-09 | 제일모직주식회사 | 구리배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 |
| US20030209523A1 (en) * | 2002-05-09 | 2003-11-13 | Applied Materials, Inc. | Planarization by chemical polishing for ULSI applications |
| TWI295950B (en) | 2002-10-03 | 2008-04-21 | Applied Materials Inc | Method for reducing delamination during chemical mechanical polishing |
| DE602004008880T2 (de) * | 2003-02-18 | 2008-06-26 | Parker-Hannifin Corp., Cleveland | Polierartikel für elektro-chemisches-mechanisches polieren |
| US20050252547A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for liquid chemical delivery |
| US7210988B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reduced wear polishing pad conditioning |
| WO2007094869A2 (en) * | 2005-10-31 | 2007-08-23 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical method for ecmp polishing pad conditioning |
| US20070158207A1 (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for electrochemical processing with pre-biased cells |
| US20070227902A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Applied Materials, Inc. | Removal profile tuning by adjusting conditioning sweep profile on a conductive pad |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954142A (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
| CA2027029A1 (en) * | 1989-10-13 | 1991-04-14 | Christopher B. Guay | Oral compositions containing monoperoxy acids |
| JPH03242352A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 硬脆材料の洗浄方法 |
| US5244534A (en) * | 1992-01-24 | 1993-09-14 | Micron Technology, Inc. | Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs |
| US5391258A (en) * | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
| US5382272A (en) * | 1993-09-03 | 1995-01-17 | Rodel, Inc. | Activated polishing compositions |
| WO1995024054A1 (en) * | 1994-03-01 | 1995-09-08 | Rodel, Inc. | Improved compositions and methods for polishing |
| US6046110A (en) * | 1995-06-08 | 2000-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device |
-
1997
- 1997-03-17 US US08/819,236 patent/US5756398A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-16 WO PCT/US1998/005107 patent/WO1998041671A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-03-16 KR KR1019997008406A patent/KR20000076305A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-03-16 EP EP98911675A patent/EP0985059B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-16 JP JP54067198A patent/JP2001516383A/ja not_active Ceased
- 1998-03-16 DE DE69809228T patent/DE69809228T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180122326A (ko) * | 2016-03-04 | 2018-11-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 반도체 기판을 화학 기계적 연마하는 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69809228D1 (de) | 2002-12-12 |
| US5756398A (en) | 1998-05-26 |
| DE69809228T2 (de) | 2003-07-10 |
| JP2001516383A (ja) | 2001-09-25 |
| WO1998041671A1 (en) | 1998-09-24 |
| EP0985059B1 (en) | 2002-11-06 |
| EP0985059A4 (en) | 2001-05-16 |
| EP0985059A1 (en) | 2000-03-15 |
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