KR20000067048A - 위상 반전 마스크의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 차광막을 건식식각한 후 시프트막을 습식식각함으로써 이물의 발생을 방지하도록 한 위상 반전 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 석영기판상에 시프트막을 형성하는 단계와, 상기 시프트막상에 차광막을 형성하는 단계와, 상기 차광막상에 일정한 간격을 갖는 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 마스크층을 마스크로 이용하여 건식식각으로 상기 차광막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 마스크층을 제거하는 단계와, 상기 선택적으로 제거된 차광막을 마스크로 이용하여 습식식각으로 상기 시프트막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.

Description

위상 반전 마스크의 제조방법{Method for Manufacturing Of Phase Shift Mask}

본 발명은 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 이물(Particle) 발생을 방지하는데 적당한 위상 반전 마스크의 제조방법에 관한 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 위상 반전 마스크의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 위상 반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.

도 1a에 도시한 바와 같이, 석영(Quartz)기판(11)상에 시프트(Shifter)막(12)을 약 930Å 두께로 형성하고, 상기 시프트막(12)상에 차광막(13)을 약 1050Å 두께로 형성한다.

여기서 상기 시프트막(12)은 MoSiN층이고, 상기 차광막(13)은 크롬(Cr)과 크롬 옥사이드(CrOX)가 적층된 층이다.

이어, 상기 차광막(13)상에 포토레지스트(14)를 약 4000Å 두께로 도포한다.

도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트(14)의 일정영역에 에너지-빔을 조사시킨 후 현상(Develop)하여 일정한 간격을 갖도록 상기 포토레지스트(14)를 패터닝한다.

도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 패터닝된 포토레지스트(14)를 마스크로 이용하여 플라즈마를 이용한 건식식각으로 상기 차광막(13) 및 시프트막(12)을 선택적으로 제거한다.

여기서 상기 차광막(13)은 플라즈마를 이용한 건식식각으로 제거한 후, 상기 포토레지스트(14)를 마스크로 이용하여 계속해서 시프트막(12)을 플라즈마를 이용한 건식식각으로 제거한다.

도 1d에 도시한 바와 같이, 상기 마스크로 사용된 포토레지스트(14)를 제거하여 종래의 위상 반전 마스크를 형성한다.

그러나 상기와 같은 종래의 위상 반전 마스크의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.

첫째, 차광막을 플라즈마를 이용해서 건식식각한 후 연속적으로 시프트막을 동일한 방법으로 건식식각 하기 때문에 이물의 발생이 쉽다.

둘째, 석영면에 플라즈마 데미지(Plasma Damage)의 영향을 받을 수 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 차광막을 건식식각한 후 시프트막을 습식식각함으로써 이물의 발생을 줄이도록 한 위상 반전 마스크의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 위상 반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정단면도

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정단면도

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

21 : 석영기판 22 : 시프트막

23 : 차광막 24 : 포토레지스트

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 제조방법은 석영기판상에 시프트막을 형성하는 단계와, 상기 시프트막상에 차광막을 형성하는 단계와, 상기 차광막상에 일정한 간격을 갖는 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 마스크층을 마스크로 이용하여 건식식각으로 상기 차광막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 마스크층을 제거하는 단계와, 상기 선택적으로 제거된 차광막을 마스크로 이용하여 습식식각으로 상기 시프트막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.

도 2a에 도시한 바와 같이, 석영(Quartz)기판(21)상에 시프트막(22)을 약 930Å 두께로 형성하고, 상기 시프트막(22)상에 차광막(23)을 약 1050Å 두께로 형성한다.

여기서 상기 시프트막(22)은 MoSiN층이고, 상기 차광막(23)은 크롬(Cr)과 크롬 옥사이드(CrOX)가 적층된 층이다.

이어, 상기 차광막(23)상에 포토레지스트(24)를 약 4000Å 두께로 도포한다.

도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트(24)의 일정영역에 에너지 빔을 조사시킨 후 현상(Develop)하여 일정한 간격을 갖도록 상기 포토레지스트(24)를 패터닝한다.

도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 패터닝된 포토레지스트(24)를 마스크로 이용하여 플라즈마를 이용한 건식식각으로 상기 차광막(23)을 선택적으로 제거한다.

도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 차광막(23)을 선택적으로 제거할 때 마스크로 사용된 포토레지스트(24)를 황산(H₂SO₄)을 이용한 습식식각으로 제거한다.

이어, 상기 선택적으로 제거된 차광막(23)을 마스크로 이용하여 습식식각으로 시프트막(22)을 선택적으로 제거한다.

여기서 상기 습식식각은 HF : HNO₃: HCl를 1:2:6의 비율로 섞어 사용한다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 플라즈마를 이용한 건식식각 방식에서 발생되는 이물의 발생을 방지할 수 있다.

둘째, 질산(HNO₃)과 염산(HCl)이 첨가되어 있기 때문에 유기물 세정과 금속 오염물을 제거할 수 있기 때문에 별도의 크리닝 공정이 필요하지 않다.

셋째, 습식식각으로 식각하므로 석영 표면 데미지의 영향을 최대한 감소시킬 수 있다.

넷째, 식각공정과 크리닝 공정이 병합(Merge)되어 이루어지기 때문에 공정단순화와 공정진행을 단축시킬 수 있다.

Claims (2)

1. 석영 기판상에 시프트막을 형성하는 단계;

   상기 시프트막상에 차광막을 형성하는 단계;

   상기 차광막상에 일정한 간격을 갖는 마스크층을 형성하는 단계;

   상기 마스크층을 마스크로 이용하여 건식식각으로 상기 차광막을 선택적으로 제거하는 단계;

   상기 마스크층을 제거하는 단계;

   상기 선택적으로 제거된 차광막을 마스크로 이용하여 습식식각으로 상기 시프트막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 습식식각은 HF : HNO₃: HCl를 1:2:6의 비율로 섞어 사용하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.