CN111435218A

CN111435218A - 光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版

Info

Publication number: CN111435218A
Application number: CN201910026204.5A
Authority: CN
Inventors: 王杰; 秦学飞; 薛粉; 丛林娜
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp; Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp; Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date: 2019-01-11
Filing date: 2019-01-11
Publication date: 2020-07-21
Anticipated expiration: 2039-01-11
Also published as: CN111435218B

Abstract

一种光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版，其中，光刻掩膜版缺陷的修复方法包括：提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。所述方法对光刻掩膜版缺陷的修复效果较好。

Description

光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版。

背景技术

在集成电路制造领域，光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的光刻掩膜版上转移到晶圆(Wafer)上，其中的光刻掩膜版(Mask)，也称为光刻版、掩膜版或者光罩，是一种对于曝光光线具有局部透光性的平板，所述平板上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，所述几何图形为设计图形，所述设计图形用于在晶圆表面的光刻胶上曝光形成相应的图形。

在光刻掩膜版的制造过程中，所述光刻掩膜版中还易产生额外图形，所述额外图形若不修复，后续也将在晶圆上形成相应的图像，使得晶圆上形成的图形不仅具有设计图形，还具有额外图形，所述额外图形是不需要的，即为缺陷，因此，利用光刻掩膜版对晶圆进行曝光显影前，需去除所述额外图形，也即去除所述缺陷。然而，利用现有技术对光刻掩膜版缺陷的修复效果较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种光刻掩膜版缺陷的修复方法及其修复结构，以提高光刻掩膜版缺陷的修复效果。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，包括：提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。

可选的，所述第二开口采用第二气体刻蚀形成，所述第一保护层与所述第二气体不发生反应。

可选的，所述第一保护层的材料为透明材料；所述第一保护层的材料包括：四乙基原硅酸盐。

可选的，形成第二开口之后，还包括：去除所述第一保护层；去除所述第一保护层的清洗剂包括硫酸溶液、氢氧化钠溶液或者苯基三甲基氢氧化铵。

可选的，形成第二开口之后，不去除所述第一保护层。

可选的，所述第一保护层的厚度为：2纳米～10纳米。

可选的，所述掩膜版的材料包括硅化钼或者氮化钽。

可选的，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第一开口的形成工艺包括：第一修补工艺；所述第一修补工艺的步骤包括：提供第一刻蚀气体和第一电子束，第一刻蚀气体在第一电子束的作用下形成第一气体；第一气体与第一区的掩膜版反应形成第一开口。

可选的，所述第一刻蚀气体包括XeF₂。

可选的，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第二开口的形成工艺包括第二修补工艺；所述第二修补工艺的步骤包括：提供第二刻蚀气体和第二电子束，第二刻蚀气体在第二电子束的作用下形成第二气体；第二气体与第二区的掩膜版反应形成第二开口。

可选的，所述第二刻蚀气体包括XeF₂。

可选的，所述基底还包括第三区，所述第三区与第一区、以及第三区与第二区均相互分立；所述光刻胶掩膜版的形成方法还包括：在所述第三区的掩膜版内形成第三开口，所述第三开口底部暴露出基底的顶部表面。

可选的，所述第三区的个数为1个；当所述第三区的个数为1个时，形成第二开口之后，形成第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第二开口的侧壁形成所述第二保护层。

可选的，所述第三区的个数大于1个；当所述第三区的个数大于1个时，多个第三区之间相互分立，每个第三区掩膜版内形成一个第三开口；当所述第三区的个数大于1个时，形成每一个第三开口之后，形成下一个第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第三开口的侧壁形成所述第三保护层。

可选的，所述基底为透光基底。

可选的，所述基底的材料包括石英。

可选的，第一保护层还位于所述第一开口的底部表面以及第一开口周围部分掩膜版的顶部表面。

可选的，所述第一保护层的形成方法包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及掩膜版的顶部表面形成第一保护材料层；在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及第一开口周围的部分掩膜版的顶部表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜版为掩膜，去除所述第一保护材料层，形成所述第一保护层。

可选的，所述第一保护层的形成方法包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及掩膜版的顶部表面形成第一保护材料层；在所述第一开口侧壁的第一保护材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，去除所述第一开口底部以及掩膜版顶部表面的第一保护材料层，在所述第一开口侧壁形成所述第一保护层。

相应的，本发明还提供一种光刻掩膜版，包括：基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；位于所述第一区的掩膜版内的第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；位于所述第一开口的侧壁的第一保护层；位于所述第二区的掩膜版内的第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明技术方案提供的光刻掩膜版的形成方法中，所述第一开口用于修复第一区的缺陷。形成所述第二开口之前，在所述第一开口侧壁形成第一保护层。在形成第二开口的过程中，所述第一保护层保护第一开口侧壁的掩膜版材料不与形成第二开口的刻蚀气体反应，使得形成第二开口后，所述第一开口的形貌不发生变化，因此，有利于提高第一开口对第一区掩膜版的缺陷修复效果。所述第二开口用于修复第二区的缺陷，所述第二开口对第二区的缺陷修复效果较好。综上，所述方法对掩膜版内缺陷的修复效果较好。

进一步，当所述第一保护层的材料为透明材料时，形成第二开口之后，可以不去除第一保护层。由于所述第一保护层为透明材料，因此，所述第一保护层对光线的阻挡能力较小，则利用所述光刻掩膜版对晶圆进行曝光显影时，转移到晶圆上的图形与第一开口203的形貌差异较小。并且，不去除第一保护层，有利于简化工艺步骤。

进一步，所述基底还包括第三区，所述光刻掩膜版的形成方法还包括在所述第三区掩膜版内形成第三开口。当所述第三区的个数为一个时，形成第二开口之后，形成第三开口之前，在所述第二开口的侧壁也形成所述第二保护层，则在形成第三开口的过程中，第二开口侧壁的掩膜版不与形成第三开口的刻蚀气体反应，使得形成第三开口之后，所述第二开口的形貌不发生变化，有利于提高第二开口对第二区掩膜版内缺陷的修复效果。

进一步，当第三区的个数大于1个时，一个第三区内形成一个第三开口，形成每一个第三开口之后，形成下一个第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括在所述第三开口的侧壁形成第三保护层，则在形成下一个第三开口的过程中，第三开口侧壁的掩膜版不与形成下一个第三开口的刻蚀气体反应，使得第三开口的形貌不发生变化，有利于提高第三开口对第三区掩膜版内缺陷的修复效果。

附图说明

图1至图2是一种光刻掩膜版缺陷修复方法实施例的剖面结构示意图；

图3至图7是本发明一实施例的光刻掩膜版缺陷的修复方法的各步骤的剖面结构示意图；

图8至图10是本发明另一实施例的光刻掩膜版缺陷的修复方法的各步骤的剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，利用现有技术对光刻掩膜版缺陷的修复效果较差，现结合具体实施例进行详细说明。

图1至图2是一种光刻掩膜版缺陷修复方法实施例的剖面结构示意图。

请参考图1，提供基底100，所述基底100表面具有掩膜版101，所述掩膜版101包括第一区Ⅰ和第二区Ⅱ；在所述掩膜版101的第一区Ⅰ内形成第一开口103，所述第一开口103底部暴露出基底100的顶部表面。

请参考图2，形成第一开口103之后，在所述掩膜版101的第二区Ⅱ内形成第二开口104，所述第二开口104与第一开口103相互分立。

上述掩膜版101内包括设计图形(图中未示出)，利用所述掩膜版101内的设计图形在晶圆上形成相应的图形。然而，在所述掩膜版101内形成设计图形时，难以保证设计图形与预设图形完全一致，即：所述掩膜版101内除了具有设计图形外，还具有额外图形，所述额外图形若不修复，后续额外图形也将在晶圆上形成相应的图形，使得晶圆上形成的实际图形与预设图形的差异较大，不利于提高晶圆性能的可控性。因此，利用所述掩膜版101对晶圆进行曝光显影形成相应图形前，需去除所述额外图形。在此以额外图形分布于第一区Ⅰ和第二区Ⅱ内进行详细说明。所述第一开口103用于修复第一缺陷，所述第二开口104用于修复第二缺陷。

所述掩膜版101的材料包括钼硅(MoSi)，钼硅在空气中易被氧化，在掩膜版101表面形成氧化层102。在形成第一开口103的过程中，所述氧化层102用于保护第二区Ⅱ的掩膜版101不被去除。所述第一开口103的形成工艺包括修补工艺，所述修补工艺的步骤包括：提供刻蚀气体和电子束，所述刻蚀气体在电子束的作用下形成第一气体，所述第一气体的腐蚀性和能量均较高；利用所述第一气体对第一区Ⅰ的氧化层102和掩膜版101进行轰击，形成第一开口103。在形成第一开口103的过程中，第一区Ⅰ的氧化层102被去除，使得第一区Ⅰ的掩膜版101被暴露出，有利于第一气体去除第一区Ⅰ的掩膜版101，而第二区Ⅱ氧化层102由于未受到第一气体的轰击而被保留，被保留下来的氧化层102用于保护第二区Ⅱ的掩膜版101。

形成第一开口103之后，形成第二开口104，所述第二开口104的形成工艺与第一开口103的形成工艺相同。在形成第二开口104的过程中，由于所述第一开口103侧壁的掩膜版101被暴露出，则形成第二开口104时，所述第一气体还与第一开口103侧壁的掩膜版101反应，使得第一开口103的形貌发生变化，使得第一开口103周围的部分设计图形被去除，设计图形的形貌发生变化，则后续以变化后的设计图形作为掩膜，在晶圆上形成的图形与预设图形的差异也较大，不利于提高晶圆的性能。

为解决所述技术问题，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：形成第二开口之前，在所述第一开口侧壁形成第一保护层。所述方法对光刻掩膜版缺陷的修复效果较好。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图3至图7是本发明一实施例的光刻掩膜版缺陷的修复方法各步骤的剖面结构示意图。

请参考图3，提供基底200，所述基底200包括相互分立的第一区A和第二区B；在所述基底200表面形成掩膜版201。

所述基底200具有透光性，在本实施例中，所述基底200为石英玻璃板。在其他实施例中，所述基底的材料还可以为其他具有透光性的材料。

后续对掩膜版201进行图形化，图形化后的掩膜版201应用到后续的半导体工艺的制造中。

在本实施例中，所述掩膜版201的材料为：硅化钼(MoSi)。在其他实施例中，所述掩膜版201的材料包括：氮化钽。

在本实施例中，所述掩膜版201顶部易被空气中的氧气氧化形成氧化层202。所述氧化层202的材料为钼硅氧化合物，所述氧化层202用于对掩膜版201顶部进行保护。

所述掩膜版201内具有设计图形(图中未示出)，利用所述设计图形后续在晶圆上形成相应的图形。然而，在掩膜版201内形成设计图形时，难以保证实际图形与设计图形完全一致，即：所述掩膜版201内除了形成设计图形外，还形成额外图形(图中未示出)，所述额外图形是不希望后续在晶圆上形成相应图形的，因此，利用所述光刻掩膜版在晶圆上形成相应图形前，应去除所述额外图形。由于所述额外图形是不希望的，因此，所述额外图形即为缺陷。在本实施例中，所述缺陷的修复是在电子束(E-beam)修补机台内进行。

当所述掩膜版201的材料为硅化钼或者氮化钽时，通过后续第一开口修复第一区A的缺陷，第二开口修复第二区B的缺陷。

在本实施例中，以所述缺陷分别位于第一区A和第二区B进行说明，后续在所述第一区A内形成第一开口，所述第一开口用于修复第一区A的缺陷；后续在所述第二区B内形成第二开口，所述第二开口用于修复第二区B的缺陷。

在其他实施例中，所述缺陷还位于第三区，所述第三区与第一区、第二区均相互分立；后续在所述第三区内形成第三开口，所述第三开口用于修复第三区的缺陷。

请参考图4，在所述第一区A的掩膜版201内形成第一开口203。

所述第一开口203用于修复掩膜版201在第一区A的缺陷，使得后续利用掩膜版201对晶圆进行曝光显影形成的相应图形与设计图形之间的差异较小，有利于提高晶圆性能的可控性。

所述第一开口203的形成工艺包括第一修补工艺，所述第一修补工艺的步骤包括：提供第一刻蚀气体和第一电子束，所述第一刻蚀气体在第一电子束的作用下形成第一气体，所述第一气体的腐蚀能力和能量较高；所述第一气体与第一区A的掩膜版201反应，形成所述第一开口203。

在本实施例中，所述第一刻蚀气体包括XeF₂。

由于第一气体的腐蚀能力和能量均较高，使得第一区A的氧化层202被去除，暴露出第一区A的掩膜版201，有利于第一气体去除第一区A的掩膜版201，形成第一开口203。

形成第一开口203的过程中，由于第二区B的氧化层202未接触第一气体，因此，所述第二区B的氧化层202不被去除，未被去除的氧化层202用于保护第二区B的掩膜版201，防止第二区B的掩膜版201被去除。

请参考图5，在所述第一开口203的侧壁形成第一保护层204。

在本实施例中，所述第一保护层204还位于第一开口203的底部表面以及部分第一区A周围部分氧化层202的顶部表面；所述第一保护层204的形成方法包括：在所述第一开口203的侧壁和底部表面、以及氧化层202的顶部表面形成第一保护材料层；在所述第一开口203的侧壁和底部表面、以及第一开口203周围的部分氧化层202的顶部表面形成第一掩膜层(图中未示出)；以所述第一掩膜层为掩膜，去除所述第一保护材料层，形成所述第一保护层204。

在其他实施例中，所述第一保护层仅位于第一开口的侧壁；所述第一保护层的形成方法包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及掩膜版的顶部表面形成第一保护材料层；在所述第一开口侧壁的第一保护材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，去除所述第一开口底部以及掩膜版顶部表面的第一保护材料层，在所述第一开口侧壁形成所述第一保护层。

在本实施例中，所述第一保护层204的材料为透明材料。在其他实施例中，所述第一保护层的材料为不透明材料。

在本实施例中，所述第一保护层204的材料为四乙基原硅酸盐。在其他实施例中，所述第一保护层还可以为其他透明材料；或者，所述第一保护层为不透明材料。

所述第一保护层204的厚度为：2纳米～10纳米；选择所述第一保护层204的厚度的意义在于：若所述第一保护层204的厚度小于2纳米，使得后续形成第二开口时，所述第一保护层204对第一开口203侧壁的掩膜版201的保护力度不够，则第一开口203侧壁的部分掩膜版201被去除，使第一开口203的形貌发生变化，则光刻掩膜版将不再满足工艺要求，使得光刻掩膜版的良率较低；若所述第一保护层204的厚度大于10纳米，使得第一保护层204对光线的阻挡能力较大，则后续利用所述方法形成的光刻掩膜版对晶圆进行曝光显影，在晶圆内形成的图形与预定图形的差异较大。

由于所述第一保护层204位于第一开口203的侧壁，因此，则后续在第二区的掩膜版201内形成第二开口时，所述第一开口203侧壁的掩膜版201不与形成第二开口的第二气体接触，则所述第一开口203侧壁的掩膜版201不被去除，使得第一开口203的形貌不发生变化，因此，第一开口203对第一区A缺陷的修复效果较好。

请参考图6，形成第一保护层204之后，在第二区B的掩膜版201内形成第二开口205。

所述第二开口205用于修复掩膜版201在第二区B的缺陷，使得后续利用掩膜版201对晶圆进行曝光显影形成的相应图形与设计图形之间的差异较小，有利于提高晶圆性能的可控性。

所述第二开口205的形成工艺包括第二修补工艺，所述第二修补工艺的步骤包括：提供第二刻蚀气体和和第二电子束，所述第二刻蚀气体在第二离子束的作用下形成第二气体，所述第二气体的腐蚀能力和能量较高；所述第二气体与第二区B的掩膜版201发生反应，形成第二开口205。

在本实施例中，所述第二刻蚀气体与第一刻蚀气体相同，第二电子束与第一电子束相同，相应的，第二气体与第一气体相同。

在其他实施例中，所述第二刻蚀气体与第一刻蚀气体不同，或者，第二电子束与第一电子束不同，相应的，所述第二气体与第一气体不同。

在形成第二开口205的过程中，由于第一开口203的侧壁被第一保护层204所覆盖，因此，第一开口203侧壁的掩膜版201不与第二气体接触，使得第一开口203的形貌不发生变化，使得第一开口203周围的预设图形不被去除，即第一开口203周围的预设图形的形貌不发生变化，则后续利用光刻掩膜版对晶圆进行曝光显影时，在晶圆上形成的图形与预设图形的差异较小，有利于提高晶圆性能的可控性。

请参考图7，形成第二开口205之后，去除所述第一保护层204(见图6)。

在本实施例中，所述第一保护层204为透明材料，形成第二开口205之后，去除所述第一保护层204。在其它实施例中，当所述第一保护层为透光材料时，形成第二开口之后，可以不去除所述第一保护层；当所述第一保护层为不透明材料时，形成第二开口之后，去除所述第一保护层。

在本实施例中，去除所述第一保护层204，有利于防止后续以所述方法形成的光刻掩膜版对晶圆进行图形化时，所述第一保护层204阻挡光线，使得转移到晶圆上的图形与第一开口203的形貌差异较大。

去除所述第一保护层204的清洗剂包括：硫酸溶液、氢氧化钠溶液或者苯基三甲基氢氧化铵。

图8至图10是本发明另一实施例的光刻掩膜版缺陷的修复方法各步骤的剖面结构示意图。

请参考图8，提供基底300；在所述基底300表面形成掩膜版301，所述掩膜版301包括相互分立的第一区C、第二区D和第三区E；在所述第一区C的掩膜版301内形成第一开口302；在所述第一开口302的侧壁形成第一保护层303；形成第一保护层303之后，在所述第二区D的掩膜版301内形成第二开口304。

所述基底300的材料、掩膜版301的材料与上述实施例相同，在此不做赘述。

在本实施例中，所述第三区E的个数为1个。在其它实施例中，所述第三区的个数大于1个，且多个第三区相互分立。

所述第一开口302的形成方法、第一保护层303的材料、第一保护层303的形成方法以及第二开口304的形成方法与上述实施例相同，在此不做赘述。

请参考图9，在所述第二开口304的侧壁形成第二保护层305。

在本实施例中，所述第二保护层305为透明材料。在其他实施例中，所述第二保护层为不透明材料。

在本实施例中，所述第二保护层305的材料为四乙基原硅酸盐。在其他实施例中，所述第二保护层还可以为其他透明材料；或者，所述第二保护层305为不透明材料。

在本实施例中，所述第二保护层305还位于第二开口304的底部表面以及部分第二区B周围部分氧化层的顶部表面；所述第二保护层305的形成方法包括：在所述第二开口304的侧壁和底部表面、以及氧化层的顶部表面形成第二保护材料层；在所述第二开口304的侧壁和底部表面、以及第二开口304周围的部分掩膜版301的顶部表面形成第二掩膜层(图中未示出)；以所述第二掩膜层为掩膜，去除所述第二保护材料层，形成所述第二保护层305。

在其他实施例中，所述第二保护层仅位于第二开口的侧壁；所述第二保护层的形成方法包括：在所述第二开口的侧壁和底部表面、以及掩膜版的顶部表面形成第二保护材料层；在所述第二开口侧壁的第二保护材料层表面形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，去除所述第二开口底部以及掩膜版顶部表面的第二保护材料层，在所述第二开口侧壁形成所述第二保护层。

所述第二保护层305的厚度为：2纳米～10纳米；选择所述第二保护层305的厚度的意义在于：若所述第二保护层305的厚度小于2纳米，使得后续形成第三开口时，所述第二保护层305对第二开口304侧壁的掩膜版301的保护力度不够，则第二开口304侧壁的部分掩膜版301被去除，使第二开口304的形貌发生变化，则光刻掩膜版将不再满足工艺要求，使得光刻掩膜版的良率较低；若所述第二保护层305的厚度大于10纳米，使得第二保护层305对光线的阻挡能力较大，则后续利用所述方法形成的光刻掩膜版对晶圆进行曝光显影，在晶圆内形成的图形与预定图形的差异较大。

由于所述第二保护层305位于第二开口304的侧壁，因此，则后续在第三区E的掩膜版301内形成第三开口时，所述第二开口304侧壁的掩膜版301不与形成第三开口的第三气体接触，则所述第二开口304侧壁的掩膜版301不被去除，使得第二开口304的形貌不发生变化，因此，所述第二开口304对第二区D缺陷的修复效果较好。

请参考图10，形成第二保护层305之后，在所述第三区E的掩膜版301内形成第三开口306。

所述第三开口306的形成工艺包括第三修补工艺，所述第三修补工艺的步骤包括：提供第三刻蚀气体和和第三电子束，所述第三刻蚀气体在第三电子束的作用下形成第三气体，所述第三气体的腐蚀能力和能量较高；所述第三气体与第三区E的掩膜版301发生反应，形成第三开口306。

在本实施例中，所述第三刻蚀气体与第二刻蚀气体相同，第三电子束与第二电子束相同，相应的，第三气体与第二气体相同。

在其他实施例中，所述第三刻蚀气体与第二刻蚀气体不同，或者，第三电子束与第二电子束不同，相应的，所述第三气体与第二气体不同。

在形成第三开口306的过程中，由于第二开口304的侧壁被第二保护层305所覆盖，因此，第二开口304侧壁的掩膜版301不与第三气体接触，使得第二开口304的形貌不发生变化，使得第二开口304周围的预设图形不发生变化，则后续利用光刻掩膜版在晶圆上形成的实际图形与预设图形的差异较小，有利于提高晶圆性能的可控性。

在本实施例中，所述第三区E的个数为一个，形成第二开口304之后，形成第三开口306之前，在所述第二开口304的侧壁形成第二保护层305。

在其他实施例中，所述第三区的个数大于1个，形成每一个第三开口之后，形成下一个第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第三开口的侧壁形成所述第三保护层。

所述第三开口306用于修复第三区E的缺陷，且所述第三开口306对第三区E的缺陷修复效果较好。

相应的，本发明还提供一种利用上述方法形成的光刻掩膜版，请参考图6，包括：

基底200，所述基底200包括相互分立的第一区A和第二区B；

所述基底200表面具有掩膜版201，所述掩膜版201的材料包括硅化钼或者氮化钽；

位于所述第一区A的掩膜版201内的第一开口203，所述第一开口203的底部暴露出基底200的顶部表面；

位于所述第一开口203的侧壁的第一保护层204；

位于所述第二区B的掩膜版201内的第二开口205，所述第二开口205底部暴露出基底200的顶部表面。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；

在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；

在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；

形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。

2.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第二开口采用第二气体刻蚀形成，所述第一保护层与所述第二气体不发生反应。

3.如权利要求2所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为透明材料；所述第一保护层的材料包括：四乙基原硅酸盐。

4.如权利要求1所述光刻掩膜版的形成方法，其特征在于，形成第二开口之后，还包括：去除所述第一保护层；去除所述第一保护层的清洗剂包括硫酸溶液、氢氧化钠溶液或者苯基三甲基氢氧化铵。

5.如权利要求3所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，形成第二开口之后，不去除所述第一保护层。

6.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：2纳米～10纳米。

7.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料包括硅化钼或者氮化钽。

8.如权利要求7所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第一开口的形成工艺包括：第一修补工艺；所述第一修补工艺的步骤包括：提供第一刻蚀气体和第一电子束，第一刻蚀气体在第一电子束的作用下形成第一气体；第一气体与第一区的掩膜版反应形成第一开口。

9.如权利要求8所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括XeF₂。

10.如权利要求7所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第二开口的形成工艺包括第二修补工艺；所述第二修补工艺的步骤包括：提供第二刻蚀气体和第二电子束，第二刻蚀气体在第二电子束的作用下形成第二气体；第二气体与第二区的掩膜版反应形成第二开口。

11.如权利要求10所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体包括XeF₂。

12.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述基底还包括第三区，所述第三区与第一区、以及所述第三区与第二区均相互分立；所述光刻胶掩膜版的形成方法还包括：在所述第三区的掩膜版内形成第三开口，所述第三开口底部暴露出基底的顶部表面。

13.如权利要求12所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第三区的个数为1个；当所述第三区的个数为1个时，形成第二开口之后，形成第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第二开口的侧壁形成所述第二保护层。

14.如权利要求13所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第三区的个数大于1个；多个第三区之间相互分立，每个第三区掩膜版内形成一个第三开口；当所述第三区的个数大于1个时，形成每一个第三开口之后，形成下一个第三开口之前，所述光刻掩膜版的形成方法还包括：在所述第三开口的侧壁形成所述第三保护层。

15.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述基底为透光基底。

16.如权利要求15所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述基底的材料包括石英。

17.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，第一保护层还位于所述第一开口的底部表面以及第一开口周围部分掩膜版的顶部表面。

18.如权利要求17所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的形成方法包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及掩膜版的顶部表面形成第一保护材料层；在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及第一开口周围的部分掩膜版的顶部表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜版为掩膜，去除所述第一保护材料层，形成所述第一保护层。

19.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的形成方法包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及掩膜版的顶部表面形成第一保护材料层；在所述第一开口侧壁的第一保护材料层表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，去除所述第一开口底部以及掩膜版顶部表面的第一保护材料层，在所述第一开口侧壁形成所述第一保护层。

20.一种采用权利要求1至权利要求19任一项所述光刻掩膜版缺陷的修复方法形成的光刻掩膜版，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；

位于所述第一区的掩膜版内的第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；

位于所述第一开口的侧壁的第一保护层；

位于所述第二区的掩膜版内的第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。