KR20000035494A - 스위칭 회로 - Google Patents

스위칭 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20000035494A
KR20000035494A KR1019990050795A KR19990050795A KR20000035494A KR 20000035494 A KR20000035494 A KR 20000035494A KR 1019990050795 A KR1019990050795 A KR 1019990050795A KR 19990050795 A KR19990050795 A KR 19990050795A KR 20000035494 A KR20000035494 A KR 20000035494A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
circuit
parallel
switching
diode
Prior art date
Application number
KR1019990050795A
Other languages
English (en)
Inventor
이가라시세이키
후지히라타츠히코
Original Assignee
다쯔타 도키오
후지 덴키 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다쯔타 도키오, 후지 덴키 가부시끼가이샤 filed Critical 다쯔타 도키오
Publication of KR20000035494A publication Critical patent/KR20000035494A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
    • H01L29/7804—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode
    • H01L29/7805—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode in antiparallel, e.g. freewheel diode
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
    • H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Abstract

발생손실을 저감하여 변환효율을 올리고, 구성을 간략화하여 소형화 등을 도모한다. MOSFET 등의 스위칭 소자와 병렬로 콘덴서를 접속하여, 리액터와 공진 동작을 시키는 스위칭 회로에 있어서, 스위칭 소자(Q2)로서 온 저항이 작고 출력 용량이 큰, 수퍼 정션(superjunction) MOSFET라고 불리는 소자를 사용함으로써 통전 손실을 저감시키고, 큰 출력 용량을 이용함으로써 종래 마련된 병렬 콘덴서(소자(Q2)에 병열 설치되는 콘덴서)를 생략하였다.

Description

스위칭 회로{SWITCHING CIRCUIT}
본 발명은 전력 변환장치를 저 노이즈로 고 효율화하는 스위칭 회로에 관한 것이다.
도 8에 텔레비전(TV) 등에 적용되고 있는 전압 공진회로를 도시한다. Q1이 MOS(금속산화막)형의 전계효과 트랜지스터(MOSFET)이다.
즉, 직류전원(Vin)에는 트랜스(Tr)의 1차 코일(N1과 Q1)의 직렬회로가, Q1에는 역병렬로 다이오드(D1), 병렬로 콘덴서(Cs)가, 트랜스(Tr)의 2차 코일(N2)에는 다이오드(D2)와 콘덴서(Co)가, Co에는 부하(Ro)가 각각 접속되어 있다. 또한, 다이오드(D1)에서는 Q1의 기생 다이오드를 사용하는 경우도 있다.
그 동작은 아래와 같다.
지금, Q1을 온하면 직류전원(Vin)→트랜스 1차 코일(N1)→Q1의 경로에서 트랜스(Tr)에 여자(勵磁) 에너지를 축적한다. 다음에, Q1을 오프하면 콘덴서(Cs)에 전류가 전류(轉流)하여 콘덴서 전압이 0에서부터 상승한다. 콘덴서(Cs)의 전압이 입력전압(Vin)과 출력전압(Vo×N1/N2)의 합에 도달하면, 트랜스(Tr)에 축적된 에너지가 2차 코일(N2)→다이오드(D2)→콘덴서(Co)의 경로에서 2차 측에 에너지를 방출한다. 다음에, 트랜스(Tr)에 축적된 에너지가 없어지면, 콘덴서(Cs)에 축적된 전하는 콘덴서(CS)→트랜스(Tr)의 여자 인덕턴스→직류전원(Vin)의 경로로 방출한다. 콘덴서(CS)의 전압이 0V로 되더라도, 트랜스(Tr)의 여자 인덕턴스의 전류가 다이오드(D1)를 통하여 직류전원(Vin)에 흐른다.
이 다이오드(D1)에 전류가 흐른 상태에서, 다음에 Q1을 온한다. 그러면, 최초에 설명한 직류전원(Vin)→트랜스 1차 코일(N1)→(Q1)의 경로에서 트랜스(Tr)에 또 여자 에너지를 축적한다.
이 회로의 경우, Q1의 오프시는 병렬로 접속되어 있는 콘덴서(CS)가 OV로부터의 충전이 되기 때문에, 이른바 영전압 스위칭(ZVS)이 되어, 스위칭 손실, 방사 노이즈를 발생하지 않는다. 또한, Q1의 온 시에도 병렬로 접속되어 있는 다이오드(D1)가 도통되어 있을 때 온 되기 때문에 이 경우도 ZVS가 되어, 스위칭 손실과 방사 노이즈를 발생하지 않는다.
또한, CS에 축적된 에너지도 콘덴서(CS)→트랜스(Tr)의 여자 인덕턴스→직류전원(Vin)의 경로로 방출할 때 전원으로 회생되기 때문에 거의 손실되지 않는다. 이와 같이 스위칭 손실이 작고, 방사 노이즈가 적은 회로로서 TV장치 등에 이용되고 있다.
도 8의 회로에서는 트랜스의 여자(勵磁) 인덕턴스와 콘덴서(CS)의 공진전압이 Q1에 인가된다. 이 때문에, TV장치 등에 적용되는 MOSFET의 내압은 직류전원 전압이 120V 정도임에도 불구하고, 1800V 클래스의 고 내압품이 필요하게 된다.
MOSFET의 온 저항은 내압의 2.5승에 비례하여 커지기 때문에, 고 내압의 MOSFET는 온 저항이 크게 되어, 통전 손실이 크게 된다고 하는 문제가 있다. 이 온 저항을 내리기 위해서는, 커다란 스위치 사이즈의 MOSFET가 필요하게 되고, 고가로 된다고 하는 문제도 있다.
따라서, 본 발명의 과제는 회로의 간소화를 꾀함과 동시에, 온 저항을 작게 하고 발생손실을 작게 하여 변환효율을 올리고, 냉각체의 소형화를 꾀하는 것 등에 있다.
도 1은 본 발명의 제1의 실시의 형태를 도시하는 회로도이다.
도 2는 수퍼 정션 MOSFET의 구조 설명도이다.
도 3은 수퍼 정션 MOSFET의 온 저항과 스위칭시의 전하 설명도이다.
도 4는 수퍼 정션 MOSFET의 출력 특성도이다.
도 5는 수퍼 정션 MOSFET의 턴 오프시의 동작 파형도이다.
도 6은 본 발명의 제2의 실시의 형태를 도시하는 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제3의 실시의 형태를 도시하는 회로도이다.
도 8은 전압 공진회로의 종래 예를 도시하는 회로도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
Vin … 직류전원, Q1, Q4 … MOSFET,
Q2, Q3, Q5, Q6 … 수퍼 정션 MOSFET(SJMOSFET),
Dl 내지 D9 … 다이오드, Co, Cs, CS1내지 CS4… 콘덴서,
Tr … 트랜스, Ro … 저항.
이러한 과제를 해결하기 위하여, 청구항1의 발명에서는 스위칭 소자와 병렬로 콘덴서를 접속하여 인덕턴스와의 공진 동작을 하는 스위칭 회로에 있어서,
상기 스위칭 소자로서, 드리프트 영역을 얇은 p층과 n층을 순차로 중첩시켜 구성되는 수퍼 정션(superjunction)구조의 MOSFET를 사용하도록 하고 있다.
이 청구항1의 발명에 있어서는, 상기 병렬 콘덴서로서 상기 수퍼 정션 구조의 MOSFET의 출력 용량을 이용함으로써, 상기 병렬 콘덴서를 생략하던가, 또는 병렬 콘덴서보다도 소용량의 콘덴서로 치환이 가능하게 할 수 있다 (청구항2의 발명).
〈발명의 실시의 형태〉
도 1은 본 발명의 실시의 형태를 도시하는 회로도이다.
도 8과의 상위점은 Q1을 수퍼 정션 구조의 MOSFET(이하, 수퍼 정션 MOSFET이라고 하며, SJMOSFET로도 약기한다) Q2에 치환되는 동시에 콘덴서(Cs)를 생략한 점에 있다.
이 회로의 동작은 도 8의 설명으로 Q1을 Q2에, 또한, Cs를 Q2의 출력 용량으로 치환하면 상기 설명이 그대로 통용되기 때문에 상세한 것은 생략한다.
즉, 도 1과 같이 구성함으로써, 스위칭 소자(SJMOSFET)의 온 저항이 저감하여 통전 손실이 감소되는 동시에, 콘덴서(Cs)의 생략 또는 용량 저감이 가능해진다.
도 2에 SJMOSFET의 구조를 도시한다. 도시하는 바와 같이, 드리프트 영역을 얇은 p층과 n층을 순차로 중첩시킨 구조로 치환한 것이다.
도 3에 종래의 MOSFET에 대한 SJMOSFET의 온 저항비 Ron(SJ)/Ron(CONV)와, 스위칭시의 전하비 Qon(SJ)/Qon(CONV)특성을 도시한다.
즉, SJMOSFET은 고내압의 MOSFET일 수록 종래의 MOSFET에 비하여 온 저항은 작고 전하량은 커진다. 예를 들면, 18OOV 클래스의 소자인 경우 온 저항으로 약 40분의 1, 전하량으로 20배로 증가한다.
또한, 수퍼 정션 MOSFET(SJMOSFET)에 관해서는, "Jpn. J. Appl. Phys. Vo1. 36(1997), pp. 6254 내지 6262, Partl. No. 10. October 1997", 또는, "Proceedings of 1998 International Symposium on Power Semiconductor Devices ＆ ICs, Kyoto pp. 423 내지 426" 등을 참조하기 바란다.
도 4에 인가전압(VDS)에 대한 출력 용량(COSS) 특성을 도시한다.
종래의 MOSFET(CONV)는 10V 정도로부터 COSS가 급격히 저하하는 특성이지만 (① 참조), SJMOSFET는 VDS가 약 200V 정도로부터 급격히 저하하는 특성이 된다 (② 참조).
도 5에 턴 오프시의 스위칭 동작을 도시한다.
종래 회로에서는 병렬접속된 정(定) 정전용량(Cs)을 충전하는 동작으로 되어, 인가전압이 작을 때의 전압 상승율은 ①과 같이 크게(가파르고 험준하게) 된다. 이에 대하여, SJMOSFET의 COSS는 VDS가 약 200V 정도까지는 대단히 커지기 때문에, 인가전압이 작을 때의 전압 상승율은 ②와 같이, 종래 회로에 비하여 작게(완만하게) 된다. 턴 오프시의 스위칭 손실은 소자의 전압(VDS)과 전류(ID)와의 곱으로 나타내기 때문에 SJMOSFET를 사용한 쪽이 손실이 보다 저감되게 된다.
도 6에 부분 공진회로의 예를 도시한다.
즉, 직류전원(Vin)에 트랜스(Tr)의 1차 코일(N1)과 SJMOSFET(Q3)와의 직렬회로가, 이 Q3에는 역병렬로 다이오드(D3), 병렬로 콘덴서(Cs) 및 트랜스(Tr)의 3차 코일(N3)과 다이오드(D9)와 Q4와의 직렬회로가, 트랜스(Tr)의 2차 코일(N2)에는 다이오드(D2)와 콘덴서(Co)가, 또한 콘덴서(Co)에는 부하(Ro)가 각각 접속되어 있다. 다이오드(D3)는 Q3의 기생 다이오드를 사용하는 경우도 있다.
이 회로는 Q3을 턴 온 할 때, 먼저 Q4를 온 시키고 콘덴서(Cs)와 Q3의 출력 용량을 방전하여, 영전압의 상태에서 Q3을 온 시키기 때문에 ZVS동작이 된다. 또한, 턴 오프도 콘덴서(Cs) 및 Q3의 출력 용량을 OV에서 충전하기 때문에, ZVS 동작이 된다.
따라서, 이 회로도 스위칭 손실이 적고, 방사 노이즈를 작게 할 수 있을 뿐만아니라, SJMOSFET(Q3)를 사용함으로써, 종래의 MOSFET보다도 온 저항이 감소하여 통전 손실이 저감된다. 또한, 출력 용량이 증가하기 때문에, 콘덴서(Cs)의 용량을 저감할 수 있다.
도 7에 전류공진, 전압 공진회로(복합 공진회로)의 예를 도시한다.
즉, 직류전원(Vin)에 SJMOSFET(Q5, Q6)의 직렬회로와 콘덴서(CS3, CS4)의 직렬회로를 병렬로, Q5에는 다이오드(D5)와 콘덴서(CS1)를 병렬로, Q6에는 다이오드(D6)와 콘덴서(CS2)를 병렬로, Q5와 Q6의 접속점과 CS3와 CS4의 접속점 사이에 리액터(L1)와 트랜스(Tr)의 1차 코일의 직렬 회로를 트랜스(Tr)의 2차 코일, 3차 코일에는 다이오드(D7, D8), 콘덴서(Co)의 정류회로를 콘덴서(Co)에는 부하(Ro)를 각각 접속하여 구성된다.
이 회로도 Q5와 Q6을 번갈아 온 시킴으로써, ZVS(스위칭) 동작이 가능하지만 여기서는 Q5의 동작에 관해서 설명한다.
즉, Q5가 온 할 때는 콘덴서(CS1)가 0V이기 때문에, ZVS 동작이 된다. Q5가 턴 오프할 때는 먼저 Q6을 오프시킨다. 그러면, 리액터(L1)에 흐르고 있던 전류는 L1→CS1→Vin→CS4→Tr의 1차 코일의 경로에 전류하여, Cs1의 전압을 O으로 한다. 이 상태에서 Q5를 온 시킴으로서 ZVS 동작이 된다.
이 회로에서도 SJMOSFET(Q5, Q6)를 사용함으로써 종래의 MOSFET보다도 온 저항이 감소하여 통전 손실이 저감된다. 또한, 출력 용량이 증가하기 때문에, 콘덴서(CS1, CS2)의 용량을 저감할 수가 있다.
이상에서는, 전압 공진회로, 부분 공진회로, 복합 공진회로에 관해서 설명하였지만, 본 발명은 스위칭 소자와 병렬로 콘덴서를 접속하여 구성되는 스위칭 회로 일반에 적용이 가능하다.
본 발명에 의하면, 스위칭 소자와 병렬로 콘덴서를 접속하여 구성되는 스위칭 회로의, 상기 스위칭 소자의 온 저항을 저감할 수 있기 때문에, 통전 손실이 저감되어 변환효율을 향상시킬 수 있고, 그 결과, 냉각체사이즈 등을 저감할 수 있어 장치의 소형화가 달성된다.
또한, 스위칭 소자와 병렬로 접속되는 콘덴서를 없애던가, 또는 적게 할 수 있기 때문에 부품 개수가 줄고 소형으로 되어 장치의 저 비용화의 실현이 가능하게 된다.

Claims (2)

  1. 스위칭 소자와 병렬로 콘덴서를 접속하여 인덕턴스와의 공진 동작을 행하는 스위칭 회로에 있어서,
    상기 스위칭 소자로서, 드리프트 영역을 얇은 p층과 n층을 순차로 중첩시켜 구성되는, 수퍼 정션 구조의 MOSFET를 사용하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 병렬 콘덴서로서 상기 수퍼 정션 구조의 MOSFET의 출력 용량을 이용함으로써, 상기 병렬 콘덴서를 생략하든가, 또는 병렬 콘덴서보다도 소용량의 콘덴서로 치환이 가능하게 한 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
KR1019990050795A 1998-11-17 1999-11-16 스위칭 회로 KR20000035494A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP??10?????3265 1998-11-17
JP10326588A JP2000156978A (ja) 1998-11-17 1998-11-17 ソフトスイッチング回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000035494A true KR20000035494A (ko) 2000-06-26

Family

ID=18189504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990050795A KR20000035494A (ko) 1998-11-17 1999-11-16 스위칭 회로

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP1003272A3 (ko)
JP (1) JP2000156978A (ko)
KR (1) KR20000035494A (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3851744B2 (ja) * 1999-06-28 2006-11-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP4528460B2 (ja) * 2000-06-30 2010-08-18 株式会社東芝 半導体素子
US7745289B2 (en) 2000-08-16 2010-06-29 Fairchild Semiconductor Corporation Method of forming a FET having ultra-low on-resistance and low gate charge
JP4764987B2 (ja) * 2000-09-05 2011-09-07 富士電機株式会社 超接合半導体素子
GB2373634B (en) * 2000-10-31 2004-12-08 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
US6818513B2 (en) 2001-01-30 2004-11-16 Fairchild Semiconductor Corporation Method of forming a field effect transistor having a lateral depletion structure
US6916745B2 (en) 2003-05-20 2005-07-12 Fairchild Semiconductor Corporation Structure and method for forming a trench MOSFET having self-aligned features
US6803626B2 (en) 2002-07-18 2004-10-12 Fairchild Semiconductor Corporation Vertical charge control semiconductor device
US6710403B2 (en) 2002-07-30 2004-03-23 Fairchild Semiconductor Corporation Dual trench power MOSFET
US6713813B2 (en) 2001-01-30 2004-03-30 Fairchild Semiconductor Corporation Field effect transistor having a lateral depletion structure
US7576388B1 (en) 2002-10-03 2009-08-18 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-gate LDMOS structures
US6710418B1 (en) 2002-10-11 2004-03-23 Fairchild Semiconductor Corporation Schottky rectifier with insulation-filled trenches and method of forming the same
US7652326B2 (en) 2003-05-20 2010-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
KR100994719B1 (ko) 2003-11-28 2010-11-16 페어차일드코리아반도체 주식회사 슈퍼정션 반도체장치
US7368777B2 (en) 2003-12-30 2008-05-06 Fairchild Semiconductor Corporation Accumulation device with charge balance structure and method of forming the same
US7352036B2 (en) 2004-08-03 2008-04-01 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor power device having a top-side drain using a sinker trench
JP2008536316A (ja) 2005-04-06 2008-09-04 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション トレンチゲート電界効果トランジスタおよびその形成方法
US7446374B2 (en) 2006-03-24 2008-11-04 Fairchild Semiconductor Corporation High density trench FET with integrated Schottky diode and method of manufacture
US7319256B1 (en) 2006-06-19 2008-01-15 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together
EP2208229A4 (en) 2007-09-21 2011-03-16 Fairchild Semiconductor SUPER TRANSITION STRUCTURES FOR PERFORMANCE ARRANGEMENTS AND MANUFACTURING PROCESSES
US7772668B2 (en) 2007-12-26 2010-08-10 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with multiple channels
US20120273916A1 (en) 2011-04-27 2012-11-01 Yedinak Joseph A Superjunction Structures for Power Devices and Methods of Manufacture
US8432000B2 (en) 2010-06-18 2013-04-30 Fairchild Semiconductor Corporation Trench MOS barrier schottky rectifier with a planar surface using CMP techniques
US8673700B2 (en) 2011-04-27 2014-03-18 Fairchild Semiconductor Corporation Superjunction structures for power devices and methods of manufacture
US8786010B2 (en) 2011-04-27 2014-07-22 Fairchild Semiconductor Corporation Superjunction structures for power devices and methods of manufacture
US8836028B2 (en) 2011-04-27 2014-09-16 Fairchild Semiconductor Corporation Superjunction structures for power devices and methods of manufacture
US8772868B2 (en) 2011-04-27 2014-07-08 Fairchild Semiconductor Corporation Superjunction structures for power devices and methods of manufacture
US10243476B2 (en) 2015-12-24 2019-03-26 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Power conversion device and power conversion method
JP6179652B2 (ja) * 2015-12-24 2017-08-16 株式会社安川電機 電力変換装置及び電力変換方法
US11929682B2 (en) 2022-04-26 2024-03-12 Aes Global Holdings Pte Ltd. ZVS assist snubber for switching converter

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1019720B (zh) * 1991-03-19 1992-12-30 电子科技大学 半导体功率器件
JP3116338B2 (ja) * 1994-03-22 2000-12-11 横河電機株式会社 スイッチング電源

Also Published As

Publication number Publication date
EP1003272A3 (en) 2003-08-27
EP1003272A2 (en) 2000-05-24
JP2000156978A (ja) 2000-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20000035494A (ko) 스위칭 회로
US9774271B2 (en) Apparatus and method for multiple primary bridge resonant converters
US5886884A (en) Passive ripple filter for zero voltage-zero current switched full-bridge DC/DC converters
US7321224B2 (en) DC-DC converter with clamping capacitor and output winding for reduced output voltage ripple
US8368364B2 (en) DC-DC converter with snubber circuit
US5734563A (en) Synchronous rectification type converter
US6349044B1 (en) Zero voltage zero current three level dc-dc converter
US7486055B2 (en) DC-DC converter having a diode module with a first series circuit and a second series with a flywheel diode
Barbi et al. DC-DC converter: four switches V/sub pk/= V/sub in//2, capacitive turn-off snubbing, ZV turn-on
EP1909381A1 (en) Dc/dc converter
US20200251992A1 (en) Flyback power-converting device with zero-voltage switching and method for flyback converting power with zero-voltage switching
US6002597A (en) Synchronous rectifier having dynamically adjustable current rating and method of operation thereof
US9130478B2 (en) Rectifier with bridge circuit and parallel resonant circuit
KR20060055415A (ko) 영전압-영전류 스위칭을 이용한 3 레벨 직류-직류 컨버터
US6477064B1 (en) High efficiency DC-DC power converter with turn-off snubber
US6487094B1 (en) High efficiency DC-DC power converter
KR101377124B1 (ko) 단일 스위치 절연형 공진 컨버터 및 이를 이용한 인터리빙 단일 스위치 절연형 공진 컨버터
JPH09285126A (ja) 半導体整流装置のスナバ回路
Kim et al. High-efficiency three-level DC–DC converter with reduced circulating current and rectifier voltage stress
US6195270B1 (en) Self clamping zero voltage switching DC transformers
KR100874809B1 (ko) 영전압-영전류 스위칭을 이용한 3레벨 직류-직류 컨버터
US4924370A (en) Low-loss and low-reactive power switching relief device for the semiconductor switches of an inverter
JP3426070B2 (ja) 共振形フォワードコンバータ
KR100842734B1 (ko) 영전압-영전류 스위칭을 이용한 3레벨 직류-직류 컨버터
US20020000923A1 (en) Switching power supply circuit

Legal Events

Date Code Title Description
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060713

Effective date: 20070319