KR20000028941A - 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 산란광에 의해검출하기 위한 시스템 및 방법 - Google Patents
프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 산란광에 의해검출하기 위한 시스템 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000028941A KR20000028941A KR1019990043465A KR19990043465A KR20000028941A KR 20000028941 A KR20000028941 A KR 20000028941A KR 1019990043465 A KR1019990043465 A KR 1019990043465A KR 19990043465 A KR19990043465 A KR 19990043465A KR 20000028941 A KR20000028941 A KR 20000028941A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- intensity
- background
- process chamber
- memory
- intensities
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 60
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 4
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
- G01N15/0227—Investigating particle size or size distribution by optical means using imaging; using holography
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
- G01N21/53—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid within a flowing fluid, e.g. smoke
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
래스터링된 레이저 광선을 프로세스 챔버로 방출하고 그 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 화상을 검출하여, 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 모니터링한다. 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 비디오 프레임은 프로세서에 의해 제조 및 처리된다. 이 프로세서는 웨이퍼 공정이 개시되기 전에 프로세스 챔버의 배경 화상의 화소의 매트릭스 어레이를 나타내는 제 1 비디오 프레임 및 웨이퍼 공정이 개시된 후에 프로세스 챔버의 대상 화상의 대응하는 화소의 매트릭스 어레이를 나타내는 제 2 비디오 프레임을 수신한다. 배경 화상의 화소와 대상 화상의 대응하는 화소 사이의 차분 강도를 검출하고, 이 검출된 강도를 판단하여 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성한다.
Description
본 발명은 반도체 프로세스 챔버내에 발생한 파티클 (particle) 을 산란광에 의해 검출하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
가장 보편적인 반도체 웨이퍼 결함중 어떠한 것은 파티클에 의해 발생한다. 이러한 파티클은 웨이퍼 상에 존재하며, 선들 사이의 쇼트 회로나 상부 층이 커버할 수 없는 보울더 (boulder) 로서 보일 수도 있다. 하나의 파티클 검출 시스템이 Journal of Vacuum Science and Technology 지의 B9(6), 1991년 11월/12월, 페이지 3487-3492 와 A 14(2), 1996년 3월/4월, 페이지 649-654 (Gay. S. Selwyn) 에 개시되어 있다. 이 파티클 검출 시스템에 따르면, 래스터링 (rastering) 된 레이저 광선을 프로세스 챔버에 도입시켜, 파티클에 의에 의해 산란된 광을 CCD 카메라로 검출하고 모니터 스크린 상에 표시한다. 표시된 파티클을 육안으로 검사하기 때문에, 파티클의 존재 여부를 판단하는데 장시간이 소요된다. 종래 시스템의 또 다른 단점은 정밀도가 부족하다는 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 신속하고 매우 정밀하게 검출하기 위한 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 프로세스 챔버내에 가시 스펙트럼 (visible spectrum) 의 방사 에너지를 방출하기 위한 방사 소오스, 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 화상을 검출하고 그로부터 화소 강도의 매트릭스 어레이 (matrix array) 를 나타내는 비디오 프레임을 생성하기 위한 화상 센서 (image sensor), 및 프로세스 챔버에서 웨이퍼 처리가 시작되기 전에 화상 센서에 의해 얻은 배경 (backgroun) 화상을 나타내는 제 1 비디오 프레임 (video frame) 과 웨이퍼 처리가 시작된 후에 화상 센서에 의해 얻은 대상 (target) 화상을 나타내는 제 2 비디오 프레임 사이의 차분 화소 강도 (differential pixel intensity) 를 검출하기 위해 화상 센서에 접속된 프로세서 (processor) 를 구비하고, 차분 화소 강도에 대해 판정하여 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성하는, 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 검출하기 위한 파티클 검출 시스템이 제공된다.
하나의 특정한 태양에 따르면, 프로세서를 배치하여, 배경 화소 강도를 강도의 상이한 값에 따라서 제 1 복수의 군으로 분할하고, 대상 화소 강도를 대상 화소 강도의 상이한 값에 따라서 제 1 복수의 군에 대응하는 제 2 복수의 군으로 분할하며, 제 1 복수의 군 각각에 포함된 화소의 갯수와 제 2 복수의 군의 대응하는 군 각각에 포함된 화소의 갯수간 차분 화소수를 결정한다. 제 2 복수의 군 각각의 개별 강도에 그 군의 차분 화소수를 곱하여, 차분 화소 강도를 얻는다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 프로세서를 배치하여, 제 1 및 제 2 메모리에 제 1 및 제 2 비디오 프레임을 각각 저장하고, 제 1 메모리에 저장된 배경 화소 강도를 강도의 상이한 값에 따라서 제 1 복수의 군으로 분할하고, 제 2 메모리에 저장된 대상 화소 강도를 대상 화소 강도의 상이한 값에 따라서 제 1 복수의 군에 대응하는 제 2 복수의 군으로 분할하고, 배경 화상의 화소의 갯수가 최대인 군 중에서 한 군의 강도를 식별하고, 대상 화상의 화소의 갯수가 최대인 군 중에서 한 군의 강도를 식별하며, 이 식별된 강도들 사이의 차분 강도를 결정하여, 그 차분 강도를 제 2 메모리에 저장된 모든 대상 화소 강도에 더한다. 이러한 차분 화소 강도는 제 1 및 제 2 메모리에 저장된 화소 데이터로부터 검출한다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 프로세서를 배치하여, 제 1 및 제 2 메모리에 제 1 및 제 2 비디오 프레임을 각각 저장하고, 제 1 메모리에 저장된 배경 화소 강도의 평균 강도 및 제 2 메모리에 저장된 대상 화소 강도의 평균 강도를 결정하고, 이 평균 강도들 사이의 차분 강도를 결정하며, 그 차분 강도를 제 2 메모리에 저장된 모든 대상 화소 강도에 더한다. 차분 화소 강도는 제 1 및 제 2 메모리에 저장된 화소 데이터로부터 검출한다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명의 래스터링된 산란광 파티클 검출 시스템의 블록도.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 1 의 프로세서 작업의 순서도.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로세서 작업의 순서도.
도 4a 및 도 4b 는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로세서 작업의 순서도.
도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로세서 작업의 순서도.
※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※
100 : 프로세스 챔버 101 : 파티클
102 : 도입창 103 : 검출창
104 : 레이저 광원 105 : 스캐닝 미러
106 : 스캔 드라이버 107 : 2 차원 화상 센서
108 : 프로세서 109 : 표시부
110 : 배경 메모리 111 : 대상 메모리
도 1 을 참조하면, 본 발명의 래스터링된 산란광 파티클 검출 시스템이 도시되어 있다. 이 시스템은 반도체 웨이퍼가 가공되는 프로세스 챔버 (100) 를 공지의 방식으로 구비하며, 그 결과, 바람직하지 않은 파티클 (101) 이 생성될 수도 있다. 프로세스 챔버 (100) 는 광선 도입창 (102) 과 검출창 (103) 을 갖는다. 레이저 광선이 레이저 광원 (104) 으로부터 프로세서 (108) 가 제어하는 스캔 드라이버 (scan driver) (106) 에 의해 구동되는 스캐닝 미러 (scanning mirror) (105) 로 방출됨으로써, 입사 광선이 2 차원 방향으로 굴절되어 래스터링된 스캔 빔 (beam) 이 생성된다. 래스터링된 스캔 빔은 광선 도입창 (102) 을 통해 프로세스 챔버 (100) 로 들어오고, 여기서, 파티클 (101) 에 의해 산란된다. 산란광은 검출창 (103) 을 통해 CCD 카메라 등의 2 차원 화상 센서 (107) 로 검출한다. 카메라 면적의 전부 또는 선택된 부분은 광 강도의 화소의 매트릭스 어레이를 나타내는 비디오 프레임으로 전환되고, 이 비디오 프레임은 프로세서 (108) 에 공급된다.
후술하는 바와 같이, 프로세서 (108) 는 비디오 프레임을 처리하고, 표시부 (109) 에 그 판단 결과를 표시하여, 파티클의 존재 여부를 시각적으로 나타낸다. 배경 화상의 비디오 프레임 및 대상 화상의 비디오 프레임을 저장하기 위해서, 프로세서 (108) 는 배경 메모리 (110) 및 대상 메모리 (111) 에 각각 결합된다.
프로세서 (108) 의 작업은 본 발명에 따른 각종의 방법으로 진행된다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 도 2 의 순서도에 따라서 프로세서 (108) 가 진행한다. 프로세서 (108) 의 작업은, 프로세서가 프로세스 챔버 (100) 의 래스터링된 배경 화상을 나타내는 화상 센서 (107) 로부터의 비디오 프레임을 수신하는 단계 (201) 로 개시된다. 프로세스 챔버 (100) 내에서 웨이퍼 처리를 시작하기 전에, 프로세스 챔버 내부를 래스터링된 레이저 광선으로 스캐닝하고 어두운 챔버로부터의 산란광을 검출함으로써, 화상 센서에 의해 배경 화상을 얻는다. 검출된 배경 화상의 비디오 프레임은 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이로서 배경 메모리 (110) 에 저장된다.
웨이퍼 처리를 프로세스 챔버 (100) 에서 시작할 경우 (단계 202), 프로세서 (108) 는 단계 203 으로 진행하여 화상 센서 (107) 로부터 래스터링된 대상 화상을 수신하고 이 수신된 화상을 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이로서 대상 메모리 (111) 에 저장한다. 웨이퍼 처리의 결과로 파티클이 발생할 경우, 대상 화상에는 그와 같은 파티클의 흔적이 포함된다. 파티클이 존재할 경우, 대상 메모리 (111) 내의 파티클에 대응하는 화소 강도는 대응하는 배경 메모리 (110) 의 화소 강도와 상이하게 된다. 단계 204 에서, 프로세서 (108) 는 양쪽 메모리 (110 및 111) 로부터 화소 단위별 데이터를 읽고, 배경 화소 강도를 대상 화소 강도에서 감하여 차분 화소 강도를 검출한다.
단계 205 에서, 프로세서 (108) 는 이러한 차분 강도를 예정된 임계치와 비교하여, 임계치를 초과할 경우에는 파티클이 프로세스 챔버내에 존재한다고 판단한다. 그렇지 않을 경우, 프로세서는 파티클이 존재하지 않는다고 판단한다. 그 비교 결과를 표시부 (109) 상에 시각적으로 나타낸다 (단계 206).
단계 207 에서, 프로세서 (108) 는 웨이퍼 처리 작업에 관한 상기 프로세스를 계속 수행할 것인가를 확인한다. 계속 수행하지 않을 경우에는, 루틴 (routine) 은 종료된다. 그렇지 않을 경우, 프로세서는 단계 208 로 진행되어 배경 메모리 (110) 의 내용을 대상 메모리 (111) 의 내용으로 대체하고, 단계 203 으로 복귀하여 상기 프로세스를 반복한다.
이러한 방식으로, 프로세스 챔버 (100) 에서 발생한 파티클을, 작업자에 의한 종래 시각적인 검사로 가능했던 것보다 더 짧은 시간과 더 높은 정밀도로 표시부 (109) 에 자동적으로 표시한다.
비교하자면, 인간의 검사가 발생한 파티클의 단지 50 % 에 대하여 판단하는데 3 초의 시간이 소요되는 반면, 본 발명은 80 퍼센트 이상의 파티클을 즉시 검출할 수 있다.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시예를 나타낸 것이다. 도 2 와 마찬가지로, 프로세서 (108) 의 작업은, 프로세스 챔버 (100) 의 래스터링된 배경 화상을 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이로서 배경 메모리 (110) 에 저장하는 단계 301 로 개시되며, 이 저장된 화소 데이터를 화소 강도 (단계 302) 에 따라서 예정된 수의 군으로 분할한다. 프로세서 (108) 는 단계 303 으로 진행되어, 프로세스 챔버 (100) 내에서 웨이퍼 처리를 시작할 것인가를 확인한다. 처리를 시작할 경우, 프로세서 (108) 는 단계 304 로 진행되어, 화상 센서 (107) 로부터의 래스터링된 대상 화상을 대상 메모리 (111) 에 저장한다. 단계 305 에서는, 대상 메모리 (111) 의 화소 데이터를 그 강도에 따라서 동일한 수의 군으로 분할한다.
단계 306 에서는, 각 군의 배경 화소의 갯수를 대응하는 군의 대상 화소의 갯수로부터 감하여, 대응하는 군의 각 쌍에 대한 차분 화소수를 결정한다. 그 후, 각 대상 화상 군의 강도치에 그 군의 차분 화소수를 곱하여, 대응하는 군의 각 쌍에 대한 차분 강도치를 산출한다. 따라서, 배경 화상과 대상 화상간 복수의 차분 강도를 얻게 된다.
상기 실시예들과 마찬가지로, 이 차분 강도를 임계치와 비교하여 (단계 307), 파티클의 존재 여부를 판단하고, 그 비교 결과를 나타낸다 (단계 308). 웨이퍼 처리를 계속할 경우, 단계 301 및 단계 302 로 얻으며 배경 메모리 (110) 에 저장한 모든 화소 데이터를, 단계 304 및 단계 305 로 얻으며 대상 메모리 (111) 에 저장한 대응하는 화소 데이터로 대체한다. 이제, 프로세서 (108) 는 단계 304 로 복귀하여, 다음 실행에 대한 상기 프로세스를 반복한다.
도 4a 및 도 4b 는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로세서 작업의 순서도이다. 프로세서 (108) 의 작업은, 프로세서가 상기 실시예와 동일한 방식으로 화상 센서 (107) 로부터의 비디오 프레임을 배경 메모리 (110) 에 저장하는 단계 (401) 로 개시된다.
단계 402 에서, 프로세서 (108) 는 저장된 배경 데이터를, 화소 강도에 따라서 예정된 수의 군으로 분할한다. 단계 403 에서, 프로세서 (108) 는 배경 화소의 갯수가 최대인 군 중에서 한 군을 판단하고 그 군의 강도를 식별한다.
웨이퍼 처리를 프로세스 챔버 (100) 에서 시작할 경우, 프로세서 (108) 는 단계 405 로 진행되어, 화상 센서 (107) 로부터 래스터링된 대상 화상을 수신하고 이를 대상 메모리 (111) 에 저장한다.
단계 406 에서, 프로세서 (108) 는 그 저장된 대상 데이터를, 화소 강도에 따라서 배경 군과 동수의 군으로 분할한다. 단계 407 에서, 프로세서 (108) 는 대상 화소의 갯수가 최대인 군 중에서 한 군을 판단하고 그 대상 군의 강도를 식별한다.
그 후, 프로세서 (108) 는 단계 408 로 진행되어 (도 4b), 최대 배경 군의 식별된 강도를 최대 대상 군의 식별된 강도에서 감하여, 차분 강도를 산출한다.
단계 409 에서, 프로세서는 차분 강도를 모든 대상 화소의 값에 더한다. 차분 강도를 대상 화상에 더하는 것은 프로세스 챔버의 배경 화상을 선형적으로 보상하는 효과를 갖는다.
단계 410 에서, 프로세서는 모든 배경 화소 강도와, 대응하는 대상 화소 강도와의 차이를 검출한다. 단계 411 에서는, 검출된 화소별 강도 차이를 임계치와 비교하여 파티클을 검출한다. 임계치가 초과되기만 하면, 파티클이 프로세스 챔버에 존재한다고 판단한다. 그 비교 결과를 단계 412 에서 나타낸다. 다음 프로세스 실행이 있을 경우 (단계 413), 단계 401, 402 및 403 으로 얻으며 배경 메모리 (110) 에 저장한 화소 데이터를, 단계 405, 406 및 407 로 얻으며 대상 메모리 (111) 에 저장한 대응하는 화소 데이터로 대체한다 (단계 414). 단계 414 의 실행에 이어서, 프로세서는 단계 405 로 복귀하여 다음 실행에 대하여, 프로세스를 반복한다.
또, 도 5a 및 도 5b 의 순서도에 나타낸 바와 같이, 배경 강도의 평균치를 이용하여, 배경 화상 보상을 이룰 수 있다.
도 5a 에서, 화상 센서 (107) 에 의해 얻은 배경 비디오 프레임을 배경 메모리 (110) (단계 501) 에 저장하고, 상기 실시예와 동일한 방식으로 그 저장된 배경 화상의 화소 값을 그 강도에 따른 군으로 분할한다. 단계 503 에서, 각 배경 화상 군의 강도치에 그 화소의 갯수를 곱하고 모든 배경 화상 군의 곱해진 강도치를 더하고, 그 합을 전체 군의 수로 나누어, 배경 화상의 평균 강도를 산출한다.
웨이퍼 처리를 시작할 경우 (단계 504), 화상 센서로부터의 대상 비디오 프레임이 대상 메모리 (111) 에 저장되고 (단계 505), 저장된 대상 화상의 화소 값을 배경 화상의 군에 대응하는 그 강도에 따른 군으로 분할한다 (단계 506). 단계 507 에서는, 각 대상 화상 군의 강도치에 그 화소의 갯수를 곱하고 모든 대상 화상 군의 곱해진 강도치를 더하며 그 합을 전체 군의 수로 나누어, 대상 화상의 평균 강도를 산출한다.
단계 508 에서는, 배경 화상의 평균 강도와 대상 화상의 평균 강도 사이의 차분 강도를 결정한다. 그 후, 이 차분 강도를 대상 화소의 모든 강도치에 더한다 (단계 509). 그 후, 프로세서 (108) 는 단계 510 으로 진행되어 (도 5b), 모든 배경 화소의 강도와, 대응하는 대상 화소의 강도와의 차이를 검출한다. 단계 511 에서는, 검출된 강도 차이를 임계치와 비교하여 프로세스 챔버내의 파티클을 검출한다. 그 비교 결과를 나타내고 (단계 512), 단계 501, 502 및 503 으로 얻으며 배경 메모리 (110) 에 저장한 배경 화소 데이터를, 단계 505, 506 및 507 로 얻으며 대상 메모리 (111) 에 저장한 대상 화소 데이터로 대체하며, 웨이퍼 처리의 후속 실행이 뒤따를 경우, 단계 505 내지 단계 512 를 반복한다 (단계 513).
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 신속하고 매우 정밀하게 검출할 수 있는 시스템 및 방법이 제공된다.
Claims (14)
- 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 검출하기 위한 파티클 검출 시스템으로서,가시 스펙트럼의 방사 에너지를 상기 프로세스 챔버내에 방출하기 위한 방사 소오스 (104-106);상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 화상을 검출하고 그로부터 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 비디오 프레임을 생성하기 위한 화상 센서 (107); 및상기 프로세스 챔버가 웨이퍼 처리를 시작하기 전, 상기 화상 센서에 의해 얻은 배경 화상을 나타내는 제 1 비디오 프레임과 상기 웨이퍼 처리가 시작된 후, 상기 화상 센서에 의해 얻은 대상 화상을 나타내는 제 2 비디오 프레임 사이의 차분 화소 강도를 검출하고, 상기 차분 화소 강도에 대해 판단하여 상기 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성하는 상기 화상 센서에 접속된 프로세서 (108) 를 구비하는 것을 특징으로 하는 파티클 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 방출된 방사 에너지는 래스터링된 레이저 광선인 것을 특징으로 하는 파티클 검출 시스템
- 제 1 항에 있어서,상기 출력 신호의 시각적인 표시를 제공하기 위한 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파티클 검출 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로세서는,배경 화소 강도를, 강도의 상이한 값에 따라서 제 1 복수의 군으로 분할하고,대상 화소 강도를, 상기 대상 화소 강도의 상이한 값에 따라서 상기 제 1 복수의 군에 대응하는 제 2 복수의 군으로 분할하고,상기 제 1 복수의 군 각각에 포함된 화소의 갯수와 상기 제 2 복수의 군의 대응하는 군 각각에 포함된 화소의 갯수 사이의 차분 화소수를 결정하며,상기 제 2 복수의 군 각각의 개별적인 강도에 상기 군의 상기 차분 화소수를 곱하여, 상기 차분 화소 강도를 생성하는 것을 특징으로 하는 파티클 검출 시스템.
- 제 1 항에 있어서,제 1 및 제 2 메모리 (110 및 111) 를 더 구비하는 파티클 검출 시스템으로서,상기 프로세서는,상기 제 1 및 제 2 메모리에 상기 제 1 및 제 2 비디오 프레임을 각각 저장하고,상기 제 1 메모리에 저장된 배경 화소 강도를, 상기 강도의 상이한 값에 따라서 제 1 복수의 군으로 분할하고, 상기 제 2 메모리에 저장된 대상 화소 강도를 상기 대상 화소 강도의 상이한 값에 따라서 상기 제 1 복수의 군에 대응하는 제 2 복수의 군으로 분할하고,배경 화상의 화소의 갯수가 최대인 군 중에서 한 군의 강도를 식별하고 대상 화상의 화소의 갯수가 최대인 군 중에서 한 군의 강도를 식별하고,상기 식별된 강도들 사이의 차분 강도를 결정하고,상기 차분 강도를 상기 제 2 메모리에 저장된 모든 대상 화소 강도에 더하며,상기 제 1 메모리에 저장된 상기 배경 화소 강도와 상기 제 2 메모리에 저장된 대응하는 대상 화소 강도 사이의 상기 차분 화소 강도를 검출하는 것을 특징으로 하는 파티클 검출 시스템.
- 제 1 항에 있어서,제 1 및 제 2 메모리 (110 및 111) 를 더 구비하는 파티클 검출 시스템으로서,상기 프로세서는,상기 제 1 및 제 2 메모리에 상기 제 1 및 제 2 비디오 프레임을 각각 저장하고,상기 제 1 메모리에 저장된 배경 화소 강도의 평균 강도 및 상기 제 2 메모리에 저장된 대상 화소 강도의 평균 강도를 결정하고,상기 평균 강도들 사이의 차분 강도를 결정하고,상기 차분 강도를, 상기 제 2 메모리에 저장된 모든 대상 화소 강도에 더하며,상기 제 1 메모리에 저장된 상기 배경 화소 강도와 상기 제 2 메모리에 저장된 대응하는 대상 화소 강도 사이의 상기 차분 화소 강도를 검출하는 것을 특징으로 하는 파티클 검출 시스템.
- 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 검출하는 방법으로서,a) 가시 스펙트럼의 방사 에너지를 상기 프로세스 챔버로 방출하는 단계;b) 웨이퍼 처리를 시작하기 전에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 배경 화상을 검출하고, 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 배경 비디오 프레임을 생성하는 단계;c) 상기 웨이퍼 처리가 시작된 후에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 대상 화상을 검출하고, 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 대상 비디오 프레임을 생성하는 단계;d) 상기 배경 비디오 프레임과 상기 대상 비디오 프레임 사이의 차분 화소 강도를 검출하는 단계; 및e) 상기 차분 화소 강도에 대해 판단하여, 상기 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 배경 화상으로부터 이미 얻은 상기 배경 비디오 프레임 대신에, 상기 c) 단계의 상기 대상 비디오 프레임을 상기 d) 단계의 상기 배경 비디오 프레임으로 사용하여, 상기 c) 단계 내지 상기 e) 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 검출하는 방법으로서,a) 가시 스펙트럼의 방사 에너지를 상기 프로세스 챔버로 방출하는 단계;b) 웨이퍼 처리가 시작되기 전에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 배경 화상을 검출하고, 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 배경 비디오 프레임을 생성하는 단계;c) 상기 배경 화소 강도를, 상기 강도의 상이한 값에 따라서 복수의 군으로 분할하는 단계;d) 상기 웨이퍼 처리가 시작된 후에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 대상 화상을 검출하고 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 대상 비디오 프레임을 생성하는 단계;e) 상기 대상 화소 강도를, 상기 대상 화소 강도의 상이한 값에 따라서 상기 c) 단계의 군에 대응하는 복수의 군으로 분할하는 단계;f) 상기 배경 화소 강도의 군 각각에 포함된 화소의 갯수를, 대응하는 대상 화소 강도의 각각의 군에 포함된 화소의 갯수에서 감하여 차분 화소수를 결정하고, 상기 e) 단계의 각 군의 개별적인 강도에 상기 군의 상기 차분 화소수를 곱하여, 복수의 차분 화소 강도를 생성하는 단계; 및g) 상기 차분 화소 강도에 대해 판단하여, 상기 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 배경 화상으로부터 이미 얻은 상기 배경 비디오 프레임의 각 군 대신에, 상기 e) 단계의 상기 대상 화소 강도의 각 군을 상기 f) 단계의 배경 화소 강도의 각 군으로 사용하여, 상기 d) 단계 내지 g) 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 검출하는 방법으로서,a) 가시 스펙트럼의 방사 에너지를 상기 프로세스 챔버로 방출하는 단계;b) 웨이퍼 처리가 시작되기 전에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 배경 화상을 검출하고 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 배경 비디오 프레임을 생성하는 단계;c) 상기 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이를 제 1 메모리에 저장하는 단계;d) 상기 저장된 배경 화소 강도를, 상기 강도의 상이한 값에 따라서 복수의 군으로 분할하는 단계;e) 최대 갯수의 화소를 포함하는 배경 화소 강도의 군 중에서 한 군의 강도를 식별하는 단계;f) 상기 웨이퍼 처리가 시작되기 전에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 대상 화상을 검출하고, 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 대상 비디오 프레임을 생성하는 단계;g) 상기 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이를 제 2 메모리에 저장하는 단계;h) 상기 저장된 대상 화소 강도를, 상기 대상 화소 강도의 상이한 값에 따라서 상기 d) 단계의 군에 대응하는 복수의 군으로 분할하는 단계;i) 최대 갯수의 화소를 포함하는 대상 화소 강도의 군 중에서 한 군의 강도를 식별하는 단계;j) 상기 e) 단계에 의해 식별한 강도와 상기 i) 단계에 의해 식별한 강도 사이의 차분 강도를 결정하는 단계;k) 상기 차분 강도를, 상기 제 2 메모리에 저장된 모든 대상 화소 강도에 더하는 단계;l) 상기 제 1 메모리에 저장된 상기 배경 화소 강도와 상기 제 2 메모리에 저장된 대응하는 대상 화소 강도 사이의 차분 화소 강도를 검출하는 단계; 및m) 상기 차분 화소 강도에 대해 판단하여, 상기 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 배경 화상으로부터 이미 얻은 군의 식별된 강도 대신에, 상기 i) 단계에 의해 식별된 군의 강도를 상기 e) 단계에 의해 식별된 군의 강도로 사용하여, 상기 f) 단계 내지 m) 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 웨이퍼 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 검출하는 방법으로서,a) 가시 스펙트럼의 방사 에너지를 상기 프로세스 챔버로 방출하는 단계;b) 웨이퍼 처리가 시작되기 전에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 배경 화상을 검출하고, 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 배경 비디오 프레임을 생성하는 단계;c) 상기 배경 화소 강도의 매트릭스 어레이를 제 1 메모리에 저장하는 단계;d) 상기 제 1 메모리에 저장된 상기 배경 화소 강도의 평균 강도를 결정하는 단계;e) 상기 웨이퍼 처리가 시작되기 전에 상기 프로세스 챔버내에서 산란된 방사 에너지의 2 차원 대상 화상을 검출하고 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이를 나타내는 대상 비디오 프레임을 생성하는 단계;f) 상기 대상 화소 강도의 매트릭스 어레이를 제 2 메모리에 저장하는 단계;g) 상기 제 2 메모리에 저장된 상기 대상 화소 강도의 평균 강도를 결정하는 단계;h) 상기 d) 단계 및 상기 g) 단계에 의해 각각 결정된 상기 평균 강도들 사이의 차분 강도를 결정하는 단계;i) 상기 차분 강도를 상기 제 2 메모리에 저장된 모든 대상 화소 강도에 더하는 단계;j) 상기 제 1 메모리에 저장된 상기 배경 화소 강도와 상기 제 2 메모리에 저장된 대응하는 대상 화소 강도 사이의 차분 화소 강도를 검출하는 단계; 및k) 상기 차분 화소 강도에 대해 판단하여, 상기 파티클의 존재 여부를 나타내는 출력 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 배경 화상으로부터 이미 얻은 평균 강도 대신에, 상기 g) 단계의 평균 강도를 상기 d) 단계의 평균 강도로 사용하여, 상기 e) 단계 내지 k) 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30160298A JP3148187B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | パーティクルモニタシステム及びパーティクル検出方法並びにパーティクル検出プログラムを格納した記録媒体 |
| JP98-301602 | 1998-10-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000028941A true KR20000028941A (ko) | 2000-05-25 |
| KR100319675B1 KR100319675B1 (ko) | 2002-01-09 |
Family
ID=17898932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990043465A KR100319675B1 (ko) | 1998-10-08 | 1999-10-08 | 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 산란광에 의해 검출하기 위한 시스템 및 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6115120A (ko) |
| JP (1) | JP3148187B2 (ko) |
| KR (1) | KR100319675B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7257987B2 (en) * | 2000-01-25 | 2007-08-21 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University | Method and apparatus for sample analysis |
| US6865926B2 (en) * | 2000-01-25 | 2005-03-15 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University | Method and apparatus for sample analysis |
| US6630996B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-10-07 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| US6809809B2 (en) * | 2000-11-15 | 2004-10-26 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| US20030071543A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Farhad Daghighian | Mail and package inspection device and method |
| US6603535B1 (en) * | 2002-08-30 | 2003-08-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Stereo imaging velocimetry system and method |
| US7248975B2 (en) * | 2005-09-20 | 2007-07-24 | Tech Semiconductor Singapore Pte Ltd | Real time monitoring of particulate contamination in a wafer processing chamber |
| US10402963B2 (en) * | 2017-08-24 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection on transparent or translucent wafers |
| JP7478071B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-02 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978078A (en) * | 1996-12-17 | 1999-11-02 | Texas Instruments Incorporated | System and method for detecting particles on substrate-supporting chucks of photolithography equipment |
| US5946092A (en) * | 1998-02-27 | 1999-08-31 | Pacific Scientific Instruments Company | Dual laser heterodyne optical particle detection technique |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP30160298A patent/JP3148187B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-06 US US09/413,590 patent/US6115120A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-08 KR KR1019990043465A patent/KR100319675B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3148187B2 (ja) | 2001-03-19 |
| US6115120A (en) | 2000-09-05 |
| JP2000121539A (ja) | 2000-04-28 |
| KR100319675B1 (ko) | 2002-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5463462A (en) | Method of and apparatus for inspecting honeycomb-shaped object having plural through holes | |
| US20060291706A1 (en) | Method of extracting intensity data from digitized image | |
| KR100319675B1 (ko) | 프로세스 챔버내에 발생한 파티클을 산란광에 의해 검출하기 위한 시스템 및 방법 | |
| JP4566769B2 (ja) | 物品欠陥情報検出装置 | |
| US5047846A (en) | Image processing equipment with light source synchronized to blanking interval of video camera | |
| JPH05509136A (ja) | ウェブのケン縮周波数測定方法及び装置 | |
| KR101862310B1 (ko) | 얼룩결함 검사장치 및 얼룩결함 검사방법 | |
| US8705698B2 (en) | X-ray analyzer and mapping method for an X-ray analysis | |
| JP2000275541A (ja) | レーザ顕微鏡 | |
| JP2003279503A (ja) | Ｘ線検査装置 | |
| US6388743B1 (en) | Video laser beam analyzer | |
| CN116266013A (zh) | 荧光显微镜系统和方法 | |
| JP2002195952A (ja) | 表面疵検出装置 | |
| US4549306A (en) | Sheet metal evaluator | |
| US6587595B1 (en) | Method for the image optimization of an x-ray image | |
| US8892400B2 (en) | Method for evaluating fluorescence correlation spectroscopy measurement data | |
| US20070104359A1 (en) | Digital inspection of the physical quality of plain surfaces | |
| JP3869521B2 (ja) | 走査型レーザ顕微鏡 | |
| JP2006292500A (ja) | 表面検査方法及び表面検査装置 | |
| JP4045470B2 (ja) | コンフォーカル顕微鏡 | |
| JP2965370B2 (ja) | 欠陥検出装置 | |
| JP2004061447A (ja) | 基板検査方法及び基板検査方法の選択方法 | |
| JPH04122844A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| US20230100737A1 (en) | Beam profiling enhancement by automatic grayscale and color adjustment | |
| JPH10104175A (ja) | 材質特定ｘ線検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111202 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121130 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |