KR20000021091A - Surface treatment unit using plasma having concentration injecting means - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A surface treatment unit using plasma having a concentration injecting device is provided to prevent unnecessary polymer to be formed on an electrode other than a specimen and shorten a time taken in synthesizing the polymer. CONSTITUTION: A surface treatment unit comprises: an electrode part having an anode(22)(or active electrode) positively or negatively biased by applying a DC voltage or RF(Radio frequency) pulse voltage and a cathode(24)(or passive electrode) grounded to the ground terminal; a chamber(21); a vacuum pump(26) for providing a vacuum to the chamber; a voltage supplying part(23) for supplying a voltage; and a gas injecting part(9,10) for injecting a reactant gas into the chamber. The gas injecting part locally injects a pressurized reactant gas into the anode, thereby shortening the process time, lowering the contamination velocity, and saving the reactant gas.

Description

집중분사수단을 구비하는 플라즈마를 이용한 표면처리장치Surface treatment apparatus using plasma having concentrated injection means

본 발명은 직류 또는 고주파 플라즈마를 이용하여 특정 성질을 가지는 중합막을 시료에 증착하여 시료의 표면을 기질시키는 표면처리장치에 관한 것으로서, 특히 반응성 가스를 쳄버 내부로 주입하는 주입부의 형상을 변형함으로써, 공정시간을 단축시키고 반응성 가스를 절감할 수 있는 표면처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment apparatus for depositing a polymer film having a specific property on a sample and directing the surface of the sample by using a direct current or a high frequency plasma, and in particular, by modifying the shape of an injection portion for injecting a reactive gas into the chamber. The present invention relates to a surface treatment apparatus capable of shortening time and reducing reactive gas.

종래 기술에 의하면, 고분자 중합체를 합성하여 시료표면을 처리하기 위하여 높은 에너지(수십 keV ~ 수MeV)를 이용한 이온주입(ion implantation)이나 이온빔 조사(ion irradiation)방법을 이용하거나, 비교적 낮은 에너지(0~수keV)의 입자를 생성하는 이온원(ion source)을 이용하는 이온빔 스퍼터링(ion beam sputtering deposition)이나 다중 이온원 증착(multi ion beam deposition) 또는 이온도움 증착(ion assisted deposition)을 이용하여 고분자를 시료표면에 증착하는 방법을 사용하였다.According to the prior art, in order to synthesize the polymer polymer and treat the sample surface, ion implantation or ion beam irradiation method using high energy (tens of keV to several MeV) is used or relatively low energy (0 Polymers may be formed by ion beam sputtering deposition using ion sources that produce particles of several keV, multi ion beam deposition, or ion assisted deposition. The deposition method on the sample surface was used.

그러나 이러한 방법은 비교적 높은 에너지와 저진공상태를 요구하기 때문에, 고분자의 합성이 용이하지 않고, 소요되는 비용이 높은 단점이 있었다.However, since this method requires a relatively high energy and low vacuum state, the synthesis of the polymer is not easy and the cost required is high.

이에 대하여 낮은 에너지와 저진공상태에서 시료기판위에 고분자 중합체를 형성시켜 표면을 개질시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리방법이 개발되었다. 상기 방법에서는, 합성하고자 하는 물질의 모노머(monomer)들로 된 반응성 가스를 일정량 쳄버 내부로 주입하고, 진공을 인가한 후 전력공급장치를 사용하여 직류 또는 고주파로 방전시키면, 그 반응성 가스의 플라즈마가 발생하고, 그 중 소정의 이온들이 시료기판 또는 전극으로 이동하여 그 위에 소정의 고분자 중합체를 합성시킨다. 이때, 반응가스의 종류 및 혼합비율, 직류전류·전압, 고주파전력 또는 증착시간 등에 따라 여러 가지 다양한 화학결합이 이루어져, 표면강도, 접착·흡착, 친수·소수성과 같은 필요한 물성을 가지는 고분자 중합물을 시료표면에 증착시킴으로써, 시료기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료표면을 개질시킬 수 있다.On the other hand, the surface treatment method using the plasma which can modify the surface by forming a polymer polymer on the sample substrate in a low energy and low vacuum state has been developed. In the above method, when a reactive gas made of monomers of a material to be synthesized is injected into a chamber, a vacuum is applied, and then discharged at a DC or high frequency using a power supply device, the plasma of the reactive gas is generated. Generated, and certain ions are transferred to the sample substrate or the electrode to synthesize the predetermined polymer thereon. At this time, various chemical bonds are made according to the type and mixing ratio of the reaction gas, DC current, voltage, high frequency power or deposition time, and the polymer polymer having the required physical properties such as surface strength, adhesion and adsorption, hydrophilicity and hydrophobicity is sampled. By depositing on the surface, the sample surface can be modified without affecting the inherent properties of the sample substrate.

이러한 플라즈마를 이용한 고분자 중합체 합성에 사용되는 장치는 일반적으로,쳄버, 전극, 직류 또는 고주파 전력공급장치, 반응성가스 주입포트, 진공펌프 및 진공도 측정수단 등으로 이루어지지만, 쳄버 내부에 불순물이 존재하지 않는 경우에는 쳄버 내부를 진공으로 만들 필요가 없으며, 이러한 경우에는 진공펌프 및 진공도 측정수단은 필요없다.The apparatus used for synthesizing the polymer using plasma is generally composed of a chamber, an electrode, a direct current or a high frequency power supply, a reactive gas injection port, a vacuum pump, and a vacuum measuring means, but there are no impurities in the chamber. In this case, there is no need to vacuum the inside of the chamber, and in this case, a vacuum pump and a vacuum measuring means are not necessary.

이러한 장치의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있으며, 쳄버(1), 전력공급장치(3), 전극(4), 유확산펌프(5) 및 로터리펌프(6)로 이루어진 진공펌프, 쳄버 내부의 진공도를 측정하기 위한 열전쌍 진공계(7)와 이온 게이지(8), 반응성 가스를 주입하기 위한 주입 포트(9, 10)로 이루어져 있다.One embodiment of such a device is shown in FIG. 1, which is comprised of a chamber 1, a power supply 3, an electrode 4, a diffusion pump 5, and a rotary pump 6. It consists of a thermocouple vacuum gauge 7 for measuring the degree of vacuum, an ion gauge 8 and injection ports 9, 10 for injecting reactive gases.

상기 장치를 이용하여 시료(2)에 고분자 중합물을 증착하기 위하여, 챔버 (1) 내부에 시료 (2)를 설치하고 로터리 펌프(6)와 유확산펌프(5)를 기동시켜 챔버 내부의 압력을 챔버 위에 부착된 열전쌍 진공계(thermocouple gauge, 7)와 이온 게이지 (ion gauge, 8)로 확인하면서 10-3Torr 이하로 유지시킨다. 시료는 전력공급장치(3)에 의하여 애노드 (+) 또는 캐소드 (-)로 바이어스 (bias)된 곳에 위치시키고, 반대쪽 전극(4)는 접지되어 있다. 쳄버의 압력이 일정 진공도로 유지되면, 소정양의 아세틸렌과 질소와 같은 반응성 가스가 주입 포트(9, 10)를 통하여 쳄버 내부로 주입되고, 이어서 전력공급장치(3)를 사용하여 기판에 소정 전력을 인가함으로써 반응성 가스를 방전시킨다. 그러면, 직류 또는 고주파에 의하여 발생된 플라즈마 내에서 반응가스들의 분자결합이 끊어지게 되고, 끊어진 체인과 활성화된 양이온 또는 음이온들이 결합하여 전극 사이에 위치하는 시료기판 표면에 고분자 중합체가 형성되며, 고전위를 가지는 시료기판에는 주로 음이온 들이 고분자 중합체 합성에 도움을 주며, 저전위를 가지는 시료기판 또는 전극에는 주로 양이온들이 도움을 준다. 이 때, 기판은 주로 알루미늄(Al)을 사용하였으나, 금속 이외의 절연체, 세라믹스 또는 고분자도 가능하다. 또한, 전극 사이에서 시료기판의 위치를 변경시킴으로써 증착되는 고분자의 종류를 변경시킬 수 있으며, 접지된 두 전극 사이에 시료기판을 위치시키는 대신, 전극중 하나를 시료기판으로 대체시켜 시료기판에는 전력을 인가하고 나머지 전극은 접지시키는 것도 가능하다.In order to deposit the polymer polymer on the sample 2 using the apparatus, the sample 2 is installed inside the chamber 1, and the rotary pump 6 and the diffusion pump 5 are started to increase the pressure inside the chamber. Maintain below 10 -3 Torr, checking with a thermocouple gauge (7) and ion gauge (8) attached to the chamber. The sample is positioned where it is biased by the power supply 3 to the anode (+) or the cathode (-), and the opposite electrode 4 is grounded. When the pressure of the chamber is maintained at a constant vacuum, a predetermined amount of reactive gas such as acetylene and nitrogen is injected into the chamber through the injection ports 9 and 10, and then the predetermined power to the substrate using the power supply 3 The reactive gas is discharged by applying. Then, the molecular bonds of the reaction gases in the plasma generated by direct current or high frequency are broken, and the broken chain and the activated cations or anions are bonded to form a polymer polymer on the surface of the sample substrate positioned between the electrodes. The anion is mainly used for the synthesis of the polymer polymer in the sample substrate having a, and the cation is mainly helpful in the sample substrate or the electrode having the low potential. At this time, although the substrate is mainly used aluminum (Al), insulators, ceramics or polymers other than metal may be used. In addition, the type of polymer deposited can be changed by changing the position of the sample substrate between the electrodes. Instead of placing the sample substrate between the two grounded electrodes, one of the electrodes is replaced with a sample substrate to supply power to the sample substrate. It is also possible to apply and ground the remaining electrodes.

이러한 종래의 장치를 이용하여 고분자 중합체 형성하여 표면을 처리하는 경우, 반응성 가스의 플라즈마 내에서 래디칼의 반응에 의하여 폴리머가 생성되고, 전자나 양이온의 운동에너지에 의하여 폴리머가 금속과 결합하게 되는데, 애노드와 캐소드는 전위, 평균 전자에너지 등이 달라서 시료를 놓는 위치에 따라 다른 성질의 중합막이 형성된다. 그런데 시료가 아닌 전극에 중합막이 생기면 플라즈마의 발생을 방해하여 표면개질이 불완전하게 된다. 또한, 종래의 장치에서는 반응성 가스를 소정시간 주입하고 균일화 되었을 때, 전력공급을 개시하므로 가스 주입에 많은 시간이 소요되므로 전체적인 공정시간이 늘어나 생산성에 악영향을 미친다.In the case of forming a polymer polymer and treating the surface by using such a conventional apparatus, a polymer is formed by radical reaction in a plasma of a reactive gas, and the polymer is combined with a metal by kinetic energy of electrons or cations. The cathode and the cathode have different potentials, average electron energies, etc., and thus polymerized membranes having different properties are formed according to the positions of the samples. However, when the polymer film is formed on the electrode other than the sample, the generation of the plasma is prevented and the surface modification is incomplete. In addition, in the conventional apparatus, when the reactive gas is injected for a predetermined time and uniformized, power supply is started, so that a long time is required for gas injection, and thus the overall process time increases, adversely affecting productivity.

따라서, 본 발명의 목적은 시료이외의 전극에 불필요한 중합물이 형성되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 고분자 중합물 합성장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a plasma polymer polymer synthesizing apparatus capable of preventing formation of unnecessary polymers on electrodes other than a sample.

본 발명의 다른 목적은 중합물 합성에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 플라즈마 고분자 중합물 합성장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus for synthesizing a plasma polymer which can shorten the time required for synthesizing a polymer.

본 발명의 또 다른 목적은 종래 장치에 비하여 반응성 가스의 양을 절감할 수 있는 플라즈마 고분자 중합물 합성장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide an apparatus for synthesizing a plasma polymer polymer, which can reduce the amount of reactive gas as compared with the conventional apparatus.

도 1은 종래 기술에 의한 플라즈마를 이용한 표면처리장치를 도시하는 도면이다.1 is a view showing a surface treatment apparatus using a plasma according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표면처리장치를 도시하는 것으로서, 반응성 가스 주입부가 집중분사수단 및 가압수단을 구비하고 있다.Figure 2 shows a surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, the reactive gas injection unit is provided with a concentrated injection means and a pressurizing means.

도 3은 본 발명에 의한 장치를 사용할 때의 공정시간을 종래예와 비교하여 도시한 것이다.Figure 3 shows the process time when using the apparatus according to the present invention in comparison with the conventional example.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

1 : 쳄버 2 : 시료1: Chamber 2: Sample

3 : 전력공급장치 4 : 전극3: power supply device 4: electrode

5 : 유확산 펌프 6 : 로터리 펌프5: diffusion pump 6: rotary pump

7 : 열전쌍 진공계 8 : 이온 게이지7: thermocouple vacuum gauge 8: ion gauge

9, 10 : 반응가스 주입부9, 10: reaction gas injection unit

21 : 쳄버 22 : 시료(애노드)21: chamber 22: sample (anode)

23 : 전력공급장치 24 : 전극(캐소드)23: power supply device 24: electrode (cathode)

26 : 진공펌프 27 : 진공도 측정수단26: vacuum pump 27: vacuum degree measuring means

28 : 집중분사식 주입구 29 : 가압수단28: concentrated injection type injection port 29: pressurizing means

전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 장치는, 쳄버 내부에 반응성 가스를 주입하고 DC 또는 고주파 전력을 인가하여 플라즈마 방전에 의하여 시료의 표면에 고분자 중합물을 합성하여 표면을 개질시키는 표면처리장치에 있어서, 상기 반응성 가스를 주입하는 주입부가 시료의 표면에만 반응성 가스를 집중적으로 분출되도록 하는 집중분사수단인 것을 특징으로 한다.An apparatus for achieving the above object of the present invention is a surface treatment apparatus for injecting a reactive gas into the chamber and applying DC or high frequency power to synthesize a polymer polymer on the surface of a sample by plasma discharge to modify the surface. The injection unit for injecting the reactive gas is a concentrated injection means for intensively ejecting the reactive gas only on the surface of the sample.

구제적으로 본 발명에 의한 장치는, 쳄버, 진공펌프, 전력공급장치, 반응성 가스 주입부 및 전극부를 포함하며, 상기 전극부는 직류고전압 또는 고주파 펄스 전압이 인가되는 애노드(anode, +극) 또는 능동전극(active electrode)과 상기 애노드 또는 능동전극에 대응하여 접지된 캐소드(cathode, -극) 또는 수동전극(passive electrode)으로 이루어지는 플라즈마 고분자 중합물 합성장치에 있어서, 상기 반응성 가스 주입부가 시료를 향하는 집중분사식 주입구인 것을 특징으로 한다.Specifically, the device according to the present invention includes a chamber, a vacuum pump, a power supply, a reactive gas injector, and an electrode unit, wherein the electrode unit is an anode or active to which a DC high voltage or a high frequency pulse voltage is applied. In the plasma polymer polymer synthesis apparatus consisting of an electrode (electrode) and a cathode or a cathode (passive electrode) grounded in correspondence with the anode or the active electrode, the concentrated gas injection unit toward the sample Characterized in that the injection port.

본 발명의 다른 실시예에서는, 반응성 가스를 가압하여 분사하기 위한 가압수단을 추가로 구비할 수 있다. 전극부의 형태는, 통상 접지된 두 전극이 캐소드를 구성하고, 그 사이에 애노드로서의 시료가 배치되며, 시료에 DC 또는 고주파 전력이 인가되지만, 하나의 캐소드와 하나의 애노드로 구성되어, 하나의 애노드가 시료가 되고 그 곳에 전력이 인가될 수 있다.In another embodiment of the present invention, a pressurizing means for pressurizing and spraying the reactive gas may be further provided. In the form of an electrode part, two grounded electrodes constitute a cathode, and a sample as an anode is disposed therebetween, and DC or high frequency power is applied to the sample, but it is composed of one cathode and one anode, and one anode Is the sample and power can be applied there.

이러한 장치를 통한 고분자 중합물 합성 과정을 살펴보면, 우선 시료를 정당한 위치(두 캐소드 사이 또는 하나의 캐소드 옆)에 배치하고, 진공펌프를 통하여 쳄버 내부를 약 10-3Torr정도의 진공으로 만든다. 그 다음 집중분사식 주입구를 개방하여 반응성 가스를 시료 주위로 분출함과 동시에 시료에 전력을 인가하면, 플라즈마 방전이 이루어진다. 그러면, 플라즈마 내에 있는 래디컬의 반응에 의하여 폴리머가 생성되고 전자 또는 양이온의 운동에너지에 의하여 시료에 고분자 중합물이 형성되며, 반응성 가스의 종류 및 조성비, 전극에 대한 시료의 위치, 합성시간, 전력 등을 조절함으로써 원하는 특성의 가지는 고분자 중합물을 형성할 수 있다. 이 때, 반응성 가스가 주로 시료를 향하여 있으므로, 전극(캐소드)에는 고분자가 거의 합성되지 않으므로, 전극 오염에 의한 전극교체가 필요없거나 그 회수가 줄어들어 생산성이 높아진다. 또한, 쳄버 전체를 반응가스로 채우고 고분자를 합성한 후 잔류물을 배출하는 종래 장치와 비교할 때, 합성에 필요한 양의 반응가스 만을 시료에 집중적으로 분사함으로써, 필요한 반응성 가스의 양을 절감할 수 있다.In the process of synthesizing the polymer polymer through such a device, the sample is first placed at a proper position (between two cathodes or one cathode), and the inside of the chamber is vacuumed to about 10 -3 Torr through a vacuum pump. Then, the central injection nozzle is opened to eject the reactive gas around the sample and at the same time, the electric power is applied to the sample, thereby causing plasma discharge. Then, the polymer is formed by the reaction of radicals in the plasma, and the polymer polymer is formed on the sample by the kinetic energy of the electrons or cations, and the type and composition ratio of the reactive gas, the position of the sample with respect to the electrode, the synthesis time, the power, etc. By controlling, it is possible to form a polymer polymer having a desired characteristic. At this time, since the reactive gas is mainly directed to the sample, almost no polymer is synthesized on the electrode (cathode), so that electrode replacement due to electrode contamination is unnecessary or the number of times of the electrode replacement is reduced, thereby increasing productivity. In addition, compared to the conventional apparatus that fills the entire chamber with the reaction gas, synthesizes the polymer, and discharges the residues, the amount of reactive gas required can be reduced by intensively injecting only the reaction gas required for the synthesis into the sample. .

통상의 장치에서는, 반응성 가스 이외의 다른 불순물을 제거하여 원하는 고분자 중합물을 형성하기 위하여 쳄버 내부를 진공으로 만든다. 따라서, 반응성 가스를 가압하지 않더라도, 집중분사식 주입구를 통하여 시료를 향하여 분사될 수 있다. 그러나, 쳄버 내부의 불순물을 충분하게 제거해 주는 경우, 반드시 진공을 형성시킬 필요는 없으며, 이러한 경우에는 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 반응성 가스를 대기압 이상으로 가압하여 시료를 향하여 분사시킬 수 있는 가압장치를 추가로 필요로 한다.In a conventional apparatus, the interior of the chamber is vacuumed to remove impurities other than reactive gases to form the desired polymeric polymer. Therefore, even if the reactive gas is not pressurized, it can be injected toward the sample through the concentrated injection port. However, in order to sufficiently remove impurities in the chamber, it is not necessary to form a vacuum. In this case, in order to achieve the object of the present invention, a pressurization device capable of injecting a reactive gas above atmospheric pressure and spraying it toward the sample Additionally required.

도 2에 도시된 본 발명의 한 실시예에서는, 쳄버(21)와, 전력공급장치(23)에 의하여 전력이 공급되는 시료(22)와, 접지된 전극(24)과, 진공펌프(26)와, 진공도 측정수단(27)과, 집중분사식 주입구(28) 및 가압장치(29)로 구성되어 있다. 본 실시예에서는, 전극부가 전력이 인가되는 시료 및 하나의 전극으로 이루어져 있으며, 집중분사식 주입구(28)는 시료를 향하도록 배치된다.In one embodiment of the invention shown in FIG. 2, a chamber 21, a sample 22 supplied with power by the power supply device 23, a grounded electrode 24, and a vacuum pump 26. And a vacuum degree measuring means 27, a concentrated injection type injection port 28, and a pressurization device 29. In this embodiment, the electrode portion is composed of a sample to which electric power is applied and one electrode, and the concentrated injection type injection port 28 is disposed to face the sample.

도 3에서는 종래의 장치 및 본 발명에 있어서, 1회의 플라즈마 방전을 통한 고분자 중합물 합성에 소요되는 시간을 도시하고 있다. 종축은 시료주위에서의 반응성 가스 압력을 나타내며, 횡축은 종래의 1회 플라즈마 방전에 의한 표면처리공정에 소요되는 시간을 100%로 하였을 때, 각 공정별의 소요 시간을 의미한다. 종래의 장치에서는, 반응성 가스를 서서히 주입하므로 시료 주위의 반응성 가스 압력이 서서히 선형적으로 증가하여 충분한 압력이 된 A시점에서 플라즈마 방전을 개시하여 B시점에서 1회의 플라즈마 방전공정이 종료하게 되지만, 본 발명에서는 반응성 가스를 소정 압력으로 분사함과 동시에 플라즈마 방전을 개시하여(A'), B'시점에서 방전을 종료하게 되므로, 전체의 합성에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 즉, 반응성 가스로 쳄버를 완전하게 채우는 데 필요한 시간만큼을 단축할 수 있다.In FIG. 3, in the conventional apparatus and the present invention, the time required for synthesizing the polymer polymer through one plasma discharge is shown. The vertical axis represents the reactive gas pressure around the sample, and the horizontal axis represents the time required for each process when the time required for the conventional surface treatment process by a single plasma discharge is 100%. In the conventional apparatus, since the reactive gas is slowly injected, the reactive gas pressure around the sample gradually increases linearly to start the plasma discharge at the point A when the pressure is sufficient and the one plasma discharge process is terminated at the point B. In the present invention, since the reactive gas is injected at a predetermined pressure and the plasma discharge is started (A '), the discharge is terminated at the time of B', so that the time required for the synthesis of the whole can be shortened. In other words, the time required to completely fill the chamber with the reactive gas can be shortened.

실제 공정에서, 진공에 소요되는 시간이 약 5분, 가스 도입에 필요한 시간이 약 2분, 플라즈마 처리 시간이 약 1분 및 배기시간이 약 3분으로 구성되므로, 본 발명에 의한 장치를 사용하는 경우 약 20%정도의 시간을 단축할 수 있다.In the actual process, the time required for vacuum is about 5 minutes, the time required for gas introduction is about 2 minutes, the plasma treatment time is about 1 minute and the exhaust time is about 3 minutes. In this case, the time can be reduced by about 20%.

직류 또는 고주파 전력을 통한 반응성 가스의 플라즈마를 이용하여 시료기판상에 특정 성질을 가지는 고분자 중합물을 형성하여 시료표면을 개질시키는 표면처리장치에 있어서, 반응성 가스 주입구를 (가압)집중분사식으로 구성함으로써, 시료 이외의 전극이 중합물로 오염되는 것을 방지할 수 있고, 공정시간을 단축 할 수 있을 뿐 아니라, 반응성 가스의 양을 절감할 수 있는 장점을 가진다.In the surface treatment apparatus for modifying the surface of a sample by forming a polymer polymer having a specific property on a sample substrate by using a plasma of a reactive gas through direct current or high frequency power, by configuring the reactive gas inlet by a (pressurized) concentrated injection method, Electrodes other than the sample can be prevented from being contaminated with the polymer, the process time can be shortened, and the amount of reactive gas can be reduced.

또한, 부수적인 효과로서, 종래의 장치에서 발생하는 불필요한 배기가스로 인한 대기오염을 방지할 수 있다.In addition, as a side effect, air pollution due to unnecessary exhaust gas generated in the conventional apparatus can be prevented.

Claims (2)

쳄버 내부에 반응성 가스를 주입하고 DC 또는 고주파 전력을 인가하여 플라즈마 방전에 의하여 시료의 표면에 고분자 중합물을 합성하여 시료표면을 개질시키는 표면처리장치에 있어서,A surface treatment apparatus for injecting a reactive gas into a chamber and applying DC or high frequency power to synthesize a polymer polymer on the surface of a sample by plasma discharge to modify the surface of the sample. 상기 반응성 가스를 주입하는 주입부가 시료의 표면에만 반응성 가스를 집중적으로 분출시키는 집중분사수단인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 표면처리장치.And an injection unit for injecting the reactive gas is a concentrated injection means for intensively ejecting a reactive gas only onto a surface of a sample. 제 1 항에 있어서, 반응성 가스를 가압하여 분사하기 위한 가압수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 표면처리장치.The surface treatment apparatus using plasma according to claim 1, further comprising a pressurizing means for pressurizing and injecting a reactive gas.
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KR1019980040029A KR20000021091A (en) 1998-09-25 1998-09-25 Surface treatment unit using plasma having concentration injecting means

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1023519S1 (en) * 2023-09-07 2024-04-23 Guanghui Lu Heating vest

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