KR20010088093A - Electrode structure in plasma polymerization apparatus - Google Patents

Electrode structure in plasma polymerization apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20010088093A
KR20010088093A KR1020000012107A KR20000012107A KR20010088093A KR 20010088093 A KR20010088093 A KR 20010088093A KR 1020000012107 A KR1020000012107 A KR 1020000012107A KR 20000012107 A KR20000012107 A KR 20000012107A KR 20010088093 A KR20010088093 A KR 20010088093A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sample
electrode
electric field
plasma polymerization
electrodes
Prior art date
Application number
KR1020000012107A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최환종
김병기
Original Assignee
구자홍
엘지전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1020000012107A priority Critical patent/KR20010088093A/en
Publication of KR20010088093A publication Critical patent/KR20010088093A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32541Shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62Plasma-deposition of organic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338Changing chemical properties of treated surfaces
    • H01J2237/3382Polymerising

Abstract

PURPOSE: A structure of electrodes in a plasma polymerization equipment is provided which uniformly coats a polymeric material on a sample by changing the structure of electrodes in the plasma polymerization equipment, thereby uniformly distributing an electric field on each parts of the sample. CONSTITUTION: In a plasma polymerization equipment, the structure of electrodes in a plasma polymerization equipment is characterized in that the shape of electrodes (11) impressing the discharging voltage to a sample (12) is formed in a bended structure such that both end parts of the electrodes (11) become further from the sample (12) by differing the center part and both end parts of the shape of electrodes.

Description

플라즈마중합처리장치의 전극 구조{ELECTRODE STRUCTURE IN PLASMA POLYMERIZATION APPARATUS}ELECTRODE STRUCTURE IN PLASMA POLYMERIZATION APPARATUS}

본 발명은 플라즈마중합처리장치의 전극 구조에 관한 것으로, 상세하게는 전극 끝단부에서 전기장의 왜곡 현상이 일어나는 것을 방지한 전극 구조에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode structure of a plasma polymerization apparatus, and more particularly, to an electrode structure which prevents distortion of an electric field from occurring at an electrode end portion.

고분자 중합체를 합성하여 시료표면을 개질시키는 방법으로, 종래에는 높은 에너지(수십 keV ~ 수MeV)를 이용한 이온주입(ion implantation)이나 이온빔 조사(ion irradiation)방법을 이용하거나, 비교적 낮은 에너지(0~수keV)의 입자를 생성하는 이온원(ion source)을 이용하는 이온빔 스퍼터링(ion beam sputtering deposition)이나 다중 이온원 증착(multi ion beam deposition) 또는 이온보조 증착(ion assisted deposition)을 이용하여 고분자를 시료표면에 증착하는 방법을 사용하였다.A method of modifying a sample surface by synthesizing a polymer, conventionally using ion implantation or ion beam irradiation using high energy (tens of keV to several MeV), or relatively low energy (0 to Samples of polymers may be prepared using ion beam sputtering deposition, ion beam sputtering deposition, or ion assisted deposition, using ion sources that produce particles of several keV. The method of vapor deposition on the surface was used.

그러나 이러한 방법은 비교적 높은 에너지와 저진공상태를 요구하기 때문에, 고분자의 합성이 용이하지 않고, 소요되는 비용이 높은 단점이 있었다.However, since this method requires a relatively high energy and low vacuum state, the synthesis of the polymer is not easy and the cost required is high.

이에 대하여 낮은 에너지와 저진공상태에서 시료기판위에 고분자 중합체를 형성시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리방법이 개발되었다. 상기 방법에서는, 챔버내에 진공을 인가하고, 합성하고자 하는 물질의 모노머(monomer)들로 된 반응성 가스를 일정량 챔버 내부로 주입한 후, 전력공급장치를 사용하여 직류 또는 고주파로 방전시키면, 그 반응성 가스의 플라즈마가 발생하고, 그 중 소정의 이온들이 시료기판 또는 전극으로 이동하여 그 위에 소정의 고분자 중합체를 합성시킨다. 이때, 반응가스의 종류 및 혼합비율, 직류전류·전압, 고주파전력 또는 증착시간 등에 따라 여러 가지 다양한 화학결합이 이루어져, 표면강도, 접착·흡착, 친수·소수성과 같은 필요한 물성을 가지는 고분자 중합물을 시료표면에 증착시킴으로써, 시료기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료표면을 개질시킬 수 있다.On the other hand, a surface treatment method using a plasma has been developed that can form a polymer on a sample substrate at low energy and low vacuum. In the above method, a vacuum is applied to the chamber, a reactive gas of monomers of the material to be synthesized is injected into the chamber, and then discharged at a direct current or high frequency using a power supply device. Plasma is generated, and predetermined ions are transferred to the sample substrate or the electrode to synthesize the predetermined polymer thereon. At this time, various chemical bonds are made according to the type and mixing ratio of the reaction gas, DC current, voltage, high frequency power or deposition time, and the polymer polymer having the required physical properties such as surface strength, adhesion and adsorption, hydrophilicity and hydrophobicity is sampled. By depositing on the surface, the sample surface can be modified without affecting the inherent properties of the sample substrate.

이러한 장치의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있으며, 챔버(1), 전력공급장치(3), 전극(4), 유확산펌프(5) 및 로터리펌프(6)로 이루어진 진공펌프, 챔버 내부의 진공도를 측정하기 위한 열전쌍 진공계(7)와 이온 게이지(8), 반응성 가스를 주입하기 위한 주입구(9, 10)로 이루어져 있다.One embodiment of such a device is shown in FIG. 1, which comprises a chamber 1, a power supply 3, an electrode 4, a diffusion pump 5 and a rotary pump 6, inside a chamber. It consists of a thermocouple vacuum gauge 7 for measuring the degree of vacuum, an ion gauge 8 and injection holes 9 and 10 for injecting a reactive gas.

상기 장치를 이용하여 시료(2)에 고분자 중합물을 증착하기 위하여, 챔버 (1) 내부에 시료 (2)를 설치하고 로터리 펌프(6)와 유확산펌프(5)를 기동시켜 챔버 내부의 압력을 챔버 위에 부착된 열전쌍 진공계(thermocouple gauge, 7)와 이온 게이지 (ion gauge, 8)로 확인하면서 10-3Torr 이하로 유지시킨다. 시료는 전력공급장치(3)에 의하여 애노드 (+) 또는 캐소드 (-)로 바이어스 (bias)된 곳에 위치시키고, 반대쪽 전극(4)는 접지되어 있다. 챔버의 압력이 일정 진공도로 유지되면, 소정양의 아세틸렌과 질소와 같은 반응성 가스가 주입 포트(9,10)를 통하여 챔버 내부로 주입되고, 이어서 전력공급장치(3)를 사용하여 기판에 소정 전력을 인가함으로써 반응성 가스를 방전시킨다. 그러면, 직류 또는 고주파에 의하여 발생된 플라즈마 내에서 반응가스들의 분자결합이 끊어지게 되고, 끊어진 체인과 활성화된 양이온 또는 음이온들이 결합하여 전극 사이에 위치하는 시료기판 표면에 고분자 중합체가 형성되며, 고전위를 가지는 시료기판에는 주로 음이온 들이 고분자 중합체 합성에 도움을 주며, 저전위를 가지는 시료기판 또는 전극에는 주로 양이온들이 도움을 준다. 이 때, 기판은 주로 알루미늄(Al)을 사용하였으나, 금속 이외의 절연체, 세라믹스 또는 고분자도 가능하다. 또한, 전극 사이에서 시료기판의 위치를 변경시킴으로써 증착되는 고분자의 종류를 변경시킬 수 있으며, 접지된 두 전극 사이에 시료기판을 위치시키는 대신, 전극중 하나를 시료기판으로 대체시켜 시료기판에는 전력을 인가하고 나머지 전극은 접지시키는 것도 가능하다.In order to deposit the polymer polymer on the sample 2 using the apparatus, the sample 2 is installed inside the chamber 1, and the rotary pump 6 and the diffusion pump 5 are started to increase the pressure inside the chamber. Maintain below 10 -3 Torr, checking with a thermocouple gauge (7) and ion gauge (8) attached to the chamber. The sample is positioned where it is biased by the power supply 3 to the anode (+) or the cathode (-), and the opposite electrode 4 is grounded. When the pressure of the chamber is maintained at a constant vacuum, a predetermined amount of reactive gas such as acetylene and nitrogen is injected into the chamber through the injection ports 9 and 10, and then the predetermined power to the substrate using the power supply 3 The reactive gas is discharged by applying. Then, the molecular bonds of the reaction gases in the plasma generated by direct current or high frequency are broken, and the broken chain and the activated cations or anions are bonded to form a polymer polymer on the surface of the sample substrate positioned between the electrodes. The anion is mainly used for the synthesis of the polymer polymer in the sample substrate having a, and the cation is mainly helpful in the sample substrate or the electrode having the low potential. At this time, although the substrate is mainly used aluminum (Al), insulators, ceramics or polymers other than metal may be used. In addition, the type of polymer deposited can be changed by changing the position of the sample substrate between the electrodes. Instead of placing the sample substrate between the two grounded electrodes, one of the electrodes is replaced with a sample substrate to supply power to the sample substrate. It is also possible to apply and ground the remaining electrodes.

이러한 종래의 장치를 이용하여 고분자 중합체를 형성하는 경우, 반응성 가스의 플라즈마 내에서 래디칼의 반응에 의하여 폴리머가 생성되고, 전자나 양이온의 운동에너지에 의하여 폴리머가 금속과 결합하게 되는데, 애노드와 캐소드는 전위, 평균 전자에너지 등이 달라서 시료를 놓는 위치에 따라 다른 성질의 중합막이 형성된다.In the case of forming a polymer polymer using such a conventional device, the polymer is produced by the reaction of radicals in the plasma of the reactive gas, and the polymer is bonded to the metal by the kinetic energy of electrons or cations, and the anode and the cathode Due to different potentials, average electron energies, and the like, polymerized films of different properties are formed depending on the position of the sample.

종래의 플라즈마 중합처리장치에 있어서 전극의 형태는 일반적으로 시트(sheet)상으로 그 단면이 직선형이었다. 도 2a에 그 형태의 단면을 나타내었는데, 이 경우의 전기장의 분포를 보면 시료(12)의 중앙부에서는 전기장이 시료에서 전극(11)으로 수직 방향이 되도록 형성된다. 그러나 시료의 양 끝단으로 갈수록 전기장의 왜곡현상이 발생한다. 즉, 시료의 끝단에서는 에지(edge) 효과에 의해 전기장이 집중되어 전계가 강해지므로 시료 중앙부와는 다른 전기장의 분포를 보인다. 이러한 왜곡 현상을 도 2b에 나타내었다. 시료(12) 끝단에는 전기장의 모양이 직선이 아닌 휘어진 형태로 중앙부에 비하여 집중되는 모습을 볼 수 있다. 시료 중앙부와 시료 끝단에서의 전기장 분포의 차이는 불균일한 플라즈마 중합을 야기시키고, 중합되는 시료의 품질을 떨어뜨려 큰 문제가 되고 있다.In the conventional plasma polymerization apparatus, the shape of the electrode is generally a sheet, and its cross section is straight. In FIG. 2A, the cross section of the shape is shown. In this case, the electric field is formed so that the electric field is perpendicular to the electrode 11 in the sample at the center of the sample 12. However, the electric field distortion occurs at both ends of the sample. In other words, since the electric field is concentrated by the edge effect at the end of the sample, the electric field becomes stronger, and thus the distribution of the electric field is different from that of the center of the sample. This distortion is shown in Figure 2b. The end of the sample 12 can be seen that the shape of the electric field is concentrated in comparison with the center portion in a curved form rather than a straight line. Differences in the electric field distribution at the center of the sample and the sample tip cause uneven plasma polymerization and degrade the quality of the sample to be polymerized.

따라서 본 발명은 플라즈마 중합처리장치의 전극 구조를 변화시켜 시료의 각 부분에 대한 전기장의 분포를 균일화시킴으로써 중합물의 균일한 코팅을 이루는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to achieve a uniform coating of a polymer by changing the electrode structure of the plasma polymerization apparatus and equalizing the distribution of the electric field for each part of the sample.

도 1은 종래의 플라즈마 중합처리장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional plasma polymerization processing apparatus.

도 2a는 종래의 전극 구조를 나타내는 단면도이다.2A is a cross-sectional view showing a conventional electrode structure.

도 2b는 도 2a의 전극 구조에서 전기장의 분포를 나타내는 모식도이다.FIG. 2B is a schematic diagram showing the distribution of an electric field in the electrode structure of FIG. 2A.

도 3a는 본 발명의 전극 구조를 나타내는 단면도이다.3A is a cross-sectional view showing the electrode structure of the present invention.

도 3b는 도 3a의 전극 구조에서 전기장의 분포를 나타내는 모식도이다.FIG. 3B is a schematic diagram showing the distribution of electric fields in the electrode structure of FIG. 3A.

도 3c는 도 3a의 A부분을 확대한 단면도이다.FIG. 3C is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 3A.

도 4a 내지 4d는 본 발명의 전극 구조의 다양한 예를 보여주는 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views showing various examples of the electrode structure of the present invention.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

1:증착챔버 2:시료1: Deposition chamber 2: Sample

3:전원공급장치 4:대향전극3: power supply 4: counter electrode

5:로터리펌프 6:확산펌프5: rotary pump 6: diffusion pump

7:열전쌍진공계 8:이온게이지7: thermocouple vacuum system 8: ion gauge

9:가스조절장치 10:가스조절장치9: gas regulator 10: gas regulator

11:전극 12:시료11: electrode 12: sample

본 발명은 플라즈마중합처리장치에 있어서, 시료에 방전 전압을 인가하는 전극의 형태를 중앙부와 양 끝단을 달리하여 상기 전극의 양 끝단이 시료로부터 멀어지도록 휘어진 구조로 형성시킨 것을 특징으로 하는 플라즈마중합처리장치의 전극 구조를 제공한다.The present invention provides a plasma polymerization treatment apparatus, wherein a shape of an electrode for applying a discharge voltage to a sample is formed in a structure in which both ends of the electrode are bent away from the sample by different ends from the center portion. Provide the electrode structure of the device.

상기 전극 구조에서 시료와 전극의 양 끝단 간의 거리는 시료와 전극간의 거리를 d로 하였을 때 d + √d 이상이 되도록 한다.In the electrode structure, the distance between both ends of the sample and the electrode is d + √ d or more when the distance between the sample and the electrode is d.

본 발명의 전극 구조는 전극의 끝단이 아치 모양으로 휘어지거나 직선 형태로 꺽인 형태 등을 모두 포함한다.The electrode structure of the present invention includes both the end of the electrode bent in the shape of an arch or bent in a straight form.

또한, 상기 전극의 끝단은 전극 자체를 휘게하여 형성시킬 수도 있고, 별도의 전극을 부착시켜 형성시키는 것도 가능하다.In addition, the end of the electrode may be formed by bending the electrode itself, or may be formed by attaching a separate electrode.

이하 도면을 참조하며 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a를 보면 본 발명의 일실시예가 나타나 있다. 종래의 전극 구조와 차별되는 특징은 전극(11)의 가장자리가 위 쪽으로 휘어져 있다는 점이다. 즉, 전극의 양끝단에 날개 모양의 전극을 부착시킴으로써 전기장의 분포가 집중되지 않고 전극과 시료 사이에서 좀더 수직이 되도록 하였다.3A shows an embodiment of the present invention. The distinguishing feature of the conventional electrode structure is that the edge of the electrode 11 is bent upwards. That is, by attaching a wing-shaped electrode at both ends of the electrode, the distribution of the electric field is not concentrated, so that it is more perpendicular between the electrode and the sample.

이러한 전극 구조에 의한 전기장의 분포를 도 3b에 나타내었다. 도 2b와는 달리 시료의 양 끝단에서 전기장의 분포가 집중되지 않으며, 전기장도 휘어진 형태가 아닌 직선의 형태를 취하고 있다.The distribution of the electric field by this electrode structure is shown in FIG. 3B. Unlike FIG. 2B, the distribution of the electric field is not concentrated at both ends of the sample, and the electric field also takes the form of a straight line rather than a curved shape.

이와 같은 전극 구조에 의해 전기장의 세기 및 분포가 달라지는 것을 이론적으로 간단히 살펴보면 다음과 같다.Theoretically briefly look at the change in the intensity and distribution of the electric field by the electrode structure as follows.

먼저, 전기장은 다음식으로 나타낼 수 있는데,First, the electric field can be expressed as

E = ( Q / 4πεE = (Q / 4πε 00 rr 22 )AA rr

여기서,Q는 전하량,ε 0 는 진공중의 유전율,r은 전하Q로 되어 있는 전극으로부터의 거리,A r 은 면적을 각각 나타낸다. 위 식에 의하면 전기장은 거리의 제곱에 반비례한다. 따라서 전극과 시료 간의 직선 거리가 r + √r 이면, 상기 식에서 분모의 성분은 거리가 r일 때보다 r2/(r2+ 2r√r + r)의 비율로 줄어든다. 따라서 전극과 시료 간의 직선 거리가 r + √r 이면 상기 비율로 전기장이 감소된다. 일반적으로, 전극과 시료 간의 거리를 10cm 정도로 유지한다고 하면 전기장의 크기는 대략 1/1.75 정도로 줄어들게 된다.Where Q is the charge amount, ε 0 is the dielectric constant in vacuum, r is the distance from the electrode of charge Q , and A r is the area. According to the above equation, the electric field is inversely proportional to the square of the distance. Therefore, if the linear distance between the electrode and the sample is r + √r, the component of the denominator is reduced by the ratio of r 2 / (r 2 + 2r√r + r) than when the distance is r. Therefore, if the linear distance between the electrode and the sample is r + √r, the electric field is reduced at this ratio. In general, if the distance between the electrode and the sample is about 10cm, the size of the electric field is reduced to about 1 / 1.75.

이와 같은 결과를 통해 전극과 시료 간의 거리를 중앙부와 양 끝단부에 차이를 두고, 특히 양 끝단에서 거리를 증가시킴으로써 전기장의 세기가 상대적으로 감소되어 시료 전체적으로 볼 때는 전기장의 세기를 균일하도록 할 수 있다.Through these results, the distance between the electrode and the sample is different from the center and both ends. In particular, by increasing the distance at both ends, the intensity of the electric field is relatively decreased, so that the intensity of the electric field can be uniform in the whole sample. .

본 발명의 전극 구조에 있어서는 전극 끝단의 모양을 다음과 같은 방법으로 설계하는 것이 바람직하다. 도 3a의 A부분의 확대도인 도 3c를 보면 시료(12)와 전극(11)의 거리가 d이고 시료 끝단으로 갈수록 전극은 위로 휘어져 있다. 이 때 휘어진 높이가 √d로 나타나 있다. 이러한 설계는 전극과 시료 간의 직선 거리가 d + √d 이면, 상기 식에서 분모의 성분은 거리가 d일 때보다 d2/(d2+ 2d√d + d)의 비율로 줄어들므로, 현재 사용되는 전극과 시료 간의 거리를 고려해보면 대략 1/2 정도로 전기장의 세기가 감소되는 결과가 된다. 전극 끝단에서의 전기장은 시료 중앙부에 비해 약 2 배 정도가 되기 때문에 휘어진 높이를 √d 이상으로 함으로써 시료 중앙부와 양 끝단에서의 전기장의 세기를 균일하게 할 수 있다.In the electrode structure of this invention, it is preferable to design the shape of the electrode tip by the following method. Referring to FIG. 3C, which is an enlarged view of part A of FIG. 3A, the distance between the sample 12 and the electrode 11 is d and the electrode is bent upward as the sample ends. At this time, the curved height is indicated by √d. In this design, if the linear distance between the electrode and the sample is d + √d, the denominator component in the above equation is reduced at the ratio of d 2 / (d 2 + 2d√d + d) than when the distance is d, Considering the distance between the electrode and the sample, the intensity of the electric field is reduced by about 1/2. Since the electric field at the electrode end is about twice as large as the center of the sample, the strength of the electric field at the center and both ends of the sample can be made uniform by setting the bend height to √d or more.

본 발명의 전극 구조는 전극의 끝 부분이 아치형으로 위로 휘어진 것을 특징으로 하나 반드시 곡선 형태일 필요는 없다. 본 발명이 적용될 수 있는 다양한 형태의 전극 구조를 도 4a 내지 도 4d에 나타내었다. 전극 중앙부로부터 전극 끝단의 높이가 √d 이상이면, 곡선 형태(도 4a) 뿐만 아니라 직선 형태(도 4b) 또는 꺽은선 형태(도 4c 및 4d) 등도 가능하고 생산 조건과 사용 목적에 따라 다양하게 적용할 수 있다.The electrode structure of the present invention is characterized in that the end portion of the electrode is curved upward in an arcuate shape, but need not necessarily be curved. Various types of electrode structures to which the present invention can be applied are shown in FIGS. 4A to 4D. If the height of the tip of the electrode from the center of the electrode is √d or more, not only a curved form (FIG. 4A) but also a straight form (FIG. 4B) or a broken line form (FIG. 4C and 4D) may be used, and may be variously applied according to production conditions and purposes of use. can do.

본 발명에 의하면 플라즈마 중합처리장치의 전극 구조를 전극 끝단부와 중앙부에 차이를 둠으로써 시료의 각 부분에 대한 전기장의 분포를 균일화시키고, 따라서 시료에 중합물이 균일하게 코팅되도록 할 수 있다.According to the present invention, by varying the electrode structure of the plasma polymerization apparatus in the electrode end portion and the center portion, it is possible to uniformize the distribution of the electric field for each part of the sample, so that the polymer can be uniformly coated on the sample.

Claims (1)

플라즈마중합처리장치에 있어서, 시료에 방전 전압을 인가하는 전극의 형태를 중앙부와 양 끝단을 달리하여 상기 전극의 양 끝단이 시료로부터 멀어지도록 휘어진 구조로 형성시킨 것을 특징으로 하는 플라즈마중합처리장치의 전극 구조.In the plasma polymerization apparatus, the electrode for applying the discharge voltage to the sample is formed in a structure that is bent so that both ends of the electrode away from the sample by different ends from the center and both ends. rescue.
KR1020000012107A 2000-03-10 2000-03-10 Electrode structure in plasma polymerization apparatus KR20010088093A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000012107A KR20010088093A (en) 2000-03-10 2000-03-10 Electrode structure in plasma polymerization apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000012107A KR20010088093A (en) 2000-03-10 2000-03-10 Electrode structure in plasma polymerization apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010088093A true KR20010088093A (en) 2001-09-26

Family

ID=19654067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000012107A KR20010088093A (en) 2000-03-10 2000-03-10 Electrode structure in plasma polymerization apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010088093A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101040924B1 (en) * 2009-12-02 2011-06-16 주식회사 테스 Electrode for Plasma Generation and Apparatus for Generating plasma

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101040924B1 (en) * 2009-12-02 2011-06-16 주식회사 테스 Electrode for Plasma Generation and Apparatus for Generating plasma

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5677010A (en) Method for producing a polymer coating inside hollow plastic articles
Yasuda Some important aspects of plasma polymerization
EP1509332B1 (en) Application of a coating forming material onto at least one substrate
US20070034156A1 (en) Method and apparatus for precision coating of molecules on the surfaces of materials and devices
AU2003233070A1 (en) Protective coating composition
US7550927B2 (en) System and method for generating ions and radicals
KR20010088093A (en) Electrode structure in plasma polymerization apparatus
KR100320198B1 (en) Electrode of dc plasma polymerization system
Lim et al. Reduction in surface resistivity of polymers by plasma source ion implantation
DE102008044024A1 (en) Coating method and coating device
CN105220130B (en) The method for preparing nano-multilayer film based on low-voltage plasma chemical vapor deposition
US20140335285A1 (en) System of surface treatment and the method thereof
KR20000021090A (en) Device of surface treatment using plasma with equipment for preventing from piling up polymer
KR20010088092A (en) Apparatus for plasma polymerization
JPH0627340B2 (en) Hybrid plasma thin film synthesis method and device
KR20000021091A (en) Surface treatment unit using plasma having concentration injecting means
KR20010088100A (en) Plasma polymerization apparatus having uniform electron density distribution
KR101732712B1 (en) Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapor deposition
JPH04168281A (en) Atmospheric pressure glow plasma device
US20030221950A1 (en) Plasma polymerization system and method for plasma polymerization
KR20010088068A (en) Plasma polymerizing apparatus having gas injection line
KR20010088099A (en) Electrode for plasma polymerization apparatus
Svarnas et al. Influence of a DC, point-to-plane, low-pressure discharge in nitrogen on polystyrene thin films
KR101447779B1 (en) Ion beam source and deposition apparatus having the ion beam source
CN110914951A (en) Plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination