KR20000019416A - 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로 - Google Patents

전계 방출 표시기의 게이트 구동회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전계 방출 표시기의 게이트 라인에 축적되어 있는 전하를 재활용하여 전원에 의한 구동전압스윙폭을 감소시켜 전력소모 감소 및 고전압 소자의 신뢰성 향상과 게이트 구동회로의 고집적화를 도모하도록 된 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로를 제공하기 위한 것이다.
이를 위해 본 발명은, 콘트롤러로부터 제공되는 게이트 라인 선택용 제어신호에 따라 해당 게이트 라인을 충전시키는 복수의 출력단과, 상호 인접한 게이트 라인 사이에 결선되어 스위칭제어신호에 의해 스위칭동작하는 고압 스위칭수단과, 상기 게이트 라인 선택용 제어신호와 콘트롤러로부터 제공되는 일정주기의 전하 리사이클링신호를 입력받아 현재 구동되는 게이트 라인에서 후속하는 게이트 라인으로의 전하이동을 제어하는 복수의 논리연산수단과, 상기 복수의 논리연산수단에 일대일로 연결됨과 더불어 상기 고압 스위칭수단에 연결되어 각각의 논리연산수단으로부터의 신호에 따라 해당 고압 스위칭수단을 스위칭제어하는 복수의 고압소자 제어수단을 구비함으로써, 전원에 의한 출력전압의 스윙폭을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 그로 인해 전력소모를 감소시킬 수 있다.

Description

전계 방출 표시기의 게이트 구동회로
본 발명은 전계 방출 표시기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전계 방출 표시기의 게이트 라인을 구동시키도록 된 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로에 관한 것이다.
새로운 평판 표시기로 각광받고 있는 전계 방출 표시기(Field Emission Display; FED)는 방출된 전자를 이용하여 화면을 표시하는 음극선관(CRT)과 유사한 방법으로 화면을 표시하는데, 냉전자 방출(cold electron emission)을 이용한다는 면에서 열전자 방출(thermal electron emission)을 이용하는 음극선관(CRT)과는 차이가 있다.
이러한 종래의 전계 방출 표시기는 전자를 방출하는 전계 방출 소자들을 픽셀(pixel)별로 수백 내지 수천개 설치하고, 상기 전계 방출 소자들로부터 전자들을 형광막이 도포된 전극에 충돌시켜 화상이 표시되도록 한다.
상기 전계 방출 표시기의 픽셀을 구성하는 전계 방출 소자는 도 1에 도시된 바와 같이 캐소드 전극(10)에 접속된 캐소드(cathod; 12)와, 이 캐소드(12)의 위쪽에 일정한 간격을 두고 설치된 게이트(14) 및, 배면에 형광막(Phosphor; 16)이 도포된 양극판(anode; 18)을 구비한다.
여기서, 상기 형광막(16)은 충돌되는 전자량에 해당하는 광을 발생하여 화상이 표시되도록 한다.
그리고, 상기 양극판(18)은 상기 캐소드(12)에서 방출된 전자들을 끌어 당기는 역할을 담당하고, 또한 상기 형광막(16)에 의한 광이 투과될 수 있도록 투명성을 갖는다.
또한, 상기 캐소드(12)는 촉부의 상부를 형성하는 뿔의 형상을 갖고 상기 캐소드와 상기 게이트(14) 사이의 전계에 의하여 자신의 촉부로부터 전자들을 방출시킨다.
또, 상기 게이트(14)는 상기 양극판(18)에 인가되는 전압보다 낮은 고전압에 의하여 상기 캐소드(12)로부터 전공으로의 전자의 방출을 유도하게 되고, 그 방출되는 전자는 보다 높은 전압이 걸려 있는 양극판(18)쪽으로 향하게 된다.
이와 같은 일반적인 전계 방출 소자로 구성된 전계 방출 표시기의 전류-전압 특성을 살펴보면, 도 2에 도시된 바와 같이 전계 방출 표시기의 구동시 게이트와 캐소드 사이의 전압(VG-C)이 "VL"에 도달하기 전까지는 캐소드 전류(IC)가 거의 흐르지 않다가 그 전압(VG-C)이 "VL"보다 높게 되면 다이오드 특성과 같이 캐소드 전류(IC)가 급격히 높아지게 된다.
동 도면에서, "VH"는 게이트에 인가되는 구동전원으로서 대략 100V 정도이고, "VL"은 대략 80V 정도가 된다.
그리고, 도 3은 일반적인 전계 방출 표시기의 패널 구동동작을 설명하기 위한 블럭도로서, 패널(20)은 도 1에 도시된 픽셀 단위의 전계 방출 소자가 매트릭스 형태로 형성된 화상 표시영역이고, 제어수단(22)은 외부에서 제어신호와 영상신호를 받아 패널(20)의 특성에 맞게 제어신호와 영상신호를 출력하며, 게이트 드라이버(24)는 다수개의 게이트 라인에 연결되어 제어수단(22)으로부터 입력되는 제어신호를 받아 해당 게이트 라인을 스캔하기 위한 신호를 발생시키고, 데이터 드라이버(26)는 다수개의 데이터 라인에 연결되어 제어수단(22)으로부터 입력되는 영상신호를 패널(20)의 특성에 맞게 출력신호를 변환한 후 데이터 라인을 통해서 각각의 픽셀에 전달한다.
동 도면에 따르면, 게이트 드라이버(24)는 제어수단(22)의 제어신호에 의해 임의의 게이트 라인이 선택될 때마다 전자를 방출할 수 있는 고전압으로 스위칭해 주고, 이때 데이터 드라이버(26)는 그 선택된 게이트 라인에 패널(20)의 특성에 맞는 영상신호를 출력하게 된다. 따라서 패널(20)상에 소망하는 화상이 표시된다.
여기서, 상기 게이트 드라이버(24)는 쉬프트 레지스터로부터 입력되는 저전압 신호를 받아 100V이상 높은 전압을 게이트단(즉, 게이트 라인)에 전달하는 고전압 구동회로를 포함하는데, 그 게이트 라인을 구동시키는 일반적인 게이트 구동회로의 고전압 구동회로는 도 4에 도시된 바와 같다.
동 도면은 하나의 게이트 라인을 구동시키는 회로에 대해 도시하였다.
동 도면에 따르면, 종래의 게이트 구동회로는 고압 전원(Vhigh)과 접지전원 사이에 상호 직렬 접속된 고압 PMOS소자(P1)와 고압 NMOS소자(N1)와, 제어 로직(도시 생략)으로부터의 입력신호(IN)에 의해 고압 PMOS소자(P1)를 스위칭제어하는 고압PMOS소자 제어기(24a)로 구성되고, 상기 고압 PMOS소자(P1)와 고압 NMOS소자(N1) 사이의 드레인접점은 FED패널(20)의 게이트 라인에 접속된다.
이와 같이 구성된 종래의 게이트 구동회로에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이 클럭신호(Clk)에 동기되어 쉬프트출력되는 시작제어신호(Start)가 입력됨에 따라 고압 PMOS소자(P1) 및 고압 NMOS소자(N1)가 상호 반대로 스위칭동작하여 게이트 라인(예컨대, n, n+1, n+2)을 순차적으로 구동시킨다. 여기서, 상기 각 게이트 라인(n, n+1, n+2)은 클럭신호(Clk)의 라이징 엣지(rising edge) 또는 폴링 엣지(falling dege)에서 순차적으로 고전압(Vhigh; 예컨대 100V)으로 구동된다.
이와 같이 동작하는 종래의 게이트 구동회로의 출력단에서의 소모전력(Pconv)을 계산하여 보면 다음의 식 1과 같다.
<식 1>
Pconv= N·f·CLoad·Vhigh 2
(여기서, 상기 N은 FED패널의 게이트 라인의 수, f는 프레임 주파수, CLoad는 1개의 게이트 라인의 캐패시턴스, Vhigh는 출력단의 전압스윙(swing) 폭을 나타낸다.)
상기 식 1에서 출력단의 전압스윙 폭(Vhigh)을 100V로 놓고 계산하면 소모전력(Pconv)은 다음의 식 2와 같이 된다.
<식 2>
Pconv= 10000·N·f·CLoad
상기 식 2로부터 알 수 있듯이, 종래의 게이트 구동회로에 있어서는 출력단의 출력전압이 0V에서 VH(예컨대, 100V)까지 풀 스윙(full swing)하기 때문에 전력소모가 클 뿐만 아니라 그로 인해 게이트 구동회로를 집적회로화할 때 전력소모가 큼에 따라 고열이 발생되어 집적회로의 용량이 감소되는 문제와 고전압 소자의 신뢰성이 저하되는 문제 및 전압에 의한 고전압 소자의 신뢰성이 저하되는 문제가 발생된다.
따라서 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 전계 방출 표시기의 게이트 라인에 축적되어 있는 전하를 재활용하여 전원에 의한 구동전압스윙폭을 감소시켜 전력소모 감소 및 고전압 소자의 신뢰성 향상과 게이트 구동회로의 고집적화를 도모하도록 된 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로는, 콘트롤러로부터 제공되는 게이트 라인 선택용 제어신호에 따라 해당 게이트 라인을 충전시키는 복수의 출력단과, 상호 인접한 게이트 라인 사이에 결선되어 스위칭제어신호에 의해 스위칭동작하는 고압 스위칭수단과, 상기 게이트 라인 선택용 제어신호와 콘트롤러로부터 제공되는 일정주기의 전하 리사이클링신호를 입력받아 현재 구동되는 게이트 라인에서 후속하는 게이트 라인으로의 전하이동을 제어하는 복수의 논리연산수단과, 그 복수의 논리연산수단에 일대일로 연결됨과 더불어 상기 고압 스위칭수단에 연결되어 각각의 논리연산수단으로부터의 신호에 따라 해당 고압 스위칭수단을 스위칭제어하는 복수의 고압소자 제어수단을 구비한다.
도 1은 일반적인 전계 방출 소자의 구조를 개략적으로 도시한 도면,
도 2는 일반적인 전계 방출 표시기의 전류-전압 특성을 나타낸 도면,
도 3은 일반적인 전계 방출 표시기의 패널 구동동작을 설명하기 위한 블럭도,
도 4는 일반적인 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로의 고전압 출력단 도면,
도 5는 도 4에 도시된 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로의 타이밍도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로도,
도 7은 도 6에 도시된 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로에 대한 타이밍도,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 게이트 라인의 전압변화를 상세히 나타낸 파형도,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 캐소드 전극 12 : 캐소드
14 : 게이트 16 : 형광막
18 : 양극판 20 : 패널
22 : 제어수단 24 : 게이트 드라이버
26 : 데이터 드라이버 28, 30 : 출력단
32, 36 : 논리연산수단 34, 38 : 고압소자 제어기
24a : 고압 PMOS소자 제어기
이하, 본 발명의 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로도로서, 출력단(28)은 게이트 라인(n)에 연결되어 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "L"일 때 쉬프트 레지스터(도시 생략)로부터 제공되는 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Control(n))에 의해 해당 게이트 라인(n)을 소정의 전압(Vhigh또는 0V)으로 충전시키고, 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "H"일 때 하이 임피던스 상태를 갖는다.
출력단(30)은 게이트 라인(n+1)에 연결되어 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "L"일 때 쉬프트 레지스터(도시 생략)로부터 제공되는 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Control(n+1))에 의해 해당 게이트 라인(n+1)을 소정의 전압(Vhigh또는 0V)으로 충전시키고, 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "H"일 때 하이 임피던스 상태를 갖는다.
상기 출력단(28, 30)은 통상적인 CMOS 인버터형태로 구현될 수 있으며, 종래의 게이트 드라이버와는 다르게 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "H"이면 고전압 PMOS와 NMOS가 오프되어 하이 임피던스 상태를 가지도록 설계할 수 있다.
논리연산수단(32)은 2입력 1출력의 낸드게이트(NAND gate)로 구성되고, 콘트롤러로부터 제공되는 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Control(n)) 및 일정주기의 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)를 입력받아 낸드처리함으로써, 게이트 라인(Gate_Line(n))에 축전되어 있는 전하의 약 50%를 후속하는 게이트 라인(Gate_Line(n+1))으로 미리 이동시키도록 하는 신호를 출력하게 된다.
고압소자 제어기(34)는 상기 논리연산수단(32)에서 출력되는 신호에 따라 상호 인접하는 게이트 라인 사이(즉, Gate_Line(n)과 Gate_Line(N+1))에 결선된 고압 스위칭소자(P1)를 스위칭제어한다.
논리연산수단(36)은 2입력 1출력의 낸드게이트로 구성되고, 콘트롤러로부터 제공되는 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Control(n+1)) 및 일정주기의 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)를 입력받아 낸드처리함으로써, 게이트 라인(Gate_Line(n+1))에 축전되어 있는 전하의 약 50%를 후속하는 게이트 라인(Gate_Line(n+2))으로 미리 이동시키도록 하는 신호를 출력하게 된다.
고압소자 제어기(38)는 상기 논리연산수단(36)에서 출력되는 신호에 따라 상호 인접하는 게이트 라인 사이(즉, Gate_Line(n+1)과 Gate_Line(N+2))에 결선된 고압 스위칭소자(P2)를 스위칭제어한다.
동 도면에서, 상기 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)는 각 게이트 라인(Gate_Line(n), Gate_Line(n+1), Gate_Line(n+2) ···)을 구동시킬 때 존재하는 블랭킹시간(수평블랭킹시간(Horizontal Blanking Time), 수직블랭킹시간(Vertical Blanking Time)) 또는 선택된 로오 라인(row line)이 바뀌기 전이나 바뀐 후에 "하이"레벨로 활성화된다.
그리고, 본 발명의 실시예에서 상기 고압 스위칭소자(P1, P2)는 고압 PMOS트랜지스터로 이루어졌는데, 고압 NMOS트랜지스터(도 9참조) 또는 아날로그 스위치 등의 소자로 구성될 수 있다.
이어, 상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로의 작용에 대해 도 7 및 도 8의 타이밍도를 기초로 설명하면 다음과 같다.
일단, 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Control(n, n+1, n+2, n+3 ··· ))가 콘트롤러(도시 생략)로부터 제공되는 클럭신호(Clock)의 각 라이징 엣지에서 라이징되어 후속 라이징 엣지에서 폴링되는 형태로 순차적으로 해당 출력단(28, 30 ···)으로 인가됨에 따라 각 게이트 라인(n, n+1, n+2, n+3 ···)은 고압의 전원(Vhigh)으로 구동된다.
다시 말해서, 예를 들어 게이트 라인(Gate_Line(n, n+1))을 구동시키는 경우에 있어서, 최초 클럭신호(Clock)의 한 주기동안 "하이"상태를 유지하는 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Line(n))가 출력단(28)에 인가됨에 따라 해당 게이트 라인(Gate_Line(n))만이 그 출력단(28)에 의해 고압의 전원(Vhigh)으로 충전된다. 이때, 후속 게이트 라인(Gate_Line(n+1))의 전위는 고압 스위칭소자(P2)가 "온"상태이므로 접지전위(예컨대, 0V)이다.
이와 같은 상태에서, 소정시간이 흐름에 따라 상기 게이트 라인(Gate_Line(n))을 구동시킬 때 존재하는 수평 또는 수직블랭킹시간이나 후속 클럭신호(Clock)가 라이징되기 바로 전후의 소정시간내에 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "하이"레벨로 되므로, 게이트 라인 출력단은 하이 임피던스(high-impedance) 상태이고, 논리연산수단(32)은 "로우"레벨의 신호를 고압소자 제어기(34)로 인가한다.
그 결과, 고압 스위칭소자(P1)가 그 고압소자 제어기(34)에 의해 턴온됨에 따라 상기 게이트 라인(Gate_Line(n))에 충전된 전하의 일부(약 50%)가 그 고압 스위칭소자(P1)를 매개로 후속으로 선택될 게이트 라인(Gate_Line(n+1))으로 이동하게 된다.
그에 따라, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 게이트 라인(Gate_Line(n))의 전압레벨은 "Vhigh"에서 "Vhigh/2"의 수준으로 감소하게 되고, 후속으로 선택될 게이트 라인(Gate_Line(n+1))의 전압레벨은 "0V"에서 "Vhigh/2"의 수준으로 상승하게 된다.
여기서, 전하의 이동량과 이로 인한 전압 스윙폭을 계산하면 다음의 식 3과 같다.
<식 3>
QTotal= CLoad·Vhigh
= 2CLoad·VCR
여기서, VCR= Vhigh/2 이므로 상기 식 3에서 알 수 있듯이, 전하량은 일정하므로 전압 스윙폭은 "Vhigh/2"이고, 전하가 이동하는 양은 "CLoad·Vhigh/2"이다.
따라서, 게이트 라인(n)이 선택되어 구동되고 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "하이"레벨을 유지하는 동안에 전하의 이동으로 인해서 도 8에 도시된 바와 같이 상기 게이트 라인(Gate_Line(n)) 및 후속으로 선택될 게이트 라인(Gate_Line(n+1))의 전위는 "Vhigh/2"을 유지하게 된다.
이후, 클럭신호(Clock)의 다음 라이징 엣지에서 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "로우"레벨로 됨과 더불어 후속 게이트 라인 선택용 제어신호(Gate_Line(n+1))가 "하이"레벨로 됨에 따라 게이트 라인(Gate_Line(n+1))은 이미 "Vhigh/2"만큼 충전되어 있었기 때문에 그 게이트 라인(Gate_Line(n+1))의 전압레벨은 출력단(30)에 의해 "Vhigh/2"에서 "Vhigh"로 상승하게 되고, 출력단(28)이 비활성화됨에 따라 상기 게이트 라인(Gate_Line(n))의 전압레벨은 "Vhigh/2"에서 "0V"로 하강하게 된다.
그리고 나서, 상기 게이트 라인(n+1)을 "Vhigh"로 충전하고 있는 상태에서 전하 리사이클링신호(Charge_Recycling)가 "하이"레벨로 되면 논리연산수단(36)에서의 "로우"레벨의 신호가 고압소자 제어기(38)를 통해 고압 스위칭소자(P2)로 인가되므로, 현재 선택구동되고 있는 게이트 라인(Gate_Line(n+1))에 충전된 전하의 일부(약 50%)가 그 고압 스위칭소자(P2)를 매개로 후속으로 선택될 게이트 라인(Gate_Line(n+2))으로 이동된다.
따라서, 이 경우 도 8에 도시된 바와 같이 상기 게이트 라인(Gate_Line(n+1))의 전압레벨은 "Vhigh"에서 "Vhigh/2"로 하강하게 되고, 후속의 게이트 라인(Gate_Line(n+2))의 전압레벨은 이동 전하량에 의해 "0V"에서 "Vhigh/2"로 상승하게 된다.
상술한 본 발명의 실시예에 의한 전력소모(PCR)를 계산하면 외부 전원에 의한 전압 상승이 "Vhigh/2"이므로 다음의 식 4와 같다.
<식 4>
PCR= (N·f·CLoad·Vhigh 2)/2
(여기서, 상기 N은 FED패널의 게이트 라인의 수, f는 프레임 주파수, CLoad는 1개의 게이트 라인 캐패시턴스, Vhigh는 출력단의 전압스윙(swing) 폭을 나타낸다.)
상기 식 4에서 "Vhigh"를 "100V"라 하면 상기 식 4는 다음의 식 5와 같게 된다.
<식 5>
PCR= 5000·N·f·CLoad
= PConv/2
(여기서, 상기 PConv는 상기 식 2에 나타낸 종래 방식에서의 소모전력이다.)
즉, 본 발명의 실시예에 따르면 상기 식 5로부터 알 수 있는 바와 같이 종래 구동방식에 비해 전력소모가 1/2로 감소하게 된다.
이상 설명한 바와 같은 본 발명에 의하면, 전원에 의한 출력전압의 스윙폭을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 그로 인해 전력소모를 감소시킬 수 있으며, 전원에 의한 출력전압의 스윙폭이 감소함으로 인해 출력단의 고전압 스위치의 크기가 감소하게 된다.
그리고, 전력소모가 감소하므로 구동회로의 발열량도 감소하여 열에 대한 소자의 신뢰성이 향상되고, 또한 발열량이 감소하므로 게이트 구동회로의 패키지가 보다 용이하게 된다.
더욱이 종래에 비해 고전압 소자의 크기 및 발열량을 감소시킬 수 있으므로 필요에 따라서는 한 개의 집적회로에 보다 많은 출력단을 집적시킬 수 있게 된다.
한편 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형, 부가할 수 있다.

Claims (7)

  1. 쉬프트 레지스터의 출력신호에 따라 해당 게이트 라인을 충전시키는 복수의 출력단과,
    상호 인접한 게이트 라인 사이에 결선되어 스위칭제어신호에 의해 스위칭동작하는 고압 스위칭수단과,
    쉬프트 레지스터 출력신호와 콘트롤러로부터 제공되는 일정주기의 전하 리사이클링신호를 입력받아 현재 구동되는 게이트 라인에서 후속하는 게이트 라인으로의 전하이동을 제어하는 복수의 논리연산수단과,
    상기 복수의 논리연산수단에 일대일로 연결됨과 더불어 상기 고압 스위칭수단에 연결되어 각각의 논리연산수단으로부터의 신호에 따라 해당 고압 스위칭수단을 스위칭제어하는 복수의 고압소자 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전하 리사이클링신호는 각 게이트 라인을 구동시킬 때 존재하는 블랭킹시간 또는 로오 라인이 바뀌기 전후에 "하이"레벨로 천이되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 블랭킹시간은 수평블랭킹시간 또는 수직블랭킹시간인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 현재 구동되는 게이트 라인에 후속하는 게이트 라인으로의 전하이동의 전압 스윙폭은 "Vhigh/2 "인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 논리연산수단은 낸드게이트인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 고압 스위칭수단은 고압 MOS소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 출력단은 전하 리사이클링신호가 하이레벨일 때 하이 임피던스 상태를 갖는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시기의 게이트 구동회로.
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