KR20000015789A - 평면형 라디에이터 - Google Patents

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KR20000015789A
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프랑크 폴콤머
로타르 힛취케
지몬 예레비크
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타실로 다우너 ; 랄프 프레준 ; 요아힘 베르너
파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하
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Abstract

본 발명은 방전관(14)의 벽상에 교번하여 배치된 유전적으로 지연된 스트립형 캐소드(12; 15)와 애노드(8, 9a)를 가진 평면형 광 에미터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 각각의 인접 캐소드(12; 12, 15) 사이에 추가의 애노드 파트너(9b)를 가진다 즉, 애노드쌍(9)이 각각 상기 캐소드(12; 12, 15) 사이에 배치된다. 캐소드(15)는 각각의 인접 애노드(8)와 마주하는 코모양 연장부(28)를 가진다. 상기 연장부는 광 에미터(13)의 에지부(26, 27)쪽으로 더 밀집하여 배치된다. 선택적으로 또는 추가적으로, 각각의 애노드쌍(9)의 양 애노드 스트립(9a, 9b)은 이들이 광 에미터(13)의 에지부(26, 27)쪽으로 가면서 각각의 애노드 파트너(9b 또는 9a)의 방향으로 한 면상에서 더 확장된다. 이러한 설계는 평면형 광 에미터(13)의 표면 시감 농도가 에지부(26, 27, 29, 30)에서도 실질적으로 일정하게 유지되도록 한다.

Description

평면형 라디에이터
DE-A 195 26 211에는 스트립형 전극이 방전관 외벽에 배치되는 평면형 라디에이터에 관해 개시되어 있다. 라디에이터는 펄스에 의해 상호 분리된 일련의 유효 전력 펄스의 도움으로 동작된다. 결과적으로, 평면이 델타형(Δ)인 즉, 전극이 배치된 평면에 직각인 다수의 개별 방전이 각각 인접한 전극 사이에서 발생된다. 이러한 개별 방전은 전극을 따라 상호 인접하여 정렬하고, 각각의 경우 (순시) 애노드 방향으로 확장된다. 양 단부에서 유전성 임피디드 방전의 전압 펄스의 교번하는 극성의 경우, 두 개의 델타형 구조가 시각적으로 겹쳐진다. 개별 방전 구조의 수는 특히, 인가된 전력에 의해 영향을 받을 수 있다.
일정 간격으로 배치된 스트립에 따라, 개별 방전-적절한 입력 전력이 인가된다는 가정하에서-은 라디에이터의 평면형 방전관의 내부에서 실질적으로 균일하게 분포된다. 하지만, 이러한 방법은 표면 시감 농도가 에지부에서 급격하게 강하된다는 단점을 가진다. 이러한 강하의 이유는 특히, 방전관 외부와 인접한 영역으로부터 에지부에서 방사에 기여하는 방사선이 도달하지 않기 때문이다.
추가의 단점은 개별 방전이 애노드와 두 개의 각각 직접 인접하는 캐소드중 하나와의 사이에서만 선택적으로 형성된다는 것이다. 명확하게, 개별 방전은 서로에 대해 무관하게 애노드 스트립의 양 측면에서 동시에 형성되지 않는다. 또한, 두 인접 캐소드의 양 측면에 의해 개별 방전이 각각 형성될 것이라고 예측되지 않는다. 대체로 평면형 라디에이터를 참조로 하면, 이는 불-균일 방전 구조를 야기하고, 그 결과 일시적이고 공간적으로 불-균일 표면 시감 농도를 야기하게 된다.
하지만, 이러한 라디에이터의 많은 응용에서는 균일 표면 시감 농도가 요구된다. 따라서, 예를 들면, LCD의 백라이팅은 15%를 초과하지 않는 변조 깊이를 가진 시각 균일도를 필요로 한다.
본 발명의 상기 기술들은 도면을 참조한 아래와 같은 상세한 설명을 고려하여 쉽게 이해될 수 있다.
본 발명은 청구항 1의 전제부에 따른 평면형 라디에이터에 관한 것이다. 또한 본 발명은 청구항 10의 전제부에 따른 상기 평면형 라디에이터와 전압 소스로 구성된 장치에 관한 것이다.
여기서 "평면형 라디에이터"는 평면적인 형상을 가지며 광 즉, 가시영역 전자기 방사선 또는 자외선(UV) 혹은 진공 자외선(Vacuum UV : VUV) 방사선을 방출하는 라디에이터를 의미한다.
방출된 방사선의 스펙트럼에 따라, 이러한 방사선 소스는 예를 들면, 가정용 및 사무용 조명과 같은 일반적인 조명 또는 보조 조명, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display : LCD)와 같은 디스플레이의 백그라운드 조명, 교통 신호와 암호 신호 또는 살균 혹은 광분해와 같은 UV 조사에 적합하다.
이하에서는 유전성 임피디드 방전(dielectrically impeded discharge)에 의해 동작되는 평면형 라디에이터에 관해 설명된다. 이러한 형태의 라디에이터에서, 하나의 극성을 가진 전극 또는 모든 전극 즉, 두 극성을 가진 전극들이 유전체층에 의해 방전으로부터 분리되고(일단부 또는 양단부에서 유전성 임피디드 방전), 이는 예를 들면, WO 94/23442 또는 EP 0 363 832에 개시되어 있다. 이러한 전극은 또한 이하에서 간략하게 "유전 전극"이라 한다.
도 1은 본 발명에 따른 제 1 실시예에 의해 전극의 모양을 결정하는 원리를 도시하는 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제 2 실시예에 의해 전극의 모양을 결정하는 원리를 도시하는 개략도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 평면형 라디에이터의 정면도를 부분적으로 절개하여 도시하는 개략도이다.
도 3b는 도 3a의 평면형 라디에이터의 측면을 도시하는 개략도이다.
본 발명의 목적은 청구항 1의 전제부에 따른 스트립형 전극을 가지며 실질적으로 에지부까지 균일한 표면 시감 농도를 가진 평면형 라디에이터를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 청구항 1의 특징부에 의해 구현된다. 특히 바람직한 실시예는 종속항에 의해 실현된다.
여기서 간단하게 "스트립형 전극" 또는 '전극 스트립"이라 불리는 용어는 길이에 비해 매우 얇고 전극과 같은 역할을 할 수 있는 가늘고 긴 구조물을 지칭한다. 이러한 구조물의 에지부는 이 경우에는 반드시 서로에 대해 평행할 필요는 없다. 특히, 스트립의 종방향 측면을 따라 형성된 하부 구조물 또한 포함할 수 있다. 게다가, 스트립은 또한 예를 들면, 지그재그 패턴 또는 구형파 패턴을 가질 수 있다.
본 발명은 전형적으로 평면형 라디에이터에 대해 중간부에서 에지부로의 시감 농도 강하를 조정하도록 구성된 전극 구조물을 사용하는 것을 기본으로 한다. 전극 구조물은 이러한 목적을 위해 평면형 라디에이터의 에지부쪽으로 전력 밀도가 증가하도록 구성된다.
제 1 실시예에서, 스트립형 전극은 방전관의 공통벽상에서 상호 인접하여 배치된다(제 I 형). 이는 동작시 실질적으로 평면형 방전 구조를 형성한다. 이에 따른 장점은 반대쪽 벽상의 전극으로 인한 그림자가 방지된다는 것이다. 종래 기술에서 사용된 바와 같은 단일 애노드 스트립 대신에 두 개의 서로 평행한 애노드 스트립 즉, 애노드쌍이 각각 캐소드 스트립 사이에 배치된다. 이에 의한 결과는 각각의 경우 두 인접 캐소드 스트립중 하나의 개별 방전만이 이들 사이에 배치된 개별 애노드 스트립의 방향으로 발생된다는 도입부에서 개략적으로 인용된 종래 기술에서의 문제점이 제거된다.
제 I 형 평면형 라디에이터를 위한 전극 구조를 가진 이하의 본 발명의 제 1 실시예는 도 1의 개략도에 도시된다. 상세한 이해를 돕기 위해, 전극 영역의 일부만이 도시된다. 실현하고자 하는 목표는 동작시 개별 방전이 방전관의 다른 부분에서 보다 평면형 라디에이터의 에지부(1, 2, 3) 방향에서 공간적으로 더 밀집하도록 구성하는 것이다. 이러한 목적을 위하여, 캐소드 스트립(4)은 개별 방전을 위해 공간적으로 바람직한 루트 포인트(root point)를 가지도록 하는 특정 형상을 가진다. 이러한 바람직한 루트 포인트는 각각의 인접 애노드(5)와 마주하는 코모양 연장부(6)에 의해 실현된다. 이들의 영향은 국부적으로 제한된 전계 강화를 야기하고, 그 결과 델타형 개별 방전이 이러한 포인트에서만 점화된다. 연장부(6)는 캐소드(4, 4')의 좁은 측면 방향으로 즉, 전극 스트립(4, 5)에 대해 수직으로 향하는 에지부(1, 3) 방향으로 더욱 밀집되어 배치된다. 전형적으로, 에지부(1, 3)에서의 연장부(6) 사이의 상호 이격 거리는 중심부에서의 1/2이다. 평면형 라디에이터의 코너 포인트의 직접 인접부에서, 연장부(6) 사이의 이격 거리는 최종적으로 대략 1/3으로 감소된다. 개별 애노드 스트립(5')은 각각 전극 스트립(4, 5)에 평행으로 향하는 에지부(2)의 직접 인접부내에 바람직하게 배치된다(평면형 라디에이터의 반대편쪽 제 2 에지부는 도 1에서는 상세히 도시되지 않는다). 결과적으로, 동작시 이러한 개별 애노드 스트립(5')을 따라 정렬된 델타형 개별 방전의 하부면은 각각이 상응하는 에지부(2)의 직접 인접부내에 위치한다. 결과적으로, 시감 농도 강하 이러한 에지부(2)의 인접부까지도 비교적 경미하다. 게다가, 지지력을 제공하기 위해, 두 개별 애노드 스트립(5')과 마주하는 직접 인접 캐소드 스트립(4')의 연장부(8)가 캐소드 스트립(4)의 다른 부분에서다 전체적으로 더 밀집되어 배치된 것이 추가적으로 가능하다. 하지만, 평균 전력 밀도는 최대 실현 가능 전력 밀도보다 낮다. 결과적으로, 이러한 방법으로 전체 평면형 라디에이터를 통해 평균적으로 최대 시감 농도를 얻는 것은 불가능하다.
제 I 형의 평면형 라디에이터를 위한 전극 구조물을 실현시키기 위한 두 번째 원리는 에지부에 더욱 인접하게 배치되어 개별 방전의 시감 밀도를 증가시키는 것을 목적으로 한다. 이는 각각의 애노드쌍(9)의 두 개의 애노드 스트립(9a, 9b)이 평면형 라디에이터에 수직으로 향하는 에지부(10, 11) 방향으로 확장된다는 점에 의해 구현된다(도 2에 도시된 부분 개략도와 비교). 확장된 값은 평면형 라디에이터의 에지부 영역에 대해 대략 2 배이고 코너 영역에 대해 대략 세 배에 이른다.
제 1 변형에서, 애노드 스트립은 각각의 애노드 파트너 스트립(9a, 9b) 방향으로 자신의 종방향 축에 대해 비대칭적으로 확장된다. 이러한 방법으로 인해, 인접 캐소드(12)로부터의 각각의 이격 거리 d는 애노드 스트립(9a, 9b)이 확장됨에도 불구하고 전체적으로 일정하게 유지된다. 결과적으로, 동작시 모든 개별 방전(도시 안됨)을 위한 점화 조건 또한 전극 스트립(9, 12)을 따라 동일하다. 이에 의해, 개별 방전이 (적절한 입력 전력이 인가된다는 가정하에서) 전극의 길이 방향을 따라 정렬하는 방식으로 형성된다.
제 2 변형(도시 안됨)에서, 애노드 스트립은 각각의 인접 캐소드의 방향으로 확장된다. 하지만, 각각의 경우 확장부는 비교적 적게 형성된다. 이는 방전이 애노드 스트립의 최대 폭의 포인트 즉, 이 경우 가장 짧은 가격(striking) 거리의 포인트에서만 형성되는 것을 방지한다. 확장부는 가격 거리보다 현저하게 짧고, 이는 전형적으로 대략 가격 거리의 1/10이다. 게다가, 두 확장되는 변형은 조합될 수도 있다 즉, 확장부가 각각의 애노드 파트너 스트립의 방향으로 및 인접 캐소드 방향으로 형성된다.
전류 밀도의 증가와 이에 따른 개별 방전의 시감 농도의 증가는 확장부를 따라 얻어지고, 그 결과 시감 농도 분포를 에지부(10, 11)까지 효율적으로 조정하는 것이 가능하다. 하지만, 에지부 영역내의 시감 농도의 증가 때문에 평면형 라디에이터의 중간 영역내에서의 최대 시감 농도를 실현하는 것이 더 이상 가능하지 않다. 하지만, 제 1 방법과 비교할 때-적절한 입력 전력이 인가된다는 가정하에서- 방전관내 어느 곳에서도 최대 공간 밀도를 얻을 수 있다는 장점 즉, 이 경우 개별 방전은 서로에 대해 실질적으로 직접적으로 인접한다는 장점을 가진다.
더욱이, 특정 전극 모양을 위한 두 원리는 서로 조합될 수도 있다(도 3a와 비교).
애노드 확장의 경우, 캐소드는 도 2의 예를 통해 알 수 있듯이 반드시 연장부를 가져야 하는 것은 아니다. 오히려, 확장된 애노드 스트립의 경우 캐소드는 간단한 평행 스트립으로 설계될 수도 있다.
에지부에서 표면 시감 농도의 강하를 최소화하기 위하여, 연장부 및/또는 애노드 확장부의 밀집한 패킹의 실험적인 최적화가 각각의 경우에 실체적으로 요구된다.
추가의 실시예에서, 애노드 스트립과 캐소드 스트립이 방전관의 상호 반향하는 벽사이에 배치된다(제 II 형). 동작시, 방전은 한쪽 벽의 전극으로부터 방전관을 통해 다른 쪽 벽의 전극으로 발생된다. 이러한 구성에서, 전극에 대해 단면으로 도시된 바와 같이, 캐소드 스트립과 애노드 스트립의 가상 결합 각각이 "V자형"을 이루도록 각각이 캐소드 스트립은 두 애노드 스트립에 할당된다. 이에 의한 결과는 가격 거리가 두 벽 사이의 이격 거리보다 커진다는 것이다. 도시된 바와 같이, 애노드와 캐소드가 교대하면서 인접하게 오로지 하나의 공통 벽상에 배치될 때 보다 더 높은 UV 수율을 얻기 위하여 이러한 구성을 사용하는 것이 가능하다. 현재까지 알려진 바에 의하면, 이러한 긍정적인 효과는 감소된 벽 손실에 기인한다. 이중 애노드 스트립은 바람직하게는 상부 플레이트상에 배치되고, 이는 주로 광을 커플링 아웃시키는 역할을 하고, 캐소드 스트립은 평면형 라디에이터의 하부 플레이트상에 배치된다. 이러한 구성으로부터 얻어지는 장점은 애노드 스트립이 캐소드 스트립보다 더 좁게 고안되기 때문에, 상부 플레이트로부터 방출된 사용 가능한 광이 더 적게 셰이딩(shading)되는 것이다. 에지부에서의 가능한 한 적은 시감 농도 강하를 위하여, 제 I 형 평면형 라디에이터의 경우에서와 같이, 캐소드 스트립은 자신의 더 좁은 측면으로 더 밀집하여 증가적으로 배치되는 연장부를 가진다. 추가적으로 또는 선택적으로, 제 I 형 평면형 라디에이터의 경우에서 설명된 바와 같이, 평면형 램프의 에지부쪽으로 애노드 스트립의 확장 또한 바람직하다.
본 발명은 이하의 실시예를 통해 상세히 설명될 것이다.
도 3a와 도 3b는 동작시 백색광을 방출하는 평면형 형광 램프 즉, 평면형 라디에이터의 평면도와 측면도[sic]를 개략적으로 도시한다. 이러한 평면형 라디에이터는 일반적인 조명 또는 예를 들면, LCD(액정 디스플레이)와 같은 디스플레이의 백그라운드 조명에 적합하다. 도 1과 도 2의 엘리먼트와 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호가 주어진다.
평면형 라디에이터(13)는 직사각 베이스면을 가진 평면형 방전관(14), 4개의 스트립형 금속 캐소드(12, 15)(-) 및 3개는 가늘고 긴 이중 전극(9)을 2개는 개별 스트립형 애노드(8)인 유전적으로 지연된 애노드(+)를 포함한다. 방전관(14)은 하부 플레이트(18), 상부 플레이트(19) 및 프레임(9)으로 구성된다. 하부 플레이트(18)와 상부 플레이트(19)는 방전관(14)의 내부(22)가 입방형 구성을 갖도록 유리 땜납(21)에 의해 기밀 방식으로 프레임(20)에 결합된다. 하부 플레이트(18)는 상부 플레이트보다 더 커서 방전관(14)이 프리-스탠딩(free-standing) 둘레 에지부를 가지도록 한다. 상부 플레이트(19)의 내벽은 형광 재료 혼합물로 코팅되고(도면으로는 알 수 없음), 이는 방전에 의해 발생된 UV/VUV 방사선을 가시광선으로 변환한다. 제 1 변형(도시 안됨)에서, 상부 플레이트의 내벽에 추가하여, 하부 플레이트와 프레임의 내벽 또한 형광 재료 혼합물로 코팅된다. 게다가, 각각 Al2O3과 TiO2로 구성된 하나의 광-반사층이 하부 플레이트에 제공된다.
상부 플레이트(19)내의 절개된 부분은 단순히 예시를 위한 것이고, 애노드(8, 9)와 캐소드(12, 15)의 일부를 도시한다. 애노드(8, 9)와 캐소드(12, 15)는 하부 플레이트(18)의 내벽상에 교대하여 평행으로 배치된다. 애노드(8, 9)와 캐소드(12, 15)는 각각의 경우 자신의 에지부중 하나에서 확장되고 양 측면에서 방전관(14)의 내부(22)로부터 하부 플레이트(18)상의 외부로 이끌려 해당 애노드 또는 캐소드가 하부 플레이트(18)의 상호 마주하는 측면상에 배치되도록 한다. 하부 플레이트(18)의 에지부에서, 전극 스트립(8, 9, 12, 15)은 각각 캐소드-면(23) 또는 애노드-면(24) 버스형 도전체 트랙에 결합한다. 2개의 도전체 트랙(23, 24)은 전기 전압 소스와의 접속을 위한 접촉부를 가진다(도시 안됨). 방전관(14)의 내부(22)에서, 애노드(8, 9)는 유리층(도 1과 도 2를 참조)에 의해 완전히 덮이고, 이 층의 두께는 대략 250㎛이다.
이중 애노드(9)는 도 2에서 상세히 도시된 바와 같이, 각각 2개의 상호 평행 스트립을 가진다. 이들에 대해 수직으로 위치하는 에지부(26, 27) 방향에서, 각각의 애노드쌍(9)의 두 애노드 스트립(9a, 9b)은 에지부에서 각각의 애노드쌍(9a 또는 9b)의 방향으로 확장된다. 애노드 스트립(9a, 9b)은 가장 좁은 부분에서 대략 0.5mm, 가장 넓은 부분에서 1mm의 폭을 가진다. 각각의 애노드쌍(9)의 두 스트립의 상호 최대 이격 거리 g최대(도 2와 비교)는 대략 4mm이고, 최소 이격 거리 g최소는 대략 3mm이다. 두 개별 애노드 스트립(8)은 각각 전극 스트립(8, 9, 12, 15)에 평행한 평면 라디에이터(13)의 두 에지부(29, 30)의 직접 인접부내에 배치된다.
캐소드 스트립(12, 15)은 각각의 인접하는 애노드(8, 9)와 마주하는 코모양 연장부(28)를 가진다. 이들에 의한 결과로서, 전기장이 국부적으로 제한되어 밀집되고 따라서 델타형 개별 방전(도 3a와 도 3b에는 도시되지 않았지만 도 1과 비교)은 이러한 위치에서만 점화된다. 전극 스트립(8, 9, 12, 15)에 평행한 평면형 라디에이터(14)의 에지부(29, 30)의 직접 인접부인 두 캐소드(15)의 연장부(28)는 캐소드(15)의 좁은 면 방향으로 상기 에지부(29, 30)와 마주하면서 각각의 종방향 면을 따라 더 밀집하여 배치된다. 연장부(28)와 각각의 직접 인접하는 애노드 스트립 사이의 이격 거리(도 2와 비교)는 대략 6mm이다.
피드스루와 공급 리드(23, 24)를 포함하는 전극(8, 9, 12, 15)은 도전 트랙과 같은 정합 캐소드-면 또는 애노드-면 구조를 가지고 구성된다. 이러한 구조물은 실크스크린 인쇄 기술에 의해 하부 플레이트(18)에 직접 제공된다.
10kPa의 충진 압력을 가진 가스 충진제가 평면형 라디에이터(13)의 내부(22)에 위치한다.
제 1 변형(도시 안됨)은 애노드뿐만 아니라 캐소드 또한 유전체층에 의해 방전관의 내부로부터 분리된다(양 단부에서 유전성 임피디드 방전)는 점이 도 3a와 도 3b에 도시된 평면형 라디에이터와는 다르다.
완전한 시스템에서, 평면형 라디에이터(13)의 애노드(8, 9)와 캐소드(12, 15)는 각각 접촉부(23, 24)를 통해 펄스 전압 소스(도 3a와 도 3b에는 도시 안됨)의 각각의 극에 접속된다. 동작시, 펄스 전압 소스는 펄스에 의해 상호 분리된 단극 전압 펄스를 공급한다. 이 경우, 다수의 개별 방전이 형성되고(도 3a와 도 3b에는 도시 안됨), 각각의 캐소드(12, 15)의 연장부(28)와 해당 직접 인접 애노드 스트립(8, 9) 사이에서 발생된다.
본 발명은 이상의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 추가의 다른 실시예 또한 가능하다.

Claims (10)

  1. 가스 충진제로 충진되어 봉입되거나 또는 개방되어 가스 충진제가 유입되며, 비-도전 재료로 구성되는 적어도 부분적으로 투과성을 가진 방전관(14); 및
    상기 방전관(14) 벽에 배치되는 스트립형 전극(8, 9, 12, 15)을 포함하며, 적어도 애노드(8, 9)가 유전체 재료(25)에 의해 상기 방전관(14)의 내부로부터 각각 분리되는 평면형 라디에이터(13)에 있어서,
    방전시 전력 밀도 분포에 영향을 미치기 위하여, 상기 스트립형 전극(8, 9, 12, 15)은 동작시 상기 평면형 라디에이터(13)의 표면 시감 농도가 자신의 에지부(26, 27, 29, 30)까지 일정하게 유지되도록 하는 특정 모양으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전극의 모양은 상기 캐소드(15)가 상기 인접 애노드(8)와 마주하는 코모양의 연장부(28)를 가지도록 구성되며, 상기 연장부(28)는 상기 캐소드(15)의 각각의 두 좁은 면 방향으로 공간적으로 증가하는 방식으로 더 밀집하여 배치되는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전극의 모양은 애노드 스트립(9a, 9b)이 상기 캐소드(15)의 각각의 두 좁은 면 방향으로 확장되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  4. 제 1 항에 있어서, 제 2 항 및 제 3 항의 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 스트립형 전극(8, 9, 12, 15)은 상기 방전관(14)의 공통 내벽상에 상호 인접하여 배치되고, 상기 두 애노드 스트립(9a, 9b), 즉 애노드쌍(9)은 인접 캐소드 스트립((12, 12) 또는 (12, 15)) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 전극의 모양은 상기 각각의 애노드쌍(9)의 상기 두 애노드 스트립(9a, 9b)이 상기 자신의 두 개의 좁은 면의 방향으로 확장되며 상기 각각의 파트너 스트립(9b 또는 9a)의 방향으로 자신의 종방향 축에 대해 비대칭적으로 확장되도록 이루어져, 상기 인접 캐소드(12, 15)로부터의 각각의 이격 거리(d)가 전체적으로 일정하고 상기 개별 방전의 시감 농도가 동작시 상기 에지부(26, 27)쪽으로 증가되는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 전극 스트립(9, 12, 15, 16)은 상기 방전관(14)의 내벽상에 배치되고, 적어도 상기 애노드 스트립(9, 16)은 유전체층(25)에 의해 완전히 덮이는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서, 피드스루와 공급 리드(23, 24)를 포함하는 상기 전극(8, 9, 12, 15)은 각각 도전체 트랙과 같이 연속하는 캐소드-면 또는 애노드-면 구조물의 기능적으로 다른 하부 영역으로서 구성되는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  9. 제 1 항에 있어서, 적어도 상기 방전관의 내벽의 일부는 형광 재료 또는 형광 재료 혼합물로 구성된 층을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 라디에이터.
  10. 평면형 라디에이터와 동작시 펄스에 의해 상호 분리된 전달 전압 펄스에 적합한 펄스 전압 소스를 포함하는 시스템에 있어서, 상기 평면형 라디에이터는 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항의 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 시스템.
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