KR20000014778A - 고체 전해콘덴서의 전해질층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고체 전해콘덴서에 관한 것으로, 특히 전해질층의 공극을 감소시켜 전해콘덴서의 낮은 ESR값을 실현하고 고주파 특성을 향상시키기 위하여 고체전해콘덴서의 제조공정중 탄탈이나 알루미늄 금속 표면에 산화피막을 형성하고, 그 위에 전해질층이 이산화망간층으로 형성된 것에 있어서, 상기 이산화망간층내에 존재하는 공극을 고리화합물 중에서 고리에 탄소이외의 원자(N,S,O)를 가진 고리화합물인 피롤(pyrrole), 티오펜(thiophene), 퓨란(furan) 용액을 채워넣은 후 건조시키고, 여기에 (NH4)2Cr2O7, FeCl3등의 산화제가 포함된 산성용액에 침적시킨 후 일정시간 경과하면 전도성 고분자로 산화중합되어 전도성을 가진 상태로 공극을 채워 공극이 제거되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 전해질층 형성방법을 제공한다.
Description
본 발명은 고체 전해콘덴서에 관한 것으로, 특히 전해질층의 공극을 감소시켜 전해콘덴서의 낮은 ESR(Equivalent Series Resistance)값을 실현하고 고주파 특성을 향상시킨 고체 전해콘덴서의 전해질층 형성방법에 관한 것이다.
일반적인 고체전해 콘덴서의 제조방법을 살펴보면, 먼저 탄탈분말이나 알루미늄 분말에 바인더 역할을 하는 용제를 혼합한 후 용제를 건조 제거시킨 다음 평량하여 원통형 또는 각형 펠릿에 양극 리드선을 삽입시켜 성형하고, 성형된 소자를 진공소결로에 장진후 진공중에서 고열로 가열하여 바인더 제거와 소결을 하며, 소결이 끝난 소자를 전해액속에 넣어서 직류전압을 인가하여 소자 표면에 산화피막을 생성하는 화성공정을 거치고, 상기 화성공정에서 생성된 산화피막의 표면에 전해질의 이산화망간층을 형성하는 소성공정을 거치게 된다.
이 소성공정을 좀더 자세히 살펴보면 소자의 기공내부에 있는 산화피막의 표면에 이산화망간층을 부착시키기 위하여 질산망간의 수용액중에 소자를 침적하여 함침시킨 후 가열 분해하여 이산화 망간층을 얻는다.
치밀한 이산화망간층을 얻기 위하여 이러한 침적과 소성을 수회 반복하지만 열분해(소성)시 산화피막이 손상되어 누설전류가 증가하므로 이 손상을 수복하기 위하여 재화성을 한다.
상기 이산화망간층 형성후의 소자에 대해서 외장까지의 필요한 카본도포, 은 페이스트(Ag Paste)도포, 리드용접을 한다. 카본 도포와 은 페이스트(Ag Paste) 도포는 음극단자와의 접속을 완전하게 할 목적으로 하는 것으로서 카본층은 소자를 콜로이달 카본(Colloidal Carbon)액 중에 침적시킨 후 건조도포를 하고, 다음에 소자를 은 페이스트액 중에 침적시킨 후 건조 도포를 한다.
그리고 Ag Paste 대용으로 납을 도금하는 경우도 있다. 다음에 +리드용접을 하고 -리드를 납땜 또는 은접착제를 사용하여 접착하여 외장까지의 제공정이 완료된다.
전술한 바와 같은 고체전해콘데서에 있어서, 소성공정에서 언급된 고체전해질로 사용된 이산화망간층은 재료자체의 전도도가 작고, 또한 이산화망간 전해질층의큰 공극에 기인한 표면접촉저항이 존재하므로 ESR 값이나 고주파특성이 좋지 못하다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 이산화망간 고체전해질층이 가지고 있는 공극(porosity)을 감소시켜 ESR 값을 낮추고 고주파 특성을 향상시키기 위한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 고체전해콘덴서의 제조공정중 탄탈이나 알루미늄 금속 표면에 산화피막을 형성하고, 그 위에 전해질층이 이산화망간층으로 형성된 것에 있어서, 상기 이산화망간층내에 존재하는 공극을 고리화합물 중에서 고리에 탄소이외의 원자(N,S,O)를 가진 고리화합물인 피롤(pyrrole), 티오펜(thio -phene), 퓨란(furan) 용액을 채워넣은 후 건조시키고, 여기에 (NH4)2Cr2O7, FeCl3등의 산화제가 포함된 산성용액에 침적시킨 후 일정시간 경과하면 전도성 고분자로 산화중합되어 전도성을 가진 상태로 공극을 채워 공극이 제거되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 전해질층 형성방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일실시예를 나타내는 확대 단면도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
12 : 밸브메탈 14 : 산화피막
16 : 이산화망간층 18 : 공극
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 탄탈분말이나 알루미늄 분말에 바인더 역할을 하는 용제를 혼합한 후 용제를 건조 제거시킨 다음 평량하여 원통형 또는 각형 펠릿에 양극 리드선을 삽입시켜 성형하고, 성형된 소자를 진공소결로에 장진후 진공중에서 고열로 가열하여 바인더 제거와 소결을 하며, 소결이 끝난 소자를 전해액속에 넣어서 직류전압을 인가하여 소자 표면에 산화피막을 생성하는 화성공정을 거치고, 화성공정에서 생성된 산화피막의 표면에 전해질의 이산화망간층을 형성하는데, 소자의 기공부에 있는 산화피막의 표면에 이산화망간층을 부착시키기 위하여 질산망간의 수용액중에 소자를 침적하여 함침시킨 후 가열분해하여 이산화망간층을 얻는다.
치밀한 이산화망간층을 얻기위하여 이러한 침적과 소성을 수회 반복하지만 열분해시 산화피막이 손상되어 누설전류가 증가하므로 이 손상을 수복하기 위해 화성을 다시 한 번 한다.
이러한 이산화망간층내에 도 1에 도시된 바와 같이 공극(18)이 존재하여 이산화망간층(16) 표면에 접촉저항이 증가하는데, 이 접촉저항을 제거하기 위하여 탄탈이나 알루미늄과 같은 밸브 메탈(valve metal)(12)에 형성된 이산화망간층(16)내의 공극(porosity)(18) 부분은 표 1에 나타낸 바와 같이 고리화합물 중에서 고리에 탄소이외의 원자(N,S,O)를 가진 헤테로 고리화합물인 피롤(pyrrole), 티오펜(thio- phene), 퓨란(furan) 용액을 채워넣은 후 건조시키고, (NH4)2Cr2O7, FeCl3등의 산화제가 포함된 산성용액에 침적시킨 후 일정시간 경과하면 전도성 고분자로 산화중합되어 전도성을 가지게 되어 결과적으로 공극이 전도성 고분자로 채워져 제거도게 된다.
이산화망간 전도성 고분자의 전해질층 형성후의 소자에 대해서 외장까지의 필요한 카본도포, 은 페이스트(Ag Paste)도포, 리드용접을 한다.
카본 도포와 은 페이스트 도포는 음극단자와의 접속을 완전하게 할 목적으로 하는 것으로서 카본층은 소자를 콜로이달 카본(Colloidal Carbon)액 중에 침적시킨 후 건조도포를 하고, 다음에 소자를 은 페이스트액 중에 침적시킨 후 건조 도포를 한다.
그리고 은 페이스트 대용으로 납을 도금하는 경우도 있다. 다음에 +리드용접을 하고 -리드를 납땜 또는 은접착제를 사용하여 접착하여 외장까지의 제공정이 완료된다.
전술한 바와 같은 본 발명의 효과는 기존에 치밀한 이산화망간층을 얻기 위하여 10회 이상 소성공정을 실시해야 하는데에 비하여 공정수을 수회로 감소시키고, 또한 고주파 영역에서 문제가 되는 이산화망간층 표면의 접촉저항은 이산화망간층의 공극에 크게 기인하는데, 이 부분을 전도성 고분자로 합성 가능한 모노머를 채워 넣은 후 산화제를 가하여 전도성 고분자로 산화중합시켜 공극을 제거함으로서 이산화 망간층의 포면저항/접촉저항을 줄이고 고주파 특성을 향상시킨다.
Claims (1)
- 고체전해콘덴서의 제조공정중 탄탈이나 알루미늄 금속 표면에 산화피막을 형성하고, 그 위에 전해질층이 이산화망간층으로 형성된 것에 있어서,상기 이산화망간층(16)내에 존재하는 공극(18)을 고리화합물 중에서 고리에 탄소이외의 원자(N,S,O)를 가진 헤테로 고리화합물인 피롤(pyrrole), 티오펜(thio- phene), 퓨란(furan) 용액을 채워넣은 후 건조시키고, 여기에 (NH4)2Cr2O7, FeCl3등의 산화제가 포함된 산성용액에 침적시킨 후 일정시간 경과하면 전도성 고분자로 산화중합되어 전도성을 가진 상태로 공극을 채워 공극이 제거되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해콘덴서의 전해질층 형성방법.
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| KR1019980034355A KR20000014778A (ko) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 고체 전해콘덴서의 전해질층 형성방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100861500B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2008-10-02 | 에스케이케미칼주식회사 | 고체 전해커패시터의 제조방법 |
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1998
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