KR20000014200U - 정전압 회로 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 과전압 제한 정전압회로를 사용하여 입력허용전압이 낮은DC-DC스위칭 레귤레이터를 사용할수 있게 하여 제품의 단가를 낮추워 경쟁력을 높일수 있도록 하는 것으로 상기 DC-DC스위칭 레귤레이터를 구비한 정전압회로에 있어서,입력단으로 부터 소정의 입력이 있더라도 공칭전압으로 제한하는 제너다이오드와,상기 제너다이오드의 공칭전압에 의해 온되어 입력 전압을 전달하는 트랜지스터와,상기 트랜지스터의 베이스와 콜렉터에 연결되어 바이어싱하는 저항으로 구성된다.
Description
본 고안은 정전압회로에 관한 것으로, 특히 설정전압 이상의 전압이 인가되면 DC-DC레귤레이터로 공급되는 전압을 일정한 레벨로 제한하는 정전압회로에 관한것이다.
도 1에 개시하고 있는 종래의 회로에서는 피이딩 전압으로 부터 DC-DC스위칭레귤레이터(100)에서 5V의 전원을 얻는데, 이때 입력 허용 전압이 높은 DC-DC스위칭레귤레이터(100)를 사용한다.그러나 이방법은 효율은 떨어 지지만 가격이 비싼 문제점이 있다.
따라서 본 고안의 목적은 과전압 제한 정전압회로를 사용하여 입력허용전압이 낮은 DC-DC스위칭 레귤레이터를 사용 할수 있게 하여 제품의 단가를 낮추워 경쟁력을 높일수 있는 회로를 제공함에 있다.
상기한 목적에 따라 본 고안은,상기 DC-DC스위칭 레귤레이터를 구비한 정전압회로에 있어서,입력단으로 부터 소정의 입력이 있더라도 공칭전압으로 제한하는 제너다이오드와,상기 제너다이오드의 공칭전압에 의해 온되어 입력 전압을 전달하는 트랜지스터와,상기 트랜지스터의 베이스와 콜렉터에 연결되어 바이어싱하는 저항으로 구성된다.
도 1은 종래의 정전압 회로도
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 회로도
이하 본 고안의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면들중 동일한 구성요소들은 가능한한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한 본 고안의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2은 본 고안의 실시예에 따른 회로도로써,
DC-DC스위칭 레귤레이터(100)를 구비한 정전압회로에 있어서,입력단(P1,P2)로 부터 소정의 입력이 있더라도 공칭전압으로 제한하는 제너다이오드(ZD1)와,상기 제너다이오드(ZD1)의 공칭전압에 의해 온되어 입력전압을 전달하는 트랜지스터(Q1)와,상기 트랜지스터(Q1)의 베이스와 콜렉터에 연결되어 바이어싱하는 저항(R2)으로 구성된다.
따라서 본 고안의 구체적 일 실시예를 도 2를 참조하여 상세히 설명하면,
통상적으로 디지털 키폰전화기의 전력단(P1,P2)에는 입력허용전압이 60V인 DC-DC레귤에이터(100)을 사용하여 5V의 출력을 얻었으나 본고안에서는 트랜지스터(Q1), 제너다이오드(ZD1) 및 저항(R2)으로 이루어진 정전압회로를 사용하여 DC-DC 레귤레이터(100)의 허용 입력전압을 제어다이오드(ZD1)의 공칭전압으로 낮 출 수 있다. 즉, 상기 제너다이오드(ZD1)를 통하는 저항을 통하여 필요한 제너전류를 공급 받는데, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터 전압은 제너다이오드(ZD1)의 공칭 전압보다 낮은 전압이 출력되도록 구성되어 있으므로 상기 제너다이오드(ZD1)의 공칭전압이상의 과전압은 공칭전압으로 제한하여 준다. 그러나 상기 제너다이오드(ZD1)의 입력전압이 공칭전압 이하일때는 제너다이오드(ZD1)는 오프상태이며, 이때 트랜지스터(Q1)는 턴온되고, 입력단(P1,P2)의 양단의 전압에서 트랜지스터(Q1)의 베이스-에미터간의 전압(Vbe)이 DC-DC 레귤레이터(100)로 공급된다. 상기 입력단(P1,P2)의 입력전압이 상기 제너다이오드(ZD1)의 공칭전압을 넘어서면 제너다이오드(ZD1)는 온되며, 트랜지스터(Q1)의 베이스에 제너다이오드(ZD1)의 공칭전압이 걸리고, 트랜지스터(Q1)는 온상태에서 DC-DC 레귤레이터(100)에는 공칭전압에서 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스-에미터간의 전압(Vbe)을 뺀 일정 전압만이 공급된다.
상술한 본 고안의 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 여러가지 변형이 본 고안의 범위에서 벗어나지 않고 실시할 수 있다. 따라서 본 고안의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 실용신안청구범위와 균등한 것에 의해 정해 져야 한다.
상술한 바와 같이 본 고안은 디지털 키폰 전화기의 전력단에서 효율이 나쁘고, 가격이 비싼 허용 전압이 높은 레귤레이터를 쓰는 대신에 앞단에 과전류 제한 정전압회로를 적용하여 허용입력 전압이 낮고, 가격이 싼 레귤레이터를 사용하여 휠씬 경제적인 회로를 구현하는 이점이 있다.
Claims (1)
- DC-DC스위칭 레귤레이터(100)를 구비한 정전압회로에 있어서,입력단(P1,P2)로 부터 소정의 입력이 있더라도 공칭전압으로 제한하는 제너다이오드(ZD1)와,상기 제너다이오드(ZD1)의 공칭전압에 의해 온되어 입력전압을 전달하는 트랜지스터(Q1)와,상기 트랜지스터(Q1)의 베이스와 콜렉터에 연결되어 바이어싱하는 저항(R2)으로 구성됨을 특징으로 하는 정전압회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019980027498U KR20000014200U (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 정전압 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019980027498U KR20000014200U (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 정전압 회로 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000014200U true KR20000014200U (ko) | 2000-07-25 |
Family
ID=69710842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019980027498U KR20000014200U (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 정전압 회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20000014200U (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030032594A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-04-26 | (주)노아벤쳐그룹 | 충격, 침하방지 빛반사 도로표지판 |
KR100415258B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2004-01-14 | 주식회사 만도 | 마이콤의 과전압 제거 장치 |
KR100491006B1 (ko) * | 2001-09-17 | 2005-05-24 | 주식회사 포스코 | 제너다이오드 및 트랜지스터를 이용한 정전압 회로 |
-
1998
- 1998-12-30 KR KR2019980027498U patent/KR20000014200U/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100415258B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2004-01-14 | 주식회사 만도 | 마이콤의 과전압 제거 장치 |
KR100491006B1 (ko) * | 2001-09-17 | 2005-05-24 | 주식회사 포스코 | 제너다이오드 및 트랜지스터를 이용한 정전압 회로 |
KR20030032594A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-04-26 | (주)노아벤쳐그룹 | 충격, 침하방지 빛반사 도로표지판 |
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