KR20000008068A - Crystallization method of amorphous layer using electric field and plasma - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: Crystallization method of amorphous layer using electric field and plasma is provided to increase a crystallization speed of a amorphous layer and to reduce a crystallization temperature. CONSTITUTION: The crystallization method of amorphous layer using the electric field and the plasma comprises the steps of: forming a amorphous layer on a substrate; applying a electric field on the amorphous under plasma crystallizing the amorphous; and annealing the amorphous. A metal induction crystallization method is introduced. The metal induction crystallization method reduce a crystallization temperature because crystallization is promoted by silicide formed between metal and silicon. Since electric field is applied at the both side of the amorphous, the crystallization speed of the amorphous is increased.

Description

전계와 플라즈마를 이용한 비정질 막의 결정화 방법Crystallization Method of Amorphous Membrane Using Electric Field and Plasma

본 발명은 전기장과 플라즈마를 이용하여 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 전기장하에서 플라즈마를 이용하여 비정질 실리콘의 결정화를 가속시키고 결정화 온도를 낮추는 데에 있다. 또한 플라즈마의 밀도 및 노출 시간을 조절하여 결정화된 실리콘 박막내의 금속오염을 피하고, 전기장을 가하여 짧은 시간내에 대면적의 유리기판에 금속유도화된 다결정실리콘을 형성하는데 있다.The present invention relates to polycrystalline silicon in which amorphous silicon is crystallized using an electric field and a plasma. An object of the present invention is to accelerate the crystallization of amorphous silicon and lower the crystallization temperature by using plasma under an electric field. In addition, metal density in the crystallized silicon thin film is avoided by controlling the density and exposure time of the plasma, and an electric field is applied to form metal-induced polycrystalline silicon on a large area glass substrate in a short time.

저온 다결정 실리콘은 형성온도가 낮아 제조단가가 낮고, 대면적화가 가능하며, 성능 면에서 고온 다결정 실리콘과 대등하다. 이러한 저온의 다결정 실리콘을 형성하는 방법으로는 고상 결정화방법(solid phase crystallization ; SPC), 레이저 결정화(laser crystallization)법 등이 있다. 레이저를 이용한 결정화 방법은 400 ℃ 이하의 저온결정화가 가능하고[Hiroyaki Kuriyama, et. al, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 4550 (1992)] 우수한 특성을 갖는 장점이 있으나, 결정화가 불균일하게 일어나고 고가의 장비와 낮은 생산성으로 인하여 대면적의 기판위에 다결정 실리콘을 제작하는 경우에 적합하지 않다. 또한 고상결정화 방법은 저가의 장비를 사용하여 균일한 결정질을 얻을 수 있으나, 높은 결정화온도와 장시간이라는 문제점으로 인하여 유리기판을 사용할 수 없고, 생산성이 낮다는 단점을 가지고 있다.Low temperature polycrystalline silicon has a low forming temperature, low manufacturing cost, large area, and comparable with high temperature polycrystalline silicon in terms of performance. Such low-temperature polycrystalline silicon may be formed by solid phase crystallization (SPC), laser crystallization, or the like. The crystallization method using a laser is capable of low temperature crystallization below 400 ° C. [Hiroyaki Kuriyama, et. al, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 4550 (1992)] has the advantage of excellent properties, but it is not suitable for the production of polycrystalline silicon on a large area substrate due to uneven crystallization and expensive equipment and low productivity. In addition, the solid phase crystallization method can obtain a uniform crystalline using low-cost equipment, but due to the problems of high crystallization temperature and long time, glass substrate can not be used, and has a disadvantage of low productivity.

낮은 온도에서 비정질 실리콘을 결정화시키는 새로운 방법으로 금속유도 결정화법이 있다[M. S. Haque, et. al, J. Appl. Phys. 79, 7529(1996)]. 금속유도 결정화 방법은 특정한 종류의 금속을 비정질 실리콘에 접촉하게 하여 비정질 실리콘의 결정화 온도를 낮추는 방법이다. 니켈에 의한 금속유도 결정화는 니켈 실리사이드의 마지막 상인 NiSi2가 결정화 핵[C. Hayzelden, et. al, J. Appl. Phys. 73, 8279 (1993)]으로 작용하여 결정화를 촉진한다. 실제로 NiSi2는 실리콘과 같은 구조를 갖으며, 격자상수는 5.406Å으로 실리콘의 5.430Å과 매우 비슷하여, 비정질 실리콘의 결정화 핵으로 작용하여 〈111〉 방향으로 결정화를 촉진한다[C. Hayzelden, et. al, Appl. Phys. Lett. 60, 225(1992)]. 비정질 실리콘의 결정화는 N2, O2플라즈마에 의해 결정화가 촉진된다. 이는 플라즈마에 의해 챔버내부의 금속원자들이 비정질 실리콘 박막 위에 증착되어 금속유도 결정화가 일어난다[Tanemasa. Asano, et. al, Jpn. J. Appl. Phys. Vol 36, pp. 1415-1419 (1997)]. 이러한 금속유도 결정화 방법은 어닐링 시간, 어닐링 온도, 금속의 양에 영향을 받는다. 일반적으로 금속의 양이 증가함에 따라 결정화 온도는 낮아진다.A new method of crystallizing amorphous silicon at low temperatures is metal induced crystallization [MS Haque, et. al, J. Appl. Phys. 79, 7529 (1996). Metal-induced crystallization is a method of bringing a specific type of metal into contact with amorphous silicon to lower the crystallization temperature of amorphous silicon. Metal-induced crystallization by nickel is the final phase of nickel silicide, NiSi 2 is the crystallization nucleus [C. Hayzelden, et. al, J. Appl. Phys. 73, 8279 (1993)] to promote crystallization. In fact, NiSi 2 has a silicon-like structure and its lattice constant is 5.406Å, very similar to that of 5.430Å of silicon, which acts as a crystallization nucleus of amorphous silicon to promote crystallization in the <111> direction [C. Hayzelden, et. al, Appl. Phys. Lett. 60, 225 (1992). Crystallization of amorphous silicon is promoted crystallization by N 2 , O 2 plasma. This is because metal atoms in the chamber are deposited on the amorphous silicon thin film by plasma to cause metal induced crystallization [Tanemasa. Asano, et. al, Jpn. J. Appl. Phys. Vol 36, pp. 1415-1419 (1997). This metal induction crystallization method is influenced by the annealing time, the annealing temperature and the amount of metal. In general, as the amount of metal increases, the crystallization temperature decreases.

금속유도 결정화는 저온 결정화라는 장점에도 불구하고, 결정화를 위해서는 500 ℃이상에서 20 시간 이상의 열처리 시간이 필요하다. 여전히 양산에 적용하기에는 결정화 온도가 높고, 많은 열처리 시간이 요구된다. 또한 금속의 양이 많아짐에 따라 금속유도 결정화 효과는 증가하지만 이에 따른 금속오염 문제도 점점 커지게 되어 결정화된 실리콘 박막내의 금속에 의한 오염으로 실리콘 박막 본래의 특성이 변화한다. 따라서 결정화를 위한 열처리 시간과 온도를 낮추고, 금속유도 결정화된 실리콘 박막내의 금속오염을 줄이는 것이 매우 중요하다.Despite the advantage of low temperature crystallization, metal-induced crystallization requires heat treatment time of 20 hours or more at 500 ° C or higher. Still, high temperature and high heat treatment time are required for mass production. In addition, as the amount of metal increases, the effect of metal induction crystallization increases, but the metal contamination problem increases accordingly, and the original characteristics of the silicon thin film are changed due to contamination by metal in the crystallized silicon thin film. Therefore, it is very important to lower the heat treatment time and temperature for crystallization and to reduce metal contamination in the metal-induced crystallized silicon thin film.

제 1 도는 본 발명에 의한 전기장과 플라즈마를 이용한 (a) 비정질 실리콘/절연막/기판, (b) 비정질 실리콘/플라즈마 노출/비정질 실리콘/절연막/기판. (c) 절연막/비정질실리콘/절연막/기판 구조의 단면도.1 shows (a) amorphous silicon / insulation film / substrate using electric field and plasma according to the present invention, and (b) amorphous silicon / plasma exposure / amorphous silicon / insulation film / substrate. (c) Sectional drawing of an insulation film / amorphous silicon / insulation film / substrate structure.

제 2 도는 본 발명의 실시 예에 따라서 제작된 다결정 실리콘/절연막/유리기판의 단면도.2 is a cross-sectional view of a polycrystalline silicon / insulating film / glass substrate fabricated in accordance with an embodiment of the present invention.

제 3 도는 본 발명의 실시 예에 의해 460 ℃에서 결정화된 다결정 실리콘 박막의 라만 스펙트럼.3 is a Raman spectrum of a polycrystalline silicon thin film crystallized at 460 ° C. by an embodiment of the present invention.

제 4 도는 본 발명의 실시 예에 의해 결정화된 다결정 실리콘 박막의 전기장의 세기에 따른 라만 스펙트럼.4 is a Raman spectrum of the electric field strength of a polycrystalline silicon thin film crystallized by an embodiment of the present invention.

제 5도는 본 발명의 실시 예에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막의 전기전도도.5 is an electrical conductivity of a polycrystalline silicon thin film produced according to an embodiment of the present invention.

제 6도는 본 발명의 실시 예에 의해 420 ℃에서 결정화된 다결정 실리콘 박막의 주사전자현미경 (SEM : Scanning Electron Microscopy)사진.6 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of a polycrystalline silicon thin film crystallized at 420 ° C. according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 명칭* Names of symbols for main parts of the drawings

11 : 유리 12 : 절연체11: glass 12: insulator

13 : 비정질 실리콘 14 : 플라즈마 노출13: amorphous silicon 14: plasma exposure

15 : 전극 23 : 다결정 실리콘15 electrode 23 polycrystalline silicon

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다결정 실리콘의 특징은 전기장과 플라즈마를 이용하여 박막의 결정화를 촉진시켜 낮은 온도에서 비정질 실리콘을 짧은 시간내에 결정화하는데 있다. 먼저, 석영이나 유리 또는 산화막 등의 절연기판상에 비정질 실리콘 반도체 층을 형성하고, 상기 반도체 층위에 RF 또는 DC 플라즈마를 노출시킨 후, 전기장을 가해주면서 비정질 실리콘 박막을 결정화한다.A feature of the polycrystalline silicon according to the present invention for achieving the above object is to promote the crystallization of the thin film using an electric field and plasma to crystallize the amorphous silicon in a short time at a low temperature. First, an amorphous silicon semiconductor layer is formed on an insulating substrate such as quartz, glass, or an oxide film, and an RF or DC plasma is exposed on the semiconductor layer, and the amorphous silicon thin film is crystallized while applying an electric field.

질소(N2) 혹은 헬륨(He) 가스를 사용하여 비정질 실리콘 반도체 층을 RF 또는 DC 플라즈마에 노출시킨 후 열처리하거나, RF 또는 DC 플라즈마에 노출시키며 열처리하여 결정화한 다결정 실리콘 반도체 층을 형성한다. 이때 RF 또는 DC 플라즈마 세기 및 노출시간을 조절하여, 박막내의 금속양을 조절하며, 결정화 속도를 빨리하기 위하여 DC 또는 AC 전압을 플라즈마 노출상태에서 가하거나, 플라즈마를 노출시킨후 플라즈마가 없는 상태에서 비정질 실리콘 양단에 가해준다. 비정질 실리콘 양단에 전기장을 가하기 위하여 비정질 실리콘 위에 금속을 증착하여 전극으로 사용하거나, 금속판과 같은 전도체를 비정질 실리콘 위에 두어 전극으로 사용한다. 플라즈마에 의해 특정 금속만이 비정질 실리콘 층 위에 증착되기 위하여, 챔버내부에 금속봉 또는 금속판을 통해 플라즈마를 생성시킨다. 이때 금속물질로는 Au, Ag, Al, Sb, In 등의 귀금속과 Ni, Mo, Pd, Co, Ti, Cu, Fe, Cr 등의 실리사이드를 형성하는 전이금속을 사용한다.Nitrogen (N 2 ) or helium (He) gas is used to expose the amorphous silicon semiconductor layer to RF or DC plasma and then heat-treated, or to heat-exposed to RF or DC plasma to form a crystallized polycrystalline silicon semiconductor layer. At this time, the RF or DC plasma intensity and exposure time are adjusted to control the amount of metal in the thin film, and to increase the crystallization rate, a DC or AC voltage is applied in the plasma exposure state, or the plasma is exposed and then amorphous in the absence of the plasma. Apply to both ends of silicon. In order to apply an electric field across the amorphous silicon, a metal is deposited on the amorphous silicon and used as an electrode, or a conductor such as a metal plate is placed on the amorphous silicon and used as an electrode. In order to deposit only a specific metal on the amorphous silicon layer by the plasma, a plasma is generated through a metal rod or a metal plate in the chamber. At this time, as the metal material, a transition metal for forming a silicide such as noble metals such as Au, Ag, Al, Sb, In, and Ni, Mo, Pd, Co, Ti, Cu, Fe, Cr, etc. is used.

[실시예]EXAMPLE

제 1도는 본 발명에 의한 플라즈마를 이용한 비정질 실리콘과 플라즈마 노출 층의 단면도이다. 비정질 실리콘과 플라즈마 노출 순서에 따라 (a) 플라즈마 노출/비정질 실리콘, (b) 비정질 실리콘/플라즈마 노출/비정질 실리콘, (c) 플라즈마 노출/절연막/비정질 실리콘 각각을 유리기판위 절연막에 증착하였다.1 is a cross-sectional view of an amorphous silicon and plasma exposure layer using plasma according to the present invention. According to the amorphous silicon and the plasma exposure order, (a) plasma exposure / amorphous silicon, (b) amorphous silicon / plasma exposure / amorphous silicon, and (c) plasma exposure / insulation film / amorphous silicon were deposited on the insulating film on the glass substrate.

제 2도는 본 발명의 실시 예에 따라 제작한 다결정 실리콘/유리기판의 단면도이다. 제 1도 (a), (b), (c)구조에서 각각의 비정질 실리콘은 플라즈마와 전기장에 의하여 다결정화된다.2 is a cross-sectional view of a polycrystalline silicon / glass substrate manufactured according to an embodiment of the present invention. In the structures of Fig. 1 (a), (b) and (c), each of the amorphous silicon is polycrystalline by plasma and electric field.

제 3도는 본 발명의 실시 예에 따라 460 ℃에서 결정화된 다결정 실리콘의 라만 스펙트럼이다. 이때 비정질 실리콘 양단에 1OO V/㎝ 의 전기장을 가하고, 플라즈마는 RF 플라즈마를 사용하였으며, 플라즈마 전력은 20 W, 여기 가스로는 질소를 사용하였다. 결정질에 의한 라만피크는 ∼520 ㎝-1부근의 TO(transverse optical) 포논 모드(phonon mode)에 의한 날카로운 피크와 ∼500 ㎝-1부근의 미세 결정입자에 의한 넓은 피크가 나타나고 있다. 결정화도는 92.7 %, 반치폭은 8.65 ㎝-1이다.3 is a Raman spectrum of polycrystalline silicon crystallized at 460 ° C. according to an embodiment of the present invention. At this time, an electric field of 100 V / cm was applied to both ends of the amorphous silicon, the plasma was RF plasma, the plasma power was 20 W, and nitrogen was used as the excitation gas. Raman peaks due to crystalline show sharp peaks by TO (transverse optical) phonon mode around ˜520 cm −1 and wide peaks by fine crystal grains around ˜500 cm −1 . The crystallinity is 92.7% and the half width is 8.65 cm -1 .

제 4도는 본 발명의 실시 예에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막의 전기장의 세기에 따른 라만세기를 나타낸다. 이때 플라즈마 노출 시간은 5분이며, 플라즈마에 의한 박막내의 열전도를 막기 위하여 모든 비정질 실리콘 박막은 100 ℃ 에서 플라즈마 노출을 행하였으며, 그후 플라즈마가 없는 상태에서 교류전원을 이용하여 각각 20 V/㎝, 0 V/㎝ 의 전기장을 비정질 실리콘 양단에 가해주면서 500 ℃에서 20분간 열처리하였다. 양쪽 모두 결정질에 의한 라만피크는 ∼520 ㎝-1부근의 TO(transverse optical) 포논 모드(phonon mode)에 의한 날카로운 피크와 ∼500 ㎝-1부근의 미세 결정입자에 의한 넓은 피크가 나타나고 있다. 비정질 실리콘 양단에 20 V/㎝의 전기장을 가해준 경우, 전기장의 없는 경우보다 라만세기가 증가한다.4 shows Raman strength according to the electric field strength of the polycrystalline silicon thin film manufactured by the embodiment of the present invention. At this time, the plasma exposure time was 5 minutes, and all amorphous silicon thin films were subjected to plasma exposure at 100 ° C. in order to prevent thermal conduction in the thin film by plasma, and then 20 V / cm and 0, respectively, using AC power in the absence of plasma. Heat treatment was performed at 500 ° C. for 20 minutes while applying an electric field of V / cm to both ends of the amorphous silicon. In both cases, the crystalline Raman peak has a sharp peak due to a transverse optical (TO) phonon mode near ˜520 cm −1 and a wide peak due to fine crystal grains around ˜500 cm −1 . When a 20 V / cm electric field is applied across the amorphous silicon, Raman strength is increased than without the electric field.

제 5도는 본 발명의 실시 예에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막의 전기전도도 특성이다. RF 전력 20 W 로 5분 플라즈마 노출후, 실리콘 양단에 20 V/㎝의 전기장을 가해주면서 500 ℃ 10분간 결정화 하였다. 결정화된 다결정 실리콘 박막의 전기전도도 활성화 에너지는 각각 0.62 eV이며, 결정화 후 암전기전도도는 10-6S/㎝ 이다. 호핑(hopping) 전도는 나타나고 있지 않으며, ELA(eximer laser annealing) poly-Si 과 같은 활성화된 형태(activated form)를 나타낸다.5 is an electrical conductivity characteristic of the polycrystalline silicon thin film manufactured by the embodiment of the present invention. After 5 minutes plasma exposure at 20 W of RF power, crystallization was performed at 500 ° C. for 10 minutes while applying an electric field of 20 V / cm at both ends of the silicon. The electrical conductivity activation energy of the crystallized polycrystalline silicon thin film is 0.62 eV, respectively, and the dark electrical conductivity after crystallization is 10 −6 S / cm. No hopping conduction is shown, indicating an activated form such as excimer laser annealing (ELA) poly-Si.

제 6도는 발명의 실시 예에 의해 결정화된 다결정 실리콘 박막의 주사전자현미경(SEM : Scanning Electron Microscopy)사진이다. 100 V/㎝의 직류 전기장을 가하며 결정화하였으며, 열처리 온도와 시간은 420 ℃, 30분이다. 비정질 실리콘과 결정질 실리콘 간의 명암차를 뚜렷하게 주기 위하여 Secco etching을 하여 비정질 상을 선택 식각 후 관찰하였다. 밝게 보이는 영역이 결정질 영역이며, 침상모양의 막대들로 네트워크를 이루면서 결정 영역이 넓어지고 있다. 검게 보이는 아직 결정화되지 않은 비정질 영역이 보이며, 남아있는 비정질은 열처리시간이 늘어남에 따라 전 영역이 결정화 되었다.6 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of a polycrystalline silicon thin film crystallized by an embodiment of the present invention. The crystallization was carried out by applying a direct current electric field of 100 V / ㎝, the heat treatment temperature and time is 420 ℃, 30 minutes. In order to provide a clear contrast between amorphous silicon and crystalline silicon, the amorphous phase was observed after selective etching by Secco etching. The brightly visible area is the crystalline area, and the crystal area is widening as a network of needle-shaped bars. An amorphous region that is not yet crystallized appears black, and the remaining amorphous crystallized the entire region as the heat treatment time increased.

본 발명의 결과, 300∼1,000℃ 정도의 온도에서 비정질 실리콘을 결정화하였으며, 50분 이내의 짧은 열처리시간 동안에 박막전체가 완전히 결정화가 되었으며, 플라즈마 노출 시간에 따라 박막내의 금속양을 조절하여 결정화된 박막내의 금속오염을 현저하게 줄일 수 있다.As a result of the present invention, amorphous silicon was crystallized at a temperature of about 300 to 1,000 ° C., and the entire thin film was completely crystallized within a short heat treatment time of less than 50 minutes. Metal contamination in the inside can be significantly reduced.

본 발명의 결과는 액정표시장치(Liquid Crystal Display)의 구동소자인 박막트랜지스터의 제작에 응용될 수 있다. 또한 SRAM, 태양전지 등의 전자소자 제작에 응용될수 있다.The result of the present invention can be applied to the fabrication of a thin film transistor which is a driving element of a liquid crystal display. In addition, it can be applied to the production of electronic devices such as SRAM, solar cells.

Claims (19)

기판위에 형성된 비정질 막을 결정화 시키기 위하여 비정질 막이 플라즈마에 노출된 후에, 플라즈마가 노출된 비정질 막에 전계를 인가한 상태에서 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화시키는 방법.And after the amorphous film has been exposed to the plasma to crystallize the amorphous film formed on the substrate, annealing with an electric field applied to the amorphous film to which the plasma is exposed. 기판위에 형성된 비정질 막을 결정화 시키기 위하여 비정질 막에 플라즈마를 노출시키는 단계와 플라즈마에 노출된 비정질 막에 전계를 인가한 상태에서 어닐링하는 단계가 동시에 행하여지는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘을 결정화하는 방법.Exposing a plasma to the amorphous film to anneal the amorphous film formed on the substrate, and annealing while applying an electric field to the amorphous film exposed to the plasma. . 제 1항 내지 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 비정질 막위에 부분적으로 플라즈마에 노출되는 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화 시키는 방법.A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that it is partially exposed to a plasma on the amorphous film. 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 전기장이 직류 전기장인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화 시키는 방법Method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electric field is a direct current electric field 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 전기장이 교류 전기장인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화 시키는 방법A method of crystallizing an amorphous membrane, wherein the electric field is an alternating electric field 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 플라즈마가 RF 플라즈마인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화 시키는 방법Method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the plasma is an RF plasma 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 플라즈마가 DC 플라즈마인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화 시키는 방법Method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the plasma is a DC plasma 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 플라즈마가 마이크로 플라즈마인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법Method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the plasma is microplasma 제 4항 내지 제 5항에 있어서,The method according to claim 4 to 5, 전기장의 세기가 1 ∼1,OOO V/㎝인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electric field strength is 1 to 1, OO V / cm. 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 어닐링온도가 300∼1,000℃인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화 시키는 방법.Crystallization of an amorphous film, characterized in that the annealing temperature is 300 to 1,000 ℃. 제 4항 내지 제 5항에 있어서,The method according to claim 4 to 5, 비정질 실리콘 양단에 전기장을 가하기 위한 전극이 금속판인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electrode for applying an electric field across the amorphous silicon is a metal plate 제 4항 내지 제 5항에 있어서,The method according to claim 4 to 5, 비정질 실리콘 양단에 전기장을 가하기 위한 전극이 전이금속 실리사이드인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electrode for applying an electric field across the amorphous silicon is a transition metal silicide 제 6항, 제 7항 내지 제 8항에 있어서,The method according to claim 6, 7 to 8, 플라즈마 형성시 전극이 전이금속인 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화시키는 방법.A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electrode is a transition metal during plasma formation. 제 6항, 제 7항 내지 제 8항에 있어서,The method according to claim 6, 7 to 8, 플라즈마 형성시 전극이 준 귀금속인 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화 시키는 방법.A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electrode is a quasi-noble metal during plasma formation. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 플라즈마를 형성하기 위하여 전극이 니켈인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화 시키는 방법A method of crystallizing an amorphous film, wherein the electrode is nickel to form a plasma 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 플라즈마를 형성하기 위하여 전극이 니켈합금인 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화 시키는 방법A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the electrode is a nickel alloy to form a plasma 제 1항 , 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 플라즈마에 노출된 시간이 0.1초 부터 1,000초인 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화시키는 방법Crystallization method of the amorphous film, characterized in that the time exposed to the plasma is 0.1 second to 1,000 seconds. 제 1항 , 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 플라즈마를 형성하기 위한 가스압력이 0.5 m Torr로 부터 100 Torr 사이인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법A method for crystallizing an amorphous film, characterized in that the gas pressure for forming the plasma is between 0.5 m Torr and 100 Torr. 제 1항 , 제 2항 내지 제 3항에 있어서,The method according to claim 1, 2 to 3, 비정질 막이 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법A method for crystallizing an amorphous membrane, wherein the amorphous membrane is amorphous silicon
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KR100525527B1 (en) * 2001-04-10 2005-11-02 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Method of fabricating thin film transistor

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