KR19990081288A - Wafer Stage Cleaning Equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 웨이퍼 스테이지 클린 설비에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 웨이퍼 스테이지 클린 설비는 웨이퍼의 대구경화에 따라 웨이퍼 스테이지의 넓어진 면적을 짧은 시간에 클리닝하기 위해 웨이퍼 스테이지와 접촉되는 말단부의 면적이 넓게 확장되어 있다. 더불어 상기 말단부에 복수개의 흡입구가 구비되어 있다. 상기 복수개의 흡입구는 외부에서 내부로 갈수록 직경이 작아지도록 그 측면이 경사져 있다. 이와 같은 웨이퍼 스테이지 클린 설비를 이용하여 웨이퍼 스테이지를 클리닝함으로써 웨이퍼 스테이지를 클리닝하는데 소요되는 시간을 줄일 수 있고 E-척의 핌플(Pimple)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The present invention discloses a wafer stage clean facility of a semiconductor device. According to the wafer stage clean facility according to the present invention, the area of the distal end contacting the wafer stage is widened in order to clean the widened area of the wafer stage in a short time according to the large diameter of the wafer. In addition, a plurality of suction ports are provided at the distal end. The side surfaces of the plurality of suction ports are inclined so as to decrease in diameter from the outside to the inside. Cleaning the wafer stage using such a wafer stage clean facility can reduce the time required to clean the wafer stage and prevent damage to the Pimples of the E-chuck.
Description
본 발은 반도체 장치의 제조설비에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 스테이지 클리닝 설비에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to manufacturing equipment for semiconductor devices, and more particularly, to a wafer stage cleaning equipment.
반도체장치가 고집적화됨에 따라 반도체 장치의 제조공정이 복잡해지고 그 단계도 더욱 많아진다. 이에 따라 반도체 장치의 제조과정에서 물질층을 식각하는 경우가 더욱 빈번해지고 그 과정에서 다량의 파티클들이 웨이퍼 스테이지에 적층되게 된다.As semiconductor devices are highly integrated, the manufacturing process of semiconductor devices becomes more complicated and the number of steps is increased. Accordingly, the material layer is more frequently etched during the manufacturing of the semiconductor device, and a large amount of particles are stacked on the wafer stage in the process.
이를 위해 종래 기술은 웨이퍼 스테이지 클리링 설비를 도입한 바 있으나 이 설비는 단일 흡입구만 구비되어 있고, 웨이퍼가 대구경화에 따른 웨이퍼 스테이지의 면적도 넓어져서, 웨이퍼 스테이지 클리닝에 많은 시간이 소요된다. 이는 반도체 장치의 생산성 향상이 시급한 현 상황에 비추어 볼 때, 불합리하다.To this end, the prior art has introduced a wafer stage cleaning facility, but this facility is provided with only a single suction port, and the wafer stage has a large area due to large diameter, and thus, a lot of time is required for wafer stage cleaning. This is unreasonable in light of the current situation in which productivity improvement of semiconductor devices is urgent.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 대구경 웨이퍼에 맞춰진 웨이퍼 스테이지의 넓어진 면적을 짧은 시간에 스테이지의 손상없이 클리닝할 수 있는 웨이퍼 클리닝 설비를 제공한다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus capable of cleaning the enlarged area of the wafer stage fitted to a large diameter wafer in a short time without damaging the stage.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 스테이지 클리닝 설비의 평면도 및 밑면도이다.1 and 2 are a plan view and a bottom view of a wafer stage cleaning facility according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 스테이션 클리닝 설비의 말단부의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an end portion of a wafer station cleaning facility according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명** Description of Signs of Major Parts of Drawings *
40:말단부. 42:연결부.40: The end. 42: Connection part.
44:진공호스. 46:흡입구.44: vacuum hose. 46: Inlet port.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 연결부와 상기 연결부와 연결되어 있고 흡입구가 구비되어 있는 말단부를 구비하는 웨이퍼 클리닝 설비에 있어서, 상기 말단부에 복수개의 흡입구가 형성되어 있되, 상기 각 흡입구의 입구가 경사지게 형성되어 있는 웨이퍼 클리닝 설비를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a wafer cleaning equipment having a connecting portion and an end portion connected to the connecting portion and having a suction port, wherein a plurality of suction ports are formed at the distal end, and the inlet of each suction port is provided. Provides a wafer cleaning facility is formed inclined.
상기 말단부에 동일한 다섯 개의 흡입구가 형성되어 있다. 상기 다섯 개의 흡입구중 한 개는 상기 말단부의 중앙에 있고 나머지 네 개는 상기 중앙의 흡입구를 중심으로 십자형(+)으로 배열되어 있다.Five identical inlets are formed at the distal end. One of the five inlets is in the center of the distal end and the other four are arranged crosswise (+) around the central inlet.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 말단부는 상기 웨이퍼 스테이지의 면적에 따라 그 사이즈가 달라질 수 있고, 상기 흡입수의 숫자도 다섯 개 이상이 구비되어 있을 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the size of the distal end may vary according to the area of the wafer stage, and the number of the suction water may be provided with five or more.
본 발명에 의한 웨이퍼 스테이지 클린 설비는 웨이퍼의 대구경화에 따라 웨이퍼 스테이지의 넓어진 면적을 짧은 시간에 클리닝하기 위해 웨이퍼 스테이지와 접촉되는 말단부의 면적이 넓게 확장되어 있다. 더불어 상기 말단부에 복수개의 흡입구가 구비되어 있다. 상기 복수개의 흡입구는 외부에서 내부로 갈수록 직경이 작아지도록 그 측면이 경사져 있다. 이와 같은 웨이퍼 스테이지 클린 설비를 이용하여 웨이퍼 스테이지를 클리닝함으로써 웨이퍼 스테이지를 클리닝하는데 소요되는 시간을 줄일 수 있고 E-척의 핌플(Pimple)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.According to the wafer stage clean facility according to the present invention, the area of the distal end contacting the wafer stage is widened in order to clean the widened area of the wafer stage in a short time according to the large diameter of the wafer. In addition, a plurality of suction ports are provided at the distal end. The side surfaces of the plurality of suction ports are inclined so as to decrease in diameter from the outside to the inside. Cleaning the wafer stage using such a wafer stage clean facility can reduce the time required to clean the wafer stage and prevent damage to the Pimples of the E-chuck.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치의 웨이퍼 스테이지 클리닝 설비를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a wafer stage cleaning apparatus for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
그러나 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 도면에서 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것이다. 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.However, embodiments of the present invention can be modified in many different forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers or regions are exaggerated for clarity. In the drawings like reference numerals refer to like elements.
첨부된 도면들 중, 도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 스테이지 클리닝 설비의 평면도 및 밑면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 스테이션 클리닝 설비의 말단부의 단면도이다.1 and 2 are a plan view and a bottom view of a wafer stage cleaning facility according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of an end portion of the wafer station cleaning facility according to an embodiment of the present invention.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 웨이퍼 스테이지 클리닝 설비는 말단부(40)와 상기 말단부(40)를 외부(도시하지 않음)에 연결시키는 연결부(42)로 구비되어 있다. 상기 말단부(40)는 세라믹 제질이다.First, referring to FIG. 1, a wafer stage cleaning facility according to an embodiment of the present invention is provided with a distal end portion 40 and a connection portion 42 connecting the distal end portion 40 to the outside (not shown). The distal end 40 is of ceramic material.
도 1에서 참조번호 44는 진공호스이다. 상기 진공호스(44)는 상기 말단부(40)에 형성된 복수개의 흡입구(도 2 46참조)와 연결되어 있다. 상기 진공호스(44)를 통해서 상기 흡입구로 흡입된 파티클들이 외부로 배출된다.In FIG. 1, reference numeral 44 is a vacuum hose. The vacuum hose 44 is connected to a plurality of suction ports (see FIG. 2 46) formed at the distal end portion 40. Particles sucked into the suction port through the vacuum hose 44 are discharged to the outside.
도 2를 참조하면, 상기 말단부(40)에 다섯 개의 흡입구(46)가 형성되어 있다. 상기 다섯 개의 흡입구(46)는 모두 동형이다. 하지만, 상기 다섯 개의 흡입구(46)는 서로 다른 형태일 수 있다. 상기 다섯 개의 흡입구(46)중 하나는 상기 말단부(40)의 중앙에 위치해 있고, 나머지 네 개는 이를 중심으로 십자(+)형으로 배열되어 있다. 상기 말단부(40)의 상기 흡입구(46)가 형성된 바닥면의 직경은 약 50mm정도이다. 상기 말단부(40)에 상기 다섯 개의 흡입구(46)외에 더 많은 흡입구가 있을 수 있다. 상기 말단부(40)의 중앙에 형성된 흡입구와 그 둘레에 대칭적으로 형성된 흡입구들 사이의 간격은 20mm정도로 일정하다.Referring to FIG. 2, five inlets 46 are formed at the distal end 40. The five inlets 46 are all isomorphic. However, the five suction ports 46 may have different shapes. One of the five inlets 46 is located in the center of the distal end 40, and the other four are arranged in a cross (+) shape around it. The diameter of the bottom surface on which the suction port 46 of the distal end 40 is formed is about 50 mm. There may be more suction ports in the distal portion 40 in addition to the five suction ports 46. The distance between the inlet formed in the center of the distal end portion 40 and the inlet formed symmetrically around it is constant at about 20 mm.
도 3을 참조하면, 상기 흡입구(46)는 경사지게 형성되어 있다. 즉, 상기 흡입구(46)는 상기 말단부(40)의 바깥으로부터 안쪽으로 갈수록 직경이 좁아지도록 형성되어 있다. 이에 따라, 상기 각 흡입구(46)는 보다 넓은 면적으로부터 파티클을 흡입할 수 있다.Referring to FIG. 3, the suction port 46 is formed to be inclined. That is, the suction port 46 is formed so that the diameter becomes narrower from the outside of the distal end portion 40 toward the inside. Accordingly, each of the suction ports 46 may suck particles from a larger area.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 실시 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
이와 같이, 본 발명에 의한 웨이퍼 스테이지 클린 설비는 웨이퍼의 대구경화에 따라 웨이퍼 스테이지의 넓어진 면적을 짧은 시간에 클리닝하기 위해 웨이퍼 스테이지와 접촉되는 말단부의 면적이 넓게 확장되어 있다. 더불어 상기 말단부에 복수개의 흡입구가 구비되어 있다. 상기 복수개의 흡입구는 외부에서 내부로 갈수록 직경이 작아지도록 그 측면이 경사져 있다. 이와 같은 웨이퍼 스테이지 클린 설비를 이용하여 웨이퍼 스테이지를 클리닝함으로써 웨이퍼 스테이지를 클리닝하는데 소요되는 시간을 줄일 수 있고 E-척의 핌플(Pimple)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.As described above, in the wafer stage clean facility according to the present invention, the area of the distal end contacting the wafer stage is widened in order to clean the enlarged area of the wafer stage in a short time according to the large diameter of the wafer. In addition, a plurality of suction ports are provided at the distal end. The side surfaces of the plurality of suction ports are inclined so as to decrease in diameter from the outside to the inside. Cleaning the wafer stage using such a wafer stage clean facility can reduce the time required to clean the wafer stage and prevent damage to the Pimples of the E-chuck.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980015137A KR19990081288A (en) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | Wafer Stage Cleaning Equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019980015137A KR19990081288A (en) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | Wafer Stage Cleaning Equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990081288A true KR19990081288A (en) | 1999-11-15 |
Family
ID=65890754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980015137A KR19990081288A (en) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | Wafer Stage Cleaning Equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990081288A (en) |
-
1998
- 1998-04-28 KR KR1019980015137A patent/KR19990081288A/en not_active Application Discontinuation
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