KR200270235Y1 - Wafer hood of wafer dryer - Google Patents

Wafer hood of wafer dryer Download PDF

Info

Publication number
KR200270235Y1
KR200270235Y1 KR2020010040904U KR20010040904U KR200270235Y1 KR 200270235 Y1 KR200270235 Y1 KR 200270235Y1 KR 2020010040904 U KR2020010040904 U KR 2020010040904U KR 20010040904 U KR20010040904 U KR 20010040904U KR 200270235 Y1 KR200270235 Y1 KR 200270235Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
ipa
hood
drying apparatus
supply
Prior art date
Application number
KR2020010040904U
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조인배
최창용
Original Assignee
동부전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부전자 주식회사 filed Critical 동부전자 주식회사
Priority to KR2020010040904U priority Critical patent/KR200270235Y1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR200270235Y1 publication Critical patent/KR200270235Y1/en

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 고안은 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드에 관한 것으로서, 이소프로필 알콜(IPA) 증기의 공급량을 늘려 웨이퍼에 발생되는 입자를 효율적으로 제거하기 위한 것이다. 본 고안에 따른 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드는 IPA 증기를 사용하는 맬랑고니 유형의 웨이퍼 건조 장치에 적용되고, 다수개의 분사구가 형성된 IPA 분사판과, 하부면에 적어도 두 개 이상의 배출구가 형성된 IPA 공급부를 포함한다. 특히, IPA 공급부는 IPA 분사판 위에 적어도 두 개 이상 형성되며, 바람직하게는 IPA 분사판의 중앙 및 양쪽 가장자리에 위치한다. 각각의 IPA 공급부에 형성된 배출구는 적어도 네 개 이상인 것이 바람직하고, IPA 분사판에 형성된 분사구는 400개인 것이 바람직하다.The present invention relates to a wafer hood of a wafer drying apparatus, wherein the amount of isopropyl alcohol (IPA) vapor is increased to efficiently remove particles generated in the wafer. The wafer hood of the wafer drying apparatus according to the present invention is applied to a malangoni type wafer drying apparatus using IPA vapor, and includes an IPA spray plate having a plurality of injection holes, and an IPA supply unit having at least two discharge holes formed on a lower surface thereof. Include. In particular, at least two IPA supply portions are formed on the IPA spray plate, preferably located at the center and both edges of the IPA spray plate. Preferably, at least four outlets are formed in each of the IPA supply parts, and 400 nozzles are formed in the IPA spray plate.

Description

웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드 {WAFER HOOD OF WAFER DRYER}Wafer hood of wafer drying apparatus {WAFER HOOD OF WAFER DRYER}

본 고안은 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 습식 세정 공정에서 사용되는 맬랑고니(marangoni) 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer drying apparatus, and more particularly to a wafer hood of a marangoni wafer drying apparatus used in a semiconductor wet cleaning process.

습식 세정 공정에서 중요한 요소 중의 하나는 웨이퍼 세정 후 표면의 화학액이 남아 있지 않도록 효과적으로 헹구는(rinse) 공정과 웨이퍼 표면의 오염물 재부착을 방지하기 위한 건조 공정이다. 웨이퍼 세정 후 표면에는 여러 화학액들이 잔류하게 된다. 특히 점성이 큰 화학액의 경우 표면에 잔류하는 양은 더욱 증가하게 되고 이런 화학액들이 다시 오염물의 근원으로 작용하게 된다. 또한, 린스 후 웨이퍼를 탈이온수(초순수)에서 꺼낼 때 웨이퍼 표면에 오염물들이 재부착될 위험도 존재한다. 이에 웨이퍼 표면의 화학액을 효과적으로 제거하고 재오염을 방지하기 위한 공정 개발이 무엇보다 중요하다.One of the important factors in the wet cleaning process is a process of effectively rinsing so that no surface chemicals remain after the wafer cleaning and a drying process to prevent reattachment of contaminants on the wafer surface. After the wafer cleaning, various chemical liquids remain on the surface. Especially in the case of highly viscous chemicals, the amount remaining on the surface is further increased, and these chemicals again act as a source of contaminants. There is also a risk of contaminants reattaching to the wafer surface when the wafer is removed from deionized water (ultra pure water) after rinsing. Therefore, it is important to develop a process for effectively removing chemicals from the wafer surface and preventing re-contamination.

현재 가장 널리 사용되고 있는 건조 방법은 이소프로필 알콜(IsoPropyl Alcohol; 이하 IPA)을 사용하여 맬랑고니 효과(marangoni effect)를 응용한 건조 방식이다. 이는 웨이퍼 표면에 물 자국(water mark)을 남기지 않을 뿐 아니라 웨이퍼 표면의 입자(particle)를 제거하는데 효과적인 것으로 알려져 있다.Currently, the most widely used drying method is a drying method using the marangoni effect using isopropyl alcohol (hereinafter, referred to as IPA). It is known not only to leave water marks on the wafer surface but also to remove particles from the wafer surface.

IPA를 이용한 맬랑고니 유형의 웨이퍼 건조 장치(10)가 도 1에 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼(11)는 탈이온수(12)에 잠겨 있다가 서서히 상승하게 된다. 이 때, 탈이온수(12)의 표면에는 IPA 증기가 분사되어 층을 이루고 있고, 웨이퍼가 상승할 때 웨이퍼 표면의 물 자국과 입자는 물의 표면장력에 의하여 탈이온수(12)에 끌리면서 웨이퍼로부터 제거된다.A malangoni type wafer drying apparatus 10 using IPA is shown in FIG. 1. Referring to FIG. 1, the wafer 11 is immersed in deionized water 12 and gradually rises. At this time, the surface of the deionized water 12 is sprayed with IPA vapor to form a layer. When the wafer is raised, water marks and particles on the surface of the wafer are removed from the wafer by being attracted to the deionized water 12 by the surface tension of the water. do.

IPA 증기는 웨이퍼 후드(15)에 설치된 IPA 공급부(13)와 IPA 분사판(14)을통하여 웨이퍼(11) 및 탈이온수(12)의 표면으로 분사된다. 웨이퍼 후드(15)는 별도로 도 2에 자세히 도시되어 있다. 도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 길다란 원통형의 IPA 공급부(13)는 하부면에 두 개의 배출구(13a)가 형성되어 있고, 양쪽 측면에 공급관(13b)과 배출관(13c)이 연결되어 있다. IPA 공급부(13) 아래쪽에 위치하는 IPA 분사판(14)은 규칙적으로 형성된 다수개의 분사구(14a)를 가지고 있다.IPA vapor is injected to the surface of the wafer 11 and the deionized water 12 through the IPA supply part 13 and the IPA jet plate 14 provided in the wafer hood 15. The wafer hood 15 is separately shown in detail in FIG. 2. As shown in Figure 1 and 2, the long cylindrical IPA supply 13 is formed with two outlets (13a) on the lower surface, the supply pipe 13b and the discharge pipe (13c) is connected to both sides. . The IPA jet plate 14 located below the IPA supply section 13 has a plurality of jet holes 14a regularly formed.

IPA 증기는 공급관(13b)을 통하여 IPA 공급부(13)로 공급되고 배출구(13a)를 통하여 IPA 분사판(14) 쪽으로 배출된다. 이 때, IPA 공급부(13)로는 IPA 증기 외에 질소 분위기의 건조 환경을 만들어주기 위한 질소 가스가 동시에 공급될 수 있다. IPA 분사판(14) 쪽으로 배출된 IPA 증기와 질소 가스는 분사구(14a)를 통하여 웨이퍼(11) 및 탈이온수(12) 쪽으로 분사된다.The IPA vapor is supplied to the IPA supply part 13 through the supply pipe 13b and discharged toward the IPA injection plate 14 through the discharge port 13a. At this time, the IPA supply unit 13 may be simultaneously supplied with nitrogen gas for creating a dry environment of the nitrogen atmosphere in addition to the IPA steam. IPA vapor and nitrogen gas discharged toward the IPA jet plate 14 are injected toward the wafer 11 and the deionized water 12 through the jet port 14a.

이상 설명한 종래의 웨이퍼 건조 장치는 IPA 증기의 공급량이 충분하지 않아 일부 웨이퍼에서 다량의 입자들이 제거되지 않고 남게 되는 문제점이 있다. 통상적으로 웨이퍼 세정 공정이나 건조 공정은 수십매의 웨이퍼들을 적재한 웨이퍼 카세트 단위로 이루어지는데, 이 때 IPA 증기의 공급이 불충분하거나 불균일하게 이루어지면 위와 같은 문제점이 발생하게 된다.The conventional wafer drying apparatus described above has a problem that a large amount of particles are not removed from some wafers due to insufficient supply of IPA vapor. Typically, a wafer cleaning process or a drying process is performed in a wafer cassette unit in which dozens of wafers are loaded. In this case, when the supply of IPA vapor is insufficient or non-uniform, the above problems occur.

따라서, 본 고안은 이러한 종래기술에서의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 IPA 증기의 공급량을 늘려 웨이퍼에 발생되는 입자를 효율적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드를 제공하기 위한 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems in the prior art, an object of the present invention is to provide a wafer hood of the wafer drying apparatus that can efficiently remove the particles generated on the wafer by increasing the supply amount of IPA vapor. It is to.

도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 건조 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a wafer drying apparatus according to the prior art.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드를 나타내는 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a wafer hood of the wafer drying apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3은 본 고안의 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드를 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a wafer hood of a wafer drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 웨이퍼 건조 장치 11: 웨이퍼(wafer)10: wafer drying apparatus 11: wafer

12: 탈이온수(DI water) 13: IPA 공급부12: DI water 13: IPA supply

13a: 배출구 13b: 공급관13a: outlet 13b: supply line

13c: 배출관 14: IPA 분사판13c: discharge line 14: IPA injection plate

14a: 분사구 15: 웨이퍼 후드(wafer hood)14a: nozzle 15: wafer hood

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안에 의하여 제공되는 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드는 이소프로필 알콜(IPA) 증기를 사용하는 맬랑고니 유형의 웨이퍼 건조 장치에 적용되고, 다수개의 분사구가 형성된 IPA 분사판과, 하부면에 적어도 두 개 이상의 배출구가 형성된 IPA 공급부를 포함하며, IPA 공급부가 IPA 분사판 위에 적어도 두 개 이상 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve this object, the wafer hood of the wafer drying apparatus provided by the present invention is applied to a malangoni type wafer drying apparatus using isopropyl alcohol (IPA) vapor, and has an IPA jet plate having a plurality of nozzles formed therein. And, at least two outlets are formed on the bottom surface includes an IPA supply, characterized in that at least two IPA supply is formed on the IPA injection plate.

본 고안에 따른 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드에 있어서, IPA 공급부는 IPA 분사판의 중앙 및 양쪽 가장자리에 위치하는 것이 바람직하고, 각각의 IPA 공급부에 형성된 배출구는 적어도 네 개 이상인 것이 바람직하며, IPA 분사판에 형성된 분사구는 400개인 것이 바람직하다.In the wafer hood of the wafer drying apparatus according to the present invention, the IPA supply portion is preferably located at the center and both edges of the IPA injection plate, and each of the IPA supply portion is preferably at least four outlets, IPA injection plate It is preferable that the number of the injection holes formed in the 400.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다. 각 도면에서는 도면의 명확한 이해를 돕기 위해 일부 구성요소가 생략되거나 개략적으로 도시되었음을 밝혀둔다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In each of the drawings, it is noted that some of the components are omitted or schematically illustrated to help a clear understanding of the drawings.

도 3은 본 고안의 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드를 나타내는 사시도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 후드(15)는 IPA 분사판(14)과 적어도 두 개 이상의 IPA 공급부(13)로 이루어진다. IPA 분사판(14)에는 다수개의 분사구(14a)가 규칙적으로 형성되어 있으며, IPA 공급부(13)의 하부면에는 적어도 두 개 이상의 배출구(13a)가 일정한 간격으로 형성되어 있다.3 is a perspective view illustrating a wafer hood of a wafer drying apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the wafer hood 15 consists of an IPA jet plate 14 and at least two IPA supplies 13. A plurality of injection holes 14a are regularly formed in the IPA injection plate 14, and at least two discharge ports 13a are formed at regular intervals on the lower surface of the IPA supply part 13.

예컨대 본 실시예에서는 IPA 공급부(13)가 세 개 형성되어 IPA 분사판(14)의 중앙과 양쪽 가장자리에 위치하며, 각각의 IPA 공급부(13)마다 네 개씩의배출구(13a)가 형성되어 있다. 또한, IPA 분사판(14)에 형성된 분사구(14a)는 모두 400개이다.For example, in the present embodiment, three IPA supply parts 13 are formed and located at the center and both edges of the IPA injection plate 14, and four discharge ports 13a are formed for each IPA supply part 13, respectively. In addition, 400 injection ports 14a formed in the IPA injection plate 14 are all.

이와 같이 웨이퍼 후드(15)를 구성함으로써, IPA 공급부(13)와 IPA 분사판(14)을 통하여 웨이퍼와 탈이온수 표면으로 분사되는 IPA 증기 및 질소 가스의 공급량이 증가하고 균일해지게 된다. IPA 증기의 공급이 충분하고 균일하게 이루어지기 때문에, 각각의 웨이퍼에 발생되는 모든 입자들을 효율적으로 제거할 수 있다.By configuring the wafer hood 15 as described above, the supply amount of IPA vapor and nitrogen gas injected to the wafer and the deionized water surface through the IPA supply part 13 and the IPA jet plate 14 is increased and made uniform. Since the supply of the IPA vapor is sufficient and uniform, it is possible to efficiently remove all particles generated in each wafer.

도면에 도시되지는 않았지만, 종래의 IPA 공급부와 마찬가지로, 길다란 원통형의 IPA 공급부(13) 양쪽 측면에 공급관과 배출관이 연결되어 있으며, IPA 분사판(14) 아래쪽에 웨이퍼와 탈이온수가 위치한다.Although not shown in the drawings, like the conventional IPA supply unit, supply and discharge pipes are connected to both sides of the elongated cylindrical IPA supply unit 13, and the wafer and the deionized water are positioned below the IPA jet plate 14.

이상 설명한 바와 같이, 본 고안에 따른 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드는 IPA 증기와 질소 가스를 충분히 균일하게 공급할 수 있으므로 모든 웨이퍼로부터 입자 제거가 효율적으로 이루어진다. 또한, 장비의 가동율이 높아지고, 제품의 신뢰성과 수율이 향상되며, 경제성이 개선된다.As described above, since the wafer hood of the wafer drying apparatus according to the present invention can supply IPA vapor and nitrogen gas sufficiently uniformly, particle removal is efficiently performed from all wafers. In addition, the operation rate of the equipment is increased, the reliability and yield of the product are improved, and the economic efficiency is improved.

본 명세서와 도면에는 본 고안의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 고안의 기술 내용을 쉽게 설명하고 고안의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 고안의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 고안의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.In the present specification and drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms are used, these are merely used in a general sense to easily explain the technical contents of the present invention and to help understanding of the present invention. It is not intended to limit the scope. It is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

Claims (4)

이소프로필 알콜(IPA) 증기를 사용하는 맬랑고니 유형의 웨이퍼 건조 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드는 다수개의 분사구가 형성된 IPA 분사판과, 하부면에 적어도 두 개 이상의 배출구가 형성된 IPA 공급부를 포함하며, 상기 IPA 공급부는 상기 IPA 분사판 위에 적어도 두 개 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드.In a malangoni type wafer drying apparatus using isopropyl alcohol (IPA) vapor, the wafer hood of the wafer drying apparatus is provided with an IPA spray plate having a plurality of nozzles and an IPA supply having at least two outlets at the bottom surface thereof. And at least two of the IPA supply portions formed on the IPA jet plate. 제 1 항에 있어서, 상기 IPA 공급부는 상기 IPA 분사판의 중앙 및 양쪽 가장자리에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드.The wafer hood of a wafer drying apparatus as claimed in claim 1, wherein the IPA supply unit is located at the center and both edges of the IPA jet plate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 각각의 IPA 공급부에 형성된 상기 배출구는 적어도 네 개 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드.3. The wafer hood of a wafer drying apparatus according to claim 1 or 2, wherein at least four outlets formed in the respective IPA supply parts are provided. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 IPA 분사판에 형성된 상기 분사구는 400개인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치의 웨이퍼 후드.The wafer hood of a wafer drying apparatus according to claim 1 or 2, wherein the injection holes formed in the IPA injection plate are 400.
KR2020010040904U 2001-12-29 2001-12-29 Wafer hood of wafer dryer KR200270235Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020010040904U KR200270235Y1 (en) 2001-12-29 2001-12-29 Wafer hood of wafer dryer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020010040904U KR200270235Y1 (en) 2001-12-29 2001-12-29 Wafer hood of wafer dryer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR200270235Y1 true KR200270235Y1 (en) 2002-03-29

Family

ID=73115402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020010040904U KR200270235Y1 (en) 2001-12-29 2001-12-29 Wafer hood of wafer dryer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200270235Y1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
KR20050068063A (en) Rinsing and drying apparatus having rotatable drying gas nozzles and methods of rinsing and drying semiconductor wafers using the same
KR20080090070A (en) Air knife and apparatus drying substrates having the same
KR20070055515A (en) Substrate treatment apparatus
KR100568103B1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrates
KR100797421B1 (en) Method and System of Cleaning a Wafer after Chemical Mechanical Polishing or Plasma Processing
KR100636035B1 (en) Method and apparatus for drying a wafer and wafer treatment apparatus comprising the wafer drying apparatus
KR100695228B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
TWI413203B (en) Substrate processing device
KR200270235Y1 (en) Wafer hood of wafer dryer
US6360756B1 (en) Wafer rinse tank for metal etching and method for using
US7926494B2 (en) Bernoulli blade
KR20000073750A (en) Marangoni type dry system for drying a wafer
KR100645042B1 (en) Apparatus for cleaning semiconductor substrates
US20070157951A1 (en) Systems and methods for processing microfeature workpieces
KR20030057175A (en) An Apparatus Cleaning the Backside of Wafers
US6938629B2 (en) Rinsing lid for wet bench
KR100697266B1 (en) A chuck cleaning apparatus for transfer robot
KR100809591B1 (en) Method for cleaning substrate in single wafer
KR100757329B1 (en) Substrate processing apparatus of a single substrate type
US20030221712A1 (en) Shower tubing for PRS wet bench
KR100532746B1 (en) Cleaning apparatus for a walking beam of a cleaner equipment
KR19980065667A (en) Wash Tank of Wet Cleaner
KR100497999B1 (en) Method and apparatus for drying a wafer
KR200145644Y1 (en) A system for removing contaminants of wafer transfer belt

Legal Events

Date Code Title Description
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080103

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee