KR19990069184A - 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법 - Google Patents

반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19990069184A
KR19990069184A KR1019980003262A KR19980003262A KR19990069184A KR 19990069184 A KR19990069184 A KR 19990069184A KR 1019980003262 A KR1019980003262 A KR 1019980003262A KR 19980003262 A KR19980003262 A KR 19980003262A KR 19990069184 A KR19990069184 A KR 19990069184A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stage
light
predetermined wavelength
driving
change
Prior art date
Application number
KR1019980003262A
Other languages
English (en)
Inventor
송재관
원유근
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980003262A priority Critical patent/KR19990069184A/ko
Publication of KR19990069184A publication Critical patent/KR19990069184A/ko

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한 스테이지의 제어방법에 관한 것이다.
본 발명의 사진식각장치는, 스테이지의 각각의 변에 구비되는 간섭거울; 소정의 파장을 가지는 광을 조사시킬 수 있는 광원부; 상기 스테이지의 구동을 제어할 수 있는 제어부; 및 상기 광의 조사시 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화를 상기 제어부에 입력시킬 수 있는 보정부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명의 사진식각장치의 스테이지의 제어방법은, 스테이지의 변부에 구비된 간섭거울에 소정의 파장을 가지는 광을 조사시키는 조사단계; 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도 및 외부환경에 따른 상기 광의 파장의 변화의 정도 등을 판단하는 제어단계; 및 상기 스테이지를 구동시키는 구동단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 스테이지의 구동에 따른 불량을 최소화시킴을써 반도체소자의 제조의 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한 스테이지의 제어방법
본 발명은 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한 스테이지의 제어방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼(Wafer)가 안착되는 스테이지(Stage)를 외부환경에 따른 파장의 변화의 정도까지 판단하여 구동시키는 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한 스테이지의 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자의 웨이퍼 상에 소정의 막들을 형성시키고, 상기 소정의 막들을 소정의 패턴(Pattern)으로 형성시킴으로써 제조된다.
여기서 상기 소정의 패턴의 형성은 주로 사진식각공정을 이용하고, 이러한 사진식각공정은 1 : 1 방식으로 상기 소정의 패턴을 웨이퍼 상에 전사시키는 마스크(Mask)를 이용하거나 또는 광학렌즈(Optical Lens)를 이용하여 상기 소정의 패턴을 일정한 배율로 축소하여 웨이퍼 상에 전사하는 레티클(Reticle) 등을 이용하여 수행된다.
그리고 상기 사진식각공정은 웨이퍼 상의 정확한 영역에 상기 소정의 패턴을 형성시켜야하기 때문에 상기 사진식각공정의 수행시 웨이퍼를 정렬시키는 공정은 항상 수행된다.
여기서 상기 웨이퍼의 정렬의 수행은 상기 웨이퍼가 안착되는 스테이지를 구동시키는 것으로써, 상기 스테이지의 각각의 변부에 구비되는 간섭거울에 소정의 파장을 가지는 광(光)을 조사시켜 상기 광의 파장의 변화의 정도를 판단하여 상기 스테이지를 구동시켰다.
그러나 종래의 사진식각장치는 상기 스테이지의 구동을 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도에 따라 제어하였을 뿐 외부환경에 따른 상기 소정의 파장의 변화 등은 고려하지 않았다.
이에 따라 종래에는 온도 또는 습도 등과 같은 외부환경에 따른 상기 소정의 파장의 변화를 판단하지 못함으로 인해 상기 스테이지를 정확하게 구동시키지 못하였고, 이로 인해 사진식각공정의 수행시 상기 스테이지의 구동으로 인한 불량이 빈번하게 발생하였다.
따라서 종래에는 스테이지의 구동으로 인한 불량이 빈번하게 발생하여 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 외부환경에 따른 소정의 파장의 변화 등을 고려하여 스테이지를 구동시킴으로써 이에 따른 불량을 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성을 향상시키기 위한 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한 스테이지의 제어방법을 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치의 스테이지의 제어방법의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 스테이지 12 : 간섭거울
14 : 광원부 16 : 제어부
18 : 보정부
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치는, 웨이퍼를 안착시킬 수 있는 스테이지의 각각의 변에 구비되는 간섭거울; 상기 간섭거울에 소정의 파장을 가지는 광을 조사시킬 수 있는 광원부; 상기 간섭거울에 조사되는 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도를 이용하여 상기 스테이지의 구동을 제어할 수 있는 제어부; 및 상기 광의 조사시 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화를 상기 제어부에 입력시킬 수 있는 보정부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 사진식각장치는 레티클을 이용한 노광공정을 수행하는 사진식각장치인 것이 바람직하다.
상기 간섭거울은 상기 스테이지의 하나의 꼭지점을 기준으로 연속하는 변부의 각각에 구비시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 사진식각장치의 스테이지의 제어방법은, 스테이지의 구동의 정도를 제어할 수 있도록 상기 스테이지의 변부에 구비된 간섭거울에 소정의 파장을 가지는 광을 조사시키는 조사단계; 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도 및 외부환경에 따른 상기 광의 파장의 변화의 정도 등을 판단하는 제어단계; 및 상기 소정의 파장의 변화의 판단에 따라 상기 스테이지를 구동시키는 구동단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이고, 도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치의 스테이지의 제어방법의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
먼저, 도1은 사진식각공정의 수행시 웨이퍼가 안착되는 스테이지(10)가 구비되어 있다.
그리고 상기 스테이지(10)의 각각의 변부에 간섭거울(12) 및 상기 간섭거울(12)에 소정의 파장을 가지는 광을 조사시킬 수 있는 광원부(14)가 구비되어 있다.
여기서 본 발명의 상기 사진식각장치는 레티클(Reticle)을 이용한 사진식각공정 즉, 노광공정을 수행하는 사진식각장치를 구비시킬 수 있다.
또한 본 발명의 상기 간섭거울(12)은 상기 스테이지(10)의 하나의 꼭지점을 기준으로 연속하는 변부에 각각 구비시킬 수 있다.
즉, 도1에 도시된 바와 같이 하나의 꼭지점을 원점으로 X축, Y축의 변부에 구비시키고, 상기 Y축에 구비시킨 간섭거울(12)에는 두 대의 광원부(14)를 구비시켜 소정의 파장을 가지는 광을 조사시킨다.
계속해서 본 발명은 상기 간섭거울(12)에 조사되는 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도를 이용하여 상기 스테이지(10)의 구동을 제어할 수 있는 제어부(16)가 구비되어 있다.
또한 본 발명은 상기 광의 조사시 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화를 상기 제어부(16)에 입력시킬 수 있는 보정부(18)가 구비되어 있다.
즉, 본 발명은 상기 간섭거울(12)에 조사시키는 광의 소정의 파장의 변화 뿐만 아니라 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화 등을 판단하여 상기 스테이지(10)의 구동을 제어한다.
그리고 도2는 상기 스테이지(10)의 구동에 따른 제어방법으로써 먼저, 상기 소정의 파장을 가지는 광을 조사시키는 조사단계와 상기 간섭거울(12)에 조사되는 광의 소정의 파장의 변화의 정도 및 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도 등을 판단하는 판단단계로 구비되어 있고, 상기 판단에 따라 상기 스테이지(10)의 구동 및 그 구동을 제어하는 제어 및 구동단계가 더 구비되어 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 스테이지(10)의 구동의 제어를 상기 간섭거울(12)에 조사되는 광의 소정의 파장의 변화의 정도 뿐만 아니라 외부환경에 따른 변화의 정도를 판단함으로써 상기 스테이지(10)를 정확하게 구동시킬 수 있다.
이에 따라 상기 스테이지(10)의 구동으로 인해 발생되는 불량을 미연에 방지할 수 있다.
전술한 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 실시예에 대한 작용 및 효과에 대하여 설명한다.
먼저, 스테이지(10) 상에 웨이퍼를 안착시키고, 상기 스테이지(10)를 정확한 위치로 구동시키기 위하여 상기 간섭거울(12)에 소정의 파장을 가지는 광을 조사시킨다.
그리고 상기 광의 소정의 파장의 시그널(Signal)을 입력받아 제어부(16)는 상기 스테이지(10)의 구동을 제어한다.
또한 온도 또는 습도 등과 같은 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화의 시그널이 제어부(16)에 입력된다.
이에 따라 상기 제어부(16)는 상기 간섭거울(12)에 조사되는 광의 소정의 파장의 변화의 정도 및 보정부(18)를 이용한 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화 등을 판단하여 상기 스테이지(10)의 구동을 제어하여 정확한 위피로 구동시킨다.
본 발명은 상기 스테이지(10)의 구동에 따른 제어를 외부환경까지 고려하여 판단함으로써 상기 스테이지(10)의 구동에 따른 불량을 최소화시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 스테이지의 구동에 따른 불량을 최소화시킴을써 반도체소자의 제조의 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 웨이퍼(Wafer)를 안착시킬 수 있는 스테이지(Stage)의 각각의 변에 구비되는 간섭거울;
    상기 간섭거울에 소정의 파장을 가지는 광(光)을 조사시킬 수 있는 광원부;
    상기 간섭거울에 조사되는 상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도를 이용하여 상기 스테이지의 구동을 제어할 수 있는 제어부; 및
    상기 광의 조사시 외부환경에 따른 상기 광의 소정의 파장의 변화를 상기 제어부에 입력시킬 수 있는 보정부;
    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 사진식각장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 사진식각장치는 레티클(Reticle)을 이용한 노광공정을 수행하는 사진식각장치인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 사진식각장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 간섭거울은 상기 스테이지의 하나의 꼭지점을 기준으로 연속하는 변부의 각각에 구비시키는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 사진식각장치.
  4. 스테이지의 구동의 정도를 제어할 수 있도록 상기 스테이지의 변부에 구비된 간섭거울에 소정의 파장을 가지는 광을 조사시키는 조사단계;
    상기 광의 소정의 파장의 변화의 정도 및 외부환경에 따른 상기 광의 파장의 변화의 정도 등을 판단하는 제어단계; 및
    상기 소정의 파장의 변화의 판단에 따라 상기 스테이지를 구동시키는 구동단계;
    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 사진식각장치의 스테이지의 제어방법.
KR1019980003262A 1998-02-05 1998-02-05 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법 KR19990069184A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980003262A KR19990069184A (ko) 1998-02-05 1998-02-05 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980003262A KR19990069184A (ko) 1998-02-05 1998-02-05 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990069184A true KR19990069184A (ko) 1999-09-06

Family

ID=65893241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980003262A KR19990069184A (ko) 1998-02-05 1998-02-05 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19990069184A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3969855B2 (ja) 露光方法および露光装置
KR950001856A (ko) 노광장치
JP2005129674A (ja) 走査露光装置およびデバイス製造方法
JPH11121328A (ja) 走査型縮小投影露光装置
KR19990069184A (ko) 반도체소자 제조용 사진식각장치 및 이를 이용한스테이지의 제어방법
JP5406510B2 (ja) 走査露光装置およびデバイス製造方法
KR0166852B1 (ko) 반도체 노광 공정용 축소 투영 렌즈의 디스토션 보정 장치
JPS60177623A (ja) 露光装置
JP2004214432A (ja) 露光方法及び装置
KR20090000871A (ko) 부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정방법
KR100285580B1 (ko) 웨이퍼 에지 노광 장치
KR100806036B1 (ko) 반도체 웨이퍼 노광 방법
CN112327579B (zh) 曝光装置以及物品的制造方法
JP7312053B2 (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP3702486B2 (ja) 露光方法及びそれに用いるレチクル
JP4392413B2 (ja) リソグラフィ装置およびその使用方法
JPH09232230A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2009302173A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR100589055B1 (ko) 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 노광 장치
JP2962257B2 (ja) 走査型投影露光方法及び装置
JP2005167073A (ja) 露光装置
JPH1027752A (ja) 投影露光装置
JP2022152225A (ja) 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法
JP2023049841A (ja) 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法
JP2599899B2 (ja) 投影露光におけるウエーハの位置合せ方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination