KR19990050779A

KR19990050779A - Leadframe for Vizage Packages

Info

Publication number: KR19990050779A
Application number: KR1019970069962A
Authority: KR
Inventors: 김영준
Original assignee: 유무성; 삼성항공산업 주식회사
Priority date: 1997-12-17
Filing date: 1997-12-17
Publication date: 1999-07-05

Abstract

비지에이 패키지용 리드프레임이 개시된다. 개시된 비지에이 패키지용 리드프레임은 비지에이 패키지에서 반도체칩이 탑재되어 와이어본딩되며, 성형수지에 의해 몰딩된 후 반도체칩과 외부와의 전기적인 통로 역할을 하는 것으로, 상기 반도체칩과 와이어본딩되는 리드 및 상기 리드의 단부가 상기 성형수지 밖으로 노출될 수 있도록 절곡된 범프를 포함한다.A leadframe for a package is disclosed. The disclosed leadframe for a BG package is wire-bonded by mounting a semiconductor chip in a BG package and serves as an electrical path between the semiconductor chip and the outside after being molded by a molding resin. The lead is wire-bonded with the semiconductor chip. And a bump bent such that an end of the lead can be exposed out of the molding resin.

Description

Leadframe for Vizage Packages

본 발명은 비지에이(BGA) 패키지용 리드프레임에 관한 것으로서, 상세하게는 비지에이 패키지에서 반도체칩과 외부회로와의 전기적 통로 역할을 하는 범프를 구비한 비지에이 패키지용 리드프레임에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a leadframe for a BGA package, and more particularly, to a leadframe for a BGA package having a bump that serves as an electrical path between a semiconductor chip and an external circuit in the BGA package.

통상적으로 반도체 패키지는 구조나 기능에 따라 칩 온 리드(chip on lead, COL) 패키지, 리드 온 칩(lead on chip, LOC) 패키지, 비지에이(BGA) 패키지등 여러 가지 형태가 이용된다. 상술한 반도체 패키지 중 비지에이 패키지는 외부와의 전기적 신호전달을 위하여 복수개의 땜납볼을 구비하여 다른 패키지에 비해서 실장밀도가 증가된 것으로, 최근에 반도체칩이 고집적화됨에 따라 이용이 확산되고 있다. 이러한 비지에이 패키지의 일 예를 도 1에 도시해 보였다.In general, various types of semiconductor packages may be used, such as a chip on lead (COL) package, a lead on chip (LOC) package, a BGA package, and the like. Among the semiconductor packages described above, the BG package includes a plurality of solder balls for electrical signal transmission to the outside, and has a higher mounting density than other packages. As the semiconductor chips have been highly integrated in recent years, their use has spread. An example of such a package is shown in FIG. 1.

도면에 도시된 바와 같이, 이 비지에이 패키지는 반도체칩(11)과, 이 반도체칩(11)이 탑재되며 와이어본딩되는 리드가 마련된 리드프레임(12)을 구비하여 구성된다. 그리고, 반도체칩(11)과 리드프레임(12)은 성형수지(13)에 의해 몰딩되어 외부로부터 보호되며, 반도체칩(11)과 와이어본딩된 복수개의 리드에 각각 형성된 범프(14)에 땜납볼(15)이 부착되어 외부회로와 전기적 통로 역할을 한다.As shown in the figure, the business package includes a semiconductor chip 11 and a lead frame 12 provided with a lead on which the semiconductor chip 11 is mounted and wire-bonded. The semiconductor chip 11 and the lead frame 12 are molded by the molding resin 13 to be protected from the outside, and the solder balls are formed on the bumps 14 formed on the semiconductor chips 11 and the plurality of wire-bonded leads, respectively. (15) is attached to act as an external circuit and electrical passage.

도 2는 상술한 바와 같은 비지에이 패키지에 이용되는 리드프레임의 일 예를 도시한 평면도로서, 이러한 비지에이 패키지용 리드프레임은 반도체칩(11)과 와이어본딩되는 복수개의 리드(21)와, 타이바(22) 및 리드(21)의 단부에 형성되어 비지에이 패키지 제조과정 중 성형수지(13)에 의해 몰딩될 때 외부로 노출되어 땜납볼(15)이 부착되는 범프(23)를 포함하여 구성된다. 그리고, 도 3은 이러한 비지에이 패키지용 리드프레임을 이용하여 제작된 비지에이 패키지의 배면도로서, 복수개의 리드(21)의 단부에 형성된 범프(23)가 소정의 형태로 배열되어 성형수지(13)에 의해 몰딩된 비지에이 패키지(31)의 외부로 노출되게 된다.FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a lead frame used in a BG package as described above, wherein the BB package lead frame includes a plurality of leads 21 wire-bonded with a semiconductor chip 11 and a tie. And a bump 23 formed at an end of the bar 22 and the lead 21 to be exposed to the outside when the molding ball 13 is molded during the busy package manufacturing process and to which the solder ball 15 is attached. do. 3 is a rear view of the BG package manufactured by using the BG package lead frame, in which bumps 23 formed at ends of the plurality of leads 21 are arranged in a predetermined shape to form a molding resin 13. Visius molded by) will be exposed to the outside of the package 31.

종래의 기술에서는 이러한 범프(23)를 복수개의 리드(21)의 단부에 형성하기 위해서 반에칭하는 방식을 이용하였다. 이를 상세히 설명하면, 리드프레임 소재에 대하여 에칭공정을 실시하여 소정 패턴의 리드(21)를 성형할 때, 이 리드(21)의 저면에 대하여 범프(23)로 이용되는 부위를 제외한 부위에 대하여 반에칭을 동시에 실시함으로써 리드(21)의 단부에 범프(23)를 형성하였다.In the prior art, a method of semi-etching in order to form such bumps 23 at the ends of the plurality of leads 21 is used. In detail, when the lead frame material is etched to form a lead 21 having a predetermined pattern, the bottom surface of the lead 21 is half the portion except for the portion used as the bump 23. By performing etching simultaneously, bumps 23 were formed at the ends of the leads 21.

하지만. 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ의 단면도로서, 통상적으로 리드프레임 소재의 두께는 약 0.254mm 정도의 얇은 두께를 가지기 때문에 상술한 바와 같은 반에칭 방식에 의해 리드(21)의 단부에 범프(23)를 형성할 때 반에칭 공정이 어렵기 때문에 생산성이 나빠지며, 공정수율이 나빠서 제품의 신뢰성이 떨어진다는 문제점이 있다. 또한, 리드프레임의 리드(21)는 반에칭공정에 의해서 최초 리드프레임 소재의 두께보다 얇은 두께로 형성되므로 비지에이 패키지 제조공정 중 몰딩공정 시 리드(21)가 변형되거나 성형수지(23)에 의해 리드(21)가 움직이게 되어 리드(21)의 단부에 형성된 범프(23)가 성형수지(13) 밖으로 과다하게 노출되거나 노출되지 못하는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 방지하기 위해서는 리드프레임 소재로써 반에칭이 실시된 후에도 변형이 발생하지 않도록 충분한 두께를 가지는 소재를 이용하여야 하나, 이는 제조비용을 상승시키며 리드를 성형하기 위한 에칭공정 시간 등 제조공정 시간이 늘어나게 되어 생산성이 나빠진다는 문제점이 있다.However. FIG. 4 is a cross-sectional view of IV-IV of FIG. 2, and since the thickness of the lead frame material has a thin thickness of about 0.254 mm, bumps 23 are formed at the ends of the leads 21 by the semi-etching method as described above. In the case of forming a), the semi-etching process is difficult, so the productivity is poor, and the process yield is bad, and there is a problem in that the reliability of the product is lowered. In addition, since the lead 21 of the lead frame is formed to have a thickness thinner than the thickness of the original lead frame material by the semi-etching process, the lead 21 is deformed or molded by the molding resin 23 during the molding process of the BIG package manufacturing process. Since the lead 21 is moved, the bump 23 formed at the end of the lead 21 may be excessively exposed or not exposed out of the molding resin 13. In order to prevent such a problem, a material having a sufficient thickness so as to prevent deformation even after semi-etching is performed as a lead frame material, but this increases the manufacturing cost and the manufacturing process time such as the etching process time for forming the lead. There is a problem that the productivity is worsened to increase.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 비지에이 패키지 제조과정에서 몰딩 공정시 리드의 변형이 발생하지 않으며, 제조가 용이하여 생산성이 향상되도록 개선된 비지에이 패키지용 리드프레임을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a lead frame for a BGA package that does not cause deformation of a lead during molding process in a BGA package manufacturing process, and is easily manufactured to improve productivity. The purpose is.

도 1은 통상적인 비지에이 패키지의 일예를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing an example of a typical BG package;

도 2는 종래의 비지에이 패키지용 리드프레임을 도시한 평면도,Figure 2 is a plan view showing a lead frame for a conventional BGA package;

도 3은 종래의 비지에이 패키지용 리드프레임이 적용된 비지에이 패키지의 배면도,FIG. 3 is a rear view of a BG package to which a lead frame for a BG package is applied.

도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ의 단면도,4 is a cross-sectional view taken from IV-IV of FIG. 2;

도 5는 본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임의 일 실시예를 도시한 평면도,5 is a plan view showing an embodiment of a lead frame for a busy package according to the present invention,

도 6은 도 5의 A부위를 분리하여 도시한 사시도,FIG. 6 is a perspective view of a portion A of FIG. 5 separated from each other; FIG.

그리고, 도 7은 본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임이 적용된 비지에이 패키지의 배면도이다.7 is a rear view of the BG package to which the lead frame for the BG package according to the present invention is applied.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

11.반도체칩 12.리드프레임11.Semiconductor Chip 12.Lead Frame

13.성형수지 14.범프13.Plastic Resin 14.Bump

15.땜납볼 21,51.리드15.Solder Ball 21, 51. Lead

22,52.타이바 23,53.범프22,52.Taiba 23,53.Bump

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명인 비지에이 패키지용 리드프레임은, 비지에이 패키지에서 반도체칩이 탑재되어 와이어본딩되며, 성형수지에 의해 몰딩된 후 반도체칩과 외부와의 전기적인 통로 역할을 하는 것으로, 상기 반도체칩과 와이어본딩되는 리드 및 상기 리드의 단부가 상기 성형수지 밖으로 노출될 수 있도록 절곡된 범프를 포함한다.In order to achieve the above object, the BGA package leadframe of the present invention is a semiconductor chip mounted on the BGA package and wire-bonded, and after being molded by molding resin, serves as an electrical path between the semiconductor chip and the outside. It includes a lead wire-bonded with the semiconductor chip and a bump bent so that the end portion of the lead can be exposed out of the molding resin.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임은 도 1에 도시된 바와 같은 반도체칩(11)과, 이 반도체칩(11)이 탑재되며 와이어본딩되는 리드가 마련된 리드프레임(12) 및 반도체칩(11)과 리드프레임(12)은 성형수지(13)에 의해 몰딩되어 외부로부터 보호되며, 반도체칩(11)과 와이어본딩된 복수개의 리드와 외부회로와 전기적 통로 역할을 하는 땜납볼(15)을 전기적으로 연결하는 범프(14)를 포함하는 비지에이 패키지 등에서 이용된다.The lead frame for a business package according to the present invention includes a semiconductor chip 11 as shown in FIG. 1, a lead frame 12 and a semiconductor chip 11 on which the semiconductor chip 11 is mounted and wire-bonded. ) And the lead frame 12 are molded by the molding resin 13 to be protected from the outside, and the plurality of leads and wires bonded to the semiconductor chip 11 and the solder ball 15 which serves as an electrical path with the external circuit. It is used in a vignette package and the like including a bump 14 to connect with.

도 5는 본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임의 일 실시예를 도시한 평면도이다.Figure 5 is a plan view showing an embodiment of a lead frame for a business package according to the present invention.

도면을 참조하면, 이 비지에이 패키지용 리드프레임은 상술한 바와 같은 비지에이 패키지에서 반도체칩(11)이 탑재되어 와이어본딩되는 것으로, 통상적인 리드프레임에서와 같이 소정 패턴으로 형성된 리드(51) 및 타이바(52)를 포함하여 이루어진다. 그리고, 본 발명의 특징에 따르면, 상술한 바와 같은 반도체 패키지에서 반도체칩(11)과 와이어본딩된 복수개의 리드(51)와 외부회로와의 전기적 통로 역할을 하는 범프(53)가 성형수지(13) 밖으로 노출될 수 있도록 리드(51)의 단부로부터 절곡되어 형성된다.Referring to the drawings, the lead package for the BG package is formed by wire bonding with the semiconductor chip 11 mounted in the BG package as described above, and includes a lead 51 formed in a predetermined pattern as in a typical lead frame. It comprises a tie bar (52). According to a feature of the present invention, in the semiconductor package as described above, the bump 53, which serves as an electrical path between the semiconductor chip 11, the wire-bonded plurality of leads 51, and an external circuit, may be formed of a molding resin 13. Is bent from the end of the lid 51 so that it can be exposed outside.

도 6은 도 5의 A부위를 분리하여 도시한 사시도로서, 상술한 범프(53)는 리드(51)의 단부로부터 소정 길이 만큼 절곡되어 형성된다. 이때, 리드(51)의 단부로부터 절곡되는 범프(53)는 약 90°의 각도로 형성됨이 바람직하다. 이러한 리드(51)의 단부로부터 범프(53)의 형성은 프레스 가공 등을 통하여 간단하게 실시할 수 있다. 그리고, 범프(53)의 길이는 비지에이 패키지 제조과정에서 몰딩공정 시 성형수지(13) 밖으로 노출될 수 있도록 적절하게 설정할 수 있다. 따라서, 리드프레임의 소재에 대하여 소정 패턴의 리드(51)를 성형할 때, 범프(53)의 길이만큼 길게 성형함이 바람직하다. 그리고, 도 7은 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임이 적용된 비지에이 패키지를 도시한 배면도로서, 복수개의 리드(51)의 단부에 절곡되어 형성된 범프(53)가 소정의 형태로 배열되어 성형수지(13)에 의해 몰딩된 비지에이 패키지(71)의 외부로 노출되게 된다.FIG. 6 is a perspective view of an A portion of FIG. 5 separated from each other, and the above-described bump 53 is formed by bending a predetermined length from an end of the lead 51. At this time, the bump 53 is bent from the end of the lead 51 is preferably formed at an angle of about 90 °. Formation of the bump 53 from the end of such a lead 51 can be performed simply through press working or the like. In addition, the length of the bumps 53 may be appropriately set so that the bumps 53 may be exposed out of the molding resin 13 during the molding process during the manufacturing process of the BD package. Therefore, when molding the lead 51 of the predetermined pattern with respect to the raw material of the lead frame, it is preferable to mold the length of the bump 53 as long as. FIG. 7 is a rear view illustrating the BG package to which the BG package lead frame according to the present invention is applied. The bump 53 formed by bending at the ends of the plurality of leads 51 may be predetermined. It is arranged in the form and is exposed to the outside of the busy package packaged by the molding resin (13) (71).

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임은 리드프레임 소재로부터 에칭 또는 스탬핑공정의 통하여 소정 패턴의 리드(51)를 형성한 후, 반에칭 공정을 이용하지 않고 프레스 가공 등을 통하여 리드(51)의 단부를 절곡시켜서 범프(53)를 형성함으로써, 반에칭 공정에서 발생하는 불량발생 등을 방지하여 신뢰성이 향상되며, 제작공정이 단순화되어 생산성이 향상된다. 또한, 반에칭 공정을 실시하지 않으므로 그만큼 얇은 두께를 가지는 소재를 리드프레임 소재로 이용할 수 있다.In the above-described lead package for a BG package according to the present invention, after forming a lead 51 having a predetermined pattern from an lead frame material through an etching or stamping process, the lead frame is pressed through a press process or the like without using a semi-etching process. By forming the bumps 53 by bending the ends of the 51s, the defects generated in the semi-etching process and the like are prevented, so that the reliability is improved, and the manufacturing process is simplified to improve productivity. In addition, since the semi-etching process is not performed, a material having such a thin thickness can be used as the lead frame material.

본 발명에 따른 비지에이 패키지용 리드프레임은 소정 패턴의 리드의 단부를 절곡시켜서 범프를 형성함으로써, 신뢰성이 향상되며, 제작공정이 단순화되어 생산성이 향상된다는 장점이 있다.According to the present invention, the lead frame for a package has a merit in that a bump is formed by bending an end portion of a lead of a predetermined pattern, thereby improving reliability, simplifying a manufacturing process, and improving productivity.

Claims

In this package, the semiconductor chip is mounted and wire bonded, and after being molded by molding resin, it serves as an electrical path between the semiconductor chip and the outside.

A lead wire-bonded with the semiconductor chip; And

And a bump bent to expose an end portion of the lead out of the molding resin.

The method of claim 1,

And the bumps are bent by bending the ends of the leads.