KR19990039617A - Semiconductor device with process chamber for ion implantation - Google Patents
Semiconductor device with process chamber for ion implantation Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990039617A KR19990039617A KR1019970059766A KR19970059766A KR19990039617A KR 19990039617 A KR19990039617 A KR 19990039617A KR 1019970059766 A KR1019970059766 A KR 1019970059766A KR 19970059766 A KR19970059766 A KR 19970059766A KR 19990039617 A KR19990039617 A KR 19990039617A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- process chamber
- valve
- semiconductor device
- ion implantation
- filter
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 이온 주입을 행하는 공정 챔버를 구비하는 반도체 장치에 관한 것이다. 개폐 밸브의 열화에 의해 발생하는 금속성 파티클에 의해 공정 챔버가 오염되는 것을 방지하도록 공정 챔버와 상기 개폐 밸브 사이에 가스 필터를 설치한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device having a process chamber for ion implantation. A gas filter is installed between the process chamber and the on / off valve to prevent the process chamber from being contaminated by metallic particles generated by deterioration of the on / off valve.
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 이온 주입(ion implantation)을 행하는 공정 챔버를 구비하는 반도체 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly, to a semiconductor device having a process chamber for performing ion implantation.
이온 주입을 위한 반도체 장치의 경우, 공정 시 사용할 질소(N2)를 공정 챔버(process chamber)에 공급하기 위한 N2라인은 개폐 밸브(open/ close valve)의 뒤단이 직접 공정 챔버와 연결되어 있다. 그런데, 개폐 밸브가 많은 움직임에 의하여 열화되면서 금속성 파티클(particle)이 생성되어 공정 챔버를 오염시킬 수 있으므로 심각한 문제로 대두되고 있다.In the case of the semiconductor device for ion implantation, the N 2 line for supplying nitrogen (N 2 ) to the process chamber to be used in the process is directly connected to the process chamber at the rear end of the open / close valve. . However, as the on-off valve deteriorates due to many movements, metallic particles are generated and contaminate the process chamber, which is a serious problem.
도 1는 종래의 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치를 도시한 개략도로서, 도면부호 "10"은 공정 챔버를, "20"은 제1 필터를, "30"은 셧트 오프 밸브(shut off valve)를, "40"은 제2 밸브를, 그리고 "50"은 개폐 밸브를 나타낸다.1 is a schematic view of a semiconductor device having a conventional process chamber for ion implantation, wherein reference numeral 10 denotes a process chamber, 20 denotes a first filter, and 30 denote a shut off valve. off valve), "40" represents a second valve, and "50" represents an open / close valve.
N2라인의 구성을 살펴보면, 공정 챔버(10)로부터 개폐 밸브(50), 제2 필터(40), 셧트 오프 밸브(30) 및 제1 필터(20)이 차례대로 설치되어 있다. N2라인에 N2를 공급(vent)하게 제1 필터(20)를 거친 N2가 셧트 오프 밸브(30)를 거쳐 제2 필터(40)를 거치고 개폐 밸브(50)를 거쳐 공정 챔버(10)에 들어가게 되는데, 이때 상기 개폐 밸브(50)의 오염원이 공정 챔버로 그대로 유입될 수 있으므로 공정 챔버를 오염시킬 수 있고, 이렇게 발생된 오염원에 의하여 제품에 치명적인 손상을 끼쳐 수율 저하등의 문제를 일으킨다.Looking at the configuration of the N 2 line, the on-off valve 50, the second filter 40, the shut-off valve 30 and the first filter 20 are sequentially installed from the process chamber 10. The N 2 to the N 2 supply (vent) passed through the first filter 20 to the N 2 line through the syeotteu-off valve (30) go through a second filter 40 via an on-off valve 50, the process chamber (10 In this case, the pollutant of the on-off valve 50 may flow into the process chamber as it is, which may contaminate the process chamber. .
본 발명의 목적은 개폐밸브의 열화에 의한 금속성 파티클에 의해 공정 챔버가 오염되는 것을 방지할 수 있는 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor device having a process chamber for ion implantation which can prevent the process chamber from being contaminated by metallic particles due to deterioration of the on / off valve.
도 1는 종래의 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor device having a process chamber for a conventional ion implantation.
도 2는 본 발명에 의한 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치를 도시한 개략도이다.2 is a schematic diagram illustrating a semiconductor device having a process chamber for ion implantation according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치는, 개폐 밸브의 열화에 의해 발생하는 금속성 파티클에 의해 공정 챔버가 오염되는 것을 방지하도록 공정 챔버와 상기 개폐 밸브 사이에 가스 필터를 설치한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a semiconductor device having a process chamber for ion implantation according to the present invention includes a process chamber and the open / close valve to prevent the process chamber from being contaminated by metallic particles generated by deterioration of the open / close valve. It is characterized by providing a gas filter in between.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치를 더욱 자세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in more detail a semiconductor device having a process chamber for ion implantation according to the present invention.
도 2는 본 발명에 의한 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치를 도시한 개략도로서, 도면부호 "100"은 공정 챔버를, "110"은 제1 필터를, "120"은 셧트 오프 밸브를, "130"은 개폐 밸브를, 그리고 "140"은 제2 필터를 나타낸다.2 is a schematic view showing a semiconductor device having a process chamber for ion implantation according to the present invention, wherein reference numeral 100 denotes a process chamber, 110 denotes a first filter, and 120 denotes a shut-off valve "130" represents an on-off valve, and "140" represents a second filter.
본 발명에 의하면, 공정 챔버(100)와 개폐 밸브(130) 사이에 제2 필터(140)을 설치하여 N2라인으로 공급되는 N2를 필터링함과 동시에 개폐 밸브(130)의 열화에 의해 발생하는 금속성 파티클도 필터링하게 한다. 즉, 제1 필터(110)에서는 N2가스 공급시 발생하는 오염원을 막고, 제2 필터(140)에서는 개폐 밸브(130)에서 발생하는 오염원 (금속성 파티클)을 막아줌으로써 공정 챔버의 오염 측면에서 보다 안정적인 필터의 기능을 수행할 수 있도록 한다.According to the present invention, the second filter 140 is installed between the process chamber 100 and the on-off valve 130 to filter N 2 supplied to the N 2 line and to be generated by deterioration of the on-off valve 130. It also filters metallic particles. That is, the first filter 110 prevents the pollutant generated when the N 2 gas is supplied, and the second filter 140 prevents the pollutant (metallic particles) generated by the opening / closing valve 130, thereby preventing contamination of the process chamber. Allows you to perform the function of a stable filter.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
본 발명에 의한 이온 주입을 위한 공정 챔버를 구비한 반도체 장치에 의하면, 개폐 밸브와 공정 챔버 사이에 필터를 설치하여 개폐 밸브에서 발생하는 금속성 파티클 등의 오염원이 공정 챔버로 유입되는 차단한다. 따라서, 신뢰도 높은 반도체 소자를 제조할 수 있다.According to the semiconductor device having a process chamber for ion implantation according to the present invention, a filter is provided between the on-off valve and the process chamber to block contamination of metal particles such as metallic particles generated from the on / off valve into the process chamber. Therefore, a highly reliable semiconductor element can be manufactured.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970059766A KR19990039617A (en) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Semiconductor device with process chamber for ion implantation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970059766A KR19990039617A (en) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Semiconductor device with process chamber for ion implantation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990039617A true KR19990039617A (en) | 1999-06-05 |
Family
ID=66086816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970059766A KR19990039617A (en) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Semiconductor device with process chamber for ion implantation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990039617A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610916B1 (en) * | 2000-06-12 | 2006-08-09 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor package |
-
1997
- 1997-11-13 KR KR1019970059766A patent/KR19990039617A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610916B1 (en) * | 2000-06-12 | 2006-08-09 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6602346B1 (en) | Gas-purged vacuum valve | |
| US6257270B1 (en) | Fluid control device | |
| US5250092A (en) | Exhaust apparatus for epitaxial growth system | |
| KR100271758B1 (en) | Semiconductor manufacturing equipment and driving method thereof | |
| NO911165L (en) | VALVE DEVICE. | |
| KR19990039617A (en) | Semiconductor device with process chamber for ion implantation | |
| US5241984A (en) | Flow valve | |
| US4561466A (en) | Valve for supplying flow media | |
| US6361020B1 (en) | Valve for use with high purity gas | |
| KR0135454Y1 (en) | Fabricating apparatus of semiconductor device | |
| KR20000003211A (en) | Gas feeding system of load lock chamber | |
| KR0132423Y1 (en) | Chemical supplier for semiconductor process | |
| US20170363221A1 (en) | Throttle valve | |
| KR20200020384A (en) | A load port with improved exhaust emission cleanliness | |
| KR200168523Y1 (en) | A poppet seat ring for gas valve apparatus | |
| KR970023677A (en) | Exhaust System of Chemical Vapor Deposition Facility | |
| JPH0771648A (en) | Opening/closing valve | |
| KR100191232B1 (en) | Gas exhausting apparatus | |
| KR20010097984A (en) | Vacuum chamber with a cold cathode ion gauge | |
| KR200195109Y1 (en) | Device for storing reticle of semiconductor | |
| KR19990025801A (en) | Gas supply device for semiconductor device manufacturing | |
| KR20000021295A (en) | Load lock venting system of a semiconductor manufacturing equipment | |
| JPH0560068A (en) | Vacuum device and method for preventing refuse from sticking | |
| KR100308206B1 (en) | A defilement exclusion system for lens in stepper equipment | |
| KR0119251Y1 (en) | Gas supply apparatus in chamber |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |