KR19990039222U - Semiconductor Wafer Developer - Google Patents

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KR19990039222U
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박주용
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김영환
현대반도체 주식회사
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Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것으로, 종래에는 캐취컵(10)의 내부에 하나의 웨이퍼척(20)과 이에 회전력을 전달시키는 회전축(30)이 설치되어 있어, 한 번의 현상처리에 한 장의 웨이퍼만을 처리하게 되므로, 웨이퍼 현상공정중 그 전단계인 노광 공정을 마친 웨이퍼가 현상공정에 도달할 경우 현재 현상 처리중인 웨이퍼의 현상공정이 끝날 때 까지 대기하게 됨으로써 진행시간이 많이 소요되는 문제점이 있었는 바, 본 고안은 외측캐취컵(50)에 웨이퍼를 자체 제어에 의해 현상할 수 있는 다수개의 현상수단을 설치하여 전 단계인 노광공정을 거친 웨이퍼가 한 개의 현상수단에 의해 현상처리되는 과정중 노광공정을 거친 다른 웨이퍼가 현상공정에 도달할 경우 이를 동시에 현상 처리할 수 있게 함으로써 노광공정을 거친 웨이퍼가 현상공정에서 대기하는 대기 시간을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer developing apparatus. In the related art, one wafer chuck 20 and a rotating shaft 30 for transmitting rotational force therein are installed inside the catch cup 10. Since only the wafer is processed, when the wafer which has completed the exposure process, which is the previous step in the wafer development process, reaches the developing process, it takes a long time to wait until the developing process of the currently developing wafer is completed. According to the present invention, an exposure process during a process in which a wafer subjected to an exposure process as a previous step is developed by one developing means by installing a plurality of developing means capable of developing the wafer by self control in the outer catch cup 50 When other wafers that have undergone the development have reached the development process, they can be developed simultaneously. Minimize waiting time standing waiting to help you to improve your productivity.

Description

반도체 웨이퍼 현상장치Semiconductor Wafer Developer

본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것으로, 특히 노광공정을 마친 웨이퍼를 현상처리하는 과정에서 수개의 웨이퍼를 동시에 현상 처리할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer developing apparatus, and more particularly, to a semiconductor wafer developing apparatus capable of developing several wafers simultaneously in the process of developing a wafer after an exposure process.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중 노광공정을 실시한 다음에는 현상액을 이용하여 노광된 부분과 노광되지 않은 부분을 구분시켜주는 현상공정을 실시하게 된다. 이와 같은 현상공정은 현상장치에 의해 이루어진다.In general, after the exposure process is performed in the semiconductor wafer manufacturing process, a developing process is performed to distinguish between the exposed and unexposed portions using a developer. This developing process is performed by a developing apparatus.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 현상장치의 일예를 개략적으로 도시한 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 현상장치는 상부가 개구되며 소정의 내부 공간을 갖는 캐취컵(catch-cup)(10)의 내부에 노광된 웨이퍼가 이송되어 안착되는 웨이퍼척(20)이 위치하고, 상기 웨이퍼척(20)의 하부에는 소정의 길이를 갖는 회전축(30)이 결합되며, 상기 회전축(30)의 하단부에 회전축(30)을 회전시키는 구동수단(40)이 결합된다. 그리고 상기 웨이퍼척(20)의 상면에는 웨이퍼의 안착시 웨이퍼의 손상을 방지하는 태프론 디스크(Teflon Disk)(21)가 결합되며, 상기 웨이퍼척(20)의 하측으로 신너(Thinner)가 분사되는 백린스 노즐(BACK RINSE NOZZLE)(11)이 형성되어 있다. 그리고 상기 캐취컵(10)의 저면에는 웨이퍼상에 분사되고 난 후 캐취컵(10)에 고이는 현상액을 배출시키는 드레인 라인(12)이 형성되어 있다.FIG. 1 schematically illustrates an example of a conventional semiconductor wafer developing apparatus. As shown in the drawing, a conventional semiconductor wafer developing apparatus includes a catch-cup 10 having an upper portion and having a predetermined internal space. A wafer chuck 20 in which an exposed wafer is transferred and seated is positioned, and a rotating shaft 30 having a predetermined length is coupled to a lower portion of the wafer chuck 20, and a rotating shaft ( Driving means 40 for rotating the 30 is coupled. And the upper surface of the wafer chuck 20 is coupled to a Teflon disk (Teflon Disk) 21 to prevent damage to the wafer when the wafer is seated, the thinner (Thinner) is injected to the lower side of the wafer chuck 20 A back rinse nozzle 11 is formed. In addition, a drain line 12 is formed at the bottom of the catch cup 10 to discharge the developer accumulated on the catch cup 10 after being sprayed onto the wafer.

상기한 바와 같이, 종래의 반도체 웨이퍼 현상장치의 작동은 다음과 같다.As described above, the operation of the conventional semiconductor wafer developing apparatus is as follows.

먼저, 상기 현상장치는 웨이퍼 제조공정 라인상에 한 유닛으로 설치되며, 웨이퍼가 제조공정을 거치면서 현상장치에 이르게 되면, 웨이퍼척(20)은 고정된 상태에서 웨이퍼가 제조공정 라인의 레일(미도시)에 의해 이송되어 웨이퍼척(20)에 올려지면서 버큠(VACCUM)에 의해 웨이퍼척(20)에 고정된다. 이어 구동수단(40)의 작동에 의해 회전축(30)이 회전함과 더불어 웨이퍼척(20) 및 이에 고정된 웨이퍼가 회전하게 되며, 이 회전하는 웨이퍼상에 현상액을 분사시켜 웨이퍼의 노광된 부분을 현상시키게 된다. 상기 웨이퍼상에 분사되는 현상액은 웨이퍼가 회전함에 의해 골고루 도포되면서 웨이퍼를 현상시키게 되며, 상기 웨이퍼를 현상처리한 현상액은 캐취컵(10)의 타고 하측으로 흘러 드레인 라인(12)을 통해 배출된다.First, the developing apparatus is installed as a unit on the wafer manufacturing process line, and when the wafer reaches the developing apparatus through the manufacturing process, the wafer chuck 20 is fixed in the state where the wafer is fixed to the rail of the manufacturing process line. It is transferred to the wafer chuck 20 and is fixed to the wafer chuck 20 by a vacuum (VACCUM). Subsequently, the rotating shaft 30 is rotated by the operation of the driving means 40 and the wafer chuck 20 and the wafer fixed thereto are rotated. The developer is sprayed onto the rotating wafer to expose the exposed portion of the wafer. Developed. The developer injected onto the wafer develops the wafer while being evenly applied as the wafer rotates, and the developer having developed the wafer flows down the catch cup 10 to be discharged through the drain line 12.

그리고 현상처리를 마친 웨이퍼는 다음 공정으로 레일을 통해 이송된다.After the development, the wafer is transferred through the rail to the next process.

그러나, 상기한 바와 같은 종래 반도체 웨이퍼 현상장치는 캐취컵(10)의 내부에 하나의 웨이퍼척(20)과 이에 회전력을 전달시키는 회전축(30)이 설치되어 있어, 한 번의 현상처리에 한 장의 웨이퍼만을 처리하게 되므로, 웨이퍼 현상공정중 그 전단계 공정을 마친 웨이퍼가 현상공정에 도달할 경우 현재 현상처리중인 웨이퍼의 현상공정이 끝날 때 까지 대기하고 있어야 하므로 진행시간이 많이 소요되어 생산성을 저하시키게 되는 문제점이 있었다.However, in the conventional semiconductor wafer developing apparatus as described above, one wafer chuck 20 and a rotating shaft 30 for transmitting rotational force are provided inside the catch cup 10, so that one wafer is used for one developing process. Since only the wafer is processed during the developing process, when the wafer reaches the developing process, the process must be waited until the developing process of the wafer under development is completed. There was this.

따라서 본 고안의 목적은 노광공정을 마친 웨이퍼를 현상처리하는 과정에서 수개의 웨이퍼를 동시에 현상 처리할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 현상장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer developing apparatus capable of developing several wafers simultaneously in the process of developing a wafer after the exposure process.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 현상장치를 도시한 정단면도,1 is a front sectional view showing a conventional semiconductor wafer developing apparatus;

도 2a는 본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치를 도시한 평단면도,Figure 2a is a plan sectional view showing a semiconductor wafer developing apparatus of the present invention,

도 2b는 본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치를 도시한 정단면도.Figure 2b is a front sectional view showing a semiconductor wafer developing apparatus of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

50 ; 외측캐취컵 60 ; 제1구동모터50; Outer catch cup 60; 1st drive motor

70 ; 회전축 80 ; 분지축70; Axis of rotation 80; Branch shaft

90 ; 제2구동모터 100 ; 웨이퍼척90; Second driving motor 100; Wafer chuck

110 ; 내측캐취컵 120 ; 백린스노즐110; Inner catch cup 120; Balinese Nozzle

상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 소정 크기의 내부 공간을 갖는 외측캐취컵의 내부에 자체 제어에 의해 한 장의 웨이퍼를 현상 처리하는 현상수단이 수개 설치되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the semiconductor wafer development is characterized in that a number of developing means for developing a single wafer by self control is provided inside the outer catch cup having an internal space of a predetermined size. An apparatus is provided.

상기 현상수단은 제1구동모터와, 상기 제1구동모터에 연결되어 회전하는 회전축과, 상기 회전축의 일측에 연결되는 분지축과, 상기 분지축에 결합되는 제2구동모터와, 상기 제2구동모터에 연결되어 제2구동모터의 구동에 의해 회전함과 더불어 웨이퍼가 안착되어 고정되는 웨이퍼척과, 상하로 이동가능하게 설치되어 웨이퍼척에 고정되는 웨이퍼를 감싸면서 웨이퍼에 분사되는 현상액이 외부로 튀어나가는 방지하는 내측캐취컵과, 상기 웨이퍼척의 하측에 설치되어 웨이퍼에 신너를 분사하는 백린스노즐을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치가 제공된다.The developing means includes a first driving motor, a rotating shaft connected to the first driving motor to rotate, a branch shaft connected to one side of the rotating shaft, a second driving motor coupled to the branch shaft, and the second driving. The developer is injected onto the wafer while the wafer chuck is rotated by the drive of the second drive motor and the wafer is seated and fixed, and the wafer is installed to move up and down and is fixed to the wafer chuck. A semiconductor wafer developing apparatus is provided, comprising an inner catch cup for preventing outgoing, and a white rinse nozzle disposed below the wafer chuck and spraying thinner onto the wafer.

이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the semiconductor wafer developing apparatus of the present invention will be described according to the embodiment shown in the accompanying drawings.

본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치는, 도 2a, 2b에 도시한 바와 같이, 소정 크기의 내부 공간을 갖는 외측캐취컵(50)의 내부에 자체 제어에 의해 한 장의 웨이퍼를 현상 처리하는 현상수단이 수개 설치되어 이루어진다. 상기 외측캐취컵(50)은 상측이 개구되고 하면에 현상액을 배출시키는 드레인 라인(51)이 형성되어 있다.In the semiconductor wafer developing apparatus of the present invention, as shown in Figs. 2A and 2B, there are several developing means for developing a single wafer by self control inside the outer catch cup 50 having an internal space of a predetermined size. It is installed. The outer catch cup 50 has an open upper side and a drain line 51 for discharging the developing solution on the lower surface thereof.

상기 현상수단은 제1구동모터(60)와, 상기 제1구동모터(60)에 연결되어 회전하는 회전축(70)과, 상기 회전축(70)의 일측에 연결되는 분지축(80)과, 상기 분지축(80)에 결합되는 제2구동모터(90)와, 상기 제2구동모터(90)에 연결되어 제2구동모터(90)의 구동에 의해 회전함과 더불어 웨이퍼가 안착되어 고정되는 웨이퍼척(100)과, 상하로 이동가능하게 설치되어 웨이퍼척(100)에 고정되는 웨이퍼를 감싸면서 웨이퍼에 분사되는 현상액이 외부로 튀어나가는 방지하는 내측캐취컵(110)과, 상기 웨이퍼척(100)의 하측에 설치되어 웨이퍼에 신너를 분사하는 백린스노즐(120)을 포함하여 구성된다.The developing means includes a first driving motor 60, a rotating shaft 70 connected to the first driving motor 60 to rotate, a branch shaft 80 connected to one side of the rotating shaft 70, and the A wafer connected to the branch shaft 80 and the second driving motor 90 and the second driving motor 90 are rotated by the driving of the second driving motor 90 and the wafer is seated and fixed. The inner chuck cup 110 and the wafer chuck 100 which surround the wafer fixed to the wafer chuck 100 and are installed to be moved up and down to prevent the developer from being ejected to the outside from protruding to the outside. It is configured to include a back rinse nozzle 120 is installed below the bottom) to inject thinner to the wafer.

상기 회전축(70)은 소정의 직경과 길이를 갖도록 형성되며, 그 일측에 소정의 직경과 길이를 갖는 분지축(80)이 소정의 각을 갖도록 경사지게 결합된다. 그리고 상기 분지축(80)에 상기 웨이퍼척(100)을 회전시키는 제2구동모터(90)가 결합되며, 상기 제2구동모터(90)의 모터축에 이어 웨이퍼척(100)이 결합된다. 상기 내측캐취컵(110)은 웨이퍼가 웨이퍼척(100)에 안착된 상태에서 웨이퍼에 분사되는 현상액이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 크기로 형성되며, 일측에는 상,하이동시 분지축(80)에 걸리지 않도록 하는 개구홈(111)이 형성되고, 그 하부에는 분사된 현상액을 배출하는 드레인 라인이 형성된다.The rotating shaft 70 is formed to have a predetermined diameter and length, the branched shaft 80 having a predetermined diameter and length on one side is inclinedly coupled to have a predetermined angle. The second driving motor 90 for rotating the wafer chuck 100 is coupled to the branch shaft 80, and the wafer chuck 100 is coupled to the branch shaft 80 following the motor shaft of the second driving motor 90. The inner catch cup 110 is formed to have a size to prevent the developer from being injected onto the wafer out of the state in which the wafer is seated on the wafer chuck 100. The branching shaft 80 is moved upward and downward on one side. An opening groove 111 is formed so as not to be caught in the opening, and a drain line for discharging the injected developer is formed in the lower portion thereof.

이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operational effects of the semiconductor wafer developing apparatus of the present invention will be described.

본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치는 종래와 마찬가지로 웨이퍼 제조공정 라인상에 한 유닛으로 설치되며, 웨이퍼가 제조공정을 거치면서 현상장치에 이르게 되면, 제1구동모터(60)의 구동에 의해 회전축(70)이 회전하면서 분지축(80)에 결합된 웨이퍼척(100)이 웨이퍼가 위치한 곳으로 이동하게 됨과 더불어 웨이퍼가 제조공정 라인의 레일에 의해 이송되어 웨이퍼척(100)에 올려지면서 버큠에 의해 웨이퍼척(100)에 고정된다. 이어 제1구동모터(60)의 구동에 의해 웨이퍼척(100)이 캐취컵이 위치하는 이동하게 되며, 이상태에서 내측캐취컵(110)이 상측으로 이동하여 웨이퍼척(100)에 안착된 웨이퍼를 감싸게 된다. 이어 제2구동모터(90)가 구동하게 되면 그 구동력에 의해 웨이퍼척(100) 및 이에 고정된 웨이퍼가 회전하게 되며, 그 회전하는 웨이퍼상에 현상액을 분사시켜 웨이퍼의 노광된 부분을 현상시키게 된다. 상기 웨이퍼상에 분사되는 현상액은 웨이퍼가 회전함에 의해 골고루 도포되면서 웨이퍼를 현상시키게 되며, 상기 웨이퍼를 현상 처리한 현상액은 내측캐취컵(110)의 타고 하측으로 흘러 드레인 라인(112)을 통해 배출된다.The semiconductor wafer developing apparatus of the present invention is installed as a unit on a wafer manufacturing process line as in the prior art, and when the wafer reaches the developing apparatus through the manufacturing process, the rotation shaft 70 is driven by driving of the first driving motor 60. As the wafer rotates, the wafer chuck 100 coupled to the branching shaft 80 is moved to the place where the wafer is located, and the wafer is transferred by the rail of the manufacturing process line and loaded onto the wafer chuck 100, thereby pulling the wafer It is fixed to the chuck 100. Subsequently, the wafer chuck 100 is moved by the driving of the first driving motor 60, and the catch cup is positioned. In this state, the inner catch cup 110 is moved upwards to move the wafer seated on the wafer chuck 100. Will be wrapped. Subsequently, when the second driving motor 90 is driven, the wafer chuck 100 and the wafer fixed thereto are rotated by the driving force, and the developer is sprayed onto the rotating wafer to develop the exposed portion of the wafer. . The developer injected onto the wafer develops the wafer while being evenly applied by rotating the wafer, and the developer having developed the wafer flows down the inner catch cup 110 to be discharged through the drain line 112. .

한편, 외측캐취컵(50)내에서 한 개의 현상수단에 의해 한 개의 웨이퍼가 현상되는 중에 노광공정을 마친 다른 웨이퍼가 현상장치에 이르게 되면 외측캐취컵(50)내부에 설치된 다른 현상수단에 의한 자체 구동에 의해 상기한 바와 같은 과정을 거쳐 동시에 현상처리를 하게 된다.On the other hand, when one wafer is developed by one developing means in the outer catch cup 50 and another wafer which has been exposed to the developing apparatus reaches the developing apparatus itself, the other by the developing means installed inside the outer catch cup 50 is used. The driving is performed at the same time through the above process.

그리고 현상처리를 마친 웨이퍼는 다음 공정으로 레일을 통해 이송된다. 외측캐취컵(50)내에 설치된 각 현상수단의 내측캐취컵(110)에서 유출된 현상액은 외측캐취컵(50)의 드레인 라인(51)을 통해 배출된다.After the development, the wafer is transferred through the rail to the next process. The developer which flows out of the inner catch cup 110 of each developing means installed in the outer catch cup 50 is discharged through the drain line 51 of the outer catch cup 50.

본 고안은 외측캐취컵(50)에 웨이퍼를 자체 제어에 의해 현상할 수 있는 다수개의 현상수단을 설치함으로써 노광공정을 거친 웨이퍼가 한 개의 현상수단에 의해 현상처리되는 과정중 노광공정을 거친 다른 웨이퍼가 현상공정에 도달할 경우 이를 동시에 현상 처리할 수 있게 되어 노광공정을 거친 웨이퍼가 현상공정에서 대기하는 대기 시간을 최소화하게 된다.The present invention provides a plurality of developing means for developing the wafer by self-control in the outer catch cup 50 so that the wafer which has undergone the exposure process is developed by one developing means. When the development process is reached, it can be developed at the same time, thereby minimizing the waiting time for the wafer subjected to the exposure process in the development process.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안의 반도체 웨이퍼 현상장치는 동시에 웨이퍼를 수개 현상처리할 수 있게 되어 노광공정을 거친 웨이퍼가 현상공정에서 대기하는 대기 시간을 최소화하게 됨으로써 웨이퍼 진행 공정 시간을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the semiconductor wafer developing apparatus of the present invention can simultaneously develop several wafers, thereby minimizing the waiting time of the wafers subjected to the exposure process in the developing process, thereby reducing the wafer processing time and improving productivity. There is an effect that can be improved.

Claims (2)

소정 크기의 내부 공간을 갖는 외측캐취컵의 내부에 자체 제어에 의해 한 장의 웨이퍼를 현상 처리하는 현상수단이 수개 설치되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치.A semiconductor wafer developing apparatus characterized in that a plurality of developing means for developing a single wafer by self control are provided inside an outer catch cup having an internal space of a predetermined size. 제1항에 있어서, 상기 현상수단은 제1구동모터와, 상기 제1구동모터에 연결되어 회전하는 회전축과, 상기 회전축의 일측에 연결되는 분지축과, 상기 분지축에 결합되는 제2구동모터와, 상기 제2구동모터에 연결되어 제2구동모터의 구동에 의해 회전함과 더불어 웨이퍼가 안착되어 고정되는 웨이퍼척과, 상하로 이동가능하게 설치되어 웨이퍼척에 고정되는 웨이퍼를 감싸면서 웨이퍼에 분사되는 현상액이 외부로 튀어나가는 방지하는 내측캐취컵과, 상기 웨이퍼척의 하측에 설치되어 웨이퍼에 신너를 분사하는 백린스노즐을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치.The method of claim 1, wherein the developing means includes a first driving motor, a rotating shaft connected to the first driving motor to rotate, a branch shaft connected to one side of the rotating shaft, and a second driving motor coupled to the branch shaft. And a wafer chuck connected to the second drive motor and rotated by the driving of the second drive motor, the wafer chuck being seated and fixed, and the wafer movably installed vertically and fixed to the wafer chuck to be sprayed onto the wafer. And an inner catch cup which prevents the developing solution from protruding to the outside, and a white rinse nozzle disposed below the wafer chuck to spray thinner onto the wafer.
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