KR19990035336A - 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로, 기판상에 제 1 희생층을 형성하여 패터닝하고 그 위에 액츄에이터를 형성하며, 상기 제 1 희생층을 제거하고 그 제거된 영역 및 상기 액츄에이터 상부에 유동성이 우수한 재질의 제 2 희생층을 형성하며, 상기 제 2 희생층 위에 CMP 공정이 가능한 재질의 제 3 희생층을 형성하여, 제 3 희생층을 CMP 공정으로 평탄화하며, 상기 평탄화된 제 3 희생층의 일단을 패터닝하여 액츄에이터의 구동 선단부를 노출시킨 상면에 거울을 형성하며, 상기 제 2 희생층 및 제 3 희생층을 제거한 것이다.
따라서, 거울이 액츄에이터의 이니셜 틸팅각의 영향을 받지 않게 되므로 광로 조절장치의 이니셜 틸팅각을 제어하기에 용이한 효과를 얻을 수 있을 뿐만아니라 거울을 형성하기 전에 희생층을 CMP 공정으로 평탄화할 수 있어 거울의 평탄도를를 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 희생층의 재질 및 공정을 개선하여 거울면이 액츄에이터의 이니셜 틸팅각에 영향을 받지 않으면서도 거울면의 평탄도를 향상시킬 수 있도록 희생층의 CMP 공정이 가능한 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광속을 조절하여 화상을 형성할 수 있는 광로조절장치는 크게 광원으로부터 입사되는 광속을 스크린에 투영하는 방법에 따라서 CRT(Cathod Ray Tube) 등의 직시형 화상 표시 장치와 투사형 화상 표시 장치로서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display:이하 'LCD'라 칭함), DMD(Deformable Mirror Device), 또는 AMA(Actuated Mirror Arrays)등이 있다.
CRT 장치는 화상의 질은 우수하지만 화면의 대형화에 따라 장치의 중량과 용적이 증가하며 그 제조비용이 상승하는 문제가 있으며, 이에 비하여 액정 표시 장치(LCD)는 평판으로 형성할 수 있으나 입사되는 광속의 편광으로 인하여 1∼2％의 낮은 광효율을 가지며, 그 내부의 액정 물질의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다.
이에 따라, 상술바와 같은 LCD의 문제점들을 해결하기 위하여 DMD, 또는 AMA등의 장치가 개발되었다. 현재, DMD가 약 5% 정도의 광효율을 가지는 것에 비하여 AMA는 10% 이상의 광효율을 얻을 수 있다. 또한, AMA는 입사되는 광속의 극성에 의해 영향을 받지 않을 뿐만아니라 광속의 극성에 영향을 끼치지 않는다.
통상적으로, AMA 내부에 형성된 각각의 액츄에이터들은 인가되는 화상 신호 및 바이어스 전압에 의하여 발생되는 전계에 따라 변형을 일으킨다. 이 액츄에이터가 변형을 일으킬 때, 상기 액츄에이터의 상부에 장착된 각각의 거울들은 전계의 크기에 비례하여 경사지게 된다.
따라서, 이 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시킬 수 있게 된다. 이 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터의 구성 재료로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O3), 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O3)등의 압전 세라믹이 이용된다. 또한, 이 액츄에이터의 구성 재료로 PMN(Pb(Mg, Nb)O3)등의 전왜 세라믹을 이용할 수 있다.
상술한 AMA는 벌크(bulk)형과 박막(thin film)형으로 구분된다. 현재 AMA는 박막형 광로조절장치가 주종을 이루는 추세이다. 이 박막형 광로조절장치는 본 출원인이 1996년 11월 28일 대한민국 특허청에 특허 출원한 특허 출원 제 96-59191 호에 개시되어 있다.
도 1은 선행 출원에 의해 기재된 박막형 광로조절장치의 평면도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 A-A' 선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 선행 출원에 의해 기재된 박막형 광로조절장치는 기판(5)과 그 상부에 형성된 액츄에이터(65) 및 액츄에이터(65)의 구동 선단부에 별도로 설치되는 거울(60)을 포함하는 2층구조를 갖는다.
상기 액츄에이터(65)는 아래에 드레인 패드(10)가 형성된 부분에 일측이 지지되는 캔틸레버 형상을 이루며, 멤브레인(30), 하부전극(35), 변형층(40), 상부전극(45)을 포함하며, 드레인 패드(10)와 하부전극(35)이 전기적으로 연결되도록 드레인 패드(10)까지 수직하게 형성된 비아컨택(55)을 포함한다.
이와같은 종래의 박막형 광로조절장치는 신호전극인 하부전극(35)에 화상 신호 전압이 인가되며, 공통전극인 상부전극(45)에 바이어스 전압이 인가되면 상부전극(45)과 하부전극(35) 사이에 전계가 발생하게 된다. 이 전계에 의하여 상부전극(45)과 하부전극(35) 사이의 변형층(40)이 변형을 일으키게 되며, 상기 변형층(40)은 전계와 수직한 방향으로 수축하게 된다. 이에 따라 변형층(40)을 포함하는 액츄에이터(65)가 소정의 각도로 휘어지고, 액츄에이터(65)의 구동 선단부에 장착된 거울(60)은 휘어진 상부전극(45)에 의해 그 축이 움직여서 경사지게 되어 광원으로부터 입사되는 광속을 반사한다. 상기 거울(60)에 의하여 반사된 광속은 슬릿을 통하여 스크린에 투영됨으로서 화상을 맺게 한다.
한편, 도 3은 종래의 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조공정의 일 실시예를 도시한 공정 단면도이다.
도 3a를 참조하면, M×N개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 그 일측 상부에 드레인 패드(15)가 형성되어 있는 기판(5)의 상부에 인 실리케이트 유리(PSG)재질의 보호층(15)을 형성하여 후속하는 공정 동안 트랜지스터가 내장된 기판(5)이 손상되는 것을 방지한다.
보호층(15)의 상부에는 질화물로 이루어진 식각 방지층(20)을 형성하여 기판(5) 및 보호층(15)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 손상되는 것을 방지한다.
이와 같이 보호층(15) 및 식각 방지층(20)이 형성된 기판(5) 상부에 제 1 희생층(25)을 형성한다. 제 1 희생층(25)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법으로 0.5∼4.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이때, 제 1 희생층(25)은 트랜지스터가 내장된 기판(5)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 제 1 희생층(25)의 표면을 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 통해 평탄화한다.
도 3b를 참조하면, 상기 제 1 희생층(25)을 패터닝하여 드레인 패드(10)의 상방에 위치한 식각 방지층(20)의 일단을 노출시키고, 이와같이 노출된 식각 방지층(20)의 상부 및 제 1 희생층(25)의 상부에 질화물로 이루어진 멤브레인(13), 전기 전도성이 우수한 백금, 백금-탄탈륨 등의 금속으로 이루어진 하부전극(35), PZT 또는 PZLT등의 압전물질로 이루어진 변형층(40) 및 알루미늄, 백금 또는 은 등으로 이루어진 상부전극(45)을 형성한다.
도 3c를 참조하면, 상기 액츄에이터(65)의 지지부에 위치하는 변형층(40), 하부전극(35), 멤브레인(30), 식각 방지층(20), 그리고 보호층(15)을 차례로 식각하여 비아홀(50)을 형성하여 드레인(10)의 일단을 노출 시킨 후 드레인(10)과 하부전극(35)이 전기적으로 연결되도록 비아컨택(55)을 형성한다.
이어지는 단계로 상기 다층 박막 구조가 픽셀단위로 그 일단이 구동될 수 있는 캔틸레버 형상을 갖도록 상부전극(45), 변형층(40), 하부전극(35) 및 멤브레인(30)이 패터닝되며, 그 패터닝으로 제 1 희생층의 일단이 노출되며, 그 노출된 부분으로 불산 등의 식각액을 주입하여 제 1 희생층(25)을 제거한다.
도 3d를 참조하면, 상기 결과물 전면에 제 2 희생층(70)을 형성한다. 상기 제 2 희생층(70)은 제 1 희생층 영역(75)까지 동시에 충진되어야 하므로 유동성이 우수한 포토 레지스트, 폴리머, SOP, SOG 등과 같은 재질을 사용한다.
이와 같이 액츄에이터(65) 상부로 일정 두께를 갖도록 제 2 희생층(70)을 도포하여 평탄한 표면을 형성한 다음 액츄에이터(65)의 구동 선단부의 일단이 노출될 수 있도록 패터닝하며, 노출된 구동 선단부 및 제 2 희생층(70) 상부에 반사도가 좋은 알루미늄(Al)이나 은(Ag)을 0.1∼1.0㎛ 정도의 두께로 증착하여 거울(80)을 형성한 후 각 액츄에이터(65) 단위로 거울(80)을 분리하는 패터닝공정을 한다.
도 3f를 참조하면, 상기 거울(80)을 분리하면서 이웃하는 거울(80)과의 경계부분에 노출된 제 2 희생층(70)에 식각액을 주입하여 제 2 희생층(70)을 제거하여 액츄에이터(65)의 구동 선단부에 거울(80)이 지지되어 액츄에이터(65)의 구동에 따라 거울(80)이 구동될 수 있는 2층구조의 박막형 광로조절장치의 제조공정이 완료된다.
그런데 도 3의 제조공정을 통해 제조되는 2층구조의 박막형 광로조절장치는 제 1 희생층(25)을 제거한 후 제 2 희생층(70)을 형성하는 공정에서 제 1 희생층(25)이 제거된 제 1 희생층 영역(75)까지 포함하여 소정두께로 제 2 희생층(70)을 형성해야 하는데 액츄에이터(65)와 이웃하는 액츄에이터(65) 사이를 통해 제 2 희생층(70)을 충진해야 하므로 앞서 언급한 바와 같이 제 2 희생층(70)의 재료는 유동성이 우수한 재질을 사용해야 하는 제약이 따른다. 한편, 이와 같이 유동성이 우수한 재료는 반대 급부적으로 그 상면을 평탄화하기 위한 CMP 공정을 진행할 수 없는 단점이 있었다.
한편, 도 4a 내지 4c는 종래의 2층구조의 박막형 광로조절장치의 다른 실시예를 도시한 공정 단면도이다.
상기 실시예는 앞서 설명한 실시예의 제조공정 중 도 3c의 다층 박막 구조를 픽셀단위로 패터닝하여 액츄에이터(65)를 형성하는 공정까지 동일한 공정 단계를 거치므로 이에 대한 도면 및 설명은 생략한다.
즉, 도 4a를 참조하면, 상부전극(45'), 변형층(40'), 하부전극(35') 및 멤브레인(30')이 패터닝되어 제 1 희생층(25')의 일단이 노출된 상태에서 바로 제 2 희생층(70')을 소정 두께로 형성한다. 상기 제 2 희생층(70')은 후속공정에서 제 1 희생층(25')과 동시에 제거될 수 있도록 동일한 재질로 이루어진다.
한편, 제 2 희생층(70')은 노출된 제 1 희생층(25')위에 형성되므로 앞선 실시예에서와 같이 유동성 등을 고려할 필요가 없으며, 오히려 평탄화 공정에 적합한 폴리 실리콘 등의 재질로 형성한 다음 CMP 공정을 통해 제 2 희생층(70')의 상면을 평탄화 한다.
도 4b를 참조하면, 상기 액츄에이터(65')의 구동 선단부의 일단이 노출될 수 있도록 제 2 희생층(70')의 일단을 패터닝하며, 노출된 구동 선단부 및 제 2 희생층(70') 상부에 앞선 실시예와 동일하게 거울(80')을 형성한 후 각 액츄에이터(65') 단위로 거울(80')을 분리하는 패터닝공정을 한다.
도 4c를 참조하면, 상기 거울(80')을 분리하면서 이웃하는 거울(80')과의 경계부분에 노출된 제 2 희생층(70')에 식각액을 주입하면 제 2 희생층(70')이 제거되는 것과 함께 액츄에이터(65')의 경계부분을 따라 식각액이 제 1 희생층(25')에도 침투되어 제 1 희생층(25')도 함께 제거되어 액츄에이터(65')의 구동 선단부에 거울(80')이 지지되어 액츄에이터(65)의 구동에 따라 거울(80')이 구동될 수 있는 2층구조의 박막형 광로조절장치의 제조공정이 완료된다.
상기 다른 실시예에 따른 2층구조의 박막형 광로조절장치의 제조공정에서는 제 2 희생층(70')을 형성한 후 CMP공정을 수행할 수 있다는 잇점이 있으나, 제 1 희생층(25')와 제 2 희생층(70')가 동시에 제거되므로 제 1 희생층(25')이 제거되면서 발생된 제 1 희생층 영역(75')에 의해 캔틸레버 형상의 액츄에이터(65')의 구동 선단부가 기울어짐에 따라 거울(80')도 함께 기울어지게 되므로 액츄에이터(65')의 이니셜 틸팅각을 조절하기가 어려운 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제 1 희생층이 제거된 영역까지 포함하여 소정두께로 제 2 희생층을 형성하기 위해 유동성이 우수한 재료로 한정받아야 하는 단점 및 이로 인해 그 상면을 평탄화하기 위한 CMP 공정을 진행할 수 없는 단점을 극복할 수 있을 뿐만아니라, 다른 실시예에서 제 1 희생층이 제거되면서 발생된 영역에 의해 캔틸레버 형상의 액츄에이터의 구동 선단부가 기울어짐에 따라 거울도 함께 기울어져 액츄에이터의 이니셜 틸팅각을 조절하기가 어려운 단점을 극복할 수 있는 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 기판상에 제 1 희생층을 형성하여 패터닝하고 그 위에 액츄에이터를 형성하며, 상기 제 1 희생층을 제거하고 그 제거된 영역 및 상기 액츄에이터 상부에 유동성이 우수한 재질의 제 2 희생층을 형성하며, 상기 제 2 희생층 위에 CMP 공정이 가능한 재질의 제 3 희생층을 형성하여, 제 3 희생층을 CMP 공정으로 평탄화하며, 상기 평탄화된 제 3 희생층의 일단을 패터닝하여 액츄에이터의 구동 선단부를 노출시킨 상면에 거울을 형성하며, 상기 제 2 희생층 및 제 3 희생층을 제거하는 공정을 포함하는 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로 부터 더욱 명확하게 될 것이다.
도 1은 본 출원인의 선행 출원에 따른 박막형 광로조절장치의 평면도,
도 2는 도 1의 A-A' 선 단면도,
도 3a 내지 3f는 종래의 2층구조 박막형 광로조절장치의 일 실시예를 도시한 공정 단면도,
도 4a 내지 4c는 종래의 2층구조 박막형 광로조절장치의 다른 실시예를 도시한 공정 단면도,
도 5a 내지 5g는 본 발명에 따른 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조공정을 도시한 공정 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100:기판 110:드레인 패드
115:보호층 120:식각 방지층
125; 제 1 희생층 130:멤브레인
135:하부 전극 140:변형층
145:상부 전극 150:비아홀
155:비아컨택 160:액츄에이터
165:제 2 희생층 170:제 3 희생층
175:거울
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 광로조절장치의 제조방법을 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조공정을 순차적으로 도시한 공정 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 광로조절장치는 M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 드레인 패드(110)가 형성된 기판(100) 상에 제 1 희생층(125)을 형성하는 단계와; 상기 제 1 희생층(125)을 패터닝하고 그 위에 액츄에이터(160)를 형성하는 단계와, 상기 제 1 희생층(125)을 제거하는 단계와, 상기 제 1 희생층(125)이 제거된 영역 및 상기 액츄에이터(160) 상부에 유동성이 우수한 재질의 제 2 희생층(165)을 형성하는 단계와, 상기 제 2 희생층(165) 위에 CMP 공정이 가능한 재질의 제 3 희생층(170)을 형성하는 단계와, 제 3 희생층(170)을 CMP 공정으로 평탄화하는 단계와, 상기 평탄화된 제 3 희생층(170)의 일단을 패터닝하여 액츄에이터(160)의 구동 선단부를 노출시킨 상면에 거울(175)을 형성하는 단계와, 상기 제 2 희생층(165) 및 제 3 희생층(170)을 제거하는 단계를 포함한다.
도 5a를 참조하면, M×N개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 그 일측 상부에 드레인 패드(110)가 형성되어 있는 기판(100)의 상부에 인 실리케이트 유리(PSG)재질의 보호층(115)을 형성하여 후속하는 공정 동안 트랜지스터가 내장된 기판(100)이 손상되는 것을 방지한다.
보호층(115)의 상부에는 질화물로 이루어진 식각 방지층(120)을 형성하여 기판(100) 및 보호층(115)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 손상되는 것을 방지한다.
이와 같이 보호층(115) 및 식각 방지층(120)이 형성된 기판(100) 상부에 제 1 희생층(125)을 형성한다. 제 1 희생층(125)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법으로 0.5∼4.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이때, 제 1 희생층(125)은 트랜지스터가 내장된 기판(100)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 제 1 희생층(125)의 표면을 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 통해 평탄화한다.
도 5b를 참조하면, 상기 제 1 희생층(125)을 패터닝하여 드레인 패드(110)의 상방에 위치한 식각 방지층(120)의 일단을 노출시키고, 이와같이 노출된 식각 방지층(120)의 상부 및 제 1 희생층(125)의 상부에 다층 박막 구조의 질화물로 이루어진 멤브레인(130), 전기 전도성이 우수한 백금, 백금-탄탈륨 등의 금속으로 이루어진 하부전극(135), PZT 또는 PZLT등의 압전물질로 이루어진 변형층(140) 및 알루미늄, 백금 또는 은 등으로 이루어진 상부전극(145)을 형성한다.
도 5c를 참조하면, 상기 다층 박막 구조의 지지부에 위치하는 변형층(140), 하부전극(135), 멤브레인(130), 식각 방지층(120), 그리고 보호층(115)을 차례로 식각하여 비아홀(150)을 형성하여 드레인 패드(110)의 일단을 노출 시킨 후 드레인 패드(110)와 하부전극(135)이 전기적으로 연결되도록 비아컨택(155)을 형성한다.
이어지는 단계로 상기 다층 박막 구조가 픽셀단위로 그 일단이 구동될 수 있는 캔틸레버 형상을 갖도록 상부전극(145), 변형층(140), 하부전극(135) 및 멤브레인(130)을 패터닝하여 액츄에이터(160)를 형성한다.
한편, 액츄에이터(160)와 이웃하는 액츄에이터(160)의 경계부분을 따라 노출된 제 1 희생층(125)을 통해 불산 등의 식각액을 주입하여 제 1 희생층(125)을 제거한다.
이때, 액츄에이터(160)의 구동 선단부는 그 저면이 개방되면서 액츄에이터(160)의 다층 박막 구조 사이의 스트레스 및 하중에 의해 기판(100)방향으로 기울어지는 소정의 이니셜 틸팅각(θ)을 갖게 된다.
도 5d를 참조하면, 거울(175)이 별도로 형성되는 2층구조를 갖도록 하기 위해 제 1 희생층(125)이 제거된 영역 및 액츄에이터(160) 상부에 소정 두께로 제 2 희생층(165)을 형성한다.
상기 제 2 희생층(165)은 액츄에이터(160)와 이웃하는 액츄에이터(160) 사이의 경계부분을 통해 제 1 희생층 영역(75)까지 원활하게 충진되어야 하므로 유동성이 우수한 포토 레지스트, 폴리머, SOP, SOG 등과 같은 재질을 사용한다.
도 5e를 참조하면, 상기 제 2 희생층(165)위에 CMP공정이 원활하게 진행될 수 있는 폴리 실리콘 또는 PSG 등과 같은 재질의 제 3 희생층(170)을 형성한다. 이어서, 상기 제 3 희생층(170)의 상면을 CMP공정을 통해 평탄화하여 후속공정으로 형성되는 거울(175)의 균일도를 우수하게 한다.
상기 제 2 희생층(165) 및 제 3 희생층(170)은 액츄에이터(160)가 소정의 이니셜 틸팅각(θ)을 나타낸 이후에 형성되며, 이와같은 액츄에이터(160)의 이니셜 틸팅각(θ)과 무관하게 제 2 희생층(165) 및 제 3 희생층(170)이 평탄하게 형성된 후 거울(175)이 형성되므로 후속공정을 통해 제 2 희생층(165) 및 제 3 희생층(170)이 제거되더라도 거울(175)은 액츄에이터(160)의 이니셜 틸팅각(θ)으로 인한 영향은 받지 않게 된다.
도 5f를 참조하면, 평탄화된 상기 제 3 희생층(170)의 일단을 패터닝하여 액츄에이터(160)의 구동 선단부를 노출시킨다. 이어서, 노출된 액츄에이터(160)의 구동 선단부 및 제 3 희생층(170) 상부에 반사도가 좋은 알루미늄(Al)이나 은(Ag)을 0.1∼1.0㎛ 정도의 두께로 증착하여 거울(175)을 형성한다. 이어서, 거울(175)을 액츄에이터(160) 단위로 분리하는 패터닝공정을 한다.
도 5g를 참조하면, 상기 거울(175)을 액츄에이터(160) 단위로 분리하면서 이웃하는 거울(175)과의 경계부분에 노출된 제 3 희생층(170)에 식각액을 주입하여 제 3 희생층(170) 및 제 3 희생층(170)하부에 존재하는 제 2 희생층(165)을 동시에 제거한다.
따라서, 액츄에이터(160)는 그 일단이 기판(100)에 지지되는 캔틸레버 형상을 이루며, 구동 선단부에 거울(175)이 지지되어 액츄에이터(160)의 구동에 따라 거울(175)이 구동될 수 있는 2층구조의 박막형 광로조절장치의 제조공정이 완료된다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법에 따르면 거울이 액츄에이터의 이니셜 틸팅각의 영향을 받지 않게 되므로 광로 조절장치의 이니셜 틸팅각을 제어하기에 용이한 효과를 얻을 수 있을 뿐만아니라 거울을 형성하기 전에 희생층을 CMP 공정으로 평탄화할 수 있어 거울의 평탄도를 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
Claims (3)
- M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 기판 상에 제 1 희생층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 희생층을 패터닝하고 그 위에 액츄에이터를 형성하는 단계와, 상기 제 1 희생층을 제거하는 단계와, 상기 제 1 희생층이 제거된 영역 및 상기 액츄에이터 상부에 유동성이 우수한 재질의 제 2 희생층을 상기 액츄에이터를 덮도록 형성하는 단계와, 상기 제 2 희생층 위에 CMP 공정이 가능한 재질의 제 3 희생층을 형성하는 단계와, 제 3 희생층을 CMP 공정으로 평탄화하는 단계와, 상기 평탄화된 제 3 희생층 및 제 2 희생층의 일단을 패터닝하여 액츄에이터의 구동 선단부를 노출시킨 상면에 거울을 형성하는 단계와, 상기 제 3 희생층 및 제 2 희생층을 차례로 제거하는 단계를 포함하는 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 희생층 물질이 PR, PI, SOP, SOG 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 희생층 물질이 폴리 실리콘, PSG 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법.
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