KR19990033658A - Chemical Bath for Semiconductor Device Manufacturing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치 제조용 케미컬배스에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical bath for manufacturing a semiconductor device.
본 발명은, 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부; 상기 배스부가 밀폐되도록 상기 배스부의 상부에 구비되는 실링부; 상기 배스부에 케미컬을 공급하도록 상기 실링부를 관통하여 상기 배스부의 저면까지로 연장시켜 구비되는 케미컬공급라인; 상기 배스부에 수용되는 케미컬 등에서 발생하는 가스가 외부로 배기되도록 상기 실링부에 구비되는 배기부; 및 상기 배기부가 저온상태를 유지할 수 있도록 상기 배기부의 주변에 구비되어 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인을 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention provides a bath portion for containing a chemical used in the manufacturing process of a semiconductor device; A sealing part provided on an upper portion of the bath part to seal the bath part; A chemical supply line extending through the sealing part to the bottom of the bath part to supply the chemical to the bath part; An exhaust part provided in the sealing part to exhaust gas generated from chemicals and the like accommodated in the bath part to the outside; And a cooling water supply line provided around the exhaust part to supply the cooling water so that the exhaust part maintains a low temperature state.
따라서, 배스부를 밀폐시킴으로써 안정성을 확보할 수 있고, 케미컬이 자연적으로 감소되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 케미컬의 농도변화로 인한 불량 등을 방지할 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다.Accordingly, by sealing the bath portion, it is possible to secure stability, to prevent the chemical from being naturally reduced, and to prevent the defect due to the change in the concentration of the chemical, thereby improving productivity.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 케미컬배스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬(Chemical)을 수용하는 배스부(Bath Part)를 밀폐시키는 실링부(Sealing Part)를 구비시킨 반도체장치 제조용 케미컬배스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical bath for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor having a sealing part for sealing a bath part accommodating a chemical used in a semiconductor device manufacturing process. A chemical bath for manufacturing a device.
반도체장치는 성막공정, 사진식각공정, 불순물주입공정 및 금속공정 등의 단위공정들을 수행하여 제조된다.The semiconductor device is manufactured by performing unit processes such as a film forming process, a photolithography process, an impurity implantation process, and a metal process.
이러한 반도체장치의 제조를 위한 단위공정에서는 다양한 케미컬들을 이용하여 공정을 수행하는 것이 일반적이고, 상기 단위공정들 중 사진식각공정에서는 더욱 다양한 케미컬을 이용한다.In the unit process for manufacturing such a semiconductor device, it is common to perform the process using various chemicals, and more various chemicals are used in the photolithography process among the unit processes.
그리고 상기 사진식각공정 뿐만 아니라 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬들은 주로 상기 케미컬을 수용하는 배스부를 이용한다.Chemicals used in the manufacturing process of the semiconductor device as well as the photolithography process mainly use a bath unit accommodating the chemicals.
그러나 종래의 상기 배스부는 그 상부가 오픈(Open)된 구조가 일반적이었다.However, the conventional bath portion has a structure in which the upper portion thereof is open.
이러한 상부가 오픈된 배스부를 이용한 반도체장치의 제조에서는 상기 케미컬에서 발생하는 가스로 인한 안전성, 케미컬의 기화로 인한 케미컬의 자연감소, 상기 케미컬의 유독성으로 인한 반도체 제조라인인 크린룸(Clean Room)의 오염 또는 상기 케미컬의 농도변화로 인한 공정수행의 불량유발 등이 문제로 지적되었다.In the manufacture of a semiconductor device using an open top of such a bath, the safety of the gas generated in the chemical, the chemical reduction of the chemical due to the vaporization of the chemical, the contamination of the clean room (Clean Room), a semiconductor manufacturing line due to the toxicity of the chemical Another problem has been pointed out as a cause of poor process performance due to the chemical concentration change.
이러한 농도변화는 상기 사진식각공정의 수행시 패턴(Pattern)의 프로파일 (Profile)또는 선폭(Critical Dimension) 등에 영향을 끼쳤다.This concentration change affected the profile or the critical dimension of the pattern during the photolithography process.
즉, 종래의 상기 배스부는 그 상부가 오픈된 구조로 형성되었기 때문에 상기와 같은 문제점이 발생하였다.That is, the conventional bath part has the above problem because the upper portion is formed in an open structure.
이러한 문제점은 고집적화되어가는 최근의 반도체장치의 제조에서는 치명적인 결함으로 작용하였다.This problem has been a fatal defect in the recent fabrication of highly integrated semiconductor devices.
이에 따라 최근에는 상기 배스부를 클로즈(Close)시키는 구조로 형성시키도 하고 있으나, 이러한 구조로 이루어지는 배스부는 외부로부터 다른 케미컬이 유입되는 것을 방지하기 위함이 목적으로써, 상기와 같은 문제점을 해결함이 아니었다.Accordingly, in recent years, the bath part may be formed in a structure that closes the bath part, but the bath part having such a structure is for the purpose of preventing the introduction of other chemicals from the outside. .
따라서 종래의 배스부는 그 상부가 오픈된 구조로 형성됨에 따라 작업의 안전성, 크린룸의 오염 또는 불량을 유발시키는 원인으로 작용하여 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.Therefore, the conventional bath portion has a problem that lowers productivity by acting as a cause of work safety, clean room contamination or defects, as the upper portion is formed in an open structure.
본 발명의 목적은, 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부를 밀폐시키는 실링부를 구비하여 전술한 문제점을 해결함으로써 생산성을 향상시키기 위한 반도체장치 제조용 케미컬배스를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chemical bath for manufacturing a semiconductor device for improving productivity by providing a sealing portion for sealing a bath for accommodating a chemical used in the manufacturing process of a semiconductor device and solving the above-mentioned problems.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 케미컬배스의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing an embodiment of a chemical bath for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
도2은 도1의 사시도이다.2 is a perspective view of FIG.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10 : 배스부 12 : 실링부10: bath part 12: sealing part
14 : 케미컬공급라인 16 : 배기부14: chemical supply line 16: exhaust part
18 : 냉각수공급라인18: cooling water supply line
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 케미컬배스는, 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부가 밀폐되도록 상기 배스부의 상부에 실링부를 구비시킴을 특징으로 한다.The chemical bath for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is characterized in that the sealing portion is provided on the upper portion of the bath so as to seal the bath to receive the chemical used in the manufacturing process of the semiconductor device.
상기 실링부는 개폐동작을 수행할 수 있도록 힌지결합으로 이루어지는 도어인 것이 바람직하다.The sealing unit is preferably a door made of a hinge coupling to perform the opening and closing operation.
상기 배스부에 케미컬을 공급하는 케미컬공급라인은 상기 실링부를 관통하여 상기 배스부의 저면까지로 연장시켜 형성되는 것이 바람직하다.The chemical supply line for supplying the chemical to the bath portion is preferably formed by extending through the sealing portion to the bottom of the bath portion.
상기 배스부에 수용되는 케미컬 등에서 발생하는 가스가 상기 배스부의 외부로 배기되도록 상기 실링부에 배기부를 더 구비시키는 것이 바람직하다.It is preferable to further include an exhausting portion in the sealing portion so that gas generated in the chemical or the like contained in the bath portion is exhausted to the outside of the bath portion.
상기 배기부가 저온상태로 유지되도록 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인을 상기 배기부의 주변에 더 구비시키는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a cooling water supply line for supplying cooling water so that the exhaust part is kept at a low temperature.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 케미컬배스는, 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부; 상기 배스부가 밀폐되도록 상기 배스부의 상부에 구비되는 실링부; 상기 배스부에 케미컬을 공급하도록 상기 실링부를 관통하여 상기 배스부의 저면까지로 연장시켜 구비되는 케미컬공급라인; 상기 배스부에 수용되는 케미컬 등에서 발생하는 가스가 외부로 배기되도록 상기 실링부에 구비되는 배기부; 및 상기 배기부가 저온상태를 유지할 수 있도록 상기 배기부의 주변에 구비되어 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인을 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.Chemical bath for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the bath portion for receiving the chemical used in the manufacturing process of the semiconductor device; A sealing part provided on an upper portion of the bath part to seal the bath part; A chemical supply line extending through the sealing part to the bottom of the bath part to supply the chemical to the bath part; An exhaust part provided in the sealing part to exhaust gas generated from chemicals and the like accommodated in the bath part to the outside; And a cooling water supply line provided around the exhaust part to supply the cooling water so that the exhaust part maintains a low temperature state.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 케미컬배스의 일 실시예를 나타내는 구성도이고, 도2는 도1의 사시도이다.1 is a configuration diagram showing an embodiment of a chemical bath for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, Figure 2 is a perspective view of FIG.
먼저, 도1은 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부(10) 및 상기 배스부(10)가 밀폐되도록 상기 배스부(10)의 상부에 구비되는 실링부(12)가 구비되어 있다.First, FIG. 1 is provided with a bath 10 for accommodating a chemical used in a manufacturing process of a semiconductor device and a sealing 12 provided on an upper portion of the bath 10 so that the bath 10 is sealed. It is.
특히, 본 발명의 상기 배스부(10) 및 실링부(12)를 포함하는 케미컬배스는 사진식각공정의 수행에 주로 이용된다.In particular, the chemical bath including the bath unit 10 and the sealing unit 12 of the present invention is mainly used for performing a photolithography process.
여기서 본 발명의 상기 실링부(12)는 개폐동작을 수행할 수 있도록 힌지(Hinge)결합으로 이루어지는 도어(Door)로 형성시킬 수 있다.Here, the sealing part 12 of the present invention may be formed as a door (Door) made of a hinge (Hinge) coupling to perform the opening and closing operation.
또한 상기 배스부(10)에 케미컬을 공급하도록 상기 실링부(12)를 관통하여 상기 배스부(10)의 저면까지로 연장시켜 구비되는 케미컬공급라인(14)이 구비되어 있다.In addition, the chemical supply line 14 is provided to extend through the sealing portion 12 to the bottom surface of the bath 10 to supply the chemical to the bath 10.
여기서 본 발명의 상기 케미컬공급라인(14)은 공급되는 케미컬에 따라 복수개로 구비시킬 수 있고, 실시예에서는 도1에 도시된 바와 같이 2개의 케미컬공급라인(14)을 구비시킨다.Wherein the chemical supply line 14 of the present invention can be provided in plurality in accordance with the supplied chemical, in the embodiment is provided with two chemical supply line 14 as shown in FIG.
그리고 본 발명은 상기 배스부(10)에 수용되는 케미컬 등에서 발생하는 가스(Gas)가 외부로 배기되도록 상기 실링부(12)에 구비되는 배기부(16) 및 상기 배기부(16)가 저온상태를 유지할 수 있도록 상기 배기부(16)의 주변에 구비되어 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인(18)이 구비되어 있다.In addition, in the present invention, the exhaust unit 16 and the exhaust unit 16 provided in the sealing unit 12 are discharged to the outside so that the gas (Gas) generated in the chemical contained in the bath unit 10 is discharged to the outside. Cooling water supply line 18 is provided in the vicinity of the exhaust portion 16 to supply the cooling water to maintain the.
여기서 본 발명의 상기 배기부(16)는 도2에 도시된 바와 같이 상기 실링부(12)의 일측단을 관통하는 형태로 구비시킬 수 있다.Here, the exhaust part 16 of the present invention may be provided to pass through one side end of the sealing part 12 as shown in FIG.
즉, 상기 실링부(12)의 개폐동작과 무관한 영역인 상기 실링부(12)의 일측단에 구비시킨다.That is, it is provided at one end of the sealing portion 12 which is an area irrelevant to the opening and closing operation of the sealing portion 12.
그리고 본 발명의 상기 냉각수공급라인(18) 또한 상기 실링부(12)에 구비시키는 것으로써, 상기 배기부(16)가 구비되는 주변을 돌아나오는 형태로 구비시킬 수 있다.In addition, by providing the cooling water supply line 18 of the present invention to the sealing part 12, it can be provided in the form of returning around the exhaust portion 16 is provided.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 실링부(12)를 형성시킴으로써 상기 배스부(10)를 완전히 밀폐시킬 수 있다.According to the present invention having the above configuration, the bath part 10 may be completely sealed by forming the sealing part 12.
그리고 상기 배기부(10)를 형성시킴으로써 상기 배스부(10)에 수용되는 케미컬에서 발생하는 가스 등을 용이하게 상기 배스부(10)의 외부로 배기시킬 수 있다.In addition, by forming the exhaust unit 10, gas generated in the chemical contained in the bath unit 10 may be easily exhausted to the outside of the bath unit 10.
이에 따라 상기 케미컬에서 발생하는 가스를 안전하게 배기시킬 수 있어 제조공정의 수행시 안전성을 확보할 수 있고, 또한 크린룸 등이 오염되는 것을 미연에 방지할 수 있다.Accordingly, the gas generated in the chemical can be safely evacuated, thereby ensuring safety during the execution of the manufacturing process, and preventing contamination of the clean room and the like in advance.
그리고 상기 냉각수공급라인(18)을 형성시켜 상기 배기부(16)의 주변으로 냉각수를 공급함으로써 상기 케미컬에서 발생되는 가스가 배기될 때 상기 가스를 응결시킴으로써 다시 배스부(10)에 드롭(Drop)되로록 한다.Then, the cooling water supply line 18 is formed to supply cooling water to the periphery of the exhaust part 16 to condense the gas when the gas generated in the chemical is exhausted, thereby dropping the bath part 10 again. Let's go back.
이에 따라 상기 케미컬에서 발생하는 가스로 인한 케미컬의 감소를 최소화시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to minimize the reduction of the chemical due to the gas generated in the chemical.
즉, 본 발명은 상기 배스부(10)를 완전히 밀폐시킴과 동시에 상기 배스부(10)에 수용되는 케미컬에서 발생하는 가스를 안전하게 배기시키고, 또한 배기되는 가스를 응결시켜 다시 이용할 수 있다.That is, according to the present invention, the bath 10 may be completely sealed, and at the same time, the gas generated in the chemical contained in the bath 10 may be safely exhausted, and the exhaust gas may be condensed and used again.
그리고 본 발명은 상기 배스부에 수용되는 케미컬의 농도변화를 최소화시킬 수 있어 반도체장치의 제조공정의 수행시 농도변화로 인한 불량을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can minimize the change in the concentration of the chemical contained in the bath portion to prevent the defect due to the change in concentration during the manufacturing process of the semiconductor device.
이러한 케미컬의 농도변화의 최소화는 반도체장치의 제조공정 중에서 사진식각공정의 수행시 발생하는 패턴의 프로파일 또는 선폭 등의 형성을 향상시킬 수 있다.Minimization of the chemical concentration change may improve formation of a pattern or line width of a pattern generated when performing a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process.
따라서, 본 발명에 의하면 배스부를 밀폐시킴으로써 안정성을 확보할 수 있고, 케미컬이 자연적으로 감소되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 케미컬의 농도변화로 인한 불량 등을 방지할 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to secure stability by sealing the bath part, to prevent the chemical from being naturally reduced, and to prevent defects due to the change in the concentration of the chemical, thereby improving productivity. .
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970055074A KR19990033658A (en) | 1997-10-25 | 1997-10-25 | Chemical Bath for Semiconductor Device Manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970055074A KR19990033658A (en) | 1997-10-25 | 1997-10-25 | Chemical Bath for Semiconductor Device Manufacturing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990033658A true KR19990033658A (en) | 1999-05-15 |
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ID=66047810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970055074A KR19990033658A (en) | 1997-10-25 | 1997-10-25 | Chemical Bath for Semiconductor Device Manufacturing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990033658A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708330B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-04-17 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for preventing fume from going outer |
-
1997
- 1997-10-25 KR KR1019970055074A patent/KR19990033658A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708330B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-04-17 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for preventing fume from going outer |
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