KR19990027869A - 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 세정법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 처리량을 증가시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법에 관한 것이다. 챔버 내에서 9매의 웨이퍼를 연속적으로 도포한다. 챔버를 프리코팅하여 챔버의 막질을 안정화하고 아웃게싱을 방지한다. 엔드 포인트 디텍터 방식으로 챔버를 클리닝한다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 세정법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 처리량을 증가시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는데 있어서, 양질의 막을 균일한 두께로 형성할 수 있는 화학 기상 증착 장치는 필수적이다. 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 상에 산화막을 형성하는 플라즈마 인헨스 화학 기상 증착(PECVD) 공정을 위한 반도체 장치에 있어서, 기존의 경우, 1매의 웨이퍼 상에 산화막을 도포한 후 챔버를 세정하였다. 즉, 1매 도포 후 1번 클리닝 방식으로 공정을 진행하였다.
그러나, 상기한 기존의 방식에 의하면, 한번의 도포공정 후 바로 챔버를 세정해야 하기 때문에 설비를 사용하지 않는 시간 (세정 시간)이 많아 시간당 웨이퍼 처리량이 작고 공정 진행상 목(neck) (다른 공정에 비해 도포 공정이 지연되기 때문에, 도포 공정을 하기 위해 대기하는 웨이퍼의 수가 점점 많아 진다)이 발생한다. 웨이퍼 처리량을 증기시키고 공정 목을 발생시키지 않기 위해서는 반드시 추가적인 설비 구입이 필요하게 되는데, 이를 경우, 비용 증가는 물론 라인 내 설비를 셋업할 자리를 찾기 힘들다는 문제점이 발생한다.
따라서, 1매 도포 후 1번 클리닝하는 기존의 챔버 세정 방식은 공정 목을 해소할 수가 없기 때문에 새로운 형태의 세정 방식이 필요하게 되었다.
본 발명의 목적은 웨이퍼 처리량을 증가시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법은, 챔버 내에서 9매의 웨이퍼를 연속적으로 도포한 후, 상기 챔버를 프리코팅하고, 이어서, 엔드 포인트 디텍터(EPD) 방식으로 상기 챔버를 클리닝하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법을 더욱 자세하게 설명하고자 한다.
본 발명은, 1매 도포 후 반드시 챔버를 1번 클리닝하던 기존의 방식과 달리, 웨이퍼 9매를 연속으로 도포한 후 엔드 포인트 디텍더 방식으로 챔버를 1번 클링닝한다. 이때, 챔버를 클리닝하기 전에, 프리코팅(precoating)을 행하면 챔버의 막질을 안정화시킬 수 있을 뿐만아니라 도포 공정 시 챔버 내부로 가스가 아웃게싱(outgassing)되는 것을 방지할 수 있다.
9매 도포 후 챔버를 1번 클리닝하는 본 발명의 세정 방식은 도포막의 신뢰도를 기존과 유지하면서도 시간 당 처리량을 가장 많이 낼 수 있는 방식이다. 이는, 여러 회의 실험을 거친 후 얻어지 결과로, 대표적으로 몇가지를 나열해보면 다음 표 1과 같다.
| 도포 매수 | 세정 시간 | 소요 시간 | 매수/ 시간 |
| 1매/1세정(기존)5매9매 | 190초250초 | 1시간 25분1시간 5분55분 | 37.9매48.8매57.9매 |
상기 표 1에 의하면, 기존의 1매 도포 후 1번 챔버를 세정하는 방식의 경우, 도포와 세정에 걸리는 시간이 1시간 25분으로 시간 당 웨이퍼 처리 매수가 37.9매 인데 비해, 5매 도포 후 엔드 포인트 디텍터(end point detector; EPD) 방식으로 1번 챔버를 세정하는데 걸리는 시간은 1시간 5분으로 시간 당 웨이퍼 처리 매수는 48.8매로 기존 방식보다 웨이퍼 처리량이 조금 증가하였다. 또한 9매 도포 후 엔드 포인트 디텍터 방식으로 1번 챔버를 세정하는 본 발명에 의하면 전체 소요 시간이 55분으로 시간 당 웨이퍼 처리 매수가 57.9매로 가장 많다. 이는 기존 보다 약 30% 정도의 처리량 증가를 가져온다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.
본 발명에 의한 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법에 의하면, 9매의 웨이퍼를 연속적으로 도포한 후 엔드 포인트 디텍터 방식으로 챔버를 1번 클리닝하므로 1매의 웨이퍼를 도포한 후 챔버를 1번 클리닝하던 종래의 방법에 비해 단위 시간당 웨이퍼 처리량을 증가시킬 수 있다.
Claims (2)
- 챔버 내에서 9매의 웨이퍼를 연속적으로 도포한 후, 엔드 포인트 디텍터 방식으로 상기 챔버를 클리닝하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법.
- 제1항에 있어서,상기 클리닝 전에 상기 챔버를 프리코팅하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050399A KR19990027869A (ko) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050399A KR19990027869A (ko) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990027869A true KR19990027869A (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=66044999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970050399A KR19990027869A (ko) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 화학 기상 증착 장치의 챔버 세정법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990027869A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210018147A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
-
1997
- 1997-09-30 KR KR1019970050399A patent/KR19990027869A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210018147A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
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